TWI719107B - 基板處理方法、基板處理裝置及基板處理系統 - Google Patents

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Abstract

提供一種可以素簡的構成而不讓產率下降來去除所殘留的氟之基板處理方法。
在程序模組中，將施予COR處理及PHT處理後之晶圓暴露於在冷卻儲存部的處理室內部中，將濕度調整為含水量為50g/m3以上的氛圍。

Description

基板處理方法、基板處理裝置及基板處理系統
本發明係關於一種去除殘留於基板表面之氟的基板處理方法、基板處理裝置以及基板處理系統。
作為將為基板之半導體晶圓(以下，僅稱為「晶圓」)所形成的氧化膜化學性地蝕刻而加以去除的處理，係已知有一種例如COR(Chemical Oxide Removal)處理及PHT(Post Heat Treatment)處理。COR處理中，係讓形成於晶圓表面之氧化膜與氟化氫氣體及氨氣反應，而從氧化膜來生成為反應生成物之氟矽酸銨(AFS)。PHT處理中，係藉由加熱晶圓來將所生成的AFS昇華而加以去除。亦即，會透過COR處理及PHT處理來去除氧化膜。
然而，施有COR處理及PHT處理後之晶圓表面仍會有殘留氟的情事。所殘留之氟會腐蝕形成於晶圓表面之配線膜等，而有使得從晶圓所製造之半導體元件的電氣特性劣化的情事。從而，便需要去除晶圓表面所殘留之氟(以下，稱為「殘留氟」)，
作為去除殘留氟之方法，以往係進行有對晶圓施有使用DHF(稀氟酸)或DIW(純水)來做為洗淨液的濕式洗淨之方法。在對晶圓施予濕式洗淨時，便可讓殘留於晶圓表面之氟原子的個數減少至每1平方公分為10的12次方等級。
另外，由於伴隨著半導體元件配線等的微細化，而使得形成於晶圓表面之圖案寬度成為數nm，故會產生因洗淨液的表面張力而使得圖案傾倒的問題。於是，便被提出有一種不使用洗淨液而是使用電漿來去除殘留氟之方法。此方法係藉由讓氧電漿產生於晶圓表面附近，來強制性地置換氟而 加以去除(例如，參照專利文獻1)。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特表2012-532440號公報
然而，專利文獻1相關之方法係需要有用以產生氧電漿之機構。又，為了產生氧電漿便需要減壓等的工序，而會有該工序因為需要既定時間而使得產率下降的問題。
本發明之目的係提供一種可以素簡的構成而不讓產率下降來去除所殘留之氟的基板處理方法、基板處理裝置及基板處理系統。
為了達成上述目的，本發明之基板處理方法係具有：第1步驟，係對基板施予使用含氟氣體之處理；以及第2步驟，係將該基板暴露於含水分的氛圍。
為了達成上述目的，本發明之基板處理裝置係具備有：處理室，係收納有施予了使用含氟氣體之處理後的基板；以及含水分機構，係讓該處理室內之氛圍含有水分。
為了達成上述目的，基板處理系統係具備有：基板處理裝置，係對基板施有使用含氟氣體之處理；以及後處理裝置，係將施予了使用該含氟氣體之處理後的基板暴露於含水分之氛圍。
根據本發明，便可將對基板施有使用含氟氣體之處理的基板暴露於含水分的氛圍。氟會與水分中之氫鍵結而成為氟化氫，並藉由昇華來加以去除。又，在基板表面中一端為矽的氟會與水分中之氫或氫氧基置換而被去除。亦即，由於只要暴露於含水分之氛圍便可從基板來去除氟，故無需用以產生電漿之機構或工序。其結果，便可以素簡之構成而不讓產率下降來去除氟。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧基板處理系統
13‧‧‧程序模組
20‧‧‧冷卻儲存部
29‧‧‧水分供給機構
圖1係概略性地顯示本發明實施形態相關之基板處理系統的構成之俯視圖。
圖2係概略性地顯示圖1中之冷卻儲存部的構成之剖面圖。
圖3係顯示將表面存在有殘留氟之晶圓收納於恆溫恆濕槽時的殘留氟原子個數之圖表。
圖4係用以說明本發明實施形態中之殘留氟原子個數減少的過程之工序圖。
圖5係顯示改變暴露晶圓之氛圍的水分量時的殘留氟原子個數之圖表。
圖6係顯示改變將晶圓暴露於高濕度氛圍的時間時之殘留氟原子個數的圖表。
圖7係顯示本發明實施形態相關之基板處理方法的氧化膜去除處理之流程圖。
以下，便參照圖式，就本發明實施形態來加以說明。
圖1係概略性地顯示本發明實施形態相關之基板處理系統的構成之俯視圖。另外，圖1中為了易於理解而將內部構成的一部分穿透顯示。
圖1中，基板處理系統10係具備有：保管複數晶圓W之晶圓保管部11；同時搬送2片晶圓W之作為共通搬送部的傳輸模組12；以及對從傳輸模組12所搬入之晶圓W施予COR處理及PHT處理之複數程序模組13(基板處理裝置)。程序模組13係內部會被維持在真空氛圍。
基板處理系統10中，會藉由傳輸模組12所內建之搬送臂14來保持晶圓保管部11所保管之複數晶圓W中所選擇的2片晶圓W，並藉由移動搬送臂14來在傳輸模組12內部搬送晶圓W，而將每1片晶圓W分別載置於程序模組13內部所配置之2個台15。接著，基板處理系統10中，係在程序模組13對台15所載置之晶圓W施予COR處理及PHT處理後，將處理完畢之2片晶圓W藉由搬送臂14來保持，並藉由移動搬送臂14來搬出至晶圓保管部11。
晶圓保管部11係具有：為保管複數晶圓W之容器的晶圓匣盒16(foup)的載置台之3個裝載埠17；將所保管之晶圓W從各裝載埠17所載置的晶圓匣盒16來接收，或是將在程序模組13施有既定處理後之晶圓W引渡至晶圓匣盒16的裝載模組18；為了在裝載模組18及傳輸模組12之間收授晶圓W而暫時地保持晶圓W的2個裝載互鎖模組19；以及冷卻施有PHT處理的晶圓W之冷卻儲存部20(基板處理裝置、後處理裝置)。
裝載模組18係由內部為大氣壓氛圍的矩形框體所構成，且於構成其矩形長邊的一側面會並列設置有複數裝載埠17。進一步地，裝載模組18係具有可在內部移動於其矩形之長邊方向的搬送臂(未圖示)。該搬送臂會從各裝載埠17所載置的晶圓匣盒16來將晶圓W搬入至各裝載互鎖模組19，或是從裝載互鎖模組19來將晶圓W搬出至各晶圓匣盒16。晶圓匣盒16係以將複數晶圓W多層重疊的方式來加以收納。又，各裝載埠17所載置之晶圓匣盒16內部會以氮氣等來充滿而加以密閉。
由於各裝載互鎖模組19係將收納於大氣氛圍之各裝載埠17所載置的晶圓匣盒16的晶圓W遞交至內部為真空氛圍之程序模組13，故會將晶圓W暫時性地保持。各裝載互鎖模組19係具有保持2片晶圓W之儲存部(stocker)21。又，各裝載互鎖模組19係具有相對於裝載模組18而確保氣密性用的閘閥22a；以及相對於傳輸模組12而確保氣密性用的閘閥22b。進一步地，裝載互鎖模組19係藉由配管來連接有未圖示之氣體導入系統及氣體排氣系統，並藉由氣體導入系統及氣體排氣系統來將內部控制為大氣氛圍或真空氛圍。
傳輸模組12係將未處理之晶圓W從晶圓保管部11來搬入至程序模組13，將處理完畢之晶圓W從程序模組13來搬出至晶圓保管部11。傳輸模組12係由內部為真空氛圍之矩形框體所構成，且包含有：保持2片晶圓W來移動之2個搬送臂14；可旋轉地支撐各搬送臂14之旋轉台23；搭載有旋轉台23之旋轉載置台24；以及可將旋轉載置台24移動於傳輸模組12之長邊方向來引導的引導軌道25。又，傳輸模組12會透過閘閥22a,22b及進一步地在之後詳述的各閘閥26來連通於晶圓保管部11之裝載互鎖模組19以及各程序模組13。傳輸模組12係讓搬送臂14保持並接收在裝載互鎖模組19中以儲存部21 所保持之2片晶圓W，而朝各程序模組13搬送。又，讓搬送臂14保持在程序模組13中施有處理後之2片晶圓W，而搬出至裝載互鎖模組19。旋轉載置台24及引導軌道25係構成讓所載置之旋轉台23移動於傳輸模組12內部之長邊方向的滑動機構。
各程序模組13會透過各閘閥26來連通於傳輸模組12。從而，藉由各閘閥26便可確保各程序模組13及傳輸模組12之間的氣密性及互相連通。又，程序模組13係連接有未圖示之氣體導入系統(處理氣體及沖淨氣體等的氣體供給部等)以及氣體排氣系統(真空泵、排氣控制閥及排氣管等)。
各程序模組13係在內部具有將2片晶圓W並排載置於水平方向的2個台15。各程序模組13會藉由將晶圓W並列載置於2個台15，來均勻且同時地處理2片晶圓W表面。本實施形態中，複數各程序模組13會實行COR處理及PHT處理的任一者。
又，基板處理系統10係進一步地具備有控制器27來作為控制部，控制器27會藉由實行內建之記憶體等所儲存的程式等，來控制基板處理系統10之各構成要素的動作。
圖2係概略地顯示圖1之冷卻儲存部構成的剖面圖。
圖2中，冷卻儲存部20係具有：收納晶圓W之處理室28；水分供給機構29(含水分機構)；非活性氣體供給機構30；以及排氣機構31。
處理室28內會被維持在大氣壓氛圍，且配置有載置晶圓W之台32。台32係內建有加熱所載置之晶圓W的加熱器33以及冷卻相同晶圓W之冷卻通道34。台32會藉由加熱器33及冷卻通道34來調整所載置之晶圓W的溫度。處理室28會在側壁部具有為貫穿口之埠35，並藉由埠35來將晶圓W朝處理室28內搬出入。埠35會藉由開閉自如之閘閥36來加以閉鎖。
水分供給機構29係由水分供給部37及配管38所構成，並讓處理室28內之氛圍含有作為水蒸氣之水分。非活性氣體供給機構30係由氣體供給部39及配管40所構成，並朝處理室28內供給非活性氣體，例如氮氣。排氣機構31係由排氣泵41及配管42所構成，並將處理室28內排氣。
雖本實施形態中，係對晶圓W施予PHT處理，但由於PHT處理係藉由加熱來讓晶圓W中所生成之AFS昇華的處理，故施有PHT處理後之晶圓W的溫 度會較高，例如為約120℃。冷卻儲存部20會冷卻施有PHT處理後之晶圓W。
另外，在本發明前，本案之發明者為了探討除了利用濕式洗淨或氧電漿的去除以外之適合的殘留氟之去除方法，便準備複數於表面存在有殘留氟之晶圓W的樣本，在為了進行各種實驗而將該等樣本暫時保管於清潔室內時，發現到各樣本表面的殘留氟原子的個數會大幅度地減少。由於清潔室內係大氣壓氛圍，且維持在適當的溼度，故本發明者便推測水分會有助於殘留氟原子的個數之減少。之後，本發明者便準備複數於表面存在有殘留氟之晶圓W的樣本，而將各樣本收納於可控制內部的溫度及濕度的恆溫恆濕槽，並改變恆溫恆濕槽內部之溫度及濕度條件，來測量各條件下之殘留氟原子的個數。
圖3係顯示將於表面存在殘留氟之晶圓收納於恆溫恆濕槽時的殘留氟原子的個數之圖表。
在此，係使用COR處理及PHT處理後之晶圓W，來作為於表面存在殘留氟之晶圓W。該晶圓W中之殘留氟原子的個數係每1平方公分為5.0×1014個。圖3中，「×」係表示在改變恆溫恆濕槽內部之溫度及濕度條件時的各條件下的殘留氟原子之個數。又，圖3之圖表係以「◆」來表示作為比較對象而將COR處理及PHT處理後之晶圓W放置在清潔室內時的殘留氟原子之個數。圖3之圖表的橫軸係表示收納至恆溫恆濕槽之後的經過時間及清潔室內的放置時間。改變恆溫恆濕槽內部的溫度及濕度條件時的各條件係溫度為24℃且濕度為95%的條件；溫度為48℃且濕度為75%的條件；溫度為48℃且濕度為80%的條件；溫度為60℃且濕度為55%的條件；溫度為60℃且濕度為70%的條件；以及溫度為60℃且濕度為95%的條件。任一條件下都會將恆溫恆濕槽內部之濕度維持在較清潔室內之濕度要高之數值。另外，恆溫恆濕槽內部的溫度為幾乎與晶圓W之溫度相同。又，在將晶圓W收納在恆溫恆濕槽的情況，由於恆溫恆濕槽內部之溫度及濕度要到達各條件需要20分鐘，故在恆溫恆濕槽中以各條件來處理晶圓W時之實質上的處理時間係從圖3之圖表的橫軸所示之時間減去20分鐘的時間。
如圖3之圖表所示，在放置於清潔室內時，為了使得殘留氟原子之個數減少至未對晶圓W施予任何處理時存在於晶圓W表面的氟原子之個數的每1 平方公分為10的12次方之等級(以下，稱為「基準殘留氟原子數等級」)，會需要大量的時間(約72小時)。另一方面，在恆溫恆濕槽中將晶圓W暴露於高濕度氛圍時，殘留氟原子的個數會在約10分鐘左右減少至基準殘留氟原子數等級。
但是，由於大氣的水分飽和量會因為溫度而改變，故本發明者便考量到大氣中之水分量會左右殘留氟原子之個數的減少，而於下表1中彙整在恆溫恆濕槽中將晶圓W暴露於高濕度氛圍時，上述各條件之水分量與殘留氟原子的個數。
Figure 106100786-A0202-12-0007-1
如上述表中之無網點的部分所示，得知若是大氣中之水分量為20g/m3以上的話，便有可能將殘留氟原子之個數減少至每1平方公分為10的13次方等級，若是大氣中之水分量為50g/m3以上的話，便可將殘留氟原子之個數幾乎減少至基準殘留氟原子數等級。
雖關於在增加大氣中之水分量時，殘留氟原子的個數會大幅度地減少的理由，係難以清楚地加以說明，但就觀察殘留氟原子之個數減少過程的結果，本發明者便推理出下般所說明的假設。
首先，施予COR處理及PHT處理後之晶圓W表面係存在有單體氟，而 進一步地因為氧化膜之去除而露出於晶圓W表面的矽便會讓氟來成為一端(圖4(A))。
接著，在將晶圓W表面暴露於含水分的氛圍，亦即高濕度氛圍時，氛圍中之一部分水分便會被分解為氫及氫氧基(圖4(B))。此時，氫會與單體氟鍵結而成為氟化氫，並昇華。又，晶圓W表面中一端為矽的氟會與氫或氫氧基置換而被去除(圖4(C))。其結果，便會大幅度地減少晶圓W表面中之殘留氟原子的個數。之後，在晶圓W表面中，矽便會以氫或氫氧基來成為一端而穩定(圖4(D))。
另外，雖然在上述殘留氟原子的個數之測量中，恆溫恆濕槽內部的溫度會幾乎與晶圓W之溫度相同，但在之後，以晶圓W之溫度會較恆溫恆濕槽內部的溫度要低之條件來進行殘留氟原子的個數之測量時，氛圍中之水分便會凝聚於晶圓W表面而產生結露。在產生結露時，會因所凝聚之水分的表面張力而有圖案傾倒之虞。另一方面，為了防止結露之產生便需要將晶圓W之溫度提至較恆溫恆濕槽內部之溫度要高。從而，從確實地防止晶圓W中圖案傾倒之產生的觀點看來，較佳地係加熱晶圓W，而讓晶圓W的溫度較恆溫恆濕槽內部之溫度，亦即氛圍之溫度要高。
另一方面，在將晶圓W之溫度提至較氛圍之溫度要高時，水分便會難以附著於晶圓W表面，而如圖4所說明般，晶圓W表面中之氫與氟的鍵結，以及一端為矽的氟利用氫氧基之置換便不太會加以進行，結果便是不會讓殘留氟原子的個數減少那麼多。例如，在將COR處理及PHT處理後之晶圓W暴露於相同水分量之氛圍的情況，便可藉由對晶圓W加熱之有無來改變殘留氟原子之個數，具體而言，係如下表2所示，有加熱晶圓W之情況的殘留氟原子的個數會較未加熱晶圓W之情況的殘留氟原子的個數要增加。
Figure 106100786-A0202-12-0008-11
於是，本發明者為了找出晶圓W之溫度上限，而在改變COR處理及PHT處理後之晶圓W的溫度後，將該晶圓W暴露於既定水分量(例如88.5g/m3)的氛圍，而在進行之後的殘留氟原子之個數的測量時，便如下表3所示，得知若是晶圓W的溫度與氛圍的溫度(恆溫恆濕槽內部的溫度)之差距為幾乎100℃的話，則殘留氟原子的個數便不會下降至基準殘留氟原子數等級，另一方面，若是晶圓W的溫度與氛圍的溫度之差距為幾乎50℃的話，則殘留氟原子的個數會下降減少到基準殘留氟原子數等級。
Figure 106100786-A0202-12-0009-3
又，由於即便在加熱晶圓W的情況，應只要增加氛圍中之水分量的話，便可促進晶圓W表面之氫與氟的鍵結或一端為矽的氟利用氫氧基的置換，故本發明者便進行改變COR處理及PHT處理後之晶圓W所暴露的氛圍之水分量時之殘留氟原子的個數之測量，而彙整為圖5之表格。此時，便加熱晶圓W而將晶圓W之溫度設定為100℃，將氛圍之溫度(恆溫恆濕槽內部之溫度)設定為55℃~75℃。
圖5係顯示改變暴露晶圓之氛圍的水分量時之殘留氟原子的個數之圖表。
如圖5所示，確認到即便在加熱晶圓W的情況，若是氛圍之水分量為67.7g/m3以下的話，則殘留氟原子的個數便不會下降至基準殘留氟原子數等級，另一方面，若是氛圍之水分量為88.5g/m3以上的話，則殘留氟原子的個數會減少至基準殘留氟原子數等級。
進一步地，即便在加熱晶圓W的結果而使得水分難以附著於晶圓W表面的情況，由於只要能確保將晶圓W暴露於氛圍的時間的話，應會使得晶圓W表面之氫與氟的鍵結或一端為矽的氟利用氫氧基的置換加以進行，故本發明者便進行改變COR處理及PHT處理後之晶圓W所暴露於氛圍的時間 時之殘留氟原子的個數之測量，而彙整為圖6之圖表。此時，便加熱晶圓W而將晶圓W的溫度設定為100℃，將氛圍的溫度(恆溫恆濕槽內部之溫度)設定為55℃，將氛圍中之水分量設定為88.5g/m3。
圖6係顯示改變將晶圓暴露於高濕度氛圍之時間時的殘留氟原子的個數之圖表。
如圖6所示，確認到即便在加熱晶圓W的情況，只要將晶圓W暴露於氛圍之時間為至少3分鐘的話，則殘留氟原子的個數便會減少至基準殘留氟原子數等級。另外，雖上述實驗係藉由將晶圓W收納在恆溫恆濕槽來加以進行，但由於此實驗中，在恆溫恆濕槽收納晶圓W後讓恆溫恆濕槽內部之溫度及水分量到達所設定之條件需要2分鐘，故在恆溫恆濕槽中將晶圓W暴露於高濕度氛圍的實質上時間係從圖6之圖表的橫軸所示之時間減去2分鐘的時間。
本發明係基於上述見解者。
圖7係顯示作為本實施形態相關之基板處理方法的氧化膜去除處理之流程圖。
圖7中，首先在一個程序模組13中對晶圓W施予COR處理(步驟S71)(第1步驟)。具體而言，係在將晶圓W載置於一個程序模組13內部所配置之台15後，將含有氟化氫氣體、氬氣、氨氣以及氮氣的處理氣體導入至程序模組13內部，而讓晶圓W表面所形成之氧化膜(例如二氧化矽膜)與氟化氫氣體及氨氣反應，來從氧化膜生成反應生成物之氟矽酸銨(AFS)。
接著，在其他程序模組13中對晶圓W施予PHT處理(步驟S72)。具體而言，係藉由搬送臂14來將施予COR處理後之晶圓W從一個程序模組13來取出，而載置於其他程序模組13內部所配置之台15，進一步地，藉由內建於台15的加熱器等來加熱所載置之晶圓W。此時，晶圓W之溫度會被提升至例如120℃，而使得晶圓W中所生成之AFS會因熱而被分解昇華。但是，在AFS昇華後之晶圓W表面會如圖4(A)所示，存在有單體氟，而進一步地藉由去除氧化膜來讓露出於晶圓W表面的矽會以氟來成為一端。
接著，在冷卻儲存部20中將晶圓W暴露於高濕度氛圍(步驟S73)。具體而言，係藉由搬送臂14來將施予PHT處理後之晶圓W從其他程序模組13取 出，並透過裝載互鎖模組19及裝載模組18來搬入至冷卻儲存部20，而載置於台32。之後，便藉由內建於台32的加熱器33及冷卻通道34來調整所載置之晶圓W的溫度。例如讓晶圓W之溫度從約120開始下降而維持在10℃~80℃，更佳係地維持在24℃~60℃，進一步地，藉由水分供給機構29及非活性氣體供給機構30，以讓處理室28內部的水分量成為50g/m3以上的方式來調整濕度。此時，便將晶圓W暴露於水分量為50g/m3以上的氛圍並持續既定時間，例如10分鐘以上(第2步驟)。或者，例如將晶圓W之溫度設定為從約120℃開始下降但會較處理室28內部之溫度要高並與處理室28內部之溫度的差距在50℃以內，具體而言為100℃，進一步地，將濕度調整為處理室28內部之水分量為88.5g/m3以上。此時，晶圓W會被暴露於水分量為88.5g/m3以上的氛圍至少3分鐘(第2步驟)。在此，如圖4(C)所示，存在於晶圓W表面之單體氟便會與氫鍵結而成為氟化氫並昇華。又，晶圓W表面中一端為矽的氟會與氫或氫氧基置換。昇華後之氟化氫或被置換的氟會藉由排氣機構31來從處理室28內部排出。另外，由於既定時間會因為冷卻儲存部20之處理室28內部的環境，特別水分量而被左右，故並不限於上述10分鐘以上，例如，若是水分量較50g/m3要多的話，則既定時間亦可不滿10分鐘。
之後，便從冷卻儲存部20來將晶圓W取出，並透過裝載模組18來將晶圓W搬出至晶圓匣盒16，而結束本處理。
根據圖7之處理，來將施有COR處理及PHT處理後之晶圓W暴露於將濕度調整為含水分量為50g/m3以上的氛圍。或是，將施有COR處理及PHT處理後之晶圓W暴露於將溫度設定為較處理室28內部的溫度要高，且與處理室28內部的溫度之差距在50℃以內，將濕度調整為含水分量為88.5g/m3以上的氛圍。此時，存在於晶圓W表面的單體氟便會藉由與水分中之氫鍵結而成為氟化氫並昇華來加以去除。又，晶圓W表面中一端為矽的氟會與水分中之氫或氫氧基置換而被加以去除。亦即，由於僅靠暴露於將濕度調整為較高之數值的氛圍便可從晶圓W來去除氟，故不需要用以產生去除氟用之電漿的機構或工序。其結果，便可以素簡的構成而不讓產率下降來去除殘留氟。
上述圖7之處理如圖4(D)所示，晶圓W表面之矽會以氫或氫氧成為一端 而穩定。藉此，便可抑制在圖7之處理後氧化膜會再次增加。通常，為了避免在對晶圓施予氧化膜去除處理後，因自然氧化而使得氧化膜再次生成，便需要管理從氧化膜去除處理後到下個處理的時間。具體而言，係需要縮短。另一方面，由於圖7之處理係如上述般，可抑制在圖7處理後氧化膜再次增加，故無需管理從圖7之處理後到下次處理的時間，而可減少基板處理系統10之使用者的負擔。
又，上述圖7之處理中，係在冷卻儲存部20冷卻晶圓W時，去除殘留氟。藉此，便無需區分出晶圓W冷卻工序與殘留氟去除工序，因此，便可確實地防止產率下降。
在上述圖7之處理中，亦可於冷卻儲存室20中反覆利用水分供給機構29及非活性氣體供給機構30之處理室28內部的水分量調整，以及利用排氣機構31之處理室28內部氛圍之排出。藉此，便可一點一點地去除從晶圓W表面所昇華之氟化氫或被置換之氟，而可將晶圓W表面上之氟濃度維持在極低等級。其結果，便可降低被置換之氟會再度殘留於晶圓W表面，或使得氟化氫中之氟會再度成為矽之一端的可能性。
又，雖在上述圖7之處理中，係將施有COR處理及PHT處理後之晶圓W暴露於含水分的氛圍，但氛圍只要含有氫氧基及氫即可，例如，即便將上述晶圓W暴露於包含具有氫氧基及氫之醇，例如乙醇、甲醇、丙醇或丁醇的氛圍，仍可達成與本實施形態相同之效果。另外，由於被暴露於含水分之氛圍的晶圓W表面會有水分附著而未蒸發就直接殘留之虞，故亦可藉由設置於基板處理系統10，或是另外設置之乾燥模組等來乾燥藉由圖7之處理來去除殘留氟後的晶圓W。
進一步地，雖上述圖7之處理中，係在基板處理系統10所具備之冷卻儲存室20中來去除晶圓W之殘留氟，但亦可藉由將冷卻儲存部20與處理系統10另外設置，而在另外設置之冷卻儲存室20中將晶圓W暴露於高濕度氛圍，來去除晶圓W之殘留氟。進一步地，在圖7之處理中，亦可在對晶圓W施予PHT處理後，不將該晶圓W搬入至冷卻儲存室20而搬出至晶圓匣盒16，並調整該晶圓匣盒16內部之濕度及溫度，來從晶圓W去除殘留氟。
雖上述圖7之處理中，係實行COR處理來做為使用含氟氣體之處理，但 使用含氟氣體之處理並不限於COR處理，例如，亦可為使用從含氟氣體所產生之氟電漿的處理，又，上述處理並不限於膜的去除處理，亦可為蝕刻處理或成膜處理。即便在任何處理中，都可藉由在冷卻儲存室20中調整晶圓W的溫度並將該晶圓W暴露於高濕度氛圍，來去除殘留氟。
以上，雖已就本發明之實施形態來加以說明，但本發明並不限於上述實施形態。
又，本發明之目的係可藉由將記錄有實現上述實施形態之機能的軟體的程式碼之記憶媒體供給至基板處理系統10所具備之控制器27，而讓控制器27之CPU讀取出記憶媒體所儲存之程式碼而實行來加以達成。
在此情況，從記憶媒體所讀取出之程式碼本身便會實現上述實施形態之機能，而程式碼及記憶有該程式碼的記憶媒體便會構成本發明。
又，用以供給程式碼的記憶媒體只要為例如RAM、NV-RAM、軟碟(註冊商標)片、硬碟、磁光碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等的光碟、磁帶、非揮發性的記憶卡、其他ROM等的可記憶上述程式碼者即可。或者，上述程式碼亦可藉由從網際網路、商用網絡，或是區域網路等所連接之未圖示的其他電腦或資料庫等下載來供給至控制器27。
又，藉由實行控制器27所讀取出之程式碼，不僅可實現上述實施形態之機能，更可基於該程式碼的指示來讓CPU上所驅動之OS(作業系統)等進行實際處理的一部分或全部，且亦包含有藉由該處理來實現上述實施形態之機能的情況。
進一步地，在從記憶媒體所讀取出之程式碼會被匯入至插入到控制器27之機能擴充板或連接於控制器27之機能擴充單元所設置之記憶體後，便會基於該程式碼的指示，來讓該機能擴充板或機能擴充單元所設置之CPU等進行實際處理的一部分或全部，且亦包含有藉由該處理來實現上述實施形態之機能的情況。
上述程式碼的形態可由目的碼、藉由解譯器來實行之程式碼、供給至OS之指令碼資料等的形態所構成。
S71‧‧‧COR處理
S72‧‧‧PHT處理
S73‧‧‧暴露於高濕度氛圍

Claims (11)

  1. 一種基板處理方法，係具有：第1步驟，係對基板施予使用含氟氣體之處理；以及第2步驟，係將該基板暴露於含水分的氛圍；該氛圍所包含之水分的量為50g/m3以上；該第2步驟中係使該基板之溫度以成為與該氛圍之溫度差在50℃以內的方式來加以設定；暴露於含水分的氛圍之該第2步驟係大氣壓氛圍。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中該第2步驟中係將該基板暴露於該氛圍並持續既定時間。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中該第2步驟中係將該基板溫度維持在10℃~80℃。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中該第2步驟中係將該基板溫度維持在24℃~60℃。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中該第2步驟中係使該基板溫度成為較該氛圍之溫度要高。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中該氛圍所包含之水分的量為88.5g/m3以上。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中該第2步驟中係將該基板至少暴露於該氛圍3分鐘。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之基板處理方法，其中使用該含氟氣體之處理係COR處理。
  9. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之基板處理方法，其中使用該含氟氣體之處理係使用該氣體所產生之氟電漿的處理。
  10. 一種基板處理裝置，係具備有：處理室，係收納有施予了使用含氟氣體之處理後的基板；以及含水分機構，係讓該處理室內之氛圍含有水分；該含水分機構係將該氛圍所包含之水分的量設定為50g/m3以上；使該基板之溫度以成為與該氛圍之溫度差在50℃以內的方式來加以設 定；該含水分機構係在大氣壓氛圍下使該處理室內之氛圍含有水分。
  11. 一種基板處理系統，係具備有：基板處理裝置，係對基板施有使用含氟氣體之處理；以及後處理裝置，係將施予了使用該含氟氣體之處理後的基板暴露於含水分之氛圍；該氛圍所包含之水分的量為50g/m3以上；使該基板之溫度以成為與該氛圍之溫度差在50℃以內的方式來加以設定；該後處理裝置係在大氣壓氛圍下將施予了使用該含氟氣體之處理後的基板暴露於含水分之氛圍。
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