JP2018107182A - 基板処理装置および基板処理方法、ならびに基板処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置100は、ベース部材1と、ベース部材1上に固定して設けられ、複数の被処理基板Wを垂直方向に多段に保持する基板保持部材3と、基板保持部材3に保持された複数の被処理基板Wにそれぞれ対向するように設けられ、被処理基板Wに対し処理ガスをシャワー状に供給する複数のシャワープレート31と、基板保持部材3と一体に設けられ、処理ガスを複数のシャワープレート31に導入するガス導入部材6と、ベース部材1に密着されることにより処理室を画成する処理容器22と、処理室内の被処理基板Wを加熱する加熱装置24と、ベース部材1の開口部11を介して処理室内を排気する排気機構5とを有する。
【選択図】図1
Description
最初に、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成について説明する。図1は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
次に、ウエハボート3について詳細に説明する。
図3はウエハボートの詳細構造を示す縦断面図、図4はその水平断面図である。
次に、以上のように構成された基板処理装置の動作について説明する。
最初に、容器ユニット8を上昇させた図2の状態で、移載装置4によりウエハボート3にウエハWを移載する。
以上のような基板処理装置100のうち、ウエハボート3、ガス導入部材6、排気機構5、容器ユニット8を1つの基板処理部とし、これら基板処理部を複数配置し、これらに共通の移載装置4および共通のガス供給機構7を設けることによりクラスタータイプの処理システムを構成することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されず、その思想を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
2;保温筒
3;ウエハボート
4;移載装置
5;排気機構
6;ガス導入部材
7;ガス供給機構
8;容器ユニット
9;制御部
11;開口部
12;ゲートバルブ
13;ターボ分子ポンプ
14;真空ポンプ
17;バイパス配管
22;処理容器
22a;フランジ
23;シールリング
24;ヒータ
25;筐体
26;昇降機構
31,31′;シャワープレート
32;支柱
34;分岐流路
35;ガス拡散空間
36;ガス吐出孔
41,42,43;ガス供給源
44;リモートプラズマ源
45;プラズマ生成機構
100;基板処理装置
200;基板処理部
300;基板処理システム
W;半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (17)
- 被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
開口部を有するベース部材と、
前記ベース部材上に固定して設けられ、複数の被処理基板を所定間隔で垂直方向に多段に保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材に保持された前記複数の被処理基板にそれぞれ対向するように設けられ、下方の被処理基板に対し処理ガスをシャワー状に供給する複数のシャワープレートと、
前記基板保持部材と一体に設けられ、前記処理ガスを前記複数のシャワープレートに導入する少なくとも一つのガス導入部材と、
前記ベース部材に密着可能に設けられ、前記ベース部材に密着されることにより前記基板保持部材の配置空間を処理室として画成する処理容器と、
前記処理室内の被処理基板を加熱する加熱装置と、
前記ベース部材の前記開口部を介して前記処理室内を排気する排気機構と
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記排気機構は、前記ベース部材にゲートバルブを介して接続されたターボ分子ポンプと、粗引き用の真空ポンプとを有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記処理容器と前記加熱装置とを一体的に、前記処理容器と前記ベース部材を密着して前記処理室を画成する処理位置と、前記基板保持部材の上方の退避位置との間で昇降させる昇降機構と、
前記基板保持部材に対して被処理基板の移載を行う移載機構と
をさらに有し、
前記処理容器と前記加熱装置とが処理位置にあるときに、所定の基板処理を行い、前記処理容器と前記加熱装置とが退避位置にあるときに、前記移載機構により、前記基板保持部材に対する被処理基板の移載を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記複数のシャワープレートは、前記基板保持部材の一部として設けられ、前記基板保持部材は、垂直方向に多段に設けられた前記複数のシャワープレートと、前記複数のシャワープレートを支持する複数の支柱と、前記シャワープレートの上面に設けられた、前記被処理基板を支持する基板支持部とを有し、前記各シャワープレートは、その下方のシャワープレートの上面に支持された被処理基板に処理ガスを吐出することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記複数の支柱の少なくとも一つが前記ガス導入部材として構成されていることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記シャワープレートは、前記ガス導入部材からの処理ガスが導入され、下方の被処理基板の中心部に対応する中央部まで延びるガス導入路と、前記ガス導入路に繋がり、ほぼ被処理基板に対応する大きさを有するガス拡散空間と、前記ガス拡散空間から下方の被処理基板に向けて処理ガスをシャワー状に吐出する複数のガス吐出孔とを有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記シャワープレートは、前記ガス導入部材からの処理ガスが導入され、導入されたガスを拡散させるガス拡散空間と、前記ガス拡散空間から下方の被処理基板に向けて処理ガスをシャワー状に吐出する複数のガス吐出孔とを有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス導入部材には、処理ガス供給機構の処理ガス供給源から所定の処理ガスが供給されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス導入部材には、処理ガスをプラズマ化するリモートプラズマ源が接続されており、前記リモートプラズマ源により生成された活性種が前記ガス導入部材および前記シャワープレートを介して被処理基板に供給されることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記処理室内にプラズマを生成するためのプラズマ生成機構をさらに有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 開口部を有するベース部材と、
前記ベース部材上に固定して設けられ、複数の被処理基板を所定間隔で垂直方向に多段に保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材に保持された前記複数の被処理基板にそれぞれ対向するように設けられ、下方の被処理基板に対し処理ガスをシャワー状に供給する複数のシャワープレートと、
前記基板保持部材と一体に設けられ、前記処理ガスを前記複数のシャワープレートに導入する少なくとも一つのガス導入部材と、
前記ベース部材に密着可能に設けられ、前記ベース部材に密着されることにより前記基板保持部材の配置空間を処理室として画成する処理容器と、
前記処理室内の被処理基板を加熱する加熱装置と、
前記ベース部材の前記開口部を介して前記処理室内を排気する排気機構と
を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記処理容器および前記加熱装置を前記基板保持部材の上方へ退避させ、前記基板保持部材に複数の被処理基板を移載する工程と、
前記処理容器および前記加熱装置を下降させ、前記処理容器を前記ベース部材に密着させて、前記処理室を画成する工程と、
前記処理室を真空引きする工程と、
前記ガス導入部材から前記複数のシャワープレートに導入された処理ガスを、その下方にそれぞれ設けられた被処理基板に対しシャワー状に供給して所定の処理を行う工程と、
処理後に前記処理室内を大気圧に戻す工程と、
前記処理容器および前記加熱装置を前記基板保持部材の上方へ退避させ、前記基板保持部材の処理後の被処理基板を搬出する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記排気機構として、前記ベース部材にゲートバルブを介して接続されたターボ分子ポンプと、粗引き用の真空ポンプとを有するものを用い、前記ターボ分子ポンプにより前記処理室を高真空にして基板処理を行うことを特徴とする請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記ガス導入部材には、リモートプラズマ源によりプラズマ化された処理ガスが供給され、前記リモートプラズマ源により生成された活性種が前記ガス導入部材および前記シャワープレートを介して被処理基板に供給されることを特徴とする請求項11または請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記処理室内にプラズマを生成して被処理基板に対してプラズマ処理を行うことを特徴とする請求項11または請求項12に記載の基板処理方法。
- 開口部を有するベース部材と、
前記ベース部材上に固定して設けられ、複数の被処理基板を所定間隔で垂直方向に多段に保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材に保持された前記複数の被処理基板にそれぞれ対向するように設けられ、下方の被処理基板に対し処理ガスをシャワー状に供給する複数のシャワープレートと、
前記基板保持部材と一体に設けられ、前記処理ガスを前記複数のシャワープレートに導入する少なくとも一つのガス導入部材と、
前記ベース部材に密着可能に設けられ、前記ベース部材に密着されることにより前記基板保持部材の配置空間を処理室として画成する処理容器と、
前記処理室内の被処理基板を加熱する加熱装置と、
前記ベース部材の前記開口部を介して前記処理室内を排気する排気機構と、
前記処理容器と前記加熱装置とを一体的に、前記処理容器と前記ベース部材を密着して前記処理室を画成する処理位置と、前記基板保持部材の上方の退避位置との間で昇降させる昇降機構と
を有する基板処理部を複数有し、
前記複数の基板処理部の前記基板保持部材に対して被処理基板の移載を行う共通の移載装置をさらに有することを特徴とする基板処理システム。 - 前記基板処理部のうち、前記処理容器と前記加熱装置とが処理位置にあるものについては基板処理を行い、前記処理容器と前記加熱装置とが退避位置にあるものについては前記移載装置により前記基板保持部材に対する被処理基板の移載を行うことを特徴とする請求項15に記載の基板処理システム。
- 前記各基板処理部の前記排気機構は、前記ベース部材にゲートバルブを介して接続されたターボ分子ポンプと、粗引き用の真空ポンプとを有することを特徴とする請求項15または請求項16に記載の基板処理システム。
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