JPH0291924A - 半導体の薄膜形成装置 - Google Patents
半導体の薄膜形成装置Info
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- JPH0291924A JPH0291924A JP24229788A JP24229788A JPH0291924A JP H0291924 A JPH0291924 A JP H0291924A JP 24229788 A JP24229788 A JP 24229788A JP 24229788 A JP24229788 A JP 24229788A JP H0291924 A JPH0291924 A JP H0291924A
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- Japan
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- gas
- shielding plate
- introduction tube
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- excited
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 22
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体の薄膜形成装置の改良に関する。
（従来の技術）
周知の様に、半導体の薄膜形成方法にＣＶＤ法があり、
このＣＶＤ法の１つにマイクロ波ＣＶＤ法がある。
このＣＶＤ法の１つにマイクロ波ＣＶＤ法がある。
このマイクロ波ＣＶＤ法は、室温で原料ガスとプラズマ
によって励起された活性粒子の反応により生じた反応生
成物をウェハに堆積させる方法である。
によって励起された活性粒子の反応により生じた反応生
成物をウェハに堆積させる方法である。
第４図は、従来のマイクロ波ＣＶＤ波法による装置の代
表的な構造を示す、同図において、１は真空反応容器、
２はウェハ、３は真空反応容器１内に配設されたウェハ
ステージ、４は原料ガス導入口、５は励起ガス導入口、
６はマイクロ波やＲＦによるプラズマ発生装置、７はプ
ラズマ発生室、８は原料ガスと励起ガスの反応予備室、
９は遮閉板、１０はこの遮閉板９にメツシュ状に加工さ
れた混合ガスの排出口、１１は反応室、１２は真空反応
室排気口である。
表的な構造を示す、同図において、１は真空反応容器、
２はウェハ、３は真空反応容器１内に配設されたウェハ
ステージ、４は原料ガス導入口、５は励起ガス導入口、
６はマイクロ波やＲＦによるプラズマ発生装置、７はプ
ラズマ発生室、８は原料ガスと励起ガスの反応予備室、
９は遮閉板、１０はこの遮閉板９にメツシュ状に加工さ
れた混合ガスの排出口、１１は反応室、１２は真空反応
室排気口である。
この構成においては、励起ガス導入口５より導入された
励起ガスは、プラズマ発生装置６によりプラズマ発生室
７で励起され、活性粒子となる。
励起ガスは、プラズマ発生装置６によりプラズマ発生室
７で励起され、活性粒子となる。
この活性粒子と原料ガスは各々の導入管４ａ、５ａを通
り、反応予備室８に流入し混合される。
り、反応予備室８に流入し混合される。
ここで、混合された混合ガスは、遮閉板９の混合ガス排
出口１０から反応室１１に導入され、ウエハ２に付着す
る。
出口１０から反応室１１に導入され、ウエハ２に付着す
る。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上述した従来構造においては、原料ガス導入管
４ａから反応予備室８に導入された原料ガスは、拡散現
象により励起ガス導入管５ａの反応予備室８への出口か
ら励起ガス導入管５ａの中に拡散する。
４ａから反応予備室８に導入された原料ガスは、拡散現
象により励起ガス導入管５ａの反応予備室８への出口か
ら励起ガス導入管５ａの中に拡散する。
このため、励起ガス導入管５ａの中でもＣＶＤ反応が生
じ、中間反応生成物が励起ガス導入管５ａの内壁に付着
する。
じ、中間反応生成物が励起ガス導入管５ａの内壁に付着
する。
この中間反応生成物は、同じ励起ガス導入５ａから導入
される励起ガスと共に予備反応室８に導から、ＣＶＤ反
応に悪影響を与え、所定の膜質に悪影響を与える。また
、これを避けるためには励起ガス導入管５ａを高頻度に
洗浄する必要があり、スループットが大幅に低下し、こ
れにより作業能率が大幅に低下する。
される励起ガスと共に予備反応室８に導から、ＣＶＤ反
応に悪影響を与え、所定の膜質に悪影響を与える。また
、これを避けるためには励起ガス導入管５ａを高頻度に
洗浄する必要があり、スループットが大幅に低下し、こ
れにより作業能率が大幅に低下する。
以上の様に、従来構造には欠点があり、この改善が望ま
れていた。
れていた。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段）
本発明は、原料ガスと励起粒子の混合ガスを所定の温度
に調節した半導体に導入して薄膜を形成する半導体の薄
膜形成装置において、励起ガス導入管の反応予備室への
出口に、複数の小径の貫通孔を有する遮閉板を設けたこ
とを特徴とするものである。
に調節した半導体に導入して薄膜を形成する半導体の薄
膜形成装置において、励起ガス導入管の反応予備室への
出口に、複数の小径の貫通孔を有する遮閉板を設けたこ
とを特徴とするものである。
（作 用）
励起ガス薄入管の反応室への出口に、複数の小径の貫通
孔を有する遮閉板を設けることによって、原料ガスの励
起ガス導入管への拡散抵抗が増大し、励起ガス導入管へ
の原料ガスの回り込みを防止出来る。
孔を有する遮閉板を設けることによって、原料ガスの励
起ガス導入管への拡散抵抗が増大し、励起ガス導入管へ
の原料ガスの回り込みを防止出来る。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図、第２図は、
第１図のＡ部の拡大詳細図、第３図は、第２図のＡ−Ａ
線に沿った断面図である。
第１図のＡ部の拡大詳細図、第３図は、第２図のＡ−Ａ
線に沿った断面図である。
なお、第４図と同一部分には同符号を付し、重複した説
明を省略する。
明を省略する。
第１図、第２図および第３図において、励起ガス導入管
５ａの先端と真空反応容器１の開口部１ａとの間に、図
示しないパツキンを介して気密を保持する様にした遮閉
板１３を設ける。この遮閉板１３は、複数個の小さな貫
通孔１４を開口部１ａの面積内に配置して設けている。
５ａの先端と真空反応容器１の開口部１ａとの間に、図
示しないパツキンを介して気密を保持する様にした遮閉
板１３を設ける。この遮閉板１３は、複数個の小さな貫
通孔１４を開口部１ａの面積内に配置して設けている。
なお、励起ガス導入管５ａと遮閉板１３の間には、励起
ガス導入管５ａと遮閉板１３の間の気密を保持するパツ
キン１５を設ける。
ガス導入管５ａと遮閉板１３の間の気密を保持するパツ
キン１５を設ける。
次に、以上の様に構成された実施例の作用を説明する。
予備反応室８内には、励起ガスが遮閉板１３を有する励
起ガス導入管５ａから導入されると共に、原料ガスが原
料ガス導入管４ａから導入され混合ガスを作る。この時
原料ガスは、励起ガス導入管５ａの先端に取り付けられ
た遮閉板１３による流通抵抗のため励起ガス導入管５ａ
の中にはほとんど流れ込むことが出来ないから拡散出来
ず、反応予備室８には純粋な励起ガスと原料ガスとの混
合ガスが反応予備室８から反応室１１に引き出され、所
望のＣＶＤ反応を行いウェハ２の表面に所定の薄膜の堆
積を行う。
起ガス導入管５ａから導入されると共に、原料ガスが原
料ガス導入管４ａから導入され混合ガスを作る。この時
原料ガスは、励起ガス導入管５ａの先端に取り付けられ
た遮閉板１３による流通抵抗のため励起ガス導入管５ａ
の中にはほとんど流れ込むことが出来ないから拡散出来
ず、反応予備室８には純粋な励起ガスと原料ガスとの混
合ガスが反応予備室８から反応室１１に引き出され、所
望のＣＶＤ反応を行いウェハ２の表面に所定の薄膜の堆
積を行う。
この結果、励起ガス導入管５ａに原料ガスの拡散現象に
よる回り込みによる悪影響の無い良好な膜質の薄膜が得
られる。
よる回り込みによる悪影響の無い良好な膜質の薄膜が得
られる。
もちろん、この遮閉板１３の貫通孔１４の形状寸法は十
分な拡散抵抗を有するものであればこれと異なったもの
でも良い。
分な拡散抵抗を有するものであればこれと異なったもの
でも良い。
以上説明した様に本発明によれば、励起ガス導入管の反
応予備室への出口に複数個の小さな貫通孔を有する遮閉
板を設けることにより、原料ガスの励起ガス導入孔への
回り込みを防止し、ウェハに良好な膜質で高いスルーブ
ツトで薄膜を形成することができる。
応予備室への出口に複数個の小さな貫通孔を有する遮閉
板を設けることにより、原料ガスの励起ガス導入孔への
回り込みを防止し、ウェハに良好な膜質で高いスルーブ
ツトで薄膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図のＡ部の拡大詳細図、第３図は第２図のＡ−Ａ線に沿
った断面図、第４図は従来の半導体の薄膜形成装置を示
す断面図である。 １・・・真空反応容器 ２・・・ウェハ ４ａ・・・原料ガス導入管 ５ａ・・・励起ガス導入管 ８・・・反応予備室 １１・・・反応室 １３・・・遮閉板 １４・・・貫通孔
図のＡ部の拡大詳細図、第３図は第２図のＡ−Ａ線に沿
った断面図、第４図は従来の半導体の薄膜形成装置を示
す断面図である。 １・・・真空反応容器 ２・・・ウェハ ４ａ・・・原料ガス導入管 ５ａ・・・励起ガス導入管 ８・・・反応予備室 １１・・・反応室 １３・・・遮閉板 １４・・・貫通孔
Claims (1)
- 半導体を収容する真空反応容器へ原料ガス及び励起ガス
をそれぞれ導入し、前記半導体に薄膜を形成する半導体
の薄膜形成装置において、前記励起ガスの導入管の先端
に、複数の小径の貫通孔を有する遮閉板を設けたことを
特徴とする半導体の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24229788A JPH0291924A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体の薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24229788A JPH0291924A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体の薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291924A true JPH0291924A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17087141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24229788A Pending JPH0291924A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 半導体の薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0291924A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766682A (en) * | 1991-12-26 | 1998-06-16 | Tsubouchi; Kazuo | Process for chemical vapor deposition of a liquid raw material |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24229788A patent/JPH0291924A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766682A (en) * | 1991-12-26 | 1998-06-16 | Tsubouchi; Kazuo | Process for chemical vapor deposition of a liquid raw material |
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