JP2013229622A - 成膜装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理体Wの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器4と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段6と、処理容器内を真空引きする真空排気系30と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段20と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段26と、処理容器を加熱する容器加熱手段14とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。
【選択図】図1
Description
また、例えば請求項3に記載するように、前記クリーニング処理時の温度を150〜300℃の範囲内に制御する温度制御部を有することを特徴とする。
また、例えば請求項6に記載するように、前記ポリ尿素薄膜を形成する時の前記複数の原料ガスは、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)とよりなることを特徴とする。
また、例えば請求項9に記載するように、前記クリーニング処理時の温度は、150〜300℃の範囲内であることを特徴とする。
成膜装置の処理容器内に付着した不要なポリイミド薄膜又はポリ尿素薄膜よりなる高分子薄膜をクリーニング処理により除去するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスであるF2 ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することができる。
図1は本発明に係る成膜装置を示す断面構成図、図2は保持手段であるウエハボートを示す横断面図、図3はウエハボートを示す部分拡大図である。尚、ここでは高分子薄膜の一例としてポリイミド樹脂の薄膜であるポリイミド薄膜を形成する場合を例にとって説明する。
また、ウエハボート6には、これに設けた内部冷却手段40が予め駆動されて冷媒通路48には冷媒が流れており、各載置台38は所定の温度になされている。
ここでポリイミド薄膜と石英に対するF2 ガスのエッチング時の選択性について実験を行ったので、その評価結果について説明する。図4はポリイミド薄膜と石英に対するF2 ガスのエッチング時の選択性を示すグラフである。ここでは横軸にエッチング(クリーニング)時間をとり、左側縦軸にPI(ポリイミド薄膜)のエッチング膜厚をとり、右側縦軸に石英のエッチング膜厚をとっている。尚、ここで左側縦軸と右側縦軸は2桁異なっている点に注意されたい。
次に、エッチング時のフッ素濃度及び温度依存性について検討したので、その評価結果について説明する。図7はエッチング時のフッ素濃度及び温度依存性を示す図であり、ポリイミド膜(PI)のエッチングレート、SiO2 膜(石英)のエッチングレート及び両者の選択比を示している。ここではエッチング時のプロセス圧力は全て400Torr(53320Pa)に設定している。
4 処理容器
6 ウエハボート(保持手段)
8 蓋部
12 昇降機構
14 容器加熱手段
20 ガス供給手段
22 第1の原料ガス供給系
24 第2の原料ガス供給系
26 クリーニングガス供給手段
30 真空排気系
36A〜36C 支柱
38 載置台
40 内部冷却手段
44A〜44C 支持アーム
48 冷媒通路
50 冷媒循環部
52A,52C 支柱内通路
54A,54C アーム内通路
56 載置台内通路
58 伸縮管
62 温度制御部
64 装置制御部
66 記憶媒体
W 半導体ウエハ(被処理体)
このように成膜装置に付着した不要なポリイミド薄膜又はポリ尿素薄膜よりなる高分子薄膜をクリーニング処理により除去するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスであるF 2 ガスを使用することにより、真空排気系内に付着した不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することができる。
請求項4に係る発明は、被処理体の表面にポリイミド薄膜又はポリ尿素薄膜よりなる高分子薄膜を形成する成膜装置において、前記被処理体を複数枚収容する縦型の処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を保持するために複数段にわたって設けられた載置台を有する保持手段と、前記処理容器内を真空引きする真空排気系と、前記処理容器内へ前記高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段と、前記処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素系ガスであるF 2 ガスを供給するクリーニングガス供給手段と、前記処理容器を加熱する容器加熱手段と、装置全体の動作を制御すると共に請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜装置のクリーニング方法を実施するように制御する装置制御部と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。
本発明の関連技術は、被処理体の表面にポリイミド薄膜又は前記ポリ尿素薄膜よりなる高分子薄膜を形成する成膜装置において、前記被処理体を複数枚収容する縦型の処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を保持するために複数段にわたって設けられた載置台を有する保持手段と、前記処理容器内を真空引きする真空排気系と、前記処理容器内へ前記高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段と、前記処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素系ガスであるF2 ガスを供給するクリーニングガス供給手段と、前記処理容器を加熱する容器加熱手段と、装置全体の動作を制御する装置制御部と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。
また、例えば前記クリーニング処理時の温度を150〜300℃の範囲内に制御する温度制御部を有することを特徴とする。
また、例えば前記ポリ尿素薄膜を形成する時の前記複数の原料ガスは、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)とよりなることを特徴とする。
また、例えば前記クリーニング処理時の温度は、150〜300℃の範囲内であることを特徴とする。
本発明によれば、成膜装置に付着した不要なポリイミド薄膜又はポリ尿素薄膜よりなる高分子薄膜をクリーニング処理により除去するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスであるF 2 ガスを使用することにより、真空排気系内に付着した不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することができる。
本発明の関連技術によれば、成膜装置の処理容器内に付着した不要なポリイミド薄膜又はポリ尿素薄膜よりなる高分子薄膜をクリーニング処理により除去するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスであるF2 ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することができる。
Claims (12)
- 被処理体の表面にポリイミド薄膜又はポリ尿素薄膜よりなる高分子薄膜を形成する成膜装置において、
前記被処理体を複数枚収容する縦型の処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理体を保持するために複数段にわたって設けられた載置台を有する保持手段と、
前記処理容器内を真空引きする真空排気系と、
前記処理容器内へ前記高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素系ガスであるF2 ガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記処理容器を加熱する容器加熱手段と、
装置全体の動作を制御する装置制御部と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記装置制御部は、前記高分子薄膜が前記クリーニングガスによりフッ化され、過剰にフッ化された表面付近が揮発するようになるまでの長さの時間上記クリーニング操作を実施することを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記クリーニング処理時の温度を150〜300℃の範囲内に制御する温度制御部を有することを特徴とする請求項1又は2記載の成膜装置。
- 前記処理容器は、石英により形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記ポリイミド薄膜を形成する時の前記複数の原料ガスは、ピロメリット酸二無水物(PMDA)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)とよりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記ポリ尿素薄膜を形成する時の前記複数の原料ガスは、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)とよりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 被処理体の表面にポリイミド薄膜又はポリ尿素薄膜よりなる高分子薄膜を形成するために用いられる請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜装置のクリーニング方法において、
前記処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素系ガスであるF2 ガスを供給してクリーニング処理を行うようにしたことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。 - 前記クリーニング処理は、前記高分子薄膜が前記クリーニングガスによりフッ化され、過剰にフッ化された表面付近が揮発するようになるまでの長さの時間実施されることを特徴とする請求項7記載の成膜装置のクリーニング方法。
- 前記クリーニング処理時の温度は、150〜300℃の範囲内であることを特徴とする請求項7又は8記載の成膜装置のクリーニング方法。
- 前記ポリイミド薄膜を形成する時の前記複数の原料ガスは、ピロメリット酸二無水物(PMDA)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)とよりなることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の成膜装置のクリーニング方法。
- 前記ポリ尿素薄膜を形成する時の前記複数の原料ガスは、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)とよりなることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の成膜装置のクリーニング方法。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜装置をクリーニングするに際して、
請求項7乃至11のいずれか一項に記載したクリーニング方法を実施するように前記成膜装置を制御する、コンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶するようにしたことを特徴とする記憶媒体。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015195350A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置の運転方法、記憶媒体及び縦型熱処理装置 |
JP2017076784A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-20 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
JP2018107182A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法、ならびに基板処理システム |
CN110400735A (zh) * | 2018-04-25 | 2019-11-01 | 东京毅力科创株式会社 | 气体供给管的清洁方法和处理系统 |
US10923361B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US11094535B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
US11174550B2 (en) | 2015-08-03 | 2021-11-16 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101661178B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2016-10-04 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 프로세싱 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09143681A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-06-03 | Ulvac Japan Ltd | 高分子薄膜の形成方法 |
JPH11274690A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Mitsui Chem Inc | プリント回路基板のエッチング方法 |
JP2000021866A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Ulvac Corp | 半導体製造装置およびポリイミド膜の形成方法 |
JP2000021867A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Ulvac Corp | 半導体製造装置および該装置のクリーニング方法 |
JP2006231134A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Ulvac Japan Ltd | 有機材料膜の形成方法 |
JP2007284793A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Asm Japan Kk | 炭素質膜のセルフクリーニング方法 |
WO2007137035A2 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Applied Materials, Inc. | In situ cleaning of cvd system exhaust |
JP2008078285A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
2013
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09143681A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-06-03 | Ulvac Japan Ltd | 高分子薄膜の形成方法 |
JPH11274690A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Mitsui Chem Inc | プリント回路基板のエッチング方法 |
JP2000021866A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Ulvac Corp | 半導体製造装置およびポリイミド膜の形成方法 |
JP2000021867A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-21 | Ulvac Corp | 半導体製造装置および該装置のクリーニング方法 |
JP2006231134A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Ulvac Japan Ltd | 有機材料膜の形成方法 |
JP2007284793A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Asm Japan Kk | 炭素質膜のセルフクリーニング方法 |
WO2007137035A2 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Applied Materials, Inc. | In situ cleaning of cvd system exhaust |
JP2009537993A (ja) * | 2006-05-16 | 2009-10-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Cvdシステム排出のイン・シトゥー洗浄 |
JP2008078285A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015195350A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置の運転方法、記憶媒体及び縦型熱処理装置 |
US11174550B2 (en) | 2015-08-03 | 2021-11-16 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
US11654454B2 (en) | 2015-10-09 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
US11389824B2 (en) | 2015-10-09 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
JP7383192B2 (ja) | 2015-10-09 | 2023-11-17 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 有機膜の気相堆積 |
JP7299289B2 (ja) | 2015-10-09 | 2023-06-27 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
JP2017076784A (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-20 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
JP2022009666A (ja) * | 2015-10-09 | 2022-01-14 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
JP7007795B2 (ja) | 2015-10-09 | 2022-01-25 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 有機膜の気相堆積 |
US11446699B2 (en) | 2015-10-09 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
US11387107B2 (en) | 2016-06-01 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US11728175B2 (en) | 2016-06-01 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US10923361B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
JP2018107182A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法、ならびに基板処理システム |
US11094535B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective passivation and selective deposition |
CN110400735A (zh) * | 2018-04-25 | 2019-11-01 | 东京毅力科创株式会社 | 气体供给管的清洁方法和处理系统 |
CN110400735B (zh) * | 2018-04-25 | 2024-04-16 | 东京毅力科创株式会社 | 气体供给管的清洁方法和处理系统 |
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