CN111489993A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理装置。其中，该基板处理装置包括：处理室，其被维持为大气压气氛；载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；温度调节部，其将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃；以及供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有550g/m3以上的水分量的水分含有气氛中。

Description

基板处理装置
本申请是申请号为2017100072840、申请日为2017年1月5日，发明名称为“基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及将残留于基板的表面的氟去除的基板处理装置。
背景技术
作为对形成于作为基板的半导体晶圆(以下，简称为“晶圆”。)的氧化膜进行化学蚀刻而去除的处理，公知有例如COR(化学氧化去除：Chemical Oxide Removal)处理和PHT处理(后热处理：Post Heat Treatment)。在COR处理中，使在晶圆的表面形成的氧化膜与氟化氢气体和氨气反应，从氧化膜生成作为反应产物的氟硅酸铵(AFS)。在PHT处理中，通过对晶圆进行加热而使所生成的AFS升华而去除。即、通过COR处理和PHT处理，氧化膜被去除。
不过，有时在实施了COR处理和PHT处理之后的晶圆的表面残留氟。残留下的氟有时对形成于晶圆的表面的配线膜等进行腐蚀，使由晶圆制造的半导体器件的电特性劣化。因而，需要将在晶圆的表面残留的氟(以下称为“残留氟”。)去除。
作为将残留氟去除的方法，以往，进行了对晶圆实施使用DHF(稀氢氟酸)、DIW(纯水)作为清洗液的湿清洗方法。若对晶圆实施湿清洗，则能够使在晶圆的表面残留的氟原子的数量减少到每1平方厘米1012的水平。
不过，随着半导体器件的配线等的微细化，在晶圆的表面形成的图案的宽度成为几nm，因此，产生由于清洗液的表面张力而图案倒塌这样的问题。因此，提出了不使用清洗液而使用等离子体来将残留氟去除的方法。在该方法中，通过在晶圆的表面附近产生氧等离子体，将氟强制性地置换而去除(参照例如专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2012—532440号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1的方法中，需要用于产生氧等离子体的机构。另外，为了产生氧等离子体，需要减压等工序，该工序需要恒定的时间，因此存在生产率降低这样的问题。
本发明的目的在于提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的基板处理方法的特征在于，其具有对基板实施使用了含有氟的气体的处理的第1步骤和使所述基板暴露于含有水分的气氛的第2步骤。
为了达成上述目的，本发明的基板处理装置的特征在于，其包括：处理室，其收容已被实施了使用了含有氟的气体的处理的基板；水分含有机构，其使所述处理室内的气氛含有水分。
为了达成上述目的，基板处理系统的特征在于，其包括：基板处理装置，其对基板实施使用了含有氟的气体的处理；后处理装置，其使已被实施了所述使用了含有氟的气体的处理的基板暴露于含有水分的气氛。
发明的效果
根据本发明，使被实施了使用了含有氟的气体的处理的基板暴露于含有水分的气氛。氟与水分中的氢结合而成为氟化氢、并升华而被去除。另外，基板的表面上的对硅进行封端(日文：終端)的氟被置换成水分中的氢、氢氧基而被去除。即、仅通过暴露于含有水分的气氛就能够从基板将氟去除，因此，无需用于产生等离子体的机构、工序。其结果，以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除。
附图说明
图1是概略地表示本发明的实施方式的基板处理系统的构成的俯视图。
图2是概略地表示图1中的冷藏部的结构的剖视图。
图3是表示将在表面存在残留氟的晶圆收容到恒温恒湿槽时的残留氟原子的数量的图表。
图4是用于说明本发明的实施方式中的残留氟原子的数量的减少的过程的工序图。
图5是表示使晶圆所暴露于的气氛的水分量变化了时的残留氟原子的数量的图表。
图6是表示使将晶圆暴露于高湿度的气氛的时间变化了时的残留氟原子的数量的图表。
图7是表示作为本发明的实施方式的基板处理方法的氧化膜去除处理的流程图。
附图标记说明
W、晶圆；10、基板处理系统；13、工艺模块；20、冷藏部；29、水分供给机构。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。
图1是概略地表示本发明的实施方式的基板处理系统的构成的俯视图。此外，在图1中，为了容易地理解，内部的构成的一部分被透视地表示。
在图1中，基板处理系统10包括：晶圆保管部11，其保管多个晶圆W；作为通用输送部的传递模块12，其将两张晶圆W同时输送；多个工艺模块13(基板处理装置)，其对从传递模块12输入的晶圆W实施COR处理、PHT处理。工艺模块13的内部被维持为真空气氛。
在基板处理系统10中，将从保管到晶圆保管部11的多个晶圆W中选择出的两张晶圆W由传递模块12所内置的输送臂14保持，通过使输送臂14移动，在传递模块12的内部输送晶圆W，在配置于工艺模块13的内部的两个载物台15分别各载置1张晶圆W。接下来，在基板处理系统10中，在利用工艺模块13对载置到载物台15的各晶圆W实施COR处理、PHT处理之后，将处理完毕的两张晶圆W由输送臂14保持，通过使输送臂14移动而向晶圆保管部11输出。
晶圆保管部11具有：作为用于保管多个晶圆W的容器的前开式晶圆传送盒16的载置台即3个加载部17；将所保管的晶圆W从载置到各加载部17的前开式晶圆传送盒16接收、或者、将由工艺模块13实施了预定的处理的晶圆W交给前开式晶圆传送盒16的装载模块18；为了在装载模块18与传递模块12之间交接晶圆W而临时保持晶圆W的两个加载互锁模块19以及对实施了PHT处理的晶圆W进行冷却的冷藏部20(基板处理装置、后处理装置)。
装载模块18由内部是大气压气氛的矩形的壳体构成，多个加载部17并列设置于构成该矩形的长边的一侧面。而且，装载模块18在其内部具有能够沿着该矩形的长度方向移动的输送臂(未图示)。该输送臂将晶圆W从载置到各加载部17的前开式晶圆传送盒16向加载互锁模块19输入、或者、将晶圆W从加载互锁模块19向各前开式晶圆传送盒16输出。前开式晶圆传送盒16以将多个晶圆W呈多层重叠的方式收容多个晶圆W。另外，载置到各加载部17的前开式晶圆传送盒16的内部被氮气等充满并被密闭。
各加载互锁模块19为了将收容于被载置到大气压气氛的各加载部17的前开式晶圆传送盒16的晶圆W交给内部是真空气氛的工艺模块13而临时地保持晶圆W。各加载互锁模块19具有保持两张晶圆W的储料器21。另外，各加载互锁模块19具有用于相对于装载模块18确保气密性的闸阀22a和用于相对于传递模块12确保气密性的闸阀22b。而且，未图示的气体导入系统和气体排气系统利用配管与加载互锁模块19连接，利用气体导入系统和气体排气系统将内部控制成大气压气氛或真空气氛。
传递模块12将未处理的晶圆W从晶圆保管部11向工艺模块13输入，将处理完毕的晶圆W从工艺模块13向晶圆保管部11输出。传递模块12由内部是真空气氛的矩形的壳体构成，包括可保持两张晶圆W而移动的两个输送臂14、将各输送臂14支承成能够旋转的旋转台23、搭载有旋转台23的旋转载置台24、以使旋转载置台24能够沿着传递模块12的长度方向移动的方式对旋转载置台24进行引导的引导轨道25。另外，传递模块12经由闸阀22a、22b、还经由随后论述的各闸阀26与晶圆保管部11的加载互锁模块19以及各工艺模块13连通。在传递模块12中，在加载互锁模块19中输送臂14保持并接收由储料器21保持着的两张晶圆W，向各工艺模块13输送。另外，输送臂14保持由工艺模块13实施了处理的两张晶圆W而向加载互锁模块19输出。旋转载置台24和引导轨道25构成使所载置的旋转台23在传递模块12的内部沿着长度方向移动的滑动机构。
各工艺模块13经由各闸阀26与传递模块12连通。因而，利用各闸阀26兼顾各工艺模块13和传递模块12之间的气密性的确保以及彼此的连通。另外，工艺模块13与未图示的气体导入系统(处理气体和吹扫气体等的气体供给部等)和气体排气系统(真空泵、排气控制阀以及排气管等)连接。
各工艺模块13在内部具有沿着水平方向排列载置两张晶圆W的两个载物台15。各工艺模块13通过将晶圆W排列载置于两个载物台15而对两张晶圆W的表面均匀且同时地进行处理。在本实施方式中，多个工艺模块13分别执行COR处理和PHT处理中的任一者。
另外，基板处理系统10还具有控制器27作为控制部，控制器27通过执行被储存到所内置的存储器等的程序等，对基板处理系统10的各构成要素的动作进行控制。
图2是概略地表示图1中的冷藏部的结构的剖视图。
在图2中，冷藏部20具有收容晶圆W的处理室28、水分供给机构29〔水分含有机构)、非活性气体供给机构30以及排气机构31。
处理室28内被维持成大气压气氛，配置有载置晶圆W的载物台32。载物台32内置有对所载置的晶圆W进行加热的加热器33和对该晶圆W进行冷却的冷却通道34。载物台32利用加热器33和冷却通道34对所载置的晶圆W的温度进行调整。处理室28在侧壁部具有贯通口即端口35，晶圆W经由端口35相对于处理室28内输入输出。端口35由开闭自由的闸阀36封闭。
水分供给机构29由水分供给部37和配管38构成，使处理室28内的气氛含有形成为水蒸气的水分。非活性气体供给机构30由气体供给部39和配管40构成，向处理室28内供给非活性气体，例如供给氮气。排气机构31由排气泵41和配管42构成，对处理室28内进行排气。
在本实施方式中，对晶圆W实施PHT处理，但PHT处理是利用加热使在晶圆W生成的AFS升华的处理，因此，实施了PHT处理的晶圆W的温度较高，例如约是120℃。冷藏部20对实施了PHT处理的晶圆W进行冷却。
不过，在本发明之前，本发明人为了探求除了利用湿清洗、氧等离子体进行去除以外的恰当的残留氟的去除方法，准备多个在表面存在残留氟的晶圆W的样品，进行各种实验，因此，将这些样品预先在清洁室内暂时保管，结果发现了各样品的表面的残留氟原子的数量大幅度地减少了。清洁室内是大气压气氛，维持了恰当的湿度，因此，本发明人推测出水分有助于残留氟原子的数量的减少。之后，本发明人准备多个在表面存在残留氟的晶圆W的样品，将各样品收容到内部的温度和湿度可控制的恒温恒湿槽，使恒温恒湿槽的内部的温度和湿度的条件变化，对各条件下的残留氟原子的数量进行了计量。
图3是表示将在表面存在残留氟的晶圆收容到恒温恒湿槽时的残留氟原子的数量的图表。
其中，作为在表面存在残留氟的晶圆W，使用了COR处理和PHT处理后的晶圆W。该晶圆W上的残留氟原子的数量是每1平方厘米5.0×1014。在图3中，“×”表示使恒温恒湿槽的内部的温度和湿度的条件变化时的各条件下的残留氟原子的数量。另外，在图3的图表中，用“◆”表示作为比较对象的COR处理和PHT处理后的晶圆W放置到清洁室内时的残留氟原子的数量。图3的图表的横轴表示从收容到恒温恒湿槽起经过的时间和清洁室内的放置时间。使恒温恒湿槽的内部的温度和湿度的条件变化时的各条件如下所述：温度是24℃且湿度是95％的条件、温度是48℃且湿度是75％的条件、温度是48℃且湿度是80％的条件、温度是60℃且湿度是55％的条件、温度是60℃且湿度是70％的条件以及温度是60℃且湿度是95％的条件。在任一条件下，都将恒温恒湿槽的内部的湿度维持成比清洁室内的湿度高的值。此外，恒温恒湿槽的内部的温度与晶圆W的温度大致相同。另外，在将晶圆W收容到恒温恒湿槽的情况下，恒温恒湿槽的内部的温度和湿度到达各条件需要20分钟，因此，晶圆W在恒温恒湿槽中以各条件进行了处理时的实质上的处理时间成为从图3的图表的横轴所表示的时间减去20分钟而得到的时间。
如图3的图表所示，在放置到清洁室内时，为了在不对晶圆W实施任一处理时残留氟原子的数量减少到作为在晶圆W的表面存在的氟原子的数量的每1平方厘米1012的水平(以下称为“基准残留氟原子数水平”。)，需要大幅度的时间(约72小时)。另一方面，在将晶圆W暴露在恒温恒湿槽中的高湿度的气氛时，以大约10分钟左右残留氟原子的数量减少到基准残留氟原子数水平。
但是，大气的水分饱和量因温度而变化，因此，本发明人想到大气中的水分量左右残留氟原子的数量的减少，将晶圆W暴露于恒温恒湿槽中的高湿度的气氛时的上述各条件下的水分量和残留氟原子的数量汇总于下述表1。
【表1】
Figure BDA0002468876570000081
如上述表中的无阴影部分所示那样可知：大气中的水分量只要是20g/m3以上，存在残留氟原子的数量减少到每1平方厘米1013的水平的可能性，大气中的水分量只要是50g/m3以上，残留氟原子的数量大致减少到基准残留氟原子数水平。
对于在使大气中的水分量增加时残留氟原子的数量大幅度地减少的理由，难以清楚地说明，但残留氟原子的数量的减少的过程的观察的结果，本发明人以至于类推以下说明的假设。
首先，在实施了COR处理和PHT处理的晶圆W的表面存在单体的氟，而且，由于氧化膜的去除而露出于晶圆W的表面的硅被氟封端(图4的(A))。
接下来，在将晶圆W的表面暴露于含有水分的气氛、即、高湿度气氛时，气氛中的一部分的水分分解成氢、氢氧基(图4的(B))。此时，氢与单体的氟结合而成为氟化氢，并升华。另外，在晶圆W的表面上对硅进行封端的氟被置换成氢、氢氧基而被去除(图4的(C))。其结果，晶圆W的表面上的残留氟原子的数量大幅度地减少。之后，在晶圆W的表面上硅由氢、氢氧基进行封端而稳定(图4的(D))。
不过，对于上述的残留氟原子的数量的计量，恒温恒湿槽的内部的温度与晶圆W的温度大致相同，之后，以晶圆W的温度比恒温恒湿槽的内部的温度低的条件进行了残留氟原子的数量的计量，结果气氛中的水分在晶圆W的表面冷凝而产生了结露。若产生结露，则图案有可能由于冷凝后的水分的表面张力而倒塌。另一方面，为了防止结露的产生，需要使晶圆W的温度比恒温恒湿槽的内部的温度高。因而，出于可靠地防止在晶圆W上产生图案的倒塌的观点，优选的是，对晶圆W进行加热而使晶圆W的温度比恒温恒湿槽的内部的温度、即、气氛的温度高。
另一方面，若使晶圆W的温度比气氛的温度高，则水分难以附着于晶圆W的表面，在图4中说明那样的晶圆W的表面上的氢和氟的结合、对硅进行封端的氟的由氢氧基进行的置换并不怎么进行，作为结果，残留氟原子的数量并不那么减少。例如，在将COR处理和PHT处理后的晶圆W暴露于相同的水分量的气氛的情况下，由于晶圆W有无加热，残留氟原子的数量变化，具体而言，如下述表2所示，对晶圆W进行了加热的情况下的残留氟原子的数量相比于不对晶圆W进行加热的情况下的残留氟原子的数量增加了。
【表2】
Figure BDA0002468876570000101
因此，本发明人为了查明晶圆W的温度的上限，在使COR处理和PHT处理后的晶圆W的温度变化了的基础上，将该晶圆W暴露于预定的水分量(例如、88.5g/m3)的气氛，进行了之后的残留氟原子的数量的计量，结果如下述表3所示，可知：只要晶圆W的温度与气氛的温度(恒温恒湿槽的内部的温度)之差是大致100℃，残留氟原子的数量不降低到基准残留氟原子数水平，而只要晶圆W的温度与气氛的温度之差是大致50℃，残留氟原子的数量减少并降低到基准残留氟原子数水平。
【表3】
Figure BDA0002468876570000102
另外，认为：即使是对晶圆W进行了加热的情况，只要使气氛中的水分量增加，晶圆W的表面上的氢和氟的结合、将硅封端的氟的由氢氧基进行的置换也被促进，因此，本发明人进行使COR处理和PHT处理后的晶圆W所暴露于的气氛的水分量变化时的残留氟原子的数量的计量，汇总于图5的图表。此时，晶圆W被加热而晶圆W的温度被设定于100℃，气氛的温度(恒温恒湿槽的内部的温度)被设定成55℃～75℃。
图5是表示使晶圆所暴露于的气氛的水分量变化时的残留氟原子的数量的图表。
如图5所示，可确认到：即使是在对晶圆W进行了加热的情况下，只要气氛的水分量是67.7g/m3以下，残留氟原子的数量也不减少到基准残留氟原子数水平，而气氛的水分量只要是88.5g/m3以上，残留氟原子的数量也减少到基准残留氟原子数水平。
而且，认为：对晶圆W进行了加热的结果，即使是在水分难以附着于晶圆W的表面的情况下，只要确保将晶圆W暴露于气氛的时间，晶圆W的表面上的氢和氟也进行结合，对硅进行封端的氟也由氢氧基置换，因此，本发明人进行使COR处理和PHT处理后的晶圆W暴露于气氛的时间变化了时的残留氟原子的数量的计量，汇总于图6的图表。此时，晶圆W被加热而晶圆W的温度被设定成100℃，气氛的温度(恒温恒湿槽的内部的温度)被设定成55℃，气氛中的水分量被设定成88.5g/m3。
图6是表示使晶圆暴露于高湿度的气氛的时间变化了时的残留氟原子的数量的图表。
如图6所示，可确认到：即使是在对晶圆W进行了加热的情况下，只要将晶圆W暴露于气氛的时间至少是3分钟，残留氟原子的数量也减少到基准残留氟原子数水平。此外，通过将晶圆W收容到恒温恒湿槽来进行了上述的实验，在该实验中，在晶圆W收容到恒温恒湿槽之后恒温恒湿槽的内部的温度和水分量到达所设定的条件需要两分钟，因此，晶圆W在恒温恒湿槽中暴露于高湿度的气氛的实质上的时间成为从图6的图表的横轴表示的时间减去两分钟而得到的时间。
本发明基于上述的见解。
图7是表示作为本实施方式的基板处理方法的氧化膜去除处理的流程图。
在图7中，首先，在一个工艺模块13中对晶圆W实施COR处理(步骤S71)(第1步骤)。具体而言，在将晶圆W载置到被配置于一个工艺模块13的内部的载物台15之后，向工艺模块13的内部导入含有氟化氢气体、氩气、氨气以及氮气的处理气体，使在晶圆W的表面形成的氧化膜、例如二氧化硅膜与氟化氢气体以及氨气反应，从氧化膜生成作为反应产物的氟硅酸铵(AFS)。
接下来，在另一工艺模块13中对晶圆W实施PHT处理(步骤S72)。具体而言，利用输送臂14将实施了COR处理的晶圆W从一个工艺模块13取出，载置于被配置于另一工艺模块13的内部的载物台15，而且，利用内置到载物台15的加热器等对所载置的晶圆W进行加热。此时，晶圆W的温度升高到例如大约120℃，在晶圆W上生成的AFS由于热而分解并升华。但是，如图4的(A)所示，在AFS升华后的晶圆W的表面存在单体的氟，而且，由于氧化膜的去除而露出于晶圆W的表面的硅被氟封端。
接下来，在冷藏部20中将晶圆W暴露于高湿度的气氛(步骤S73)。具体而言，利用输送臂14将实施了PHT处理的晶圆W从另一工艺模块13取出，经由加载互锁模块19、装载模块18向冷藏部20输入，载置到载物台32。之后，利用内置于载物台32的加热器33和冷却通道34对所载置的晶圆W的温度进行调整。例如，使晶圆W的温度从约120℃降低而维持在10℃～80℃、更优选维持在24℃～60℃，而且，利用水分供给机构29和非活性气体供给机构30对湿度进行调整，以使处理室28的内部的水分量成为50g/m3以上。此时，晶圆W暴露于水分量成为50g/m3以上的气氛预定的时间、例如10分钟以上(第2步骤)。或者，例如，使晶圆W的温度从大约120℃降低而设定成比处理室28的内部的温度高且与处理室28的内部的温度之差处于50℃以内、具体而言使晶圆W的温度成为100℃，而且，对湿度进行调整以使处理室28的内部的水分量成为88.5g/m3以上。此时，将晶圆W暴露于水分量成为88.5g/m3以上的气氛至少3分钟(第2步骤)。在此，如图4的(C)所示，在晶圆W的表面存在的单体的氟与氢结合而成为氟化氢，并升华。另外，在晶圆W的表面上对硅进行封端的氟被置换成氢、氢氧基。升华了的氟化氢、置换了的氟被排气机构31从处理室28的内部排出。此外，预定的时间由冷藏部20的处理室28的内部的环境、尤其是水分量左右，因此，并不限于上述的10分钟以上，例如，若水分量多于50g/m3，则预定的时间也可以小于10分钟。
之后，从冷藏部20取出晶圆W，经由装载模块18向前开式晶圆传送盒16输出晶圆W，结束本处理。
根据图7的处理，实施了COR处理和PHT处理的晶圆W暴露于将湿度调整成所含有的水分量成为50g/m3以上的气氛。或者、实施了COR处理和PHT处理的晶圆W被设定成温度比处理室28的内部的温度高且与处理室28的内部的温度之差处于50℃以内，暴露于湿度被调整成所含有的水分量成为88.5g/m3以上的气氛。此时，在晶圆W的表面存在的单体的氟与水分中的氢结合而成为氟化氢并升华，从而被去除。另外，在晶圆W的表面上对硅进行封端的氟被置换成水分中的氢、氢氧基而被去除。即、仅通过暴露于湿度被调整成较高的值的气氛，就能够将氟从晶圆W去除，因此，不需要用于产生用于去除氟的等离子体的机构、工序。其结果，以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留氟去除。
在上述的图7的处理中，如图4的(D)所示，晶圆W的表面上硅被氢、氢氧基封端而稳定。由此，能够抑制在图7的处理后氧化膜再次增加。通常，为了在对晶圆实施了氧化膜去除处理之后避免由于自然氧化而再次生成氧化膜，需要对从氧化膜去除处理后到下一个处理的时间进行管理、具体而言，进行缩短。另一方面，在图7的处理中，如上所述，能够抑制在图7的处理后氧化膜再次增加，因此，能够无需对从图7的处理后到下一个处理的时间进行管理，能够减少基板处理系统10的使用者的负担。
另外，在上述的图7的处理中，在冷藏部20中冷却晶圆W之际，残留氟被去除。由此，能够无需分开晶圆W的冷却工序和残留氟的去除工序，因而，能够可靠地防止生产率降低。
在上述的图7的处理中，在冷藏部20中，也可以由水分供给机构29和非活性气体供给机构30反复进行处理室28的内部的水分量的调整和由排气机构31反复进行处理室28的内部的气氛的排出。由此，能够将从晶圆W的表面升华了的氟化氢、所置换的氟勤快地去除，能够将晶圆W的表面上的氟浓度维持在极低的水平。其结果，能够降低已置换的氟再次残留于晶圆W的表面、或氟化氢中的氟再次对硅进行封端的可能性。
另外，在上述的图7的处理中，将实施了COR处理和PHT处理的晶圆W暴露于含有水分的气氛，但气氛只要含有氢氧基、氢即可，例如，即使将上述晶圆W暴露于含有氢氧基、氢的醇、例如乙醇、甲醇、丙醇、丁醇的气氛，也能够起到与本实施方式同样的效果。此外，也有可能水分附着在被暴露于含有水分的气氛的晶圆W的表面而不蒸发却直接残留，因此，也可以利用设于基板处理系统10、或者独立地设置的干燥模块等使利用图7的处理将残留氟去除了的晶圆W干燥。
而且，在上述的图7的处理中，在基板处理系统10所具有的冷藏部20中将晶圆W的残留氟去除了，但也可以将冷藏部20与基板处理系统10独立地设置，通过在该独立地设置的冷藏部20中将晶圆W暴露于高湿度的气氛，将晶圆W的残留氟去除。进而，在图7的处理中，也可以是，在对晶圆W实施了PHT处理之后，不将该晶圆W向冷藏部20输入就向前开式晶圆传送盒16输出，通过对该前开式晶圆传送盒16的内部的湿度和温度进行调整，将残留氟从晶圆W去除。
在上述的图7的处理中，作为使用了含有氟的气体的处理，执行了COR处理，但使用了含有氟的气体的处理并不限于COR处理，例如，也可以是使用从含有氟的气体产生的氟等离子体的处理，另外，上述处理并不限于膜的去除处理，也可以是蚀刻处理、成膜处理。在任一处理中，都通过一边在冷藏部20中对晶圆W的温度进行调整一边将该晶圆W暴露于高湿度的气氛，能够将残留氟去除。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。
另外，对于本发明的目的，也可通过将记录有实现上述的实施方式的功能的软件的程序代码的存储介质向基板处理系统10所具有的控制器27供给、控制器27的CPU读出并执行被储存于存储介质的程序代码来达成。
在该情况下，从存储介质读出来的程序代码自身实现上述的实施方式的功能，程序代码和存储有该程序代码的存储介质构成本发明。
另外，作为用于供给程序代码的存储介质，只要是例如RAM、NV—RAM、软盘(フロッピー(FLOPPY注册商标)ディスク)、硬盘、光磁盘、CD—ROM、CD—R、CD—RW、DVD(DVD—ROM、DVD—RW、DVD+RW)等光盘、磁带、非易失性的存储卡、其他ROM等能够存储上述程序代码的存储介质即可。或者，上述程序代码也可以通过从与互联网、商业网络、或者局域网等连接的未图示的其他计算机、数据库等下载而向控制器27供给。
另外，不仅包括控制器27通过执行所读出的程序代码来实现上述实施方式的功能的情况，还包括如下情况：基于该程序代码的指示在CPU上运转的OS(操作系统)等进行实际的处理的一部分或全部，由该处理实现上述的实施方式的功能。
而且，还包括如下情况：从存储介质读出来的程序代码在写入被插入到控制器27的功能扩展板、与控制器27连接的功能扩展单元所具有的存储器之后，基于该程序代码的指示，该功能扩展板、功能扩展单元所具有的CPU等进行实际的处理的一部分或全部，通过该处理可实现上述的实施方式的功能。
上述程序代码的形态也可以由目标代码、可由翻译程序执行的程序代码、可向OS供给的脚本数据等形态构成。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
处理室，其被维持为大气压气氛；
载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；
温度调节部，其将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃；以及
供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有50g/m3以上的水分量的水分含有气氛中。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载物台上的基板的温度与所述处理室内的温度之差为50℃以内。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调节部将所述载物台上载置的基板的温度维持在24℃～60℃。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调节部包含加热器和/或冷却通道。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载物台上载置的基板暴露于所述水分含有气氛至少3分钟。
6.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
处理室，其被维持为大气压气氛；
载物台，其被配置于所述处理室内，并载置被实施了使用含有氟的气体的处理的基板；
温度调节部，其调节所述载物台上载置的基板的温度；
供给机构，其向所述处理室内供给水蒸气；以及
控制部，
其中，所述控制部控制所述温度调节部，以将所述载物台上载置的基板的温度维持在10℃～80℃，并控制所述供给机构，以使所述载物台上载置的基板暴露于含有50g/m3以上的水分量的水分含有气氛中。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载物台上的基板的温度与所述处理室内的温度之差为50℃以内。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调节部将所述载物台上载置的基板的温度维持在24℃～60℃。
9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调节部包含加热器和/或冷却通道。
10.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载物台上载置的基板暴露于所述水分含有气氛至少3分钟。
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