JP2001156067A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2001156067A JP2001156067A JP33295099A JP33295099A JP2001156067A JP 2001156067 A JP2001156067 A JP 2001156067A JP 33295099 A JP33295099 A JP 33295099A JP 33295099 A JP33295099 A JP 33295099A JP 2001156067 A JP2001156067 A JP 2001156067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- btbas
- quartz
- silicon oxynitride
- oxynitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低温成膜が可能であり、かつ反応副生成物のＮ
Ｈ４Ｃｌが発生しない酸化窒化シリコン膜の製造工程を
備える半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ビス ターシャル ブチル アミノ シラ
ンとＮＨ３とＮ２Ｏとを原料ガスとして用いて酸化窒化
シリコン膜を熱ＣＶＤ法により形成する。
Ｈ４Ｃｌが発生しない酸化窒化シリコン膜の製造工程を
備える半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ビス ターシャル ブチル アミノ シラ
ンとＮＨ３とＮ２Ｏとを原料ガスとして用いて酸化窒化
シリコン膜を熱ＣＶＤ法により形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化窒化シリコン
（Silicon Oxy Nitride）膜（以下、ＳＩＯＮ膜と記
す。）を備える半導体装置の製造方法および半導体製造
装置に関し、特に、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion）法によって製造される酸化窒化シリコン膜を備え
る半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関す
る。
（Silicon Oxy Nitride）膜（以下、ＳＩＯＮ膜と記
す。）を備える半導体装置の製造方法および半導体製造
装置に関し、特に、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion）法によって製造される酸化窒化シリコン膜を備え
る半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置に使用されるＳＩＯＮ
膜は、ＳｉＨ２Ｃｌ２（以下ＤＣＳと記す）とＮＨ３と
Ｎ２Ｏとの混合ガスにより形成する方法が一般的であ
る。
膜は、ＳｉＨ２Ｃｌ２（以下ＤＣＳと記す）とＮＨ３と
Ｎ２Ｏとの混合ガスにより形成する方法が一般的であ
る。
【０００３】ＳＩＯＮ膜を形成するには、ＤＣＳとＮＨ
３とＮ２Ｏとを、７００℃〜８００℃に保たれた炉の石
英反応管内へ送り込む。炉内に導入されたＤＣＳとＮＨ
３とＮ２Ｏとは熱分解し半導体ウェーハ上または石英反
応管内壁にＳＩＯＮ膜を形成する。このときのＳＩＯＮ
膜の特性を示す屈折率は１．７５〜１．９０である。
３とＮ２Ｏとを、７００℃〜８００℃に保たれた炉の石
英反応管内へ送り込む。炉内に導入されたＤＣＳとＮＨ
３とＮ２Ｏとは熱分解し半導体ウェーハ上または石英反
応管内壁にＳＩＯＮ膜を形成する。このときのＳＩＯＮ
膜の特性を示す屈折率は１．７５〜１．９０である。
【０００４】この従来技術には、次の２つの問題点があ
る。
る。
【０００５】１つは半導体素子寸法が小さくなるにつれ
て、浅い不純物の拡散層が必要とされるが、従来のよう
に、７００℃〜８００℃といった高温でＳＩＯＮ膜を形
成すると浅い拡散層内の不純物が熱により深く拡散して
しまうという問題がある。
て、浅い不純物の拡散層が必要とされるが、従来のよう
に、７００℃〜８００℃といった高温でＳＩＯＮ膜を形
成すると浅い拡散層内の不純物が熱により深く拡散して
しまうという問題がある。
【０００６】２つ目に、ＤＣＳとＮＨ３とＮ２Ｏとの反
応系では、排気口に反応副生成物であるＮＨ４Ｃｌ（塩
化アンモニウム）が付着してしまう。ＮＨ４Ｃｌは金属
表面に錆を生じさせ、半導体ウェーハ上に金属汚染とい
った問題を引き起こす。これはＤＣＳ中にＣｌ成分が存
在するからである。
応系では、排気口に反応副生成物であるＮＨ４Ｃｌ（塩
化アンモニウム）が付着してしまう。ＮＨ４Ｃｌは金属
表面に錆を生じさせ、半導体ウェーハ上に金属汚染とい
った問題を引き起こす。これはＤＣＳ中にＣｌ成分が存
在するからである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
従来技術の高温成膜および反応生成物であるＮＨ４Ｃｌ
の発生という問題点を解決し、低温成膜が可能であり、
かつ反応副生成物のＮＨ ４Ｃｌが発生しないＳＩＯＮ膜
の製造方法を提供することにある。
従来技術の高温成膜および反応生成物であるＮＨ４Ｃｌ
の発生という問題点を解決し、低温成膜が可能であり、
かつ反応副生成物のＮＨ ４Ｃｌが発生しないＳＩＯＮ膜
の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＳｉＨ
２（ＮＨ（Ｃ４Ｈ９））２（ビス ターシャル ブチル
アミノ シラン：ＢＴＢＡＳ：Bis tertial butyl am
ino silane）とＮＨ３とＮ２Ｏとを原料ガスとして用い
て酸化窒化シリコン（ＳＩＯＮ）膜を形成する工程を備
えることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供され
る。
２（ＮＨ（Ｃ４Ｈ９））２（ビス ターシャル ブチル
アミノ シラン：ＢＴＢＡＳ：Bis tertial butyl am
ino silane）とＮＨ３とＮ２Ｏとを原料ガスとして用い
て酸化窒化シリコン（ＳＩＯＮ）膜を形成する工程を備
えることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供され
る。
【０００９】このようにすれば、６００℃以下の低温で
ＳＩＯＮ膜を成膜可能であり、また、金属汚染の原因で
あるＮＨ４Ｃｌを発生させない。
ＳＩＯＮ膜を成膜可能であり、また、金属汚染の原因で
あるＮＨ４Ｃｌを発生させない。
【００１０】好ましくは、熱ＣＶＤ法によりＳＩＯＮ膜
を形成し、さらに好ましくは、縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置を
用いてＳＩＯＮ膜を形成する。
を形成し、さらに好ましくは、縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置を
用いてＳＩＯＮ膜を形成する。
【００１１】また、好ましくは、ＳＩＯＮ膜を形成する
前または後に反応炉内をＮＨ３またはＮ２Ｏでガスパー
ジし、さらに好ましくは、ＳＩＯＮ膜を形成する前およ
び後に反応炉内をＮＨ３およびＮ２Ｏでガスパージす
る。
前または後に反応炉内をＮＨ３またはＮ２Ｏでガスパー
ジし、さらに好ましくは、ＳＩＯＮ膜を形成する前およ
び後に反応炉内をＮＨ３およびＮ２Ｏでガスパージす
る。
【００１２】そして、Ｎ２Ｏ供給流量を変化させること
により、ＳＩＯＮ膜の屈折率を制御することができる。
により、ＳＩＯＮ膜の屈折率を制御することができる。
【００１３】また、本発明によれば、ビス ターシャル
ブチル アミノ シランとＮＨ３とＮ２Ｏとを原料ガ
スとして用いて熱ＣＶＤ法により酸化窒化シリコン膜を
形成することを特徴とする半導体製造装置が提供され
る。
ブチル アミノ シランとＮＨ３とＮ２Ｏとを原料ガ
スとして用いて熱ＣＶＤ法により酸化窒化シリコン膜を
形成することを特徴とする半導体製造装置が提供され
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の一
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１５】本発明において使用するＢＴＢＡＳは常温
では液体であるので、図２、図３に示すようなＢＴＢＡ
Ｓ供給装置を用いて炉内へ導入する。
では液体であるので、図２、図３に示すようなＢＴＢＡ
Ｓ供給装置を用いて炉内へ導入する。
【００１６】図２に示すＢＴＢＡＳ供給装置は、恒温槽
と気体流量制御の組合せである。図３に示すＢＴＢＡＳ
供給装置は、液体流量制御と気化器との組合せにより流
量制御を行うものである。
と気体流量制御の組合せである。図３に示すＢＴＢＡＳ
供給装置は、液体流量制御と気化器との組合せにより流
量制御を行うものである。
【００１７】図２を参照すれば、ＢＴＢＡＳ供給装置４
においては、ＢＴＢＡＳ液体原料４２を備えた恒温槽４
１内を１００℃程度に加熱し、ＢＴＢＡＳの蒸気圧を高
くすることによりＢＴＢＡＳを気化し、その後、気化し
たＢＴＢＡＳは、マスフローコントローラ４３により流
量制御されて、ＢＴＢＡＳ供給口４４より図１に示す縦
型ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）成膜装置のノズル２１の供
給口２２に供給される。なお、このＢＴＢＡＳ供給装置
４においては、ＢＴＢＡＳ液体原料４２からＢＴＢＡＳ
供給口４４に至るまでの配管は、配管加熱部材４５によ
って覆われている。
においては、ＢＴＢＡＳ液体原料４２を備えた恒温槽４
１内を１００℃程度に加熱し、ＢＴＢＡＳの蒸気圧を高
くすることによりＢＴＢＡＳを気化し、その後、気化し
たＢＴＢＡＳは、マスフローコントローラ４３により流
量制御されて、ＢＴＢＡＳ供給口４４より図１に示す縦
型ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）成膜装置のノズル２１の供
給口２２に供給される。なお、このＢＴＢＡＳ供給装置
４においては、ＢＴＢＡＳ液体原料４２からＢＴＢＡＳ
供給口４４に至るまでの配管は、配管加熱部材４５によ
って覆われている。
【００１８】図３を参照すれば、ＢＴＢＡＳ供給装置５
においては、ＢＴＢＡＳ液体原料５２を備えたＢＴＢＡ
Ｓタンク５１内に、押し出しガス導入口５３から導入さ
れた押し出しガスＨｅ、Ｎ２を配管５４を介して導入す
ることにより、ＢＴＢＡＳ液体原料３２を配管５５に押
し出し、その後ＢＴＢＡＳ液体原料は、液体流量制御装
置５６により流量制御されて気化器５７に送られ、気化
器５７で気化されてＢＴＢＡＳ供給口５８より図１に示
す縦型ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）成膜装置のノズル２１
の供給口２２に供給される。なお、このＢＴＢＡＳ供給
装置５においては、気化器５７からＢＴＢＡＳ供給口５
８に至るまでの配管は、配管加熱部材５９によって覆わ
れている。
においては、ＢＴＢＡＳ液体原料５２を備えたＢＴＢＡ
Ｓタンク５１内に、押し出しガス導入口５３から導入さ
れた押し出しガスＨｅ、Ｎ２を配管５４を介して導入す
ることにより、ＢＴＢＡＳ液体原料３２を配管５５に押
し出し、その後ＢＴＢＡＳ液体原料は、液体流量制御装
置５６により流量制御されて気化器５７に送られ、気化
器５７で気化されてＢＴＢＡＳ供給口５８より図１に示
す縦型ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）成膜装置のノズル２１
の供給口２２に供給される。なお、このＢＴＢＡＳ供給
装置５においては、気化器５７からＢＴＢＡＳ供給口５
８に至るまでの配管は、配管加熱部材５９によって覆わ
れている。
【００１９】次に、本実施の形態で好適に使用できる縦
型ＬＰＣＶＤ成膜装置を図１を参照して説明する。
型ＬＰＣＶＤ成膜装置を図１を参照して説明する。
【００２０】縦型ＬＰＣＶＤ成膜装置１においては、石
英反応管１１の外部にヒータ１３を備えており、石英反
応管１１内を均一に加熱できる構造となっている。石英
反応管１１内には石英インナーチューブ１２が設けられ
ている。石英インナーチューブ１２内には、複数の半導
体ウェーハを垂直方向に積層して搭載する石英ボート１
４が設けられている。この石英ボート１４は、キャップ
１５上に搭載されており、キャップ１５を上下させるこ
とにより、石英インナーチューブ１２内に挿入され、ま
た石英インナーチューブ１２から取り出される。石英反
応管１１および石英インナーチューブ１２の下部は開放
された構造となっているが、キャップ１５を上昇させる
ことにより、キャップ１５の底板２４により閉じられ気
密な構造となる。石英インナーチューブ１２の下部に
は、石英ノズル１８、２１が連通して設けられている。
石英インナーチューブ１２の上部は開放されている。石
英インナーチューブ１２と石英反応管１１との間の空間
の下部には、排気口１７が連通して設けられている。排
気口１７は真空ポンプ（図示せず）に連通しており、石
英反応管１１内を減圧できる。石英ノズル１８、２１か
ら供給された原料ガスは、各々の噴出口２０、２３から
石英インナーチューブ１２内に噴出され、その後、石英
インナーチューブ１２内を下部から上部まで移動し、石
英インナーチューブ１２と石英反応管１１との間の空間
を通って下方に流れ、排気口１７から排気される。
英反応管１１の外部にヒータ１３を備えており、石英反
応管１１内を均一に加熱できる構造となっている。石英
反応管１１内には石英インナーチューブ１２が設けられ
ている。石英インナーチューブ１２内には、複数の半導
体ウェーハを垂直方向に積層して搭載する石英ボート１
４が設けられている。この石英ボート１４は、キャップ
１５上に搭載されており、キャップ１５を上下させるこ
とにより、石英インナーチューブ１２内に挿入され、ま
た石英インナーチューブ１２から取り出される。石英反
応管１１および石英インナーチューブ１２の下部は開放
された構造となっているが、キャップ１５を上昇させる
ことにより、キャップ１５の底板２４により閉じられ気
密な構造となる。石英インナーチューブ１２の下部に
は、石英ノズル１８、２１が連通して設けられている。
石英インナーチューブ１２の上部は開放されている。石
英インナーチューブ１２と石英反応管１１との間の空間
の下部には、排気口１７が連通して設けられている。排
気口１７は真空ポンプ（図示せず）に連通しており、石
英反応管１１内を減圧できる。石英ノズル１８、２１か
ら供給された原料ガスは、各々の噴出口２０、２３から
石英インナーチューブ１２内に噴出され、その後、石英
インナーチューブ１２内を下部から上部まで移動し、石
英インナーチューブ１２と石英反応管１１との間の空間
を通って下方に流れ、排気口１７から排気される。
【００２１】次に、この縦型ＬＰＣＶＤ成膜装置１を使
用してＳＩＯＮ膜を製造する方法について説明する。
用してＳＩＯＮ膜を製造する方法について説明する。
【００２２】まず、多数枚の半導体ウェーハ１６を保持
した石英ボート１４を６００℃以下の温度に保たれた石
英インナーチューブ１２内に挿入する。
した石英ボート１４を６００℃以下の温度に保たれた石
英インナーチューブ１２内に挿入する。
【００２３】次に、真空ポンプ（図示せず）を用いて排
気口１７より真空排気する。ウェーハの面内温度安定効
果を得るため、１時間程度排気することが好ましい。
気口１７より真空排気する。ウェーハの面内温度安定効
果を得るため、１時間程度排気することが好ましい。
【００２４】次に、石英ノズル１８の注入口１９よりＮ
Ｈ３、Ｎ２Ｏガスを注入し、石英反応管１１内を、ＢＴ
ＢＡＳを流す前にＮＨ３とＮ２Ｏでパージする。なお、
ＮＨ ３ガス、Ｎ２Ｏガスは、別々のノズルで、別々に注
入しても構わない。
Ｈ３、Ｎ２Ｏガスを注入し、石英反応管１１内を、ＢＴ
ＢＡＳを流す前にＮＨ３とＮ２Ｏでパージする。なお、
ＮＨ ３ガス、Ｎ２Ｏガスは、別々のノズルで、別々に注
入しても構わない。
【００２５】次に、石英ノズル１８の注入口１９よりＮ
Ｈ３、Ｎ２Ｏガスを注入し続けると共に、石英ノズル２
１の注入口２２よりＢＴＢＡＳを注入して、半導体ウェ
ーハ１６上にＳＩＯＮ膜を成膜する。
Ｈ３、Ｎ２Ｏガスを注入し続けると共に、石英ノズル２
１の注入口２２よりＢＴＢＡＳを注入して、半導体ウェ
ーハ１６上にＳＩＯＮ膜を成膜する。
【００２６】次に、石英ノズル１８の注入口１９よりＮ
Ｈ３、Ｎ２Ｏガスを注入したまま、ＢＴＢＡＳの供給を
停止して、石英反応管１１内をＮＨ３とＮ２Ｏでパージ
する。
Ｈ３、Ｎ２Ｏガスを注入したまま、ＢＴＢＡＳの供給を
停止して、石英反応管１１内をＮＨ３とＮ２Ｏでパージ
する。
【００２７】ＢＴＢＡＳのみ流すとＳＩＯＮ膜とは異な
る膜ができるため、デポジション前後にＮＨ３とＮ２Ｏ
によるパージを行うことが好ましい。
る膜ができるため、デポジション前後にＮＨ３とＮ２Ｏ
によるパージを行うことが好ましい。
【００２８】次に、石英ノズル１８よりＮ２を石英反応
管１１内に流入させてＮ２パージを行い、石英反応管１
１内のＮＨ３とＮ２Ｏとを除去する。
管１１内に流入させてＮ２パージを行い、石英反応管１
１内のＮＨ３とＮ２Ｏとを除去する。
【００２９】その後、Ｎ２の供給を止めて石英反応管１
１内を真空にする。Ｎ２パージとその後の石英反応管１
１内の真空排気は数回セットで実施する。
１内を真空にする。Ｎ２パージとその後の石英反応管１
１内の真空排気は数回セットで実施する。
【００３０】その後、石英反応管１１内を真空状態から
大気圧状態へ戻し、その後、石英ボート１４を下げて、
石英反応管１１より引き出し、その後、石英ボート１４
および半導体ウェーハ１６を室温まで下げる。
大気圧状態へ戻し、その後、石英ボート１４を下げて、
石英反応管１１より引き出し、その後、石英ボート１４
および半導体ウェーハ１６を室温まで下げる。
【００３１】
【実施例】次に、上記縦型ＬＰＣＶＤ成膜装置１を使用
して、ＳＩＯＮ膜を作成した。この際には、図３に示し
たＢＴＢＡＳ供給装置５を使用した。
して、ＳＩＯＮ膜を作成した。この際には、図３に示し
たＢＴＢＡＳ供給装置５を使用した。
【００３２】炉温５９０℃にてＢＴＢＡＳおよびＮＨ３
とＮ２Ｏを石英反応管１１内に同時導入すると膜屈折率
が１．７６〜１．９０である従来のＳＩＯＮ膜と同等の
膜が得られた。
とＮ２Ｏを石英反応管１１内に同時導入すると膜屈折率
が１．７６〜１．９０である従来のＳＩＯＮ膜と同等の
膜が得られた。
【００３３】またＢＴＢＡＳはＣｌ成分を含んでおら
ず、反応副生成物としてのＮＨ４Ｃｌが付着することは
ない。
ず、反応副生成物としてのＮＨ４Ｃｌが付着することは
ない。
【００３４】図４に、Ｎ２Ｏ流量とＳＩＯＮ膜の屈折率
との関係を示す。成膜温度５９０℃、ＢＴＢＡＳ流量１
００ｓｃｃｍ、ＮＨ３流量４００ｓｃｃｍ、圧力６５ｐ
ａを固定条件としてＮ２Ｏ流量を変化させた時の膜屈折
率データである。
との関係を示す。成膜温度５９０℃、ＢＴＢＡＳ流量１
００ｓｃｃｍ、ＮＨ３流量４００ｓｃｃｍ、圧力６５ｐ
ａを固定条件としてＮ２Ｏ流量を変化させた時の膜屈折
率データである。
【００３５】Ｎ２Ｏ流量を５０ｃｃから４００ｃｃまで
変化させることにより膜屈折率が１．９０から１．７７
まで変化する。酸素の含有量が多い程膜屈折率は小さく
なる。
変化させることにより膜屈折率が１．９０から１．７７
まで変化する。酸素の含有量が多い程膜屈折率は小さく
なる。
【００３６】図５は、Ｎ２Ｏの代わりにＯ２を添加した
時の膜屈折率データである。
時の膜屈折率データである。
【００３７】Ｏ２流量がわずか５０ｃｃｍで膜屈折率は
１．５まで下がってしまう。これはＯ２とＢＴＢＡＳの
反応が早いがためにＳＩＯＮではなくＳｉＯ２が成膜さ
れているからである。従ってＳＩＯＮ成膜にはＮ２Ｏ添
加が望ましい。
１．５まで下がってしまう。これはＯ２とＢＴＢＡＳの
反応が早いがためにＳＩＯＮではなくＳｉＯ２が成膜さ
れているからである。従ってＳＩＯＮ成膜にはＮ２Ｏ添
加が望ましい。
【００３８】なお、図４、図５で、頂部とは、１２５枚
のウェーハを処理した場合の下から１１５枚目をいい、
中央部とは、下から６６枚目をいい、底部とは下から１
６枚目をいう。
のウェーハを処理した場合の下から１１５枚目をいい、
中央部とは、下から６６枚目をいい、底部とは下から１
６枚目をいう。
【００３９】
【発明の効果】ＢＴＢＡＳにＮＨ３とＮ２Ｏを添加する
ことにより得られたＳＩＯＮ膜は従来より低温である６
００℃以下で成膜可能であり、半導体デバイスに必要な
うすい拡散層にダメージを与えない。
ことにより得られたＳＩＯＮ膜は従来より低温である６
００℃以下で成膜可能であり、半導体デバイスに必要な
うすい拡散層にダメージを与えない。
【００４０】更に金属汚染の原因であるＮＨ４Ｃｌを発
生させない利点がある。
生させない利点がある。
【図１】本発明の一実施の形態で使用する縦型ＬＰＣＶ
Ｄ成膜装置を説明するための概略断面図である。
Ｄ成膜装置を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態で使用する成膜装置にお
いて好適に使用されるＢＴＢＡＳ供給装置を説明するた
めの概略図である
いて好適に使用されるＢＴＢＡＳ供給装置を説明するた
めの概略図である
【図３】本発明の一実施の形態で使用する成膜装置にお
いて好適に使用されるＢＴＢＡＳ供給装置を説明するた
めの概略図である
いて好適に使用されるＢＴＢＡＳ供給装置を説明するた
めの概略図である
【図４】本発明の一実施例におけるＮ２Ｏ流量と酸化窒
化シリコン膜の屈折率との関係を示すグラフである。
化シリコン膜の屈折率との関係を示すグラフである。
【図５】比較例におけるＯ２流量と酸化窒化シリコン膜
の屈折率との関係を示すグラフである。
の屈折率との関係を示すグラフである。
１…縦型成膜装置 ４、５…ＢＴＢＡＳ供給装置 １１…石英反応管 １２…石英インナーチューブ １３…ヒータ １４…石英ボート １５…キャップ １６…半導体ウェーハ １７…排気口 １８、２１…石英ノズル ４１…恒温槽 ５１…ＢＴＢＡＳ原料タンク ４２ 、５２…ＢＴＢＡＳ液体原料 ５３…押し出しガス導入口 ５４、５５…配管 ４３…マスフローコントローラ ４４、５８…ＢＴＢＡＳ供給口 ５６…液体流量制御装置 ５７…気化器 ４５、５９…配管加熱部材
Claims (6)
- 【請求項１】ビス ターシャル ブチル アミノ シラ
ンとＮＨ３とＮ２Ｏとを原料ガスとして用いて酸化窒化
シリコン膜を形成する工程を備えることを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】熱ＣＶＤ法により前記酸化窒化シリコン膜
を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】前記酸化窒化シリコン膜を形成する前また
は後に反応炉内をＮＨ３またはＮ２Ｏでガスパージする
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】前記酸化窒化シリコン膜を形成する前およ
び後に反応炉内をＮＨ３およびＮ２Ｏでガスパージする
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】Ｎ２Ｏ供給流量を変化させることにより、
前記酸化窒化シリコン膜の屈折率を制御することを特徴
とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項６】ビス ターシャル ブチル アミノ シラ
ンとＮＨ３とＮ２Ｏとを原料ガスとして用いて熱ＣＶＤ
法により酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33295099A JP2001156067A (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33295099A JP2001156067A (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156067A true JP2001156067A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18260633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33295099A Pending JP2001156067A (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001156067A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351694A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007515060A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| US7678711B2 (en) | 2004-01-06 | 2010-03-16 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same |
-
1999
- 1999-11-24 JP JP33295099A patent/JP2001156067A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007515060A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| JP4801591B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2011-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| US7678711B2 (en) | 2004-01-06 | 2010-03-16 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same |
| JP2006351694A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100481441B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| JP3265042B2 (ja) | 成膜方法 | |
| KR960011015B1 (ko) | 유기디실란 소오스를 사용하여 저압 화학적 증착에 의해 100°c 정도의 저온에서 이산화규소막을 증착하는 방법 | |
| US20070031598A1 (en) | Method for depositing silicon-containing films | |
| CN108122736B (zh) | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质 | |
| JP2009500864A (ja) | 均一バッチ膜被着工程および、それに従って生産されるフィルム | |
| US10128104B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
| JPH06318551A (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| US20060024926A1 (en) | Method of forming a controlled and uniform lightly phosphorous doped silicon film | |
| US20180202043A1 (en) | Gas supply system, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
| US7432215B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| CN116825609A (zh) | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | |
| KR900008970B1 (ko) | 인규산 글라스(psg) 코팅 형성 공정 | |
| JP2001156063A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| TWI251620B (en) | Process for CVD of Hf and Zr containing oxynitride films | |
| US20050199877A1 (en) | Silicon germanium surface layer for high-k dielectric integration | |
| JP2001156067A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4464364B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| TWI674625B (zh) | 原位羥化裝置 | |
| JP4423282B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003045811A (ja) | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 | |
| JP2004288709A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| KR20070037503A (ko) | 실리콘 및 게르마늄을 포함하는 층들의 증착 방법 | |
| JP2763203B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| US5766785A (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050930 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080318 |