KR101046800B1 - 기화기 및 반도체 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

액체 원료로부터 처리 가스를 얻기 위한 기화기(2)는, 기화기(2)의 처리 공간을 규정하는 용기(40), 및 용기(40) 내에 액체 원료를 안개상으로 아래쪽을 향해 분출하는 토출구(30a)를 갖는 인젝터(30)를 갖는다. 토출구(30a)의 하측에서 용기(40) 내에 하부 블록(31)이 배설되고, 이것에 의해, 토출구(30a)와 하부 블록(31) 사이에 안개상 액체 원료의 조주 공간(G)이 규정되고, 용기(40)의 내측면과 하부 블록(31) 사이에 조주 공간(G)에 연속하는 환상 공간(F)이 규정된다. 용기(40) 및 하부 블록(31)에 제 1 및 제 2 히터(48, 33)가 각기 배설되고, 제 1 및 제 2 히터(48, 33)는 환상 공간(F)을 통과하는 안개상 액체 원료를 가열하여 처리 가스를 생성한다. 환상 공간(F)에서 처리 가스를 도출하도록 용기(40)에 가스 도출로(53)가 접속된다.

Description

기화기 및 반도체 처리 시스템{VAPORIZER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM}
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 처리 시스템(성막 시스템)을 나타내는 구성도이다.
도 2는 도 1의 시스템에서 사용되는 기화기를 나타내는 종단면도이다.
도 3a는 도 2에 나타내는 기화기의 내부를 나타내는 종단면도이다.
도 3b는 도 3a의 IIIB-IIIB 선에 따른 횡단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 성막 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 도 2에 나타내는 기화기에서 실시되는 액체 원료의 기화의 이미지를 나타내는 단면도이다.
도 6a는 도 2에 나타내는 기화기에 형성되는 환상 공간에서의 가스의 유속 분포를 나타내는 도면이다.
도 6b는 비교예의 환상 공간에서의 가스의 유속 분포를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 2에 나타내는 기화기의 변경예를 나타내는 횡단 평면도이다.
도 8은 도 2에 나타내는 기화기의 다른 변경예를 나타내는 종단 측면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 처리 시스템(성막 시스템)을 나타내는 구성도이다.
도 10은 도 9에 나타내는 실시형태의 변경예에 따른 반도체 처리 시스템(성막 시스템)을 나타내는 구성도이다.
본 발명은, 액체 원료로부터 처리 가스를 얻기 위한 기화기, 및 반도체 처리 시스템에 관한 것이다. 여기서 반도체 처리란, 웨이퍼나 LCD(Liquid Crystal Display)나 FPD(Flat Panel Display)용의 유리 기판 등의 피처리 기판 상에 반도체층, 절연층, 도전층 등을 소정의 패턴으로 형성함으로써 상기 피처리 기판 상에 반도체 디바이스나, 반도체 디바이스에 접속되는 배선, 전극 등을 포함하는 구조물을 제조하기 위해서 실시되는 여러 가지 처리를 의미한다.
반도체 제조 처리의 하나로서, 반도체 웨이퍼 W의 표면에 소정의 막을 형성하는 성막 처리가 있다. 이 처리는 예를 들어 감압 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 이용하여 실시된다. 이 감압 CVD 장치는, 원료를 가스 상태로 공급하고 화학 반응을 진행시켜 웨이퍼 표면에 박막을 퇴적시킨다. 이 종류의 장치에 있어서, 액체 원료를 기화하여 얻은 처리 가스를 성막 가스로서 처리실 내에 도입하는 경우가 있다.
액체 원료를 기화하여 얻은 처리 가스를 이용한 성막 처리의 예로서는, 다음 과 같은 것이 있다. 즉, TEOS(Tetra ethoxy silane)를 기화하여 얻은 처리 가스와 산소(O2) 가스를 이용하여 SiO2막을 성막한다. Si2Cl6를 기화하여 얻은 처리 가스와 암모니아(NH3) 가스를 이용하여 질화규소(Si3N4)막을 성막한다.
특허문헌 1(일본 특허공개 제1991-126872호 공보(3페이지 단락 30, 도 1))은 액체 원료를 기화하는 기화기의 한 유형을 개시하고 있다. 이 기화기의 경우, 네뷸라이저(nebulizer)에 의해 안개상(霧狀) 액체 원료가 소정의 온도로 가열된 기화실 내에 공급되어 기화된다. 그러나, 이 기화기에서는, 안개상 액체 원료가 기화실 내를 통류하는 사이에 충분한 열교환이 행하여지지 않는다. 이것 때문에, 기화실의 출구측에 접속된 파이프로부터 배출되는 처리 가스에는 미스트(mist)가 많이 포함된다. 이 처리 가스를 예컨대 감압 CVD 장치 등의 반응실 내에 공급한 경우, 이 미스트가 웨이퍼의 표면에 부착하여 파티클(particle)로 된다. 즉 미스트가 웨이퍼에 있어서의 파티클의 발생 요인이 된다.
특허문헌 2(일본 특허공개 제 1994-310444호 공보(단락 0123, 도 13))는 액체 원료를 기화하는 기화기의 다른 유형을 개시하고 있다. 이 기화기의 경우, 기화실 내에 히터를 내장하는 복수의 기화판이, 액체 원료의 유로를 방해하도록 내벽면에 대하여 직각으로 배치된다. 안개상 액체 원료는 가열된 기화판에 충돌함으로써 기화된다. 그러나, 이 기화기에서는, 기화판의 기단측(기화기의 벽면측)에 가스의 정체 영역(데드 볼륨(dead volume))이 발생한다. 이 정체 영역에서는 안개상 액체 원료는 기화판에 충돌하지 않고서 누적되고, 그 누적물이 미스트의 원인이 된 다. 이것 때문에, 미스트의 발생을 완전히 억제할 수 없다.
본 발명의 목적은 액체 원료를 높은 효율로 기화할 수 있는 기화기를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 다른 목적은 처리 효율이 높은 반도체 처리 시스템을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 1 시점은, 액체 원료로부터 처리 가스를 얻기 위한 기화기로서,
상기 기화기의 처리 공간을 규정하는 용기,
상기 용기 내에 상기 액체 원료를 안개상으로 아래쪽을 향해 분출하는 토출구를 갖는 인젝터,
상기 토출구의 하측에서 상기 용기 내에 배설(配設)된 하부 블록(상기 토출구와 상기 하부 블록 사이에 상기 안개상 액체 원료의 조주(助走) 공간이 규정되고, 상기 용기의 내측면과 상기 하부 블록 사이에 상기 조주 공간에 연속하는 환상 공간이 규정된다),
상기 용기 및 상기 하부 블록에 각기 배설된 제 1 및 제 2 히터(상기 제 1 및 제 2 히터는 상기 환상 공간을 통과하는 상기 안개상 액체 원료를 가열하여 상기 처리 가스를 생성한다), 및
상기 환상 공간으로부터 상기 처리 가스를 도출하도록 상기 용기에 접속된 가스 도출로를 구비한다.
본 발명의 제 2 시점은, 반도체 처리 시스템으로서,
피처리 기판을 수납하는 처리실,
상기 처리실 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재,
상기 처리실 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터,
상기 처리실 내를 배기하는 배기계, 및
상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급계(상기 가스 공급계는 액체 원료로부터 상기 처리 가스를 얻기 위한 기화기를 포함한다)를 구비하고, 상기 기화기는,
상기 기화기의 처리 공간을 규정하는 용기,
상기 용기 내에 상기 액체 원료를 안개상으로 아래쪽을 향해 분출하는 토출구를 갖는 인젝터,
상기 토출구의 하측에서 상기 용기 내에 배설된 하부 블록(상기 토출구와 상기 하부 블록 사이에 상기 안개상 액체 원료의 조주 공간이 규정되고, 상기 용기의 내측면과 상기 하부 블록 사이에 상기 조주 공간에 연속하는 환상 공간이 규정된다),
상기 용기 및 상기 하부 블록에 각기 배설된 제 1 및 제 2 히터(상기 제 1 및 제 2 히터는 상기 환상 공간을 통과하는 상기 안개상 액체 원료를 가열하여 상기 처리 가스를 생성한다), 및
상기 환상 공간으로부터 상기 처리 가스를 도출하도록 상기 용기에 접속된 가스 도출로를 구비한다.
이하에, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 한편, 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 갖는 구성 요소에 관해서는 동일 부호를 붙이고, 중복 설명은 필요한 경우에만 한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 처리 시스템(성막 시스템)을 나타내는 구성도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 이 시스템은, 피처리 기판, 예컨대 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 성막 처리를 하는(웨이퍼(W) 상에 소정의 박막을 형성하는) 성막 처리부(100)를 포함한다. 성막 처리부(100)에는, 소정의 처리 가스를 공급하기 위한 가스 공급계(200)가 접속된다.
성막 처리부(100)는 예컨대 반응실(처리실)인 종형(縱形)의 반응관(110)을 갖는 배치식의 감압 CVD 장치를 구비한다. 반응관(110) 내에 웨이퍼(W)를 다수 탑재한 웨이퍼 보트(120)가 반출입 가능하게 된다. 웨이퍼(W)는 반응관(110)의 외측에 배설된 히터(130)에 의해 가열된다. 반응관(110) 내는, 진공 배기 수단인 진공 펌프(150)를 통해서 소정의 진공도로 유지된다. 반응관(110)에는, 후술하는 처리 가스 공급 라인으로부터 소정의 처리 가스가 공급된다.
가스 공급계(200)는 저류조(1), 기화기(2), 및 이들에 접속된 배관계를 포함한다. 저류조(1)는, 예컨대 85℃에서의 증기압이 0.55Pa 이하인 저증기압의 액체 원료, 예컨대 TEMAH(Tetrakis(N-ethyl-N-methylamino)hafnium)나 HTB(hafnium tetra-t-butoxide) 등의 하프늄계 재료를 저류한다. 기화기(2)는 저류조(1)로부터 공급되는 액체 원료를 기화하여 처리 가스를 생성한다.
구체적으로는, 저류조(1)는 공급 라인(액체 원료 공급로)(51)을 통해서 기화기(2)에 접속된다. 공급 라인(51)의 저류조(1)측의 단부는 저류조(1) 내의 액체 원료와 접촉하도록 배설된다. 공급 라인(51)에는, 상류측(저류조(1)측)으로부터 순차로, 제 1 밸브(V1), 액체 매스 플로우 미터(M), 제 2 밸브(V2)가 개설(介設)된다.
저류조(1)에는, 밸브(Va)를 개설한 가스 공급 라인(21)이 접속된다. 가스 공급 라인(21)의 일단측은, 저류조(1)의 액체 원료의 액면의 상방측에 위치하도록 배설된다. 가스 공급 라인(21)의 타단측은, 가압 기체, 예컨대 N2 가스의 공급원(22)과 접속된다. 저류조(1)로부터 기화기(2)에 액체 원료를 공급할 때에는, 저류조(1) 내에 예컨대 1.0kg/cm2 정도의 N2 가스를 공급한다. 이것에 의해 액체 원료를 가압하고, 이 가압에 의해 액체 원료를 저류조(1)로부터 기화기(2)에 소정 유량으로 압송(壓送)할 수 있다. 여기서 가압 기체로서는, N2 가스 이외에 헬륨(He) 가스나 아르곤(Ar) 가스 등의 불활성 가스를 이용할 수 있다.
기화기(2)에는 또한, 가스 공급 라인(23)을 통해서, 퍼징 가스나 안개화용 가스로서 사용되는 보조 가스, 예컨대 N2 가스의 공급원(24)이 접속된다. 가스 공급 라인(23)에는, 가스 공급원(24)측으로부터 순차로 제 1 매스 플로우 컨트롤러(M1),밸브(Vb)가 개설된다. 이것에 의해 기화기(2)에 보조 가스인 N2 가스가 소정 유량으로 공급 가능해진다. 여기서 보조 가스로서는, N2 가스 이외에 예컨대 He 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 이용할 수 있다.
도 2는 도 1의 시스템에서 사용되는 기화기(2)를 나타내는 종단면도이다. 도 3a는 도 2에 나타내는 기화기(2)의 내부를 나타내는 종단면도이다. 도 3b는 도 3a의 IIIB-IIIB 선에 따른 횡단면도이다. 기화기(2)는, 기화기의 처리 공간을 규정하기 위해서, 기화기 본체로 되는 기밀된 원통형 용기(40)와, 용기(40)의 외주면을 덮는 사각형상의 커버(41)를 포함한다. 용기(40)는 예컨대 내경이 30 내지 40mm, 길이가 250mm인 스테인레스제의 원통상체에 의해 구성된다. 용기(40)의 상단부에 있어서의 중심축상에는 공급 라인(51)에 접속된 인젝터(30)가 배설된다. 인젝터(30)는 내관 및 외관을 갖는 2중관 구조의 스프레이식 인젝터로서 구성된다. 이 내관으로부터는 공급 라인(51)으로부터 보내어지는 액체 원료가 공급되고, 외관으로부터는 공급 라인(23)으로부터 안개화용 가스로서 보내어지는 질소 가스가 공급된다. 인젝터(30)의 선단의 토출구(30a)(예컨대 공경(孔徑) 0.1mm)로부터 액체 원료가 안개화되어(미스트로 되어) 용기(40) 내에 공급된다.
도 3a에 나타낸 바와 같이, 용기(40)의 저부(底部)에는 상기 용기(40)보다도 소직경인 원통상의 하부 블록(31)이 배치된다. 하부 블록(31)의 상방측은, 인젝터(30)에 의해 안개상 액체 원료를 더욱 균일하게 안개화시킬 수 있는 거리(L), 예컨대 20 내지 200mm 정도를 갖는 조주 공간(G)으로서 형성된다. 하부 블록(31)은, 그 중심을 인젝터(30)의 중심보다도 거리(R), 예컨대 1 내지 4mm만큼 한편 측으로 차감(offset)시켜 배치된다. 이 측에, 후술하는 바와 같이 용기(40)의 하단부의 측면에 기화기(2)로부터 처리 가스를 취출하는 취출 포트(32)가 형성된다. 이 구 성에 의해, 용기(40)의 내주면(內周面)과 하부 블록(31) 사이에는 환상 공간(F)이 형성된다. 도 3b에 나타낸 바와 같이 환상 공간(F)의 폭(기화기(2)의 평면도로 볼 때의 폭)은, 취출 포트(32)측의 폭(D1)이 그 반대측의 폭(D2)보다도 작게 된다. 여기서, 환상 공간(F)의 폭의 비(D2/D1)는 바람직하게는 3 내지 1, 보다 바람직하게는 2 내지 1.5가 되도록 설정된다.
도 3a, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 커버(41)의 내부에는, 예컨대 용기(40)의 길이 방향을 따라 연장된 복수개의 예컨대 저항 발열체로 이루어지는 히터(48)가 용기(40)를 둘러싸도록 배설된다. 본 실시형태에 있어서, 히터(48)는 취출 포트(32)측으로 기댄 위치에 2개, 취출 포트(32)와 반대측으로 기댄 위치에 2개 배설된다. 이들 히터(48)는 각기 전력 공급부(49)에 접속된다. 히터(48)는, 예컨대 하나의 공통의 온도 컨트롤러로 가열 제어될 수 있다. 다르게는, 히터(48)는 취출 포트(32)측의 2개를 1조, 취출 포트(32)와 반대측의 2개를 1조로 하여 각 조마다 각기 독립적으로 가열 제어될 수 있다. 다르게는, 히터(48)는 4개가 서로 독립적으로 가열 제어될 수 있다.
용기(40)의 하단부의 측면에는 액체 원료를 기화하여 얻은 처리 가스를 취출하기 위한 취출 포트(32)가 형성된다. 또한, 용기(40)의 저면에는 기화하지 않은 액체 원료를 배출하기 위한 드레인 포트(34)가 형성된다. 드레인 포트(34)는 도 3b에 나타낸 바와 같이, 취출 포트(32) 반대측의 용기(40)의 벽면과 하부 블록(31) 사이에 임하는 용기(40)의 저면에 형성된다. 드레인 포트(34)에는 배출 라인(42)이 접속된다. 배출 라인(42)에는 용기(40)의 저부 근방에 미스트 배출용의 밸 브(Vm)가 배설된다. 밸브(Vm)가 닫혔을 때에, 상기 드레인 포트(34) 근방에 미스트가 저류되어, 여기가 미스트 저류부로 된다. 배출 라인(42)의 타단측에는 미스트를 흡인 배출하기 위한 배출 펌프(44)가 접속되고, 배출 라인(42)과 배출 펌프(44)로부터 흡인로가 구성된다.
도 3a, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 하부 블록(31)의 내부에는, 하부 블록(31)의 길이 방향을 따라 연장된 복수개의 예컨대 저항 발열체로 이루어지는 히터(33)가, 둘레 방향으로 간격을 두고 배설된다. 본 실시형태에 있어서, 히터(33)는, 취출 포트(32)측으로 기댄 위치에 2개, 취출 포트(32)와 반대측으로 기댄 위치에 2개 배설된다. 이들 히터(33)는 각기 전력 공급부(49)에 접속된다. 히터(33)는, 예컨대 하나의 공통의 온도 컨트롤러로 가열 제어될 수 있다. 다르게는, 히터(33)는 취출 포트(32)측의 2개를 1조, 취출 포트(32)와 반대측의 2개를 1조로 하여 각 조마다 각기 독립적으로 가열 제어될 수 있다. 다르게는, 히터(33)는 4개가 서로 독립적으로 가열 제어될 수 있다.
또한 기화기(2)에는 용기(40) 내부를 세정하기 위해서 용기(40)에 세정액을 공급하는 공급부(6)가 접속된다. 공급부(6)는 세정액을 저류하는 세정액조(62)를 포함하고, 이것은 밸브(Vc)를 갖춘 공급 라인(61)을 통해서 용기(40)의 상부에 접속된다. 여기서 세정액으로서는, 예컨대 액체 원료나 액체 원료의 고화물을 용해시키는 용제, 예컨대 에탄올이나 헥산 등의 알콜계의 약액이 사용된다. 세정액조(62)로부터 공급 라인(61)을 통해서 용기(40) 내에 공급된 세정액은, 밸브(Vm)를 여는 것에 의해 배출 라인(42)을 통해서 배출된다.
기화기(2)는 후술하는 제 3 밸브(V3)를 갖춘 공급 라인(처리 가스 공급 라인)(53)을 통해서 성막 처리부(100)의 반응관(110)에 접속된다. 처리 가스를, 재액화를 방지한 상태로 성막 처리부(100)로 이끌기 때문에, 제 3 밸브(V3)로부터 성막 처리부(100)까지의 거리는 예를 들어 50 내지 100cm 정도로 짧게 설정된다. 실제로는 공급 라인(53)의 제 3 밸브(V3)의 상류측은 매우 짧고, 기화기(2)의 출구에 제 3 밸브(V3)를 연결한다. 이렇게 하지 않으면, 제 3 밸브(V3)의 상류측이 데드 존(dead zone)이 되어, 상기 영역에 미스트가 괴어 버린다. 또한 공급 라인(53)에는, 밸브(V3)의 하류측에서, 밸브(Vf), 매스 플로우 컨트롤러(M2)를 갖춘 공급 라인(55)을 통해서 질소 가스 공급원(25)이 접속된다.
가스 공급계(200)에는, 일단측이 공급 라인(61)에 접속되고, 타단측이 가스 공급 라인(23)의 밸브(Vb)와 기화기(2) 사이에 접속되는, 밸브(Vd)를 갖춘 분기 라인(63)을 배설할 수 있다. 또한, 가스 공급계(200)에는 일단측이 제 1 밸브(V1)와 액체 매스 플로우 미터(M) 사이에서 공급 라인(51)에 접속되고, 타단측이 배출 라인(42)의 밸브(Vm)의 하류측에 접속되는, 밸브(Ve)를 갖춘 분기 라인(54)을 배설할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 성막 방법을 나타내는 흐름도이다. 이 방법에 있어서, 우선 성막 처리를 하기(단계 S1) 위해, 밸브(Vm, Vb, Vc, Vd, Ve)를 닫고, 밸브(V1, V2, V3, Va)를 연다(단계 S1).
즉 가스 공급계(200)에서는, 가스 공급 라인(21)을 통해서 저류조(1) 내로 가압 기체인 N2 가스를 공급한다. 이 가압 기체에 의해 저류조(1) 내의 저증기압의 액체 원료, 예컨대 하프늄계 재료를 공급 라인(51)을 통해서 액체 매스 플로우 미터(M)에 의해 유량을 조정한 상태로 기화기(2)에 압송한다. 이 때 공급 라인(51)내를 통류하는 액체 원료의 온도는, 공급 라인(5)의 주위에 배설된 가열 히터(도시하지 않음)에 의해 예컨대 40℃ 정도로 설정된다.
여기서 성막 처리부(100)에서는 반응관(110) 내가 소정의 진공도로 진공 배기되기 때문에, 가스 공급계(200)의 유체는 공급 라인에 배설된 각 밸브를 여는 것에 의해 하류측으로 통기되어 간다. 이렇게 하여 기화기(2)에는 예컨대 5sccm 유량의 하프늄계 재료가 도입된다. 한편, 이 때, 취출 포트(32)의 밸브(V3)가 개방되는 한편, 드레인 포트(34)의 밸브(Vm)가 폐쇄되기 때문에, 용기(40) 내에는 수직 방향으로부터 수평 방향으로 굴곡하는 유체류가 형성된다.
도 5는 도 2에 나타내는 기화기(2)에서 실시되는 액체 원료의 기화의 이미지를 나타내는 단면도이다. 기화기(2)에서는, 히터(33, 48)에 의해 예컨대 용기(40)의 내부가 80℃ 정도로 가열된다. 여기에 인젝터(30)로부터 아래쪽을 향해 안개화한(미세한 입자로 한) 액체 원료가 토출된다. 이 안개상 액체 원료는, 용기(40)의 상부측 영역인 조주 공간(G)을 원추상으로 퍼지면서 또한 균일하게 안개화됨과 함께 일부가 가열에 의해 기화된다. 그리고 미스트와 증기를 포함하는 원추상의 안개상 액체 원료류는 하부 블록(31)에 충돌한다. 이 때, 하부 블록(31)이 안개상 액체 원료류의 중앙에 상대적으로 들어가는 것에 의해 이 원료류가 확개(擴開)하 여, 용기(40)의 내주면과 하부 블록(31) 사이에서 형성되는 환상 공간(F)으로 흘러 들어간다.
도 6a는 도 2에 나타내는 기화기(2)에 형성되는 환상 공간(F)에서의 가스의 유속 분포를 나타내는 도면이다. 상술한 바와 같이, 환상 공간(F)은 취출 포트(32)측의 폭(D1)이 그 반대측의 폭(D2)보다도 작게 되도록 설정된다. 이 때문에, 공급 라인(53)을 통한 흡인에 의해 취출 포트(32)에 음압(陰壓)이 생기고 있더라도, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 환상 공간(F)에서 취출 포트(32)측과 그 반대측과의 압력차가 작고, 환상 공간(F) 내의 압력이 대략 균일하게 된다. 이 때문에 이미 조주 공간(G)에서 일부가 기화한 안개상 액체 원료는 환상 공간(F) 내를 균등하게 흐르면서 가열된다. 이에 의해, 안개상 액체 원료가 효율적으로 기화되어 처리 가스가 생성된다.
환상 공간(F) 내를 아래로 향하여 흐르는 처리 가스는, 취출 포트(32)의 흡인에 의해서 수평 방향으로 방향 변환하여, 취출 포트(32)로부터 공급 라인(53)으로 흐를 수 있다. 그러나, 처리 가스 중에 포함되는 미스트는 중량이 크기 때문에 관성력에 의해서 방향 변환할 수 없어 그대로 아래쪽으로 흐른다. 그 결과, 미스트는 처리 가스로부터 분리되어, 용기(40)의 저부에 충돌한다. 용기(40)의 저면에 미스트가 고이면 그들이 서로 부착하여 액상이 되어, 드레인 포트(34)쪽으로 흐른다(밸브(Vm)는 폐쇄). 드레인 포트(34)는 취출 포트(32)보다도 낮은 위치에 있기 때문에, 드레인이 취출 포트(32)에 유입되지는 않는다.
도 6b는 비교예의 환상 공간(F)에서의 가스의 유속 분포를 나타내는 도면이 다. 이 비교예에 있어서는, 하부 블록(31)은 용기(30)의 중심에 배치된다. 이 경우, 취출 포트(32)의 흡인에 의해서, 도 6b에 나타낸 바와 같이, 환상 공간(F)에서 취출 포트(32)측과 그 반대측과의 압력차가 커져, 환상 공간(F) 내의 압력이 불균일하게 된다. 이 경우, 안개상 액체 원료는 환상 공간(F) 내를 균등하게 흐르지 않게 되어, 기화 효율이 저하된다. 본 발명은 이러한 경우도 포함하는 것이지만, 도 6a에 나타낸 바와 같이 하부 블록(31)을 취출 포트(32)측으로 편이(偏移)시키는 편이 바람직하다.
이렇게 해서 처리 가스는 공급 라인(53)을 통해서 성막 처리부(100)로 보내어진다. 이 때, 공급 라인(53) 내를 통류하는 처리 가스의 온도는, 상기 공급 라인(53)의 주위에 배설된 가열 히터(도시하지 않음)에 의해 예컨대 80℃ 정도로 설정된다.
한편, 성막 처리부(100)에 있어서는, 미리 소정 매수의 웨이퍼(W)를 보트(120)에 탑재하고, 예컨대 소정 온도로 유지된 반응관(110) 내에 반입하고 반응관(110) 내를 소정의 진공도로 진공 배기한다. 그리고 반응관(110) 내를 소정 온도, 소정 압력으로 안정시킨 후, 공급 라인(53)으로부터, 하프늄계 재료를 기화하여 얻은 처리 가스, 및 산소 가스(도시하지 않음)를 반응관(110)내 공급한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W) 상에 하프늄 산화막을 형성하는 성막 처리를 한다.
이렇게 해서 성막 처리를 종료한 후, 기화기(2)의 퍼징 처리를 한다(단계 S2). 여기서 밸브(V1, V2, V3, Va, Vc, Vd, Ve)를 닫고, 밸브(Vb, Vm)를 열어 배 기 펌프(44)를 작동시킨다. 이것에 의해 가스 공급원(24)으로부터 퍼징 가스인 N2 가스가 매스 플로우 컨트롤러(M1)에 의해 유량 제어된 상태로 가스 공급 라인(23)을 통해서 기화기(2)에 공급되어 배출 라인(42)을 통해서 배출된다.
이와 같이 기화기(2) 내에 N2 가스를 퍼징시키는 것에 의해, 기화기(2) 내에 잔류하는 액체 원료를 완전히 제거할 수 있다. 이것에 의해, 처리의 재현성을 향상시키는 동시에, 파티클의 발생을 더욱 억제할 수 있다. 이 퍼징 처리는, 예컨대 성막 처리부(100)에 있어서의 성막 처리를 할 때마다 매회 하도록 할 수도 있고, 성막 처리를 소정 회수 행할 때마다 정기적으로 하도록 할 수도 있다.
또한 성막 처리를 종료한 후, 공급 라인(53)의 제 3 밸브(V3)의 하류측의 퍼징 처리를 하도록 할 수도 있다. 이 퍼징 처리에서는, 밸브(Vf)를 여는 동시에, 반응관(110)을 진공 펌프(150)에 의해 배기한다. 또한, 공급 라인(53)의 제 3 밸브(V3)의 하류측에, 공급 라인(55)을 통해서 질소가스 공급원(25)으로부터 매스 플로우 컨트롤러(M2)에 의해 유량 제어된 질소 가스를 공급한다. 이것에 의해 공급 라인(53)의 내벽면에 부착된 처리 가스의 잔류물이나, 처리 가스가 변질된 고체 성분 등의 부착물이 성막 처리부(100)측으로 밀려 나가 제거된다. 이 퍼징 처리는 성막 처리부(100)에 있어서의 성막 처리를 할 때마다 하도록 할 수도 있고, 성막 처리를 소정 회수 행할 때마다 정기적으로 하도록 할 수도 있다.
이렇게 해서 기화기(2)가 N2 가스에 의해 퍼징된 후, 세정액에 의한 기화기(2)의 세정을 할 타이밍인지 여부를 판단한다(단계 S3). 세정을 하지 않는 타이 밍일 때는 단계 S1로 되돌아간다. 세정을 하는 타이밍일 때는 단계 S4로 진행한다. 여기서 기화기(2)의 세정은, 예컨대 성막 처리부(100)에 있어서의 성막 처리를 소정 회수 행한 후, 정기적으로 실시된다.
세정액에 의한 기화기(2)의 세정에서는, 밸브(V1, V2, V3, Va, Vb, Vd, Ve)를 닫고 밸브(Vc, Vm)를 열어 배기 펌프(44)를 동작시킨다. 이것에 의해 용기(40)에 저류하는 미스트 등은 배출 라인(42)을 통해서 장치 외부로 배출되고, 한편 공급 라인(61)으로부터 세정액이 기화기(2)에 공급된다. 여기서 세정액은, 액체 원료나 액체 원료의 고화물을 용해하는 용제이기 때문에, 이것에 의해 기화기(2)의 용기(40)의 내벽에 부착된 미스트가 씻겨 나간다. 또한, 가령 미스트가 재액화하여 일부가 고체 성분으로 변질된 것이더라도, 세정액에 의해 용해되어 제거된다.
또한 세정 처리에서는, 밸브(V2, Vd, Ve)를 열어 배기 펌프(44)를 작동시키도록 하여도 좋다. 이것에 의해, 세정액을, 분기 라인(63)으로부터, 액체 매스 플로우 미터(M), 공급 라인(51), 분기 라인(54), 배출 라인(42)에 통류시켜, 이들의 내벽에 부착한 액체 원료나 액체 원료의 고화 성분 등의 부착물을 제거한다.
이러한 기화기(2)에서는, 인젝터(30)로부터 아래쪽을 향해 토출된 안개상 액체 원료는 조주 공간(G)에서 더욱 균일하게 안개화됨과 함께 일부가 가열에 의해 기화된다. 그 후, 안개상 액체 원료는, 하부 블록(31)에 의해 확개되어 환상 공간(F)을 흐르면서 충분한 열 교환을 하여 가열된다. 환상 공간(F)에서, 가스의 정체 영역(데드 볼륨)이 생기지 않기 때문에, 안개상 액체 원료는 높은 기화 효율로 확실히 기화된다. 이것에 의해, 미스트의 혼입이 극력 억제된 처리 가스(액체 원 료의 증기)를 성막 처리부(100)에 공급할 수 있기 때문에, 웨이퍼에 있어서의 파티클의 부착을 억제할 수 있다. 또한, 성막 처리부에서 수증기 처리를 하는 경우는, 웨이퍼에 있어서의 물방울에 의한 이른바 워터 마크(water mark)의 발생 등을 억제할 수 있다.
또한, 예컨대 성막 처리를 할 때마다, 또는 소정 회수의 성막 처리를 할 때마다, 퍼징 가스를 가스 공급 라인(23)을 통해서 기화기(2)에 통기시키는 것에 의해, 이 내부에 잔존하는 액체 원료를 제거한다. 이 때문에, 다음 로트(lot)의 처리를 할 때에는, 항상 기화기(2)의 내부는 부착물이 존재하지 않고 건조한 상태로 되어 있어, 처리의 재현성을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 성막 처리부(100)에의 공급 경로와는 별도 계통의 공급 경로에 의해 기화기(2) 내에 퍼징 가스를 공급한다. 이 때문에, 퍼징하는 영역이 상기 기화기(2) 등으로 좁혀져, 이 퍼징을 효율적으로 할 수 있어, 이 영역 내의 부착물을 단시간에 완전히 제거할 수 있다. 또한, 밸브(V3)와 성막 처리부(100) 사이의 공급 라인(53)의 공간은 작기 때문에, 성막 처리부(100)의 진공 펌프(150)에 의한 배기에 의해, 이 공간 내의 부착물이 효율적으로 배출된다.
또한, 소정의 타이밍으로 기화기(2)로부터 미스트를 흡인에 의해 배출한 후, 기화기(2)를 세정한다. 따라서, 미스트의 배출 후에도 용기(40) 내나 미스트 저류부 근방 영역에 부착하는 미스트나 미스트가 변질된 부착물이 제거된다. 이 때문에, 다음 로트의 처리를 할 때에는, 항상 기화기(2)의 내부는 부착물이 존재하지 않은 상태로 되어 있기 때문에, 파티클의 발생을 추가로 억제할 수 있는 동시에, 처리의 재현성을 향상시킬 수 있다.
도 7은 도 2에 나타내는 기화기(2)의 변경예를 게시하는 횡단 평면도이다. 이 변경예에 있어서는, 용기(40) 내에 횡단면 형상이 다각형인 하부 블록(31)이 배설된다. 이러한 구성에서도 상술과 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
도 8은 도 2에 나타내는 기화기(2)의 별도의 변경예를 나타내는 종단 측면도이다. 도 2에 나타내는 구조에서는, 하부 블록(31)의 중심이 인젝터(30)의 중심보다도 취출 포트(32)측에 거리 R만큼 차감되어 배치된다. 이것에 의해, 환상 공간(F)은 취출 포트(32)측의 폭(D1)이 그 반대측의 폭(D2)보다도 작게 되도록 설정된다. 이것에 대하여, 도 8에 나타내는 변경예에서는, 하부 블록(31)의 중심이 인젝터(30)의 중심에 배치되는 한편, 용기(40)의 측벽이 하부 블록(31)의 정부(頂部)(7)로부터 굴곡하도록 형성된다. 이것에 의해, 환상 공간(F)은 취출 포트(32)측의 폭(D1)이 그 반대측의 폭(D2)보다도 작게 되도록 설정된다. 이러한 구성에서도 상술과 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서, 저증기압 액체 원료로서는, 하프늄계 재료나 HEAD 이외에, 예컨대 140℃에서의 증기압이 40Pa 이하인 Ta(OC2H5)5, 120℃에서의 증기압이 40Pa 이하인 TDEAH(HF{N(C2H5)}4) 등을 이용할 수 있다. 또한, 본 발명은 HEAD를 기화시켜 얻은 처리 가스와 NH3가스를 이용하여 질화규소막을 성막하는 처리나, Ta(OC2H5)5를 기화하여 얻은 처리 가스와 O3가스를 이용하여 Ta2O5막을 성막하는 처리에 적용할 수 있다. 또한 성막 처리부로서는, 배치식의 감압 CVD 장치 이외에, 매 엽식(枚葉式)의 성막 장치를 사용할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 처리 시스템(성막 시스템)을 나타내는 구성도이다. 이 실시형태예에 있어서는, 가스 공급계(300)는 성막 처리부(100)의 반응관(110)에 다른 복수의 처리 가스를 공급하도록 구성된다. 이를 위해, 가스 공급계(300)는 다른 복수의 액체 원료를 각기 저류하는 복수의 저류조, 및 복수의 액체 원료로부터 다른 복수의 처리 가스를 각기 얻기 위한 복수의 기화기를 포함한다.
구체적으로는, 성막 처리부(100)는, 반응관(110) 내의 웨이퍼 보트(120)에 탑재된 웨이퍼(W)의 표면에 고유전율 재료, 예컨대 바륨(Ba), 스트론튬(Sr) 및 타이타늄(Ti)을 포함한 금속 산화막을 형성하도록 구성된다. 이를 위해, 가스 공급계(300)는, 각기 타이타늄(Ti), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba)의 각 유기 물질(금속 유기 물질)을 테트라하이드로퓨란(THF) 용액에 용해시켜 이루어진 액체 원료를 저류하는 저류조(70, 71, 72)를 갖는다. 저류조(70, 71, 72)는 각기 전용의 기화기(2)에 접속된다. 이들 기화기(2)의 취출 포트(32)에 부착되는 가스 공급 라인(53)은 성막 처리부(100)의 앞쪽에서 하나의 관으로서 결합되고, 이 관이 성막 처리부(100)에 접속된다. 각 저류조(70, 71, 72) 내의 액체 원료를 압송하는 가압 기체로서 이 예에서는 헬륨(He) 가스가 사용된다.
도 9에 나타내는 반도체 처리 시스템에서는 다음과 같은 태양으로 성막 방법이 실시된다. 즉, 가스 공급 라인(21)을 통해서 저류조(70, 71, 72) 내에 가압 기체인 He 가스를 공급함으로써 각 기화기(2)에 액체 원료가 압송된다. 각 기화 기(2)에 있어서, 이들 타이타늄계 재료, 스트론튬계 재료, 및 바륨계 재료가 기화되어 각기의 처리 가스가 생성된다. 이들 처리 가스는 가스 공급 라인(53)을 통해서 성막 처리부(100)의 반응관(110)으로 공급된다. 또한, 산소 가스(도시하지 않음)도 반응관(110)으로 공급된다. 이 때, 반응관(110) 내가 소정 온도 및 소정 압력으로 설정된다. 이것에 의해, 반응관(110) 내에서, 웨이퍼 보트(120)에 보유된 웨이퍼(W)의 표면에 BST(바륨 스트론튬 타이타늄) 산화막이 형성된다.
여기서는, 타이타늄계 재료가 공급되는 기화기(2)에서는 히터(33, 48)에 의해 예컨대 용기(40)의 내부의 온도가 타이타늄계 재료를 기화하는 데 알맞은 온도, 예컨대 200℃로 설정된다. 스트론튬계 재료가 공급되는 기화기(2)에서는, 히터(33, 48)에 의해 예컨대 용기(40)의 내부의 온도가 스트론튬계 재료를 기화하는 데 알맞은 온도, 예컨대 300℃로 설정된다. 바륨계 재료가 공급되는 기화기(2)에서는, 히터(33, 48)에 의해 예컨대 용기(40)의 내부의 온도가 바륨계 재료를 기화하는 데 알맞은 온도, 예컨대 300℃로 설정된다. 이와 같이, 각 기화기(2)의 용기(40)의 내부의 온도를, 대응하는 액체 원료를 기화하는 데 알맞은 온도로 설정함으로써, 증기압이나 열분해 온도가 다른 복수의 액체 원료를 동시에 기화할 수 있다.
또한, 가스 공급계(300)에는, 기화기(2) 및 공급 라인(51)을 세정하는 테트라하이드로퓨란(THF) 용액을 저류하기 위한 저류조(73)가 배설된다. 저류조(73)에는 액체 매스 플로우 미터(M4)을 개설한 세정액의 공급 라인(83)이 접속된다. 공급 라인(83)은, 액체 매스 플로우 미터(M)의 하류측에서 기화기(2)측의 공급 라 인(51)에 각기 접속된 분기 라인을 갖는다. 또한 공급 라인(83)은, 액체 매스 플로우 미터(M)의 상류측에서 공급 라인(51)에 각기 접속된 분기 라인도 갖는다. 공급 라인(83)으로부터의 이들 분기 라인에는, 밸브(V7, V8)가 배설된다. 또한 저류조(73)에는, 밸브(V9)를 통해서 상술한 가스 공급 라인(21)이 접속된다.
도 9에 나타내는 반도체 처리 시스템에서는, 세정 처리를 실시하는 경우, 가스 공급 라인(21)을 통해서 저류조(73) 내에 가압 기체인 He 가스를 공급한다. 이것에 의해, 저류조(73) 내의 테트라하이드로퓨란(THF) 용액을 기화기(2) 및 공급 라인(51)에 압송하여 이들의 내부를 세정한다.
상술한 바와 같이, 이 실시형태에서는, 복수의 액체 원료, 이 예에서는 바륨, 스트론튬, 타이타늄마다 기화기(2)가 준비되고, 각 기화기(2)에 있어서 용기(40)의 내부 온도가 각 액체 원료를 기화하는 데 최적의 온도로 설정된다. 이 때문에, 증기압이나 열분해 온도가 다른 복수의 액체 원료를 동시에 기화할 수 있어, 각 기화기(2)로부터 처리 가스를 동시에 성막 처리부(100)의 반응관(110) 내에 도입할 수 있다.
이 구성과는 반대로, 만약에 기화기(2)를 각 액체 원료에 대하여 공통화한 경우에는, 각 액체 원료를 기화하는 데 적합한 온도 범위가 각기 결정되어 있기 때문에, 그들이 겹치는 온도 범위에서 가열 제어해야 한다. 이 경우, 온도 제어가 어렵고, 또한 액체 원료가 열분해하여 증기압이 낮게 되어, 액상물로서 기화기(2)내에 부착될 우려도 있다. 따라서, 도 9와 같이 액체 원료에 기화기(2)를 배설하는 것이 바람직한 구성이 된다.
도 10은 도 9에 나타내는 실시형태의 변경예에 따른 반도체 처리 시스템(성막 시스템)을 나타내는 구성도이다. 이 변경예에서는, 각 기화기(2)의 취출 포트(32)에 각기 부착된 복수의 가스 공급 라인(53)이 성막 처리부(100)의 반응관(110)에 직접 접속된다. 즉, 다른 처리 가스는 사전에 혼합되지 않고 제각기 반응관(110) 내에 공급된다. 이 구성은 반응관(110) 내에 처리 가스를 간헐적으로 각각 도입하는 경우에 알맞게 된다. 다른 컴포넌트의 구성은 도 9에 나타내는 것들과 같다.
본 발명에 따르면, 액체 원료를 높은 효율로 기화할 수 있는 기화기, 및 처리 효율이 높은 반도체 처리 시스템을 제공할 수 있다.

Claims (19)

  1. 액체 원료로부터 처리 가스를 얻기 위한 기화기로서,
    상기 기화기의 처리 공간을 규정하는 용기,
    상기 용기 내에 상기 액체 원료를 안개상(霧狀)으로 아래쪽을 향해 분출하는 토출구를 갖는 인젝터,
    상기 토출구의 하측에서 상기 용기 내의 저부 상에 배치(配置)된 하부 블록, 이때, 상기 용기 내에서 상기 토출구와 상기 하부 블록 상단 사이에 상기 안개상 액체 원료가 조주(助走)하도록 상측 공간이 규정되고, 상기 용기 내에서 상기 하부 블록과 상기 하부 블록 주위의 상기 용기 내측면 사이에 상기 상측 공간에 연속하는 환상(環狀)의 하측 공간이 규정되고,
    상기 용기 및 상기 하부 블록에 각기 배치된 제 1 및 제 2 히터, 이때, 상기 제 1 및 제 2 히터는 상기 하측 공간을 통과하는 상기 안개상 액체 원료를 가열하여 상기 처리 가스를 생성하고,
    상기 하측 공간으로부터 상기 처리 가스를 도출하도록 상기 용기에 접속된 가스 도출로를 구비하고,
    상기 가스 도출로는, 상기 하측 공간으로부터 상기 처리 가스를 횡방향으로 도출하도록 구성되고,
    상기 하측 공간은, 상기 가스 도출로에 접속된 제 1 측의 제 1 폭이 그 반대의 제 2 측의 제 2 폭보다도 작게 되도록 설정되는 기화기.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 도출로보다도 하측에서 상기 용기에 접속된 배액(排液)을 배출하기 위한 배출로를 추가로 구비하는 기화기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 배출로에 밸브가 배치되고, 상기 밸브를 폐쇄한 상태에서 상기 배출로가 미스트 저류부로서 기능하는 기화기.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 폭의 상기 제 1 폭에 대한 비는 3 내지 1로 설정되는 기화기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 블록은 횡단면 형상이 원형 또는 다각형이며, 상기 하부 블록의 중심은 상기 토출구의 중심보다도 상기 가스 도출로측으로 치우쳐 있는 것에 의해, 상기 제 2 폭의 상기 제 1 폭에 대한 비가 설정되는 기화기.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 인젝터는 내관 및 외관으로 이루어지는 2중관 구조를 갖고, 상기 내관으로부터 상기 액체 원료가 공급되고, 상기 외관으로부터 안개화용 가스가 공급되는 기화기.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 공간 내에 퍼징 가스를 공급하기 위해, 상기 용기에 접속된 퍼징 가스 공급로를 추가로 구비하는 기화기.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 공간 내에 세정액을 공급하기 위해, 상기 용기에 접속된 세정액 공급로를 추가로 구비하는 기화기.
  11. 반도체 처리 시스템으로서, 피처리 기판을 수납하는 처리실,
    상기 처리실 내에서 상기 피처리 기판을 지지하는 지지 부재,
    상기 처리실 내의 상기 피처리 기판을 가열하는 히터,
    상기 처리실 내를 배기하는 배기계, 및
    상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급계를 구비하고, 상기 가스 공급계는 액체 원료로부터 상기 처리 가스를 얻기 위한 기화기를 포함하며, 상기 기화기는,
    상기 기화기의 처리 공간을 규정하는 용기,
    상기 용기 내에 상기 액체 원료를 안개상으로 아래쪽을 향해 분출하는 토출구를 갖는 인젝터,
    상기 토출구의 하측에서 상기 용기 내의 저부 상에 배치된 하부 블록, 이때, 상기 용기 내에서 상기 토출구와 상기 하부 블록 상단 사이에 상기 안개상 액체 원료가 조주(助走)하도록 상측 공간이 규정되고, 상기 용기 내에서 상기 하부 블록과 상기 하부 블록 주위의 상기 용기 내측면 사이에 상기 상측 공간에 연속하는 환상의 하측 공간이 규정되고,
    상기 용기 및 상기 하부 블록에 각기 배치된 제 1 및 제 2 히터, 이때, 상기 제 1 및 제 2 히터는 상기 하측 공간을 통과하는 상기 안개상 액체 원료를 가열하여 상기 처리 가스를 생성하고,
    상기 하측 공간으로부터 상기 처리 가스를 도출하도록 상기 용기에 접속된 가스 도출로를 구비하고,
    상기 가스 도출로는, 상기 하측 공간으로부터 상기 처리 가스를 횡방향으로 도출하도록 구성되고,
    상기 하측 공간은, 상기 가스 도출로에 접속된 제 1 측의 제 1 폭이 그 반대의 제 2 측의 제 2 폭보다도 작게 되도록 설정되는, 반도체 처리 시스템.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 기화기는, 상기 가스 도출로보다도 하측에서 상기 용기에 접속된 배액을 배출하기 위한 배출로를 추가로 구비하는 반도체 처리 시스템.
  14. 삭제
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 하부 블록은 횡단면 형상이 원형 또는 다각형이며, 상기 하부 블록의 중심은 상기 토출구의 중심보다도 상기 가스 도출로측으로 치우쳐 있는 것에 의해, 상기 제 2 폭의 상기 제 1 폭에 대한 비가 설정되는, 반도체 처리 시스템.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 가스 공급계는,
    상기 기화기에 액체 원료 공급로를 통해서 접속된 상기 액체 원료를 저류하는 저류조, 및
    상기 액체 원료를 상기 액체 원료 공급로를 통해서 상기 저류조로부터 상기 기화기에 압송하기 위해 상기 저류조에 가압 가스를 공급하는 가스 공급부를 추가로 구비하는 반도체 처리 시스템.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 가스 공급계는 상기 처리실 내에 다른 복수의 처리 가스를 공급하도록 구성되고, 상기 가스 공급계는 다른 복수의 액체 원료로부터 상기 다른 복수의 처리 가스를 각기 얻기 위한 복수의 기화기를 포함하는 반도체 처리 시스템.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 가스 공급계는, 상기 처리 가스로서 CVD에 의해 상기 피처리 기판 상에 박막을 형성하기 위한 가스를 공급하도록 구성되는 반도체 처리 시스템.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 폭의 상기 제 1 폭에 대한 비는 3 내지 1로 설정되는 반도체 처리 시스템.
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