JP4464364B2 - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
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複数の基板を積層して収容する反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして前記反応管内に供給して熱CVD法により前記基板上に窒化シリコン膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bと隣接する前記基板間の距離aとの比b/aの値を1として前記基板上に前記窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
複数の基板を積層して収容する反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とN2Oとを原料ガスとして前記反応管内に供給して熱CVD法により前記基板上に酸化窒化シリコン膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bと隣接する前記基板間の距離aとの比b/aの値を1として前記基板上に前記酸化窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
複数の基板を積層して収容する反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして前記反応管内に供給して熱CVD法により前記基板上に窒化シリコン膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記反応管内にビス ターシャル ブチル アミノ シランを供給する前およびその供給を停止した後に前記反応管内をNH3でパージすることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
反応管と、
前記反応管内において複数の基板を積層して保持可能な基板保持手段と、
前記反応管内に、ビス ターシャル ブチルアミノ シランとNH3とを原料ガスとして前記反応管内に流して供給するガス供給手段と、
加熱手段とを備え、
前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bと隣接する前記基板間の距離aとの比b/aの値を1として前記基板上に熱CVD法により窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体製造装置が提供される。
反応管と、
前記反応管内において複数の基板を積層して保持可能な基板保持手段と、
前記反応管内に、ビス ターシャル ブチルアミノ シランとNH3とN2Oとを原料ガスとして前記反応管内に流して供給するガス供給手段と、
加熱手段とを備え、
前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bと隣接する前記基板間の距離aとの比b/aの値を1として前記基板上に熱CVD法により酸化窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体製造装置が提供される。
なお、このときの処理条件は、成膜温度595℃、圧力65Pa、BTBASの流量100sccm、NH3の流量400sccm、N2Oの流量200sccmであった。
4、5…BTBAS供給装置
11…石英反応管
12…石英インナーチューブ
13…ヒータ
14…石英ボート
15…キャップ
16…半導体ウェーハ
17…排気口
18、21…石英ノズル
25…ボート柱
26…ボート柱溝
41…恒温槽
51…BTBAS原料タンク
42 、52…BTBAS液体原料
53…押し出しガス導入口
54、55…配管
43…マスフローコントローラ
44、58…BTBAS供給口
56…液体流量制御装置
57…気化器
45、59…配管加熱部材
Claims (5)
- 複数の基板を積層して収容する反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして前記反応管内に供給して熱CVD法により前記基板上に窒化シリコン膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bと隣接する前記基板間の距離aとの比b/aの値を1として前記基板上に前記窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数の基板を積層して収容する反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とN2Oとを原料ガスとして前記反応管内に供給して熱CVD法により前記基板上に酸化窒化シリコン膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bと隣接する前記基板間の距離aとの比b/aの値を1として前記基板上に前記酸化窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記反応管内にビス ターシャル ブチル アミノ シランを供給する前およびその供給を停止した後に前記反応管内をNH3でパージすることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 反応管と、
前記反応管内において複数の基板を積層して保持可能な基板保持手段と、
前記反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして前記反応管内に流して供給するガス供給手段と、
加熱手段とを備え、
前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bと隣接する前記基板間の距離aとの比b/aの値を1として前記基板上に熱CVD法により窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体製造装置。 - 反応管と、
前記反応管内において複数の基板を積層して保持可能な基板保持手段と、
前記反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とN2Oとを原料ガスとして前記反応管内に流して供給するガス供給手段と、
加熱手段とを備え、
前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bと隣接する前記基板間の距離aとの比b/aの値を1として前記基板上に熱CVD法により酸化窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体製造装置。
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JP2006118213A JP4464364B2 (ja) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
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