TWI398920B - Surface treatment of substrates - Google Patents

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TWI398920B
TWI398920B TW095105956A TW95105956A TWI398920B TW I398920 B TWI398920 B TW I398920B TW 095105956 A TW095105956 A TW 095105956A TW 95105956 A TW95105956 A TW 95105956A TW I398920 B TWI398920 B TW I398920B
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Description

基板的表面處理方法
本發明是有關基板的表面處理方法、基板的洗淨方法、及程式，特別是有關去除形成於表面的矽氧化膜(SiO2 )之基板的表面處理方法。
以往，為了去除矽晶圓(以下簡稱為晶圓)上的粒子(particle)、金屬、有機物、吸著分子等的表面被膜等的污染(contamination)或自然氧化膜(Silicon Native Oxide)，或為了去除形成於晶圓上的水印圖案(watermark)等，而廣泛使用溼式洗淨方法。以往的溼式洗淨方法的基本技術為1960年代開發的RCA洗淨方法，應用此技術的洗淨方法為現在多數被提案。
以下說明有關晶圓表面的洗淨方法、例如在晶圓上形成閘極絕緣膜之前所被執行的洗淨方法或藉接觸孔形成而露出之晶圓表面的洗淨方法中最一般的洗淨方法。
首先，為了去除晶圓上的粒子，而進行APM(Ammonium Hydroxide，Hydrogen Peroxide Mix)、所謂利用SC1的洗淨(以下稱為SC1洗淨)。SC1洗淨一般是由NH4 OH(29重量%水溶液)及H2 O2 (30重量%水溶液)，以能夠形成NH4 OH：H2 O2 ：H2 O＝1：1：5~1：2：7的比率之方式而生成的溶液作為洗淨液使用，在溶液溫度65~85。中將晶圓浸漬5~20min，藉此來進行洗淨。由於在以SC1洗淨所洗淨的晶圓表面形成有自然氧化膜或擬似SiO2 層，因此在SC1洗淨後，晶圓表面會形成親水性。
其次，在進行純水洗淨後，為了去除SC1洗淨後形成於晶圓的自然氧化膜或擬似SiO2 層，而進行DHF(Dilute Hydrofluoric Acid)洗淨。DHF洗淨一般是由氟化氫(HF)(49重量%水溶液)，以能夠形成HF：H2 O＝1：30的比率之方式而生成的溶液作為洗淨液使用，將晶圓浸漬40~60 sec，藉此來進行洗淨。DHF洗淨亦可去除污染。其次，在進行純水洗淨後，最後進行洗淨乾燥機的旋轉乾燥。
並且，在SC1洗淨、純水洗淨後，進行HPM(Hydrochloric Acid/Hydrogen Peroxide/Water Mixture)、所謂利用SC2的洗淨(以下稱為SC2洗淨)，在進行純水洗淨後，進行DHF洗淨的洗淨方法亦被進行。SC2洗淨是為了去除金屬污染而進行者，使用由HCl及H2 O2 所生成的溶液作為洗淨液。在SC2洗淨中，亦與SC1洗淨同様，在晶圓表面形成有自然氧化膜或擬似SiO2 層，藉此晶圓表面會形成親水性。
但，在上述以往的洗淨方法中，晶圓表面會接觸於DHF洗淨液，藉此自然氧化膜或擬似SiO2 層會被去除而下層矽會露出。藉此，在DHF洗淨後晶圓表面會形成疏水性，因此從DHF洗淨液提起晶圓時，在表面會有水滴殘留。如此的水滴在旋轉乾燥後會形成水印圖案(watermark)。水印圖案是在晶圓的搬送或乾燥中經由水滴而局部形成的矽氧化膜(SiO2 )，或該被形成的矽氧化膜溶出於水滴中乾燥後殘留的污點(H2 SiF6 )。
由於如此的水印圖案會在洗淨處理其次被執行的蝕刻處理中形成掩蔽(masking)，或在成膜處理中形成阻礙要素，所以有時會使電子裝置的特性劣化。因此，在洗淨處理中抑止水印圖案的發生為形成洗淨乾燥技術的課題。
另一方面，在上述旋轉乾燥工程中，晶圓會因高速旋，而引起帯電，粒子的静電吸著、或來自旋轉裝置的廢塵或污染煙霧的附著。於是，會有晶圓表面容易污染的問題。並且，在露出於大氣的晶圓表面上形成有膜厚0.5nm以上的自然氧化膜，由於此自然氧化膜會形成膜厚65nm以下的閘極絕緣膜，所以會造成大問題。
於是，為了抑止水印圖案或自然氧化膜的發生，習如有將異丙醇(IPA)利用於乾燥工程的方法。利用IPA的乾燥(以下稱為IPA乾燥)方法是將純水洗淨後的晶圓表面暴露於IPA的蒸氣中，而將晶圓表面的水置換成IPA凝縮液之後，在乾淨的環境下使凝縮附著的IPA蒸發，藉此使晶圓表面迅速地乾燥。
在利用IPA乾燥的洗淨方法中，具體而言，是經由構成可開閉的隔開屏障來連設分別進行藥液(APM，DHF)處理、純水洗淨、及IPA乾燥的複數個處理槽，使晶圓在該處理槽內依次移動，藉此進行洗淨處理。如此，在IPA乾燥方法中，對水之IPA的溶解性大，且對疏水性的矽表面之IPA的潤溼性大(表面張力小)，因此可在晶圓表面不形成水滴的情況下進行乾燥處理，因此水印圖案不會發生。並且，容易在處理室內進行N2 置換，可防止晶圓的自然氧化膜發生(例如，參照特開2002－166237號公報)。
但，有時在IPA乾燥後的晶圓表面會有IPA分子(碳等的有機物)殘留。此IPA分子恐會有對閘極氧化膜特性造成不良影響之虞(Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37(1998)1137－1139，Part 1，No.3B，30 March 1998，Title ：「The Effect of Isopropyl Alcohol Adsorption on the Electrical Characteristics of Thin Oxide」，著者：Kumi Motai，Toshihiko Itoga and Takashi Irie參照)。因此，即使利用IPA乾燥來抑止水印圖案的發生，也難以在乾燥後取得清淨的晶圓表面。
本發明的目的是在於提供一種可去除基板的附著物，取得清淨的基板之基板的表面處理方法、基板的洗淨方法、及程式。
為了達成上述目的，本發明之第1形態為申請專利範圍第1項。
若利用此基板的表面處理方法，則藉藥液洗淨之基板的附著物會在所定的壓力下暴露於含氨與氟化氫的混合氣體的環境中，暴露於該混合氣體的環境之附著物會被加熱至所定的溫度。若附著物在所定的壓力下暴露於含氨與氟化氫的混合氣體的環境中，則會生成根據附著物及混合氣體的錯合物亦即生成物。若該被生成的生成物被加熱至所定的溫度，則生成物會氣化。藉由該生成物的氣化，氧化膜等之基板的附著物會被去除。因此，可去除氧化膜等之基板的附著物，可取得清淨的基板。
較理想為申請專利範圍第2項。
若利用此方法，則由於基板被施以無電漿蝕刻處理，所以在由基板所製造的電子裝置中，電荷不會被積蓄於閘極電極，因此可防止閘極氧化膜的劣化或破壞，且能量粒子不會被照射於電子裝置(元件)，所以可防止在半導體中發生打入損傷(結晶缺陷)，且因電漿而引起之無法預期的化學反應不會發生，所以可防止雜質的發生，藉此可防止對基板施以處理的處理室被污染。
又，較理想為申請專利範圍第3項。
若利用此方法，則由於對基板施以乾燥洗淨處理，因此水分子不會在液體狀態下附著於基板，在基板的表面矽氧化膜不會作為附著物形成。因此，可取得更清淨的基板。又，可抑止基板表面的物性變化，進而能夠防止配線可靠度的降低。
又，較理想為申請專利範圍第4項。
若利用此方法，則由於基板的附著物會在6.7×10－ 2 ~4.0Pa範圍的壓力下暴露於含氨與氟化氫的混合氣體的環境中，因此水分子不會在液體狀態下附著於基板，在基板的表面矽氧化膜不會作為附著物形成。又，由於暴露於混合氣體的環境中，變化成錯合物的附著物會被加熱於100~200℃，因此水分子不會在液體狀態下附著於基板，在基板的表面不會形成有矽氧化膜。所以，更可取得清淨的基板。
較理想為申請專利範圍第5項。
若利用此方法，則由於在所定的壓力下暴露於含氨與氟化氫的混合氣體的環境中，被加熱至所定溫度的基板的附著物為矽氧化物，因此可去除形成於基板的水印圖案等的氧化物。
較理想為申請專利範圍第6項。
若利用此方法，則由於基板的附著物的形狀會被測定，按照該被測定的形狀來決定混合氣體之氟化氫對氨的體積流量比、及上述所定壓力的至少一個，因此可正確地進行附著物之去除量的控制，進而能夠使基板的表面處理的效率提升。
較理想為申請專利範圍第7項。
若利用此方法，則由於利用藥液洗淨基板後以洗滌液來洗淨，因此可將利用藥液而去除的污染或自然氧化膜與藥液一起去除。
較理想為申請專利範圍第8項。
若利用此方法，則由於以洗滌液來洗淨基板之後旋轉乾燥，因此可防止在基板殘留有碳等的有機物。
為了達成上述目的，本發明之第2形態為申請專利範圍第9項。
若利用此基板的洗淨方法，則會對具備利用形成於基板上的第1層上所被形成的所定圖案的光阻劑層來藉由蝕刻處理在第1層中被加工成形的連接孔之基板，進行光阻劑層的去除，進行在基板表面形成親水性層的藥液之洗淨，在所定的壓力下暴露至含氨與氟化氫的混合氣體的環境，其次進行所定溫度的加熱，因此可藉由藥液去除所定的污染。又，藉由藥液的洗淨，雖在基板表面產生親水性層(自然氧化膜或擬似SiO2 層)，但可發揮與第1形態同様的效果，能夠去除親水性層亦即自然氧化膜等之基板的附著物。因此，可取得清淨的基板。又，針對藉由方法為不明的洗淨方法來既已洗淨的基板，亦可適用本洗淨方法。
較理想為申請專利範圍第5項。
較理想為申請專利範圍第10項。
若利用此方法，則由於藥液為SC1及SC2的其中任一方，因此可從基板分別去除粒子及金屬污染。
又，較理想為申請專利範圍第11項。
若利用此方法，則由於親水性層為矽自然氧化膜，因此可確實發揮第2形態的效果。
為了達成上述目的，本發明之第3形態為申請專利範圍第12項。
若利用此方法，則會對具備利用形成於基板上的第1層上所被形成的所定圖案的光阻劑層來藉由蝕刻處理在第1層中被加工成形的連接孔之基板，進行光阻劑層的去除，進行在基板表面形成疏水性表面的藥液之洗淨，在所定的壓力下暴露至含氨與氟化氫的混合氣體的環境，其次進行所定溫度的加熱，因此可藉由藥液去除所定的污染。又，藉由藥液的洗淨，雖在基板表面產生疏水性表面而造成附著物亦即水印圖案的產生，但可發揮與第1形態同様的效果，能夠去除基板的疏水性表面的附著物。因此，可取得清淨的基板。又，針對藉由方法為不明的洗淨方法來既已洗淨的基板，亦可適用本洗淨方法。
又，較理想為申請專利範圍第13項。
若利用此方法，則由於藥液為HF水溶液，因此可從基板去除自然氧化膜。
為了達成上述目的，本發明之第4形態為申請專利範圍第14項。
若利用此基板的洗淨方法，則會對具備利用形成於基板上的第1層上所被形成的所定圖案的光阻劑層來藉由蝕刻處理在第1層中被加工成形的連接孔之基板，進行光阻劑層的去除，進行SC1之洗淨，進行SC2之洗淨，進行氟化氫水溶液之洗淨，進行乾燥，在所定的壓力下暴露至含氨與氟化氫的混合氣體的環境，其次進行所定溫度的加熱，因此可去除污染、及自然氧化膜等。又，雖藉由乾燥而產生水印圖案的附著物，但可發揮與第1形態同様的效果，能夠去除基板的附著物。因此，可取得清淨的基板。特別是因為進行可去除金屬污染的SC2洗淨，所以對於附著有附著物亦即金屬污染的基板的洗淨有效。
為了達成上述目的，本發明之第5形態為申請專利範圍第15項。
若利用此基板的洗淨方法，則會對具備利用形成於基板上的第1層上所被形成的所定圖案的光阻劑層來藉由蝕刻處理在第1層中被加工成形的連接孔之基板，進行光阻劑層的去除，進行SC1之洗淨，進行氟化氫水溶液之洗淨，進行乾燥，在所定的壓力下暴露至含氨與氟化氫的混合氣體的環境，其次進行所定溫度的加熱，因此可去除污染、及自然氧化膜等。又，雖藉由乾燥而產生水印圖案的附著物，但可發揮與第1形態同様的效果，能夠去除基板的附著物。因此，可取得清淨的基板。
為了達成上述目的，本發明之第6形態為申請專利範圍第16項。
若利用此基板的洗淨方法，則則會對具備利用形成於基板上的第1層上所被形成的所定圖案的光阻劑層來藉由蝕刻處理在第1層中被加工成形的連接孔之基板，進行光阻劑層的去除，進行SC1之洗淨，進行SC2之洗淨，進行乾燥，在所定的壓力下暴露至含氨與氟化氫的混合氣體的環境，其次進行所定溫度的加熱，因此可去除污染、及自然氧化膜等。又，雖藉由乾燥而產生水印圖案的附著物，但可發揮與第1形態同様的效果，能夠去除基板的附著物。因此，可取得清淨的基板。
為了達成上述目的，本發明之第7形態為申請專利範圍第17項。
若利用此基板的洗淨方法，則則會對具備利用形成於基板上的第1層上所被形成的所定圖案的光阻劑層來藉由蝕刻處理在第1層中被加工成形的連接孔之基板，進行光阻劑層的去除，進行SC1之洗淨，進行氟化氫水溶液之洗淨，進行SC2之洗淨，進行乾燥，在所定的壓力下暴露至含氨與氟化氫的混合氣體的環境，其次進行所定溫度的加熱，因此可去除污染、及自然氧化膜等。又，雖藉由乾燥而產生水印圖案的附著物，但可發揮與第1形態同様的效果，能夠去除基板的附著物。因此，可取得清淨的基板。特別是因為進行可去除金屬污染的SC2洗淨，所以對於附著有附著物亦即金屬污染的基板的洗淨有效。
為了達成上述目的，本發明之第8形態為申請專利範圍第18項。
若利用此程式，則可發揮與上述第1形態同様的效果。
為了達成上述目的，本發明之第9形態為申請專利範圍第19項。
若利用此程式，則可發揮與上述第2形態同様的效果。
為了達成上述目的，本發明之第10形態為申請專利範圍第20項。
若利用此程式，則可發揮與上述第3形態同様的效果。
為了達成上述目的，本發明之第11形態為申請專利範圍第21項。
若利用此程式，則可發揮與上述第4形態同様的效果。
為了達成上述目的，本發明之第12形態為申請專利範圍第22項。
若利用此程式，則可發揮與上述第5形態同様的效果。
為了達成上述目的，本發明之第13形態為申請專利範圍第23項。
若利用此程式，則可發揮與上述第6形態同様的效果。
為了達成上述目的，本發明之第14形態為申請專利範圍第24項。
若利用此程式，則可發揮與上述第7形態同様的效果。
以下，參照圖面來說明有關本發明的實施形態。
首先，說明有關本發明的實施形態之基板的表面處理方法。
圖1是表示適用本實施形態的基板的表面處理方法之基板處理裝置的概略構成平面圖。
基板處理裝置，如後述，是在用以去除附著於形成有接觸孔等的電子裝置用的晶圓表面的污染或形成於表面的自然氧化膜之洗淨處理中，執行作為後處理工程的COR洗淨處理。
在圖1中，基板處理裝置10具備：對電子裝置用的晶圓(以下簡稱為「晶圓」)(基板)W施以反應性離子蝕刻(以下稱為「RIE」)處理之第1製程群(process Ship)11、及與該第1製程群11平行配置，對晶圓W施以後述的COR(Chemical Oxide Removal)處理及PHT(Post Heat Treatment)處理之第2製程群12、及分別連接第1製程群11及第2製程群12之矩形狀的共通搬送室，亦即載入器單元13。
在載入器單元13，除了上述第1製程群11及第2製程群12以外，還連接有：3個環箍載置台15、及預先調整自環箍(hoop)14搬出的晶圓W位置之定向器16、及計測晶圓W的表面狀態之第1及第2 IMS(Integrated Metrology System、Therma－Wave,Inc.)17，18。上述3個環維載置台15是分別載置有作為收容25片晶圓W的容器之環箍(Front Opening Unified Pod)14。
第1製程群11及第2製程群12是被連接至載入器單元13的長度方向的側壁，且以能夠夾著載入器單元13來與3個環箍載置台15對向之方式配置，定向器16是被配置於載入器單元13的長度方向的一端，第1 IMS17是被配置於載入器單元13的長度方向的另一端，第2 IMS18是與3個環箍載置台15並列配置。
載入器單元13是具有：配置於內部之用以搬送晶圓W的標量型雙臂式的搬送臂機構19、及以能夠對應於各環箍載置台15的方式來配置於側壁之作為晶圓W的投入口的3個載入埠20。搬送臂機構19是從載置於環箍載置台15的環箍14經由載入埠20來取出晶圓W，且將該取出後的晶圓W予以搬出入至第1製程群11、第2製程群12、定向器16、第1 IMS17或第2 IMS18。
第1 IMS17為光學系的監視器，具有：載置所被搬入的晶圓W之載置台21、及指向載置於該載置台21的晶圓W之光學感測器22，測定晶圓W的表面形狀，例如表面層的膜厚、及配線溝或閘極電極等的CD(Critical Dimension)值。第2 IMS18亦為光學系的監視器，和第1 IMS17同様具有載置台23及光學感測器24，計測晶圓W的表面之粒子數。
第1製程群11是具有：作為對晶圓W施以RIE處理的第1真空處理室之第1製程單元25、及內藏有將晶圓W交付至該第1製程單元25的環節型單拾式的第1搬送臂26之第1載入．鎖定(load．rock)單元27。
第1製程單元25是具有：圓筒狀的處理室容器(處理室)、及配置於該處理室內的上部電極及下部電極，該上部電極及下部電極之間的距離是設定成供以對晶圓W實施RIE處理的適當間隔。並且，下部電極是在其頂部具有藉由庫倫力等來卡住晶圓W之ESC28。
第1製程單元25是在處理室內部導入處理氣體，使電場發生於上部電極及下部電極間，藉此將所被導入的處理氣體予以電漿化，而使離子及自由基發生，藉由該離子及自由基來對晶圓W施以RIE處理。
在第1製程群11中，載入器單元13的內部壓力是被維持於大氣壓，另一方面，第1製程單元25的內部壓力是被維持於真空。因應於此，第1載入．鎖定單元27是在與第1製程單元25的連結部具備真空閘式閥29，且在與載入器單元13的連結部具備大氣閘式閥30，藉此構成可調整其內部壓力的真空預備搬送室。
在第1載入．鎖定單元27的內部，大略中央部設有第1搬送臂26，比該第1搬送臂26還要靠第1製程單元25側設有第1緩衝器31，比第1搬送臂26還要靠載入器單元13側設有第2緩衝器32。第1緩衝器31及第2緩衝器32是配置於支持第1搬送臂26的前端部所被配置的晶圓W的支持部(拾取)33所移動的軌道上，使被施以RIE處理的晶圓W暫時待避於支持部33的軌道上方，藉此可使第1製程單元25圓滑地換裝RIE未處理的晶圓W與RIE處理完成的晶圓W。
第2製程群12是具有：作為對晶圓W施以COR處理的第2真空處理室之第2製程單元34、及經由真空閘式閥35來連接至該第2製程單元34，作為對晶圓W施以PHT處理的第3真空處理室之第3製程單元36、及內藏有將晶圓W交付至第2製程單元34及第3製程單元36的環節(link)型單拾式的第2搬送臂37之第2載入．鎖定單元49。
圖2是圖1之第2製程單元的剖面圖，圖2(A)是沿著圖1之線II－II的剖面圖，圖2(B)是圖2(A)之A部的擴大圖。
在圖2(A)中，第2製程單元34具有：圓筒狀的處理室容器(處理室)38、及配置於該處理室38內作為晶圓W的載置台之ESC39、及配置於處理室38的上方之淋浴頭40、及將處理室38內的氣體等予以排氣之TMP(Turbo Molecular Pump)41、及配置於處理室38及TMP41之間，作為控制處理室38內的壓力的可變式碟形閥之APC(Automatic Pressure Control)閥42。
ESC39是具有對內部施加直流電壓的電極板(未圖示)，藉由利用直流電壓所發生的庫倫力或Johnsen－Rahbek力來吸著晶圓W而予以保持。又，ESC39具有作為調溫機構的冷媒室(未圖示)。在此冷媒室中，所定溫度的冷媒、例如冷卻水或galden液會被循環供給，藉由該冷媒的溫度來控制被吸著保持於ESC39上面的晶圓W的處理溫度。又，ESC39具有在ESC39的上面與晶圓W的背面之間全面供給傳熱氣體(氦氣)的傳熱氣體供給系統(未圖示)。傳熱氣體是在COR處理之間，進行藉由冷媒而被維持於所望的指定溫度之ESC39與晶圓W的熱交換，可效率佳且均一地冷卻晶圓W。
又，ESC39具有作為從其上面自由突出的升降銷之複數個推進銷(pusher pin)56，該等的推進銷56是在晶圓W被吸著保持於ESC39時被收容於ESC39，在從處理室38搬出被施以COR處理的晶圓W時，從ESC39的上面突出來將晶圓W舉起至上方。
淋浴頭40具有2層構造，分別在下層部43及上層部44具有第1緩衝室45及第2緩衝室46。第1緩衝室45及第2緩衝室46是分別經由氣體通氣孔47，48來連通至處理室38內。亦即，淋浴頭40是由具有往氣體(分別被供給至第1緩衝室45及第2緩衝室46)的處理室38內的內部通路之階層狀重疊的2個板狀體(下層部43、上層部44)所構成。
在對晶圓W施以COR處理時，在第1緩衝室45中，NH3 (氨)氣體會從後述的氨氣供給管57供給，該被供給的氨氣是經由氣體通氣孔47來供給至處理室38內，且在第2緩衝室46中，HF(氟化氫)氣體會從後述的氟化氫氣體供給管58來供給，該被供給的氟化氫氣體是經由氣體通氣孔48來供給至處理室38內。
又，淋浴頭40內藏加熱器(未圖示)，例如加熱元件。此加熱元件最好是配置於上層部44上，而來控制第2緩衝室46內的氟化氫氣體的溫度。
又，如圖2(B)所示，氣體通氣孔47，48之往處理室38內的開口部是形成末端擴大狀。藉此，可效率佳地將氨氣或氟化氫氣體擴散至處理室38內。又，由於氣體通氣孔47，48是剖面呈蜂腰狀形狀，因此可防止在處理室38所發生的堆積物往氣體通氣孔47，48，甚至第1緩衝室45或第2緩衝室46逆流。此外，氣體通氣孔47，48可為螺旋狀的通氣孔。
此第2製程單元34是藉由調整處理室38內的壓力、及氨氣及氟化氫氣體的體積流量比來對晶圓W施以COR處理。並且，該第2製程單元34是設計成在處理室38內初次混合氨氣及氟化氫氣體(後混合設計)，因此至上述兩種類的氣體被導入處理室38內為止，可防止該兩種類的氣體混合，而防止氟化氫氣體與氨氣在導入至處理室38內之前反應。
又，第2製程單元34中，處理室38的側壁內藏加熱器(未圖示)，例如加熱元件，防止處理室38內的環境溫度降低。藉此，可提高COR處理的再現性。又，藉由側壁內的加熱元件控制側壁的溫度，可防止發生於處理室38內的副生成物附著於側壁的內側。
回到圖1，第3製程單元36具有：框體狀的處理室容器(處理室)50、及配置於該處理室50內作為晶圓W的載置台之平台加熱器51、及配置於該平台加熱器51的周圍，將載置於平台加熱器51的晶圓W舉起至上方之緩衝臂52、及遮斷處理室內及外部環境之可自由開閉的蓋，亦即PHT處理室罩(未圖示)。
平台加熱器51是由表面形成氧化皮膜的鋁所構成，藉由內藏的電熱線等來將所被載置的晶圓W加熱至所定的溫度。具體而言，平台加熱器51是至少以1分鐘來將載置的晶圓W予以直接加熱至100~200℃，較理想是約135℃。
在PHT處理室罩中配有矽橡膠製的片狀加熱器。並且，在處理室50的側壁內藏有盒式加熱器(未圖示)，該盒式加熱器是將處理室50的側壁的壁面溫度控制成25~80℃。藉此，防止在處理室50的側壁附著有副生成物，進而防止因附著後的副生成物所引起之粒子的發生，而得以延展處理室50的清洗週期。另外，處理室50的外周是藉由熱屏蔽來覆蓋。
從上方加熱晶圓W的加熱器，亦可配置紫外線放射(UV radiation)加熱器來取代上述片狀加熱器。紫外線放射加熱器為放射波長190~400nm的紫外線之紫外線燈等。
緩衝臂52是使被施以COR處理的晶圓W暫時地待避於第2搬送臂37的支持部53的軌道上方，藉此可使晶圓W圓滑地換裝於第2製程單元34或第3製程單元36。
此第3製程單元36是藉由調整晶圓W的溫度來對晶圓W施以PHT處理。
第2載入．鎖定單元49具有內藏第2搬送臂37的框體狀的搬送室(處理室)70。並且，載入器單元13的內部壓力是被維持於大氣壓，另一方面，第2製程單元34及第3製程單元36的內部壓力是被維持於真空。因應於此，第2載入．鎖定單元49是在和第3製程單元36的連結部具備真空閘式閥54，且在和載入器單元13的連結部具備大氣門閥55，藉此構成可調整其內部壓力的真空預備搬送室。
圖3是表示圖1之第2製程群的概略構成立體圖。
在圖3中，第2製程單元34具備：往第1緩衝室45供給氨氣的氨氣供給管57、及往第2緩衝室46供給氟化氫氣體的氟化氫氣體供給管58、及測定處理室38內的壓力之壓力計59、及對配設於ESC39內的冷卻系統供給冷媒之冷卻單元60。
在氨氣供給管57中設有MFC(Mass Flow Controller)(未圖示)，該MFC是調整往第1緩衝室45供給的氨氣流量，且亦於氟化氫氣體供給管58設有MFC(未圖示)，該MFC是調整往第2緩衝室46供給之氟化氫氣體的流量。氨氣供給管57的MFC與氟化氫氣體供給管58的MFC係互相作用，而來調整往處理室38供給的氨氣與氟化氫氣體的體積流量比。
並且，在第2製程單元34的下方配置有連接至DP(Dry Pump)(未圖示)的第2製程單元排氣系61。第2製程單元排氣系61具有：與配設於處理室38與APC閥42之間的排氣管道62連通之排氣管63、及連接至TMP41的下方(排氣側)之排氣管64，將處理室38內的氣體等予以排氣。另外，排氣管64是在DP之前連接至排氣管63。
第3製程單元36具備：往處理室50供給氮(N2 )氣體之氮氣供給管65、及測定處理室50內的壓力之壓力計66、及將處理室50內的氮氣等予以排氣之第3製程單元排氣系67。
在氮氣供給管65設有MFC(未圖示)，該MFC是調整往處理室50供給之氮氣的流量。第3製程單元排氣系67具有：連通至處理室50，且連接至DP的主排氣管68、及配置於該主排氣管68的途中之APC閥69、及以能夠從主排氣管68迴避APC閥69之方式分歧，且在DP之前連接至主排氣管68的副排氣管68a。APC閥69是控制處理室50內的壓力。
第2載入．鎖定單元49具備：往處理室70供給氮氣的氮氣供給管71、及測定處理室70內的壓力之壓力計72、及將處理室70內的氮氣等予以排氣之第2載入．鎖定單元排氣系73、及使處理室70內大氣開放的大氣連通管74。
在氮氣供給管71設有MFC(未圖示)，該MFC是調整往處理室70供給之氮氣的流量。第2載入．鎖定單元排氣系73是由1個排氣管所構成，該排氣管是連通至處理室70，且在DP之前連接至第3製程單元排氣系67的主排氣管68。並且，第2載入．鎖定單元排氣系73及大氣連通管74分別具有開閉目由的排氣閥75及洩放閥76，該排氣閥75及洩放閥76係互相作用，而來將處理室70內的壓力從大氣壓調整至所望的真空度的其中任一。
圖4是表示圖3之第2載入．鎖定單元的單元驅動用乾燥空氣供給系的概略構成圖。
在圖4中，作為第2載入．鎖定單元49的單元驅動用乾燥空氣供給系77的乾燥空氣供給端，為該當於大氣門閥55所具有的滑門驅動用的門閥汽缸、作為N2 清除(purge)單元的氮氣供給管71所具有的MFC、作為大氣開放用的洩放單元的大氣連通管74所具有的洩放閥76、作為抽真空的第2載入．鎖定單元排氣系73所具有的排氣閥75、以及真空閘式閥54所具有的滑閘驅動用的閘式閥汽缸。
單元驅動用乾燥空氣供給系77具備：從第2製程群12所具備的主乾燥空氣供給管78來分歧的副乾燥空氣供給管79、及連接至該副乾燥空氣供給管79的第1電磁閥80及第2電磁閥81。
第1電磁閥80是經由各個乾燥空氣供給管82，83，84，85來連接至門閥汽缸、MFC、洩放閥76及閘式閥汽缸，藉由控制往該等之乾燥空氣的供給量來控制各部的動作。又，第2電磁閥81是經由乾燥空氣供給管86來連接至排氣閥75，藉由控制往排氣閥75之乾燥空氣的供給量來控制排氣閥75的動作。
另外，氮氣供給管71的MFC亦被連接至氮(N2 )氣體供給系87。
並且，第2製程單元34、第3製程單元36亦具備具有和上述第2載入．鎖定單元49的單元驅動用乾燥空氣供給系77同様構成的單元驅動用乾燥空氣供給系。
回到圖1，基板處理裝置10是具備：控制第1製程群11、第2製程群12及載入器單元13的動作之系統控制器、及配置於載入器單元13的長度方向的一端之操作控制器88。
操作控制器88是具有例如由LCD(Liquid Crystal Display)所構成的顯示部，該顯示部是顯示基板處理裝置10的各構成要素的動作狀況。
又，如圖5所示，系統控制器具備：EC(Equipment Controller)89、及3個的MC(Module Controller)90，91，92、及連接EC89及各MC的交換集線器(switching hub)93。該系統控制器是從EC89經由LAN(Local Area Network)170來連接至作為管理設有基板處理裝置10的工廠全體的製造工程的MES(Manufacturing Execution System)之PC171。MES是與系統控制器聯合將有關工廠的工程的即時資訊反餽至基幹業務系統(未圖示)，且考量工廠全體的負荷等來進行有關工程的判斷。
EC89是總括各MC來控制基板處理裝置10全體的動作之主控制部(主要控制部)。又，EC89具有CPU、RAM、HDD等，在操作控制器88中按照對應於使用者等所指定的晶圓W的處理方法、亦即方式(recipe)的程式，CPU會將控制信號傳送至各MC，藉此來控制第1製程群11、第2製程群12及載入器單元13的動作。
交換集線器93是按照來自EC89的控制信號，切換作為EC89的連接端之MC。
MC90，91，92是分別控制第1製程群11、第2製程群12及載入器單元13的動作之副控制部(slave)。各MC是藉由DIST(Distribution)板96經由GHOST網路95來分別連接至各I/O(輸出入)模組97，98，99。GHOST網路95是藉由被搭載於具有MC的MC板之被稱為GHOST(General High－Speed Optimum Scalable Transceiver)的LSI來實現的網路。在GHOST網路95最大可連接31個的I/O模組，在GHOST網路95中，MC為主(master),I/O模組為副(slave)。
I/O模組98是由連接於第2製程群12的各構成要素(以下稱為「終端裝置」)的複數個I/O部100所構成,進行往各終端裝置的控制信號及來自各終端裝置之輸出信號的傳達。在I/O模組98中連接至I/O部100的終端裝置中,例如第2製程單元34的氨氣供給管57的MFC、氟化氫氣體供給管58的MFC、壓力計59及APC閥42、第3製程單元36的氮氣供給管65的MFC、壓力計66、APC閥69、緩衝臂52及平台加熱器51、第2載入．鎖定單元49的氮氣供給管71的MFC、壓力計72及第2搬送臂37、以及單元驅動用乾燥空氣供給系77的第1電磁閥80及第2電磁閥81等為該當者。
另外,I/O模組97，99具有與I/O模組98同様的構成,對應於第1製程群11的MC90及I/O模組97的連接關係、以及對應於載入器單元13的MC92及I/O模組99的連接關係亦與上述MC91及I/O模組98的連接關係同様構成,因此省略該等的說明。
並且,在各GHOST網路95中,控制I/O部100的數位信號、類比信號及串行信號的輸出入之I/O板(未圖示)亦被連接。
在基板處理裝置10中,對晶圓W施以COR處理時,按照對應於COR處理的方式之程式,EC89的CPU會經由交換集線器93、MC91、GHOST網路95及I/O模組98的I/O部100來傳送控制信號至所望的終端裝置,藉此在第2製程單元34中執行COR處理。
具體而言，CPU會將控制信號傳送至氨氣供給管57的MFC及氟化氫氣體供給管58的MFC，藉此來將處理室38的氨氣及氟化氫氣體的體積流量比調整至所望的值，將控制信號傳送至TMP41及APC閥42，藉此來將處理室38內的壓力調整至所望的值。又，此刻，壓力計59會將處理室38內的壓力值當作輸出信號來傳送至EC89的CPU，該CPU會根據所被傳送之處理室38內的壓力值來決定氨氣供給管57的MFC、氟化氫氣體供給管58的MFC、APC閥42或TMP41的控制參數。
並且，在對晶圓W施以PHT處理時，按照對應於PHT處理的方式之程式，EC89的CPU會將控制信號傳送至所望的終端裝置，藉此在第3製程單元36中執行PHT處理。
具體而言，CPU會將控制信號傳送至氮氣供給管65的MFC及APC閥69，藉此來將處理室50內的壓力調整至所望的值，將控制信號傳送至平台加熱器51，藉此來將晶圓W的溫度調整至所望的溫度。又，此刻，壓力計66會將處理室50內的壓力值當作輸出信號來傳送至EC89的CPU，該CPU會根據所被傳送之處理室50內的壓力值來決定APC閥69或氮氣供給管65的MFC的控制參數。
在圖5的系統控制器中，複數個終端裝置不會被直接連接至EC89，連接至該複數個終端裝置的I/O部100會被模組化而構成I/O模組，該I/O模組會經由MC及交換集線器93來連接至EC89，因此可使通信系統簡素化。
又，EC89的CPU所傳送的控制信號中，含有連接至所望的終端裝置之I/O部100的位址、及包含該I/O部100的I/O模組的位址，因此交換集線器93會參照控制信號之I/O模組的位址，MC的 GHOST會參照控制信號之I/O部100的位址，藉此交換集線器93或MC可不必對CPU進行控制信號的送信端的訊問，藉此可實現控制信號之圓滑的傳達。
但，在形成於晶圓W表面的絕緣膜中作成源極汲極接觸用的接觸孔等之後，為了對此晶圓W進行後工程的處理，必須洗淨晶圓W。如先前所述，在以往的洗淨方法中，藉由旋轉乾燥，在晶圓W的表面會發生水印圖案，藉由IPA乾燥，在晶圓W的表面會殘留有碳的有機物。如此之晶圓W表面的水印圖案是在由晶圓W所製造的電子裝置中引起各種不良情況的要因，所以必須去除。
本實施形態之基板的表面處理方法是對應於此，在洗淨工程中作為後處理工程來對晶圓W施以COR處理及PHT處理。
COR處理是使被處理體的氧化膜及氣體分子化學反應而產生生成物之處理，PHT處理是加熱被施以COR處理的被處理體，使藉由COR處理的化學反應而產生於被處理體的生成物氣化．熱氧化(Thermal Oxidation)，而從被處理體去除的處理。如以上，COR處理及PHT處理，特別是COR處理是不使用電漿且不使用水成分來去除被處理體的氧化膜之處理，因此相當於無電漿蝕刻處理及乾式清洗處理(乾燥洗淨處理)。
在本實施形態之基板的表面處理方法中，氣體為使用氨氣及氟化氫氣體。在此，氟化氫氣體是在於促進SiO2 層的腐蝕，氨氣是在於合成按照所需限制氧化膜與氟化氫氣體的反應，最終用以使停止的反應副生成物(By－product)。具體而言，在COR處理及PHT處理中，藉由利用以下的化學反應，去除形成於晶圓W的疏水性表面的矽氧化膜(SiO2 )所構成的水印圖案，而進行晶圓W的洗淨。
(COR處理)SiO2 ＋4HF → SiF4 ＋2H2 O↑ SiF4 ＋2NH3 ＋2HF → (NH4 )2 SiF6
(PHT處理)(NH4 )2 SiF6 → SiF4 ↑＋2NH3 ↑＋2HF↑
根據本發明者確認出利用上述化學反應的COR處理及PHT處理具有以下的特性。另外，在PHT處理中，N2 及H2 亦若干量產生。
1)熱氧化膜的選擇比(去除速度)高。
具體而言，COR處理及PHT處理是熱氧化膜的選擇比高，另一方面，多晶矽的選擇比低。因此，可效率佳地去除由熱氧化膜亦即SiO2 膜所構成的絕緣膜的表層或具有和SiO2 膜同様特性的疑似SiO2 層或矽表層的自然氧化膜及水印圖案。另外，此疑似SiO2 層亦被稱為「變質層」或「犠牲層」。
2)被去除表層或疑似SiO2 層之絕緣膜的表面的自然氧化膜的成長速度慢。
具體而言，在藉由溼式蝕刻而使表面露出的晶圓W的表面中，厚度3的自然氧化膜的成長時間為10分鐘，相對的，在藉由COR處理及PHT處理而使表面露出的晶圓W的表面中，厚度3的自然氧化膜的成長時間為2小時以上。因此，在電子裝置的洗淨工程中，不會有水印圖案發生，且洗淨工程後的時間經過之自然氧化膜的成長會被抑止，因此可使電子裝置的可靠度提升。
3)在乾燥環境中進行反應。
具體而言，在COR處理中不使用水於反應，且藉由COR處理，如上述雖水分子會發生，但如後述，COR處理是在略真空狀態中進行，因此水分子是在氣體狀態下發生。因此，水分子不會在液體狀態下附著於晶圓W，不會在晶圓W的表面發生水印圖案等。又，由於PHT處理是如後述在高溫下進行，因此不會在晶圓W的表面發生水印圖案等。並且，在表面露出的晶圓W的表面不會配置有OH基。因此，晶圓W的表面不會形成親水性，得以該表面不會吸溼，因此可防止電子裝置的配線可靠度降低。
4)若生成物(錯合物)的生成量經過所定時間則飽和。
具體而言，若經過所定時間，則之後即使將水印圖案持續暴露於氨氣及氟化氫氣體的混合氣體，生成物的生成量不會増加。並且，生成物的生成量是依混合氣體的壓力、體積流量比等的混合氣體的參數而定。因此，可容易進行水印圖案的去除量的控制。在COR處理中，氟化氫氣體為反應氣體，氨氣為腐蝕氣體。因此，在COR處理中，氨(NH3 )是在於中和氟化氫(HF)抑止氟化氫氣體與矽氧化膜(SiO2 )的反應進行。因此，例如藉由調整氨氣與氟化氫氣體的體積流量比，可容易控制水印圖案的去除量。
5)粒子的發生非常少。
具體而言，在第2製程單元34及第3製程單元36中，即使執行2000片的晶圓W之水印圖案的去除，幾乎不會觀察出有粒子附著於處理室38或處理室50的內壁等。因此、在電子裝置中不會有經由粒子而發生配線短路等，可使電子裝置的可靠度提升。
圖6(A)~6(I)是表示本實施形態之基板的表面處理方法的工程圖。
在本實施形態中，是在形成於晶圓W的表面的絕緣膜301中使用阻絕膜302來作成源極汲極接觸用的接觸孔303等之後(參照圖6(A))，洗淨晶圓W。
在圖6(A)~(I)中，利用進行本實施形態之基板的表面處理方法的洗淨工程的前處理工程的前洗淨裝置(未圖示)，首先進行溼式洗淨，例如進行洗淨(SPM洗淨)，其係使用由H2 SO4 (硫酸)及H2 O2 (過氧化氫)水所構成的混液，去除形成於晶圓W上的阻絕膜302(圖6(B))。利用此溼式洗淨，粒子304及金屬污染305等的污染會附著於晶圓W。另外，阻絕膜的去除亦可改變上述溼式洗淨，而藉由電漿灰化來進行。此情況，灰化殘渣會污染附著於晶圓W。
其次，進行SC1洗淨來去除粒子304(參照圖6(C))。SC1洗淨是例如在5分鐘以下的期間進行。如上述，SC1是NH4 OH(氨)水溶液與H2 O2 (過氧化氫)水的混液，因此SC1洗淨後在晶圓W的接觸孔303內的矽表面形成有親水性層的自然氧化膜306。因此，SC1洗淨後在晶圓W的表面形成有自然氧化膜306，藉此晶圓W的表面會形成親水性。自然氧化膜306為矽自然氧化膜(silicon native oxide)，所謂矽自然氧化膜是在藥液中成長的矽終端最表面(Oxygentermination on silicon surface)的氧化狀態。
其次，藉由純水洗淨(洗滌洗淨)來洗掉包含去除後的粒子304的SC1之後，進行SC2洗淨，而來去除金屬污染305(參照圖6(D))。SC2洗淨是例如在5分鐘以下的期間進行。如上述，SC2是HCl(塩酸)與H2 O2 (過氧化氫)水的混液，因此SC2洗淨後在晶圓W的接觸孔303內的矽表面形成有親水性層的自然氧化膜306。因此，和SC1洗淨後同様的，SC2洗淨後在晶圓W的表面形成有自然氧化膜306，藉此晶圓W的表面是形成親水性。
其次，藉由純水洗淨來洗掉包含去除後的金屬污染305的SC2之後，進行DHF洗淨，去除發生於晶圓W表面上的自然氧化膜306(參照圖6(E))。DHF洗淨後，對晶圓W進行純水洗淨洗掉包含去除後的自然氧化膜306的DHF，且進行旋轉乾燥。如上述，由於晶圓W的表面會藉DHF洗淨而形成疏水性，因此在將晶圓W從洗淨槽拿起時，水滴會殘留於晶圓W的表面。又，在將晶圓W從洗淨槽拿起時，殘留於Si晶圓表面的水滴中的溶存氧與晶圓表面會反應而形成SiO2 ，且殘留HF與SiO2 會反應而形成H2 SiF6 。若在此狀態下進行旋轉乾燥，則H2 SiF6 會在乾燥後，於疏水性表面殘留如圖7所示那樣的矽氧化物(SiO2 )之水印圖案307，亦即附著物。又，因為進行旋轉乾燥，所以不會有如進行IPA乾燥時那樣在晶圓W的表面殘留有IPA分子(碳等的有機物)。
其次，移至基板處理裝置10的後處理工程。如上述，以形成有接觸孔303的面作為上面，將形成有水印圖案307的晶圓W收納於基板處理裝置10的任意環箍載置台15的任意環箍14。如此，在環箍14中收納晶圓W的狀態下，使基板處理裝置10啟動，藉此執行COR洗淨處理。
在COR洗淨處理中，基板處理裝置10，首先是經由搬送臂機構19、第2載入．鎖定單元49、及第3製程單元36來將晶圓W收容於第2製程單元34的處理室38。其次，將該處理室38內的壓力調整至所定的壓力，在處理室38內導入氨氣、氟化氫氣體及作為稀釋氣體的氬(Ar)氣體，而使處理室38內成為由該等所構成的混合氣體的環境，使水印圖案307在所定的壓力下暴露於混合氣體的環境(附著物暴露步驟)(參照圖6(G))。藉此，從形成水印圖案307的SiO2 、氨氣及氟化氫氣體來產生具有錯合物構造的生成物，而使水印圖案307變質成具有由生成物所構成之錯合物構造的生成物層308(參照圖6(H))。
其次，將形成有生成物層308的晶圓W載置於第3製程單元36的處理室50內的平台加熱器51上，將該處理室50內的壓力調整成所定的壓力，在處理室50內導入氮氣，而使產生黏性流，藉由平台加熱器51來將晶圓W加熱成所定的溫度(附著物加熱步驟)。此刻，生成物層308的生成物的錯合物構造會因熱而分解，生成物會分離成四氟化矽(SiF4 )、氨、氟化氫而氣化。氣化後該等的分子會被捲入黏性流，而藉由第3製程單元排氣系67來從處理室50排出。藉此，利用旋轉乾燥來去除形成於晶圓W表面的水印圖案(圖6(I)參照)，終了COR洗淨。被執行COR洗淨的晶圓W是經由第2載入．鎖定單元49、搬送臂機構19來收納於所定的環箍14。
在第2製程單元34中，由於氟化氫氣體容易與水分反應，因此最好是將處理室38之氨氣的體積設定成比氟化氫氣體的體積更多，且最好是儘可能去除處理室38的水分子。具體而言，處理室38內的混合氣體之氟化氫氣體對氨氣的體積流量(SCCM)比最好為1~1/2，且處理室38內的所定壓力最好為6.7×10－ 2 ~4.0Pa(0.5~30mTorr)。藉此，處理室38內的混合氣體的流量比等為安定，所以可助長生成物的生成。
又，若處理室38內的所定壓力為6.7×10－ 2 ~4.0Pa(0.5~30mTorr)，則可使生成物的生成量在所定時間經過後確實地飽和，藉此可確實地控制蝕刻深度(自我限量)。例如，當處理室38內的所定壓力為1.3Pa(10mTorr)時，蝕刻的進行是從COR處理開始約3分經過後停止。此刻的蝕刻深度大略為15nm。又，當處理室38內的所定壓力為2.7Pa(20mTorr)時，蝕刻的進行是從COR處理開始約3分經過後停止。此刻的蝕刻深度大略為24nm。
又，由於反應物是在常溫附近被促進反應，因此載置晶圓W的ESC39最好是藉由內藏的調溫機構(未圖示)來將其溫度設定於25℃。又，由於溫度越高，發生於處理室38內的副生成物越難以附著，因此處理室38內的內壁溫度最好是藉由埋設於側壁的加熱器(未圖示)來設定於50℃。
在第3製程單元36中，反應物是含配位結合的錯化合物(Complex compound)，由於錯化合物是結合力弱，即使在較低溫中熱分解也會被促進，因此晶圓W的所定溫度最好是80~200℃，更理想是100~200℃。這是因為晶圓W的溫度在被減壓至所定的壓力的狀態中，最好為(NH4 )2 SiF6 的昇華溫度範圍80~200℃，更理想為125~150℃。又，對晶圓W施以PHT處理的時間最好為60~180秒。又，為了使黏性流產生於處理室50，最好是提高處理室50內的真空度，且需要一定流量的氣體流。因此，該處理室50的所定壓力最好為6.7×10~1.3×102 Pa(500mTorr~1Torr)，氮氣的流量最好為500~3000SCCM。藉此，在處理室50內可使黏性流確實地產生，因此可確實地去除藉由生成物的熱分解所產生的氣體分子。
並且，在對晶圓W施以COR處理之前，最好EC89的CPU是對應於水印圖案307的形狀、例如測定膜厚，按照所被測定的形狀，而根據水印圖案307的膜厚與去除量相關的處理條件參數的所定關係來決定COR處理或PHT處理之處理條件參數的值。藉此，可正確地進行水印圖案307之去除量的控制，以能夠確實地去除形成於晶圓W表面的水印圖案307，且可使COR洗淨處理的效率提升。
上述所定的關係是根據在處理複數個晶圓W的一批初期，藉由第1 IMS17而測定之施以COR處理及PHT處理前及後的水印圖案307的膜厚差，亦即COR處理及PHT處理之水印圖案307的去除量、及此刻之COR處理及PHT處理的處理條件參數來設定。處理條件參數，例如為氟化氫氣體對氨氣的體積流量比或處理室38內的所定壓力、被載置於平台加熱器51的晶圓W的加熱溫度等。如此被設定之所定的關係會被儲存於EC89的HDD等，在一批的初期以後的晶圓W處理中如上述一般參照。
又，亦可根據任意的晶圓W之施以COR處理及PHT處理前及後的水印圖案307的膜厚差來決定是否對該晶圓W再度施以COR處理及PHT處理，又，再度施以COR處理及PHT處理時，EC89的CPU可按照該晶圓W之施以COR處理及PHT處理後的水印圖案307的膜厚，根據上述所定的關係來決定COR處理及PHT處理的條件參數。
如上述，若利用本實施形態之基板的表面處理方法，則是在晶圓W的洗淨處理中，使因旋轉乾燥而於表面形成有水印圖案307的晶圓W在所定的壓力下進行COR洗淨處理，該COR洗淨處理包含暴露於由氨氣、氟化氫氣體及氬氣所構成的混合氣體的環境之COR處理、及將暴露於該混合氣體的環境的晶圓W加熱至所定的溫度之PHT處理。藉此，從形成水印圖案307的SiO2 、氨氣及氟化氫氣體來產生具有錯合物構造的生成物(生成物層308)，在該被產生的生成物中生成物的錯合物構造會藉熱而分解，生成物會分離成四氟化矽、氨、氟化氫而氣化。藉由該生成物的氣化，可從晶圓W的表面去除水印圖案307。又，由於COR洗淨處理是在乾燥環境中進行，因此在COR處理中不使用水於反應，且藉由COR處理，雖水分子會發生，但水分子是在氣體狀態下發生，因此水分子不會在液體狀態下附著於晶圓W，在被去除水印圖案的晶圓W表面不會再度形成有水印圖案。又，由於PHT處理是在高溫下進行，因此不會在被去除水印圖案的晶圓W表面再度形成有水印圖案。因此，可去除水印圖案等，取得乾淨的晶圓W。
又，若利用本實施形態之基板的表面處理方法，則因為是以SPM洗淨或電漿灰化、SC1洗淨、純水洗淨、SC2洗淨、純水洗淨、DHF洗淨、純水洗淨、旋轉乾燥、及COR洗淨的順序來進行洗淨，所以可利用SC1洗淨來去除由SPM洗淨或電漿灰化所發生的粒子或灰化殘渣，可利用SC2洗淨來去除由SPM洗淨或電漿灰化、及SC1洗淨所發生的金屬污染，可利用DHF洗淨、SPM洗淨或電漿灰化來去除由SC1洗淨及SC2洗淨所發生的自然氧化膜。在此，由旋轉乾燥所發生的水印圖案可利用COR洗淨來去除此水印圖案，因此可確實地去除水印圖案、污染、及自然氧化膜等，取得乾淨的晶圓W。
又，若利用本實施形態之基板的表面處理方法，則會對晶圓W施以無電漿蝕刻處理而去除水印圖案307，所以在由晶圓W所製造的電子裝置中，不會有電荷積蓄於閘極電極，因此可防止閘極氧化膜的劣化或破壞，能量粒子不會被照射至電子裝置，因此可防止半導體之結晶缺陷的發生，又，由於不會有因電漿而引起無法預期的化學反應，所以可防止雜質的發生，藉此可防止處理室38或處理室50內被污染。
又，若利用本實施形態之基板的表面處理方法，則會對晶圓W施以乾式清洗處理而去除水印圖案，所以可抑止晶圓W表面的物性變化，進而能夠確實地防止由晶圓W所製造之電子裝置的配線可靠度的降低。
又，若利用本實施形態之基板的表面處理方法，則由於不進行IPA乾燥，所以可防止有機物(碳)的發生。
又，若利用本實施形態之基板的表面處理方法，則由於可確實去除水印圖案、污染、及自然氧化膜等，因此可抑止電子裝置的可靠度降低。
又，COR洗淨處理中，由於來自COR處理的水印圖案307之具有錯合物構造的生成物的生成量可根據由氨氣、氟化氫氣體及氬氣所構成的混合氣體的參數來控制，所以可藉由混合氣體的參數控制來容易進行水印圖案的去除量的控制。因此，可確實地去除形成於晶圓W表面的水印圖案，且可使COR洗淨處理的效率提升。
又，生成物的生成量經過所定時間會飽和，生成物的生成量是依混合氣體的參數而定。因此，可容易進行水印圖案307的去除量的控制，且可防止由被洗淨的晶圓W所製造的電子裝置的可靠度降低。
在本實施形態之基板的表面處理方法中，各工程是以SPM洗淨或電漿灰化、SC1洗淨、純水洗淨、SC2洗淨、純水洗淨、DHF洗淨、純水洗淨、旋轉乾燥、及COR洗淨的順序來進行，但基板的表面處理(洗淨方法)的各工程並非限於此。
例如，本實施形態之基板的表面處理方法的變形例，可省略SC2洗淨工程，以SPM洗淨或電漿灰化、SC1洗淨、純水洗淨、DHF洗淨、細水洗淨、旋轉乾燥、及COR洗淨的順序來進行各工程。
又，本實施形態之基板的表面處理方法的變形例，可省略DHF洗淨工程，以SPM洗淨或電漿灰化、SC1洗淨、純水洗淨、SC2洗淨、純水洗淨、旋轉乾燥、及COR洗淨的順序來進行。
又，本實施形態之基板的表面處理方法的變形例，可變更SC2洗淨工程及DHF洗淨工程的順序，以SPM洗淨或電漿灰化、SC1洗淨、純水洗淨、DHF洗淨、純水洗淨、SC2洗淨、純水洗淨、旋轉乾燥、及COR洗淨的順序來進行各工程。
又，本實施形態之基板的表面處理方法的變形例，可取代DHF洗淨，進行將NH4 F(氟化氨)及HF(氟化氫)溶解於水而調整的混液作為洗淨液使用的BHF(Buffered Hydrofluoric Acid)洗淨。
又，本實施形態之基板的表面處理方法的變形例，可以SC1洗淨、純水洗淨、旋轉乾燥、及COR洗淨的順序來進行各工程，或以SC2洗淨、純水洗淨、旋轉乾燥、及COR洗淨的順序來進行各工程，且亦可以DHF洗淨、純水洗淨、旋轉乾燥、及COR洗淨的順序來進行各工程。藉此，即使使用者到底要使用怎樣的洗淨液來進行洗淨處理的晶圓W不明時，還是可對該晶圓W適用本表面處理方法，取得乾淨的晶圓W。例如，對附著有粒子的晶圓W進行SC1洗淨，對附著有金屬污染的晶圓W進行SC2洗淨，對形成有自然氧化膜的晶圓W進行DHF洗淨，藉此可分別去除污染、自然氧化膜，而且可去除所發生的水印圖案。
藉由該等的變形例，可按照洗淨的晶圓W來進行最適的洗淨工程，且可使處理時間的短縮。
又，本實施形態之基板的表面處理方法的洗淨對象，並非限於上述那樣，形成於表面在絕緣膜301中作成源極汲極接觸用的接觸孔303等，於接觸孔內晶圓W的表面露出者，只要是表面露出的晶圓W即可。又，本實施形態之基板的洗淨方法的洗淨對象並非限於表面露出的晶圓W者，亦可為形成於晶圓W上的金屬膜的表面露出的晶圓W。此情況，可去除形成於露出的金屬表面的水印圖案。
又，本實施形態之基板的表面處理方法的COR洗淨的對象，並非如上述那樣，限於水印圖案者，只要是可藉由COR處理及PHT處理來去除的矽氧化物(SiO2 )即可。例如，可適用於金屬－矽接觸形成前洗淨、磊晶前洗淨、及矽化物前洗淨。
金屬－矽接觸形成前洗淨，是在將配線金屬成膜於晶圓上之前，對晶圓進行COR洗淨。藉此，可去除發生於矽上的矽氧化膜(SiO2 )，可降低電子裝置的接觸電阻。
磊晶前洗淨，是在矽磊晶製程前對晶圓進行COR洗淨。藉此，可去除晶圓上的矽氧化膜(SiO2 )，可在矽磊晶製程前使晶圓的表面清淨。
矽化物前洗淨，是在將矽化物金屬予以CVD成膜之前對多晶矽晶圓進行COR洗淨。藉此，可去除多晶矽晶圓上的矽氧化膜(SiO2 )，可使矽化物金屬的多晶矽晶圓上的Si擴散容易。
又，基板處理裝置10雖為具備定向器16、第1 IMS17、及第2 IMS18者，但基板處理裝置10亦可為不具備定向器16、第1 IMS17、及第2 IMS18者，且亦可為具備該等的至少一個者。
又，本發明並非限於上述實施形態者，例如亦包含具備上述基板的表面處理方法之電子裝置的製造方法或電子裝置的洗淨方法。
基板處理裝置10雖為具備一個第2製程群12者，但亦可為具備互相並列配設的複數個第2製程群12者。
以下，說明有關適用本實施形態之基板的表面處理方法的基板處理裝置的變形例。在以下的説明中，對與上述基板處理裝置10同樣的構件賦予相同的符號，而省略重複説明，僅說明相異的部分。
圖8是表示作為適用本實施形態之基板的表面處理方法的基板處理裝置的第1變形例之基板洗淨系統的概略構成圖。
如圖8所示，作為第1變形例的基板洗淨系統400是具備：和進行上述本實施形態之基板的洗淨方法的洗淨工程的前處理工程之未圖示的前洗淨裝置同様功能的前洗淨裝置410、及圖1的基板處理裝置10、及連接前洗淨裝置410與基板處理裝置10的緩衝裝置420。
前洗淨裝置410是構成可以SPM洗淨或電漿灰化、SC1洗淨、純水洗淨、SC2洗淨、純水洗淨、DHF洗淨、純水洗淨、及旋轉乾燥的順序來執行各行程。又，前洗淨裝置410是構成可在各工程中對複數個晶圓W進行成批處理。
緩衝裝置420是具備未圖示的搬送臂、及可以所定的片數保管被執行旋轉乾燥的晶圓W之未圖示的緩衝室。搬送臂是構成可將前洗淨裝置410中被執行旋轉乾燥的晶圓W搬送至緩衝室而收納，且可將收納於緩衝室的晶圓W搬送至基板處理裝置10而收納於所定的環箍14。
又，基板處理裝置10的系統控制器(參照圖5)具備分別對應於前洗淨裝置410及緩衝裝置420的MC、GHOST網路、DIST板、及I/O模組，用以控制前洗淨裝置410及緩衝裝置420。
系統控制器是在於管理經由緩衝室420從前洗淨裝置410搬送至基板處理裝置10之晶圓W的處理方式(recipe)等，且管理控制搬送臂從前洗淨裝置410往基板處理裝置10之晶圓W的搬送時序。
藉由上述構成，在基板洗淨系統400中，可將前洗淨裝置410中成批處理的晶圓W予以經由緩衝裝置420來圓滑地搬送至進行單片處理的基板處理裝置10。
如上述，若利用本變形例的基板洗淨系統，則由於可將前洗淨裝置410中成批處理的晶圓W予以緩衝裝置420來圓滑地傳送至進行單片處理的基板處理裝置10，因此可有效率地進行基板的洗淨。
適用上述本實施形態之基板的表面處理方法的基板處理裝置，並非限於圖1所示那樣具備2個互相平行配置的製程群之平行型(parallel type))的基板處理裝置，亦可為圖9或圖10所示，作為對晶圓W施以所定處理的真空處理室的複數個製程單元為配置成放射狀的基板處理裝置。
圖9是表示適用本實施形態之基板的表面處理方法的基板處理裝置的第2變形例的概略構成平面圖。另外，在圖9中，對和圖1的基板處理裝置10的構成要素同様的構成要素賦予相同的符號，且省略其說明。
在圖9中，基板處理裝置137具備：平面視六角形的轉換(transfer)單元138、及於該轉換單元138的周圍配置成放射狀的4個製程單元139~142、及載入器單元13、及配置於轉換單元138及載入器單元13之間，連結轉換單元138及載入器單元13的2個載入．鎖定單元143，144。
轉換單元138及各製程單元139~142是內部的壓力被維持真空，轉換單元138與各製程單元139~142是分別經由真空閘式閥145~148來連接。
在基板處理裝置137中，載入器單元13的內部壓力會被維持於大氣壓，另一方面，轉換單元138的內部壓力是被維持於真空。因應於此，各載入．鎖定單元143，144是分別在和轉換單元138的連結部具備真空閘式閥149，150，且在和載入器單元13的連結部具備大氣門閥151，152，藉此構成可調整其內部壓力的真空預備搬送室。並且，各載入．鎖定單元143，144具有用以暫時載置被交付於載入器單元13及轉換單元138之間的晶圓W的晶圓載置台153，154。
轉換單元138具有配置於其內部之屈伸及旋轉自由的蛙：腿式(frogleg type)的搬送臂155，該搬送臂155是在各製程單元139~142或各載入．鎖定單元143，144之間搬送晶圓W。
各製程單元139~142是具有分別載置被施以處理的晶圓W之載置台156~159。在此，製程單元140具有利基板處理裝置10的第1製程單元25同様的構成，製程單元141具有和第2製程單元34同様的構成，製程單元142具有和第3製程單元36同様的構成。因此，製程單元140可對晶圓W施以RIE處理，製程單元141可對晶圓W施以COR處理，製程單元142可對晶圓W施以PHT處理。
在基板處理裝置137中，將形成有水印圖案的晶圓W搬入製程單元141而施以COR處理，且搬入製程單元142而施以PHT處理，藉此執行上述本實施形態之基板的表面處理方法。
另外，基板處理裝置137的各構成要素的動作是藉由具有和基板處理裝置10的系統控制器同様構成的系統控制器來控制。
圖10是表示適用本實施形態之基板的處理方法的基板處理裝置的第3變形例的概略構成平面圖。在圖10中，對和圖1的基板處理裝置10及圖9的基板處理裝置137的構成要素同様的構成要素賦予相同的符號，且省略其說明。
在圖10中，基板處理裝置160是對圖9的基板處理裝置137追加2個製程單元161，162，對應於此，轉換單元163的形狀亦與基板處理裝置137的轉換單元138的形狀相異。所被追加的2個製程單元161，162是分別經由真空閘式閥164，165來與轉換單元163連接，且具有晶圓W的載置台166，167。
又，轉換單元163具備由2個標量臂型的搬送臂所構成的搬送臂單元168。該搬送臂單元168是沿著配設於轉換單元163內的導軌169而移動，在各製程單元139~142，161，162或各載入.鎖定單元143，144之間搬送晶圓W。
在基板處理裝置160中，與基板處理裝置137同様地，將形成有水印圖案的晶圓W搬入製程單元141而施以COR處理，且搬入製程單元142而施以PHT處理，藉此執行上述本實施形態之基板的表面處理方法。
此外，基板處理裝置160的各構成要素的動作亦藉由具有和基板處理裝置10的系統控制器同様構成的系統控制器來控制。
另外，上述電子裝置，除了半導體裝置以外，還包含具有由強介電質、高介電質等的絕緣性金屬氧化物、特別是具有Perovskite－Type結晶構造的物質所構成的薄膜之非揮發性或大容量的記憶體元件。具有Perovskite－Type結晶構造的物質，為鈦酸鋯酸鋅(PZT)、鈦酸鋇鍶(BST)、及鉭酸鈮鍶鉍(SBNT)等。
又，本發明的目的亦可藉由將記錄有實現上述本實施形態的功能的軟體的程式碼的記憶媒體供應給EC89，EC89的電腦(或CPU或MPU等)讀出儲存於記憶媒體的程式碼而執行達成。
此情況，從記憶媒體讀出的程式碼本身會實現上述本實施形態的功能，該程式碼及記憶該程式碼的記憶媒體係構成本發明。
又,用以供給程式碼的記憶媒體,例如可使用軟碟(floppy disk)(登錄商標)、硬碟、光磁碟、CD－ROM、CD－R、CD－RW、DVD－ROM、DVD－RAM、DVD－RW、DVD＋RW等的光碟、磁帶、非揮發性的記憶卡、ROM等。或,經由網路來下載程式碼。
又,藉由執行電腦所讀出的程式碼,並非僅上述本實施形態的功能被實現,還包含根據該程式碼的指示,在電腦上作動的OS(操作系統)等會進行實際處理的一部份或全部,藉由該處理來實現上述本實施形態的功能時。
又，亦包含從記憶媒體讀出的程式碼在被寫入於插入電腦的功能擴充板或連接至電腦的功能擴充單元中所具備的記憶體之後，根據該程式碼的指示，擴充板或擴充單元中所具備的CPU等會對該擴充功能進行實際處理的一部份或全部，藉由該處理來實現上述本實施形態的功能時。上述程式碼的形態可為目的碼(object code)、藉由解譯器(interpreter)來執行的程式碼、或由被供應給OS的劇本資料(script date)等的形態所形成。
10．．．基板處理裝置
11．．．第1製程群
12．．．第2製程群
13．．．載入器單元
14．．．環箍
15．．．環箍載置台
16．．．定向器
17，18．．．第1及第2 IMS(Integrated Metrology System、Therma－Wave，Inc.)
19．．．搬送臂機構
20．．．載入埠
21．．．載置台
22．．．光學感測器
23．．．載置台
24．．．光學感測器
25．．．第1製程單元
26．．．第1搬送臂
27．．．第1載入．鎖定單元
28．．．ESC
29．．．真空閘式閥
30．．．大氣閘式閥
31．．．第1緩衝器
32．．．第2緩衝器
33．．．支持部
34．．．第2製程單元
35．．．真空閘式閥
36．．．第3製程單元
37．．．第2搬送臂
38．．．處理室容器(處理室)
39．．．ESC
40．．．淋浴頭
41．．．TMP(Turbo Molecular Pump)
42．．．APC(Automatic Pressure Control)閥
43．．．下層部
44．．．上層部
45．．．第1緩衝室
46．．．第2緩衝室
47，48．．．氣體通氣孔
49．．．載入．鎖定單元
50．．．處理室容器(處理室)
51．．．平台加熱器
52．．．緩衝臂
53．．．支持部
54．．．真空閘式閥
55．．．大氣門閥
56．．．推進銷
57．．．氨氣供給管
58．．．氟化氫氣體供給管
59．．．壓力計
60．．．冷卻單元
61．．．第2製程單元排氣系
62．．．排氣管道
63．．．排氣管
64．．．排氣管
65．．．氮氣供給管
66．．．壓力計
67．．．第3製程單元排氣系
68．．．主排氣管
68a．．．副排氣管
69．．．APC閥
70．．．搬送室(處理室)
71．．．氮氣供給管
72．．．壓力計
73．．．第2載入．鎖定單元排氣系
74．．．大氣連通管
75．．．排氣閥
76．．．洩放閥
77．．．單元驅動用乾燥空氣供給系
78．．．主乾燥空氣供給管
79．．．副乾燥空氣供給管
80．．．第1電磁閥
81．．．第2電磁閥
82，83，84，85．．．乾燥空氣供給管
86．．．乾燥空氣供給管
87．．．氮(N2 )氣體供給系
88．．．操作控制器
89．．．EC(Equipment Controller)
90，91，92．．．MC(Module Controller)
93．．．交換集線器
95．．．GHOST(General High－Speed Optimum Scalable Transceiver)網路
96．．．DIST(Distribution)板
97，98，99．．．I/O(輸出入)模組
100．．．I/O部
137．．．基板處理裝置
138．．．轉換單元
139~142．．．製程單元
143，144．．．載入．鎖定單元
145~148．．．真空閘式閥
149，150．．．真空閘式閥
151，152．．．大氣門閥
153，154．．．晶圓載置台
160．．．基板處理裝置
161，162．．．製程單元
163．．．轉換單元
164，165．．．真空閘式閥
166，167．．．載置台
168．．．搬送臂單元
169．．．導軌
170．．．LAN(Local Area Network)
171．．．PC
301．．．絕緣膜
302．．．阻絕膜
303．．．接觸孔
304．．．粒子
305．．．金屬污染
306．．．自然氧化膜
307．．．水印圖案
308．．．生成物層
400．．．基板洗淨系統
410．．．前洗淨裝置
420．．．緩衝裝置
W．．．晶圓
圖1是表示適用本發明的實施形態之基板的表面處理方法的基板處理裝置的概略構成平面圖。
圖2(A)，(B)是表示圖1之第2製程單元的剖面圖，圖2(A)是沿著圖1之線II－II的剖面圖，圖2(B)是圖2(A)之A部的擴大圖。
圖3是表示圖1之第2製程群的概略構成立體圖。
圖4是表示圖3之第2載入．鎖定單元的單元驅動用乾燥空氣供給系的概略構成圖。
圖5是表示圖1的基板處理裝置之系統控制器的概略構成圖。
圖6(A)~(I)是表示本實施形態之基板的表面處理方法的工程圖。
圖7是表示形成於晶圓的疏水性表面之水印圖案的擴大圖。
圖8是表示適用本發明的實施形態之基板的表面處理方法的基板處理裝置的變形例之基板洗淨系統的概略構成圖。
圖9是表示適用本實施形態之基板的表面處理方法的基板處理裝置的第2變形例的概略構成平面圖。
圖10是表示適用本實施形態之基板的表面處理方法的基板處理裝置的第3變形例的概略構成平面圖。
11．．．第1製程群
12．．．第2製程群
13．．．載入器單元
14．．．環箍
15．．．環箍載置台
16．．．定向器
17、18．．．第1及第2IMS
19．．．搬送臂機構
20．．．載入埠
21．．．載置台
22．．．光學感測器
23．．．載置台
24．．．光學感測器
25．．．第1製程單元
26．．．第1搬送臂
27．．．第1載入．鎖定單元
28．．．ESC
29．．．真空閘式閥
30．．．大氣閘式閥
31．．．第1緩衝器
32．．．第2緩衝器
33．．．支持部
34．．．第2製程單元
35．．．真空閘式閥
36．．．第3製程單元
37．．．第2搬送臂
49．．．載入．鎖定單元
50．．．處理室容器(處理室)
51．．．平台加熱器
52．．．緩衝臂
53．．．支持部
54．．．真空閘式閥
55．．．大氣門閥
70．．．搬送室(處理室)
88．．．操作控制器
89．．．EC(Equipment Controller)
90，91，92．．．MC(Module Controller)
93．．．交換集線器

Claims (17)

  1. 一種基板的表面處理方法，係去除基板的附著物之基板的表面處理方法，其特徵為具備：藥液洗淨步驟，其係藉由藥液來洗淨上述基板；暴露步驟，其係於所定的壓力下將上述基板暴露於含氨與氟化氫的混合氣體的環境；及加熱步驟，其係以能夠產生黏性流的方式在6.7×10~1.3×102 Pa的壓力下一邊供給氮氣，一邊將暴露於上述混合氣體的環境之上述基板加熱於100℃~200℃的所定的溫度範圍，藉此使在上述暴露步驟所生成的生成物氣化。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板的表面處理方法，其中上述暴露步驟係對上述基板施以無電漿蝕刻處理。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板的表面處理方法，其中上述暴露步驟係對上述基板施以乾燥洗淨處理。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板的表面處理方法，其中上述暴露步驟之上述所定的壓力為6.7×10-2 ~4.0Pa，上述加熱步驟之上述所定的溫度為125~150℃。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板的表面處理方法，其中上述附著物為形成於上述基板的矽氧化物。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板的表面處理方法，其中更具有生成物生成條件決定步驟，其係測定上述附著物的形狀，按照該被測定的形狀來決定上述混合氣體之上述氟化氫對上述氨的體積流量比、及上述所定的壓力的至少1個。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板的表面處理方法，其中更具有洗滌液洗淨步驟，其係於上述藥液洗淨步驟之後，以洗滌液來洗淨上述基板。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板的表面處理方法，其中更具有旋轉乾燥步驟，其係於上述洗滌液洗淨步驟之後，旋轉乾燥上述基板。
  9. 如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之基板的表面處理方法，其中，基板係具備形成於該基板上的第1層、及形成於該第1層上的所定圖案的光阻劑層、及利用該光阻劑層藉由蝕刻處理在上述第1層中被加工成形的連接孔，更具有：光阻劑去除步驟，其係去除上述光阻劑層；及親水處理洗淨步驟，其係藉由在上述基板表面形成親水性層的藥液來洗淨上述基板，在上述親水處理洗淨步驟之後，逐次進行上述暴露步驟及上述加熱步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板的表面處理方法，其中上述藥液為SC1及SC2的任一方。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板的表面處理方法，其中上述親水性層為矽自然氧化膜。
  12. 如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之基板的表面處理方法，其中，上述基板係具備形成於該基板上的第1層、及形成於該第1層上的所定圖案的光阻劑層 、及利用該光阻劑層藉由蝕刻處理在上述第1層中被加工成形的連接孔，更具有：光阻劑去除步驟，其係去除上述光阻劑層；及疏水處理洗淨步驟，其係藉由在上述基板表面形成疏水性表面的藥液來洗淨上述基板，在上述疏水處理洗淨步驟之後，逐次進行上述暴露步驟及上述加熱步驟。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板的表面處理方法，其中上述藥液為HF水溶液。
  14. 如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之基板的表面處理方法，其中，上述基板係具備形成於該基板上的第1層、及形成於該第1層上的所定圖案的光阻劑層、及利用該光阻劑層藉由蝕刻處理在上述第1層中被加工成形的連接孔，其更具有：光阻劑去除步驟，其係去除上述光阻劑層；第1溼式洗淨步驟，其係藉由SC1來洗淨上述基板；第2溼式洗淨步驟，其係藉由SC2來洗淨在上述第1溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板；第3溼式洗淨步驟，其係藉由氟化氫水溶液來洗淨在上述第2溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板；及乾燥步驟，其係使在上述第3溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板乾燥， 在上述乾燥步驟之後，逐次進行上述暴露步驟及上述加熱步驟。
  15. 如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之基板的表面處理方法，其中，上述基板係具備形成於基板上的第1層、及形成於該第1層上的所定圖案的光阻劑層、及利用該光阻劑層藉由蝕刻處理在上述第1層中被加工成形的連接孔，更具有：光阻劑去除步驟，其係去除上述光阻劑層；第1溼式洗淨步驟，其係藉由SC1來洗淨上述基板；第2溼式洗淨步驟，其係藉由氟化氫水溶液來洗淨在上述第1溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板；及乾燥步驟，其係使在上述第2溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板乾燥，在上述乾燥步驟之後，逐次進行上述暴露步驟及上述加熱步驟。
  16. 如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之基板的表面處理方法，其中，上述基板係具備形成於基板上的第1層、及形成於該第1層上的所定圖案的光阻劑層、及利用該光阻劑層藉由蝕刻處理在上述第1層中被加工成形的連接孔，更具有：光阻劑去除步驟，其係去除上述光阻劑層；第1溼式洗淨步驟，其係藉由SC1來洗淨上述基板； 第2溼式洗淨步驟，其係藉由SC2來洗淨在上述第1溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板；及乾燥步驟，其係使在上述第2溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板乾燥，在上述乾燥步驟之後，逐次進行上述暴露步驟及上述加熱步驟。
  17. 如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之基板的表面處理方法，其中，上述基板係具備形成於基板上的第1層、及形成於該第1層上的所定圖案的光阻劑層、及利用該光阻劑層藉由蝕刻處理在上述第1層中被加工成形的連接孔，更具有：光阻劑去除步驟，其係去除上述光阻劑層；第1溼式洗淨步驟，其係藉由SC1來洗淨上述基板；第2溼式洗淨步驟，其係藉由氟化氫水溶液來洗淨在上述第1溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板；第3溼式洗淨步驟，其係藉由SC2來洗淨在上述第2溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板；及乾燥步驟，其係使在上述第3溼式洗淨步驟中所被洗淨的上述基板乾燥，在上述乾燥步驟之後，逐次進行上述暴露步驟及上述加熱步驟。
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