TWI626689B - 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體 - Google Patents

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Takuya Joda
Takashi Tsukamoto
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Abstract

本發明係提供一種基板處理裝置，其係具有：處理室，其係收容基板；氣化器，其係具備：液體原料會被氣化的氣化容器，將液體原料導入至氣化容器內的液體原料導入部，將載體氣體導入至氣化容器內的載體氣體導入部，及構成可加熱液體原料的加熱器；載體氣體供給控制部，其係構成可控制載體氣體的供給量；液體原料供給控制部，其係構成可控制被供給至氣化器的液體原料的供給量；處理氣體供給管，其係將從氣化器送出的處理氣體導入至處理室內；及氣體濃度感測器，其係檢測出從氣化器送出至處理氣體供給管內的處理氣體中所含的反應氣體的氣體濃度。

Description

基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體
本發明是有關基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及記錄媒體。
在大規模積體電路(Large Scale Integrated Circuit：以下LSI)的元件間分離是藉由在成為基板的矽想要分離的元件間形成溝或孔等的空隙，在該空隙堆積絕緣物的方法來進行。大多使用氧化膜，例如使用矽氧化膜(SiO膜)作為絕緣物。SiO膜是藉由Si基板本身的氧化或化學氣相成長法(Chemical Vapor Deposition：CVD)，絕緣物塗佈法(Spin On Dielectric：SOD)來形成。
在SOD是使用含被稱為SOG(Spin On Glass)的無機或有機成分的塗佈絕緣材料。此材料是從CVD氧化膜的登場以前被採用於LSI的製造工程，但由於加工技術為0.35μm~1μm程度的加工尺寸，非微細之故，藉由塗佈後的改質方法在氮環境進行400℃程度的熱處理而被容許。但，近年的LSI是最小加工尺寸比50nm 寬還小，作為替代SOG的材料，檢討使用聚矽氮烷(SiH2NH)(或稱為全氫聚矽氮烷：PHPS)。
又，同樣，取代以往的CVD法之埋入方法，藉由流動性CVD(Flowable CVD)法，在空隙中埋入絕緣材料的手法也被檢討。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本WO2013/094680
[專利文獻2]日本WO2013/077321
在用以藉由SOD來取得聚矽氮烷等的塗佈膜或由以流動性CVD法埋入的絕緣材料來取得緻密的氧化膜的處理中，為了減低對電晶體等的熱負荷，最好在該處理所使用的處理氣體也低溫化。例如可利用使液體原料氣化的氣化氣體，作為用以處理聚矽氮烷的塗佈膜的處理氣體。然而，在低溫條件中，基於氣化氣體的液體原料的氣化不完全，或在處理裝置內產生再液化等的理由，會有液滴或霧狀態的氣化氣體原料被供給至塗佈膜的情況。如此的情況，成為異物(微粒等)的發生原因，造成使氧化膜的特性顯著降低。
本發明是以提供一種即使在低溫條件中，也可抑制處理裝置內的處理氣體的液滴化或霧化等的發生，使藉由處理氣體來處理的基板上所被形成的膜的特性提升之技術為目的。
若根據本發明的一形態，則提供一種基板處理裝置，其係具有：處理室，其係收容基板；氣化器，其係使液體原料氣化而生成反應氣體，與載體氣體一起作為處理氣體送出的氣化器，具備：前述液體原料會被氣化的氣化容器，將前述液體原料導入至前述氣化容器內的液體原料導入部，將前述載體氣體導入至前述氣化容器內的載體氣體導入部，及構成可加熱被導入至前述氣化容器內的前述液體原料的加熱器；載體氣體供給控制部，其係構成可控制被供給至前述氣化器的前述載體氣體的供給量；液體原料供給控制部，其係構成可控制被供給至前述氣化器的前述液體原料的供給量；處理氣體供給管，其係將從前述氣化器送出的前述處理氣體導入至前述處理室內；處理氣體溫度感測器，其係檢測出從前述氣化器送出至前述處理氣體供給管內的前述處理氣體的溫度；及控制部，其係根據在前述處理氣體溫度感測器所檢測 出的前述處理氣體的溫度來控制前述加熱器，構成可調整前述加熱器的溫度。
若根據本發明，則即使在低溫條件中，也可抑制處理裝置內的處理氣體的液滴化或霧化等的發生，使藉由處理氣體來處理的基板上所被形成的膜的特性提升。
10‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
203‧‧‧處理容器
217d‧‧‧處理氣體加熱部
100‧‧‧氣化器
286‧‧‧處理氣體溫度感測器
287‧‧‧處理氣體壓力感測器
500‧‧‧氣體濃度計
600‧‧‧氣體過濾器
289a‧‧‧處理氣體供給管
231‧‧‧氣體排氣管
121‧‧‧控制器
圖1是表示一實施形態的基板處理裝置的構成的概略構成圖。
圖2是表示一實施形態的基板處理裝置所具備的處理爐的構成的縱剖面概略圖。
圖3是表示一實施形態的基板處理裝置所具備的處理氣體加熱部的構成的外觀圖。
圖4是表示一實施形態的基板處理裝置所具備的氣化器的構成的縱剖面概略圖。
圖5是表示一實施形態的基板處理裝置所具備的氣體過濾器的構成的縱剖面概略圖。
圖6是表示一實施形態的基板處理裝置所具備的氣體濃度計的構成的概略構成圖。
圖7是表示一實施形態的基板處理裝置所具備的處理爐的爐口部周邊的構成的概略構成圖。
圖8是表示一實施形態的基板處理裝置所具備的控制器的概略構成圖。
圖9是表示對於一實施形態的基板處理工程的事前處理工程的流程圖。
圖10是表示一實施形態的基板處理工程的流程圖。
圖11A是表示一實施形態的基板處理工程，根據處理氣體溫度的處理氣體供給部的控制程序的流程圖。
圖11B是表示一實施形態的基板處理工程，根據處理氣體壓力的處理氣體供給部的控制程序的流程圖。
圖11C是表示一實施形態的基板處理工程，根據處理氣體中的反應氣體濃度值的處理氣體供給部的控制程序的流程圖。
<本發明的一實施形態>
以下，參照圖面來更詳細說明有關本發明的較佳實施形態。
(1)基板處理裝置的構成
首先，利用圖1及圖2來說明有關實施本實施形態的半導體裝置的製造方法的基板處理裝置10的構成例。本基板處理裝置10是利用使含有過氧化氫(H2O2)的液體亦即過氧化氫水氣化而生成的處理氣體來處理基板的裝 置。例如處理由矽等所成之作為基板的晶圓200的裝置。本基板處理裝置10是適於使用在對於具有微細構造的凹凸構造(空隙)的晶圓200的處理時。所謂具有微細構造的基板是意指具有例如10nm~50nm程度的寬之橫方向窄的溝(凹部)等寬高比高的構造之基板。本實施形態是在微細構造的溝中充填含矽膜的聚矽氮烷膜，藉由處理氣體來處理該聚矽氮烷膜，藉此形成氧化膜。另外，本實施形態中是顯示藉由處理氣體來處理聚矽氮烷膜的例子，但並非限於聚矽氮烷膜，例如處理含矽元素，氮元素及氫元素的膜，特別是具有矽氮烷結合的膜，或四矽烷胺與氨的電漿重合膜等時也可適用本發明。
(處理容器)
如圖1所示般，處理爐202是具備處理容器(反應管)203。處理容器203是例如藉由石英或碳化矽(SiC)等的耐熱性材料所構成，形成下端為開口的圓筒形狀。在處理容器203的筒中空部是形成有處理室201，構成可藉由後述的晶舟217來以水平姿勢多段排列於垂直方向的狀態下收容作為基板的晶圓200。
在處理容器203的下部設有作為爐口蓋體的密封蓋219，可氣密地密封(閉塞)處理容器203的下端開口(爐口)。密封蓋219是構成從垂直方向下側來抵接於處理容器203的下端。密封蓋219是形成圓板狀。成為基板的處理空間的處理室201是以處理容器203及密封蓋 219所構成。
(基板保持部)
作為基板保持部的晶舟217是構成可多段保持複數片的晶圓200。晶舟217是具備保持複數片的晶圓200的複數根的支柱217a。支柱217a是例如具備3根。複數根的支柱217a是分別被架設於底板217b與頂板217c之間。複數片的晶圓200會在支柱217a以水平姿勢且彼此中心一致的狀態下排列，多段保持於管軸方向。頂板217c是被形成比被保持於晶舟217的晶圓200的最大外徑更大。並且，在頂板217c的上部是設有處理氣體加熱部217d，將被供給至處理容器203內的處理氣體加熱。另外，頂板217c及處理氣體加熱部217d是亦可設為個別的零件，或亦可設為一體(作為一個的零件)。
作為支柱217a，底板217b，頂板217c，處理氣體加熱部217d的構成材料，例如可使用碳化矽，氧化鋁(AlO)，氮化鋁(AlN)，氮化矽(SiN)，氧化鋯(ZrO)等的熱傳導性佳的非金屬材料。特別是熱傳導率為10W/mK以上的非金屬材料為理想。另外，若熱傳導率不成問題，則亦可以石英等形成。
在晶舟217的下部設有例如由石英或碳化矽等的耐熱材料所成的隔熱體218，構成來自第1加熱部207的熱會難以傳至密封蓋219側。隔熱體218是作為隔熱構件機能，且亦作為保持晶舟217的保持體機能。另外，隔 熱體218是不限於如圖示般形成圓板形狀的隔熱板以水平姿勢多段複數片設置者，例如亦可為形成圓筒形狀的石英蓋等。又，隔熱體218是亦可思考作為晶舟217的構成構件的1個。
(昇降部)
在處理容器203的下方設有作為昇降部的晶舟升降機，使晶舟217昇降來往處理容器203的內外搬送。在晶舟升降機設有密封蓋219，在晶舟217藉由晶舟升降機來上昇時密封爐口。
在密封蓋219之與處理室201相反的側設有使晶舟217旋轉的晶舟旋轉機構267。晶舟旋轉機構267的旋轉軸261是貫通密封蓋219來連接至晶舟217，構成藉由使晶舟217旋轉來使晶圓200旋轉。
(第1加熱部)
在處理容器203的外側，包圍處理容器203的側壁面同心圓狀地設有加熱處理容器203內的晶圓200及處理氣體加熱部217d之第1加熱部207。第1加熱部207是藉由加熱器基座206來支撐設置。如圖2所示般，第1加熱部207是具備第1~第4加熱器單元207a~207d。第1~第4加熱器單元207a~207d是分別沿著在處理容器203內的晶圓200的層疊方向而設。
在處理容器203內，按每個作為加熱部的第1 ~第4加熱器單元207a~207d，作為檢測出晶圓200或周邊溫度的溫度檢測器，例如熱電偶等的第1~第4溫度感測器263a~263d是分別設在處理容器203與晶舟217之間。另外，第1~第4溫度感測器263a~263d是分別亦可設成檢測出藉由第1~第4加熱器單元207a~207d來分別加熱的複數片的晶圓200之中位於其中央的晶圓200的溫度。
第1加熱部207，第1~第4溫度感測器263a~263d是分別電性連接後述的控制器121。控制器121是以處理容器203內的晶圓200的溫度能夠形成預定的溫度之方式，根據藉由第1~第4溫度感測器263a~263d來分別檢測出的溫度資訊，在預定的時機分別控制往第1~第4加熱器單元207a~207d的供給電力，構成可按每個第1~第4加熱器單元207a~207d來個別地進行溫度設定或溫度調整。並且，亦可分別設置以熱電偶所構成的第1外部溫度感測器264a，第2外部溫度感測器264b，第3外部溫度感測器264c，第4外部溫度感測器264d，作為檢測出第1~第4加熱器單元207a~207d的各個溫度的溫度檢測器。第1~第4外部溫度感測器264a~264d是分別連接至控制器121。藉此，可根據藉由第1~第4外部溫度感測器264a~264d所分別檢測出的溫度資訊來監視第1~第4加熱器單元207a207d的各個溫度是否被加熱至預定的溫度。
(氣體供給部(氣體供給系))
如圖1，圖2所示般，在處理容器203與第1加熱部207之間，沿著處理容器203的外壁的側部，設有處理氣體供給噴嘴501a及含氧氣體供給噴嘴502a。處理氣體供給噴嘴501及含氧氣體供給噴嘴502a是例如藉由熱傳導率低的石英等所形成。處理氣體供給噴嘴501a及含氧氣體供給噴嘴502a是亦可具有二重管構造。處理氣體供給噴嘴501a及含氧氣體供給噴嘴502a的前端(下游端)是分別從處理容器203的頂部來氣密地挿入處理容器203的內部。在位於處理容器203的內部的處理氣體供給噴嘴501a及含氧氣體供給噴嘴502a的前端是分別設有供給孔501b及供給孔502b。供給孔501b及供給孔502b是構成可將被供給至處理容器203內的處理氣體及含氧氣體朝被收容於處理容器203內的晶舟217的上部所設的頂板217c供給。
在含氧氣體供給噴嘴502a的上游端連接氣體供給管602c。而且，在氣體供給管602c中，從上游側依序設有：閥602a，構成氣體流量控制部的質量流控制器(MFC)602b，閥602d，及含氧氣體加熱部602e。含氧氣體是例如使用包含氧(O2)氣體、臭氧(O3)氣體、一氧化氮(NO)氣體的至少1個以上的氣體。在本實施形態中是使用O2氣體作為含氧氣體。含氧氣體加熱部602e是設成加熱含氧氣體，例如可加熱成80~200℃程度。較理想是含氧氣體加熱成100℃~170℃程度。藉由加熱含 氧氣體，可輔助被供給至處理室201內的處理氣體的加熱。並且，可抑制處理容器203內的處理氣體的液化。而且，含氧氣體的加熱是亦可構成在第1加熱部207進行。
另外，作為從含氧氣體供給噴嘴502a供給的氣體是亦可取代含氧氣體，而使用對於晶圓200或形成於晶圓200的膜反應性低的氣體。例如，可使用氮(N2)氣體或氬(Ar)氣體，氦(He)氣體，氖(Ne)氣體等的稀有氣體。並且，處理氣體供給噴嘴501a及含氧氣體供給噴嘴502a的至少一方是亦可設成從處理容器203的下部氣密地挿入處理容器203的內部，沿著處理容器203的內壁的側部來延伸至頂部。而且，處理氣體供給噴嘴501a及含氧氣體供給噴嘴502a的至少一方是亦可設為：在被設成沿著處理容器203的內壁的側部來延伸至頂部的區間設有1個或複數個的氣體噴出孔(氣體供給孔)的構造，由此1個或複數個的氣體噴出孔來對於晶圓200供氣體於平行的方向。
在處理氣體供給噴嘴501a的上游端是連接供給處理氣體的處理氣體供給管289a的下游端。而且，在處理氣體供給管289a從上游側起設有：作為使液體原料氣化而生成處理氣體的處理氣體生成部之氣化器100，處理氣體溫度感測器286，處理氣體壓力感測器287，氣體濃度計(氣體濃度感測器)500，氣體過濾器600，閥289b，氣體口加熱器285。在本實施形態是使用至少含H2O2的氣體作為處理氣體。並且，在處理氣體供給管 289a的周圍是設有藉由夾套加熱器等所構成的配管加熱器289c，構成可藉由配管加熱器289c來加熱處理氣體供給管289a。如圖7所示般，氣體口加熱器285是被設於處理氣體供給噴嘴501a與處理氣體供給管289a之間的連接部分，構成可加熱通過連接部分的處理氣體。另外，當處理氣體供給噴嘴501a構成可從處理容器203的下部插入至處理容器203的內部時，氣體口加熱器285是尤其設在處理氣體供給噴嘴501a的挿入部(口部)，處理容器203的外側為適。
處理氣體溫度感測器286是例如藉由熱電偶所構成，測定在氣化器100被生成而流動於處理氣體供給管289a內的處理氣體的溫度，且將測定的溫度資料輸出至後述的控制器121。處理氣體壓力感測器287是測定流動於處理氣體供給管289a內的處理氣體的壓力，且將測定的壓力資料輸出至控制器121。氣體濃度計500是測定流動於處理氣體供給管289a內的處理氣體中所含的特定的氣體的濃度，且將測定的氣體濃度值的資料輸出至控制器121。在本實施形態中，氣體濃度計500是測定作為反應氣體(被使用在對於晶圓200的基板處理)的H2O2氣體的濃度值，作為特定的氣體的濃度值。處理氣體溫度感測器286，處理氣體壓力感測器287，氣體濃度計500，為了監視及控制氣化器100的液體原料的氣化狀態之目的，設在最近氣化器100的排氣口104為適。氣體過濾器600是設成流動於處理氣體供給管289a內的處理氣體會通 過。通過的處理氣體是藉由氣體過濾器600來加熱，處理氣體中所含之液滴狀態或霧狀態的液體原料會被氣化。處理氣體溫度感測器286，處理氣體壓力感測器287，氣體濃度計500是藉由例如設在最近氣化器100的下游側，可更正確地監視氣化器100的氣化狀態。
在氣化器100連接：對於氣化器100供給處理氣體的液體原料(在本實施形態是過氧化氫水)的液體原料供給部(液體原料供給系)300，及對於氣化器100供給載體氣體的載體氣體供給部(載體氣體供給系)。在氣化器100中所被生成的液體原料的氣化氣體是與載體氣體一起作為處理氣體朝向處理氣體供給管289a送出(排出)。
液體原料供給部300是從上游側起具備：液體原料供給源301，閥302，及控制朝氣化器100供給的液體原料的流量的液體流量控制器(LMFC)303。載體氣體供給部是藉由載體氣體供給管601c，載體氣體閥601a，作為載體氣體流量控制部的MFC601b，載體氣體閥601d等所構成。在本實施形態是使用含氧氣體的O2氣體作為載體氣體。但，載體氣體是可使用至少含1個以上含氧氣體(O2氣體以外，例如O3氣體，NO氣體等)的氣體。又，亦可使用對於晶圓200或形成於晶圓200的膜反應性低的氣體作為載體氣體。例如，可使用N2氣體或，Ar氣體，He氣體，Ne氣體等的稀有氣體。
在此，至少藉由處理氣體供給噴嘴501a及供 給孔502a來構成處理氣體供給部。在處理氣體供給部是亦可更包含處理氣體供給管289a，閥289b，氣體過濾器600，氣體濃度計500，處理氣體溫度感測器286，處理氣體壓力感測器287，氣化器100等。並且，至少藉由含氧氣體供給噴嘴501a及供給孔501b來構成含氧氣體供給部。在含氧氣體供給部是亦可更包含氣體供給管602c，含氧氣體加熱部602e，閥602d，MFC602b，閥602a等。而且，藉由處理氣體供給部及含氧氣體供給部來構成氣體供給部(氣體供給系)。
(氣化器)
在圖4中顯示氣化器100的構成。氣化器100是使用滴下法，藉由在被加熱的構件滴下液體原料來氣化液體原料。氣化器100是由：作為被加熱的構件的氣化容器101，以氣化容器101所構成的氣化空間102，作為加熱氣化容器101的加熱部的氣化器加熱器103，將使液體原料氣化而產生的氣化氣體與載體氣體一起作為處理氣體朝處理氣體供給管289a排氣(送出)的排氣口104，測定氣化容器101的溫度的熱電偶(溫度感測器)105，根據藉由熱電偶105所測定的溫度來控制氣化器加熱器103的溫度的溫度控制控制器106，作為將從LMFC303供給的過氧化氫水供給至氣化容器101內的液體供給部的滴下噴嘴107，及將從載體氣體供給管601c供給的載體氣體供給至氣化容器101內的載體氣體導入口108所構成。
氣化容器101是藉由氣化器加熱器103來加熱，而使被滴下的液體原料能夠到達氣化容器101的內側表面的同時氣化。並且，設有隔熱材109，使氣化器加熱器103之氣化容器101的加熱效率提升或氣化器100與其他的單元的隔熱可能。氣化容器101為了防止與液體原料的反應，而以石英或SiC等所構成。氣化容器101會因被滴下的液體原料的溫度或氣化熱而溫度降低。因此，為了防止溫度降低，最好以熱傳導率高的材料例如SiC所構成。
在此，加熱如過氧化氫水般沸點不同的2個以上的原料混合的液體原料而使氣化時，即使以比該液體原料的沸點高的溫度來加熱，也會因為液體原料全體未被均一地加熱，僅該液體原料中所含的沸點低的特定的1個原料的氣化會先進展，其他的原料的氣化不會進展。其結果，在被加熱的液體原料中發生其他的原料的濃縮，有可能最終被氣化的氣體的濃度比率發生偏差。
更具體而言，在本實施形態所使用的過氧化氫水是在H2O中含有H2O2，因此其沸點是依H2O2的濃度而不同。例如，H2O2的濃度為34%的過氧化氫水時，大氣壓中的沸點是大概106℃。可是，濃度為100%的過氧化氫水時，沸點大概為150℃。因此，例如若欲以沸騰法來積存於容器的過氧化氫水蒸發氣化，則如上述般，由於容器中的過氧化氫水未被均一地加熱，僅水(H2O)優先蒸發，在過氧化氫水中發生H2O2的濃縮。
因此，本實施形態是藉由比過氧化氫水(具有比水更高的沸點)的沸點更高的溫度，將加熱面上的過氧化氫水全體迅速加熱，藉此防止過氧化氫的濃縮發生。更具體而言，例如使H2O2的濃度為34%的過氧化氫水蒸發氣化時，藉由氣化加熱器103來將氣化容器101加熱至比濃度為34%的過氧化氫水的沸點的106℃高的溫度，在氣化容器101的加熱面滴下該過氧化氫水，藉此在106℃以上迅速地加熱過氧化氫水的液滴，進行氣化。並且，為了更確實地防止H2O2的濃縮，亦可將氣化容器101加熱至比濃度100%的過氧化氫水的沸點的150℃高的溫度，藉此進行過氧化氫水的氣化。
然而，因為H2O2是具有加熱的溫度越高，分解越被促進的性質，所以過氧化氫水的加熱是需要一邊抑制H2O2的濃縮，一邊儘可能以低溫進行。特別是H2O2一旦超過150℃，則分解會被促進。因此，在本實施形態中，氣化加熱器103的溫度會被控制，而使以比預定的濃度的過氧化氫水的沸點高，且H2O2的濃縮不會發生之儘可能低的溫度來加熱過氧化氫水。
(氣體過濾器)
如圖5所示般，氣體過濾器600是具有：與處理氣體供給管289a連接的過濾器容器610，被導入至過濾器容器610的處理氣體通過的過濾器部620，及設在過濾器容器610的外周來加熱過濾器容器610和過濾器部620的過 濾器加熱器630。本實施形態是藉由利用氟樹脂所形成的多孔體來構成過濾器部620。一般藉由加熱器來加熱的多孔體過濾器是利用金屬所形成，但由於在本實施形態是使用H2O2氣體作為處理氣體中所含的反應氣體，所以會有金屬製的過濾器與H2O2氣體反應而發生腐蝕等的情形。因此，本實施形態是利用氟樹脂來形成過濾器部620。
在流動於處理氣體供給管289a內的處理氣體中，由於氣化器100的液體原料的氣化不良或在處理氣體供給管289a內的再液化等，會有含有液滴狀態或霧狀態的液體原料的情況。從處理氣體供給管289a導入至過濾器容器610的處理氣體中所含的液滴狀態或霧狀態的液體原料是藉由通過利用過濾器加熱器630來加熱的過濾器部620而被加熱氣化。特別是可使構成過濾器部的多孔體的孔徑大小以上的液滴或霧有效率地氣化。因此，藉由具備氣體過濾器600，可更確實地防止以液滴狀態或霧狀態來對處理容器203內的晶圓200供給液體原料。過濾器加熱器630是例如經由溫度控制控制器106來控制成所望的溫度(例如50℃~200℃)，在過濾器部620中使處理氣體中的液滴或霧氣化。
(處理氣體加熱部)
如上述般，在晶舟217是設有加熱被供給至處理容器203內的處理氣體的處理氣體加熱部217d。處理氣體加熱部217d是例如具有如圖3所示般的碗型的形狀，在供給 孔501b及供給孔502b的正下面，以處理氣體加熱部217d的面能夠與供給孔501b及供給孔502b對向的方式設置。亦即，以從供給孔501b及供給孔502b導入的處理氣體及含氧氣體的氣體流能夠朝處理氣體加熱部217d的面直接碰觸的方式，構成處理氣體加熱部217d，供給孔501b及供給孔502b。處理氣體加熱部217d是與被載置於晶舟217的晶圓200一起藉由第1加熱部207來加熱。
朝處理氣體加熱部217d的面供給的處理氣體是藉由處理氣體加熱部217d來加熱，該處理氣體加熱部217d是藉由第1加熱部207來加熱至預定的溫度。此時，被供給的處理氣體中所含的液滴狀態或霧狀態的液體原料是藉由加熱來被氣化。藉由設置處理氣體加熱部217d，可在處理氣體即將被供給至晶圓200之前的處理容器203內使液滴或霧氣化，因此可防止對於晶圓200供給液滴狀態或霧狀態的液體原料。
另外，亦可思考不是如本實施形態般加熱氣體狀態的處理氣體(包含液滴或霧)，而是在處理容器203內所設的液體加熱部中加熱液體狀態的液體原料而使氣化。然而，使液體狀態的液體原料氣化時，相較於使氣體狀態的處理氣體中的液滴或霧氣化時，為了使氣化所必要的熱量大，因此隨氣化的溫度降低大。為了予以補償，必須藉由更多的熱量來加熱液體加熱部。此情況，需要設置比第1加熱部207更輸出(功率)大的加熱器，作為加熱液體加熱部的加熱器，但若以如此輸出大的加熱器來加熱 液體加熱部，則會在處理容器203內的溫度分布產生偏差。另一方面，在處理容器203內多段保持複數片的晶圓200來進行基板處理時，最好複數片的晶圓200間的溫度分布為均一。因此，液體狀態下在處理容器203內加熱液體原料時，需要考慮溫度分布偏差的發生，擴大液體加熱部與晶圓200的載置領域的距離。結果，可收容於處理容器203內的晶圓200的片數受限大，會有一次可處理的晶圓200的片數減少的問題。相對於此，本實施形態是以氣化器100來使液體原料氣化而生成處理氣體，在處理容器203內的處理氣體加熱部217d中加熱氣體狀態的處理氣體(包含液滴或霧)。因此，為了在處理氣體加熱部217d使液滴或霧氣化所必要的熱量會比較小，隨氣化的溫度降低少，所以處理容器203內的溫度分布的偏差不易發生。結果，不需要擴大處理氣體加熱部217d與晶圓200的載置領域之間的距離，可收容於處理容器203內的晶圓200的片數不會受限，或可將片數的減少壓到最小限度。
另外，處理氣體加熱部217d的形狀是不限於碗型的形狀，除了單純的板狀的形狀以外，可採用具備加熱被噴射的氣體的面之各種的形狀。並且，處理氣體加熱部217d是不限於藉由晶舟217來支撐的構造，只要被設成從供給孔501b及供給孔502b導入的處理氣體及含氧氣體的氣流會直接碰觸(接觸)即可。例如處理氣體加熱部217d是亦可設成從處理容器203內的頂部部分吊下。 又，頂板217c及處理氣體加熱部217d是亦可作為不同零件設置，或可設為一體(亦即作為一個的零件)。又，處理氣體加熱部217d是不限於藉由第1加熱部207來加熱的形態，亦可構成藉由另外設置的其他的加熱器，例如設在處理容器203的頂部部分的外側的燈加熱器等來加熱。
(氣體濃度計(氣體濃度感測器))
如圖6所示般，氣體濃度計500是具備：腔部540，其係從處理氣體供給管289a導入的處理氣體會通過；發光部520，其係對通過腔部540的處理氣體照射光線，特別是近紅外線；受光部530，其係接受從發光部520照射通過腔部540內的處理氣體的光線；及解析部(氣體濃度算出部)510，其係解析受光部530所接受的光線的分光光譜，算出處理氣體中的H2O2氣體的濃度及H2O氣體的濃度。
解析部510是例如以光纖等來與受光部530連接，實行解析在受光部530所接受的光的分光光譜之處理。在該分析中，分別評價在通過H2O2氣體的光中所固有出現的光譜成分的大小，及在通過H2O氣體的光中所固有出現的光譜成分的大小，藉此分別算出通過腔部540的處理氣體中的H2O2氣體及H2O氣體的濃度值。在解析部510中所被算出的H2O2氣體及H2O氣體的濃度值的資料是被輸 出至控制器121。另外，在本實施形態中，解析部510是構成算出H2O2氣體及H2O氣體的濃度值，但亦可不是氣體的濃度值的本身，而是構成算出表示H2O2氣體及H2O氣體的濃度的其他資料。
(排氣部)
在處理容器203的下方是連接將處理室201內的氣體排氣的氣體排氣管231的一端。氣體排氣管231的另一端是經由氣體濃度計(氣體濃度感測器)600及作為壓力調整器的APC(Auto Pressure Controller)閥255來連接至真空泵246(排氣裝置)。處理室201內是藉由在真空泵246產生的負壓來排氣。另外，APC閥255是可藉由閥的開閉來進行處理室201的排氣及排氣停止的開閉閥。又，亦可為藉由閥開度的調整來調整壓力的壓力調整閥。
並且，作為壓力檢測器的壓力感測器223會被設在APC閥255的上游側。如此，以處理室201內的壓力能夠成為預定的壓力(真空度)之方式，構成真空排氣。在壓力感測器223及APC閥255是電性連接壓力控制控制器224(參照圖8)，壓力控制控制器224是根據藉由壓力感測器223所檢測出的壓力，以處理室201內的壓力能夠成為所望的壓力之方式，構成以所望的時機來控制APC閥255。
排氣部是以氣體排氣管231，APC閥255等所構成。並且，在排氣部中亦可包含氣體濃度計600，壓力 感測器223等。而且，亦可將真空泵246含在排氣部中。
(第2加熱部)
由於第1加熱部207是如上述般設成加熱處理容器203內的晶圓200，因此處理容器203內的晶圓200所被收容的領域是藉由第1加熱部207加熱。然而，處理容器203內的晶圓200的收容領域以外的領域是難以被第1加熱部207加熱。其結果，在處理容器203內的第1加熱部207加熱的領域以外的領域產生低溫領域，會有含H2O2的氣體通過此低溫領域時被冷卻而再液化的情況。
包含H2O2的氣體再液化而產生的液體是一旦積存於處理容器203內的底部(密封蓋219的上面)，則會有與密封蓋219反應而使密封蓋219損傷的情況。並且，會有包含H2O2的氣體再液化而產生的液體在處理容器203內再被氣化而產生再氣化氣體的情況。如上述般，H2O2與H2O的氣化點不同，由於H2O先蒸發而被排氣，因此再氣化氣體與被供給至晶圓200時的氣體作比較，會有H2O2的濃度變高的情況。因此，在產生再氣化氣體的處理容器203內，會有處理氣體中的H2O2的濃度形成不均一的情況。
於是，如圖1，圖2及圖7所示般，在處理爐202設有第2加熱部280，構成可加熱以第1加熱部207所加熱的領域以外的領域。亦即，第2加熱部280會在處理容器203的下部(爐口部周邊)的外側(外周)，設成 同心圓狀地包圍處理容器203的側壁面。
第2加熱部280是構成在處理容器203內的下游側(亦即處理容器203內的隔熱體218所被收容的領域)加熱包含H2O2的氣體，該氣體是朝向排氣部，從處理容器203的上側往下側流動。並且，第2加熱部280是構成加熱密封處理容器203的下端開口的密封蓋219，或處理容器203的下部，被配設在處理容器203內的底部的隔熱體218等構成處理容器203的下部的構件。換言之，晶舟217被裝填於處理室201時，以能夠比底板217b更位於下方的方式配置第2加熱部280。第2加熱部280是例如藉由燈加熱器所構成。
在第2加熱部280電性連接後述的控制器121。控制器121是構成在預定的時機控制往第2加熱部280的供給電力，而使能成為可抑制在處理容器203內的處理氣體(亦即包含H2O2的氣體)的液化那樣的溫度(例如100℃~300℃)。藉由如此地加熱，可防止在爐口部的處理氣體的液化，或至乾燥工程為止所產生的微粒或雜質等附著於爐口部。
又，如上述般，在處理氣體供給噴嘴501a與處理氣體供給管289a之間的連接部分設有氣體口加熱器285，構成加熱通過連接部分的處理氣體。氣體口加熱器285是被控制成所望的溫度，使能在處理氣體供給管289a的內部不產生結露。例如，被控制成50℃~300℃。並且，在氣體排氣管231與處理容器203之間的連接部分設 有排氣管加熱器284。排氣管加熱器284是被控制成所望的溫度，使能在氣體排氣管231的內部不產生結露。例如，被控制成50℃~300℃。
(控制部)
如圖8所示般，控制部(控制手段)的控制器121是構成為具備CPU(Central Processing Unit)121a，RAM(Random Access Memory)121b，記憶裝置121c，I/O埠121d的電腦。RAM121b，記憶裝置121c，I/O埠121d是構成可經由內部匯流排121e來與CPU121a進行資料交換。控制器121是連接例如構成為觸控面板或顯示器等的輸出入裝置122。
記憶裝置121c是例如以快閃記憶體，HDD(Hard Disk Drive)等所構成。在記憶裝置121c內，控制基板處理裝置的動作之控制程式，或記載有後述的基板處理的程序或條件等的製程處方等是可讀出地被儲存。製程處方是使後述的基板處理工程的各程序實行於控制器121，組合成可取得預定的結果，作為程式機能。以下，亦將此製程處方或控制程式等總稱簡稱為程式。又，亦將製程處方簡稱為處方。在本說明書中稱為程式時，有只包含製程處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含其雙方時。又，RAM121b是構成為暫時性地保持藉由CPU121a所讀出的程式或資料等的記憶領域(工作區域)。
I/O埠121d是被連接至上述的LMFC303，MFC601b，602b，閥601a，601d，602a，602d，302，APC閥255，第1加熱部207(207a，207b，207c，207d)，第2加熱部280，第1~第4溫度感測器263a~263d，晶舟旋轉機構267，壓力感測器223，壓力控制控制器224，溫度控制控制器106，處理氣體溫度感測器286，處理氣體壓力感測器287，氣體濃度計500，氣化器加熱器103，配管加熱器289c，過濾器加熱器630，排氣管加熱器284，氣體口加熱器285等。
CPU121a是構成讀出來自記憶裝置121c的控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置122的操作指令的輸入等，從記憶裝置121c讀出處方。CPU121a是構成以能夠按照所被讀出的處方的內容之方式，控制LMFC303之液體原料的流量調整動作，MFC601b、602b之氣體的流量調整動作，閥601a，601d，602a，602d，302、289b的開閉動作，APC閥255的開閉調整動作，及根據第1~第4溫度感測器263a~263d的第1加熱部207的溫度調整動作，第2加熱部280的溫度調整動作，真空泵246的起動及停止，晶舟旋轉機構267的旋轉速度調節動作，經由溫度控制控制器106的氣化器加熱器103，配管加熱器289c，過濾器加熱器630，排氣管加熱器284，氣體口加熱器285的溫度調整動作等。並且，根據處理氣體溫度感測器286，處理氣體壓力感測器287，氣體濃度計500所取得的處理氣體的資料來實行後述的控制動作。
控制器121是可藉由將被儲存於外部記憶裝置(例如，磁帶，軟碟或硬碟等的磁碟，CD或DVD等的光碟，MO等的光磁碟，USB記憶體或記憶卡等的半導體記憶體)123的上述的程式安裝於電腦來構成。記憶裝置121c或外部記憶裝置123是構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等總稱簡稱為記錄媒體。在本說明書中稱記錄媒體時，有只包含記憶裝置121c單體時，只包含外部記憶裝置123單體時，或包含其雙方時。另外，對電腦之程式的提供是亦可不經由外部記憶裝置123，利用網際網際或專線等的通訊手段來進行。
(2)事前處理工程
在此，利用圖9來說明有關在對作為基板的晶圓200實施後述的改質處理之前所被實施的事前處理工程。如圖9所示般，在事前處理工程中，對於晶圓200實施聚矽氮烷塗佈工程T20及預烘工程T30。在聚矽氮烷塗佈工程T20中，藉由塗佈裝置(未圖示)來塗佈聚矽氮烷。在預烘工程T30中，從被塗佈於晶圓200的聚矽氮烷除去溶劑。具體而言，藉由被加熱至70℃~250℃程度來揮發溶劑。加熱是以150℃程度進行為理想。
並且，晶圓200是使用：具有微細構造的凹凸構造，以至少充填於凹部(溝)的方式供給聚矽氮烷，在溝內形成有含矽膜的聚矽氮烷塗佈膜的基板。說明有關在此晶圓200使用含過氧化氫水的氣化氣體的H2O2之氣體 作為處理氣體的例子。另外，在含矽膜中含有氮或氫，依情況，有可能混雜碳或其他的雜質。
另外，在本實施形態的事前處理工程中，將晶圓200搬入至與上述基板處理裝置10不同的處理裝置(未圖示)(基板搬入工程T10)，在該處理裝置內中實施上述的聚矽氮烷塗佈工程T20及預烘工程T30，然後搬出晶圓200(基板搬出工程T40)。但，聚矽氮烷塗佈工程T20及預烘工程T30是亦可分別在不同的裝置中實施。
(3)基板處理工程
接著，利用圖10來說明有關作為本實施形態的半導體裝置的製造工程的一工程實施的基板處理工程。該工程是藉由上述的基板處理裝置10來實施。在本實施形態中，作為該基板處理工程的一例是說明有關使用含H2O2的氣體作為處理氣體，進行將被形成於作為基板的晶圓200上的含矽膜予以改質(氧化)成SiO膜的工程(改質處理工程)的情況。另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置的各部的動作是藉由控制器121來控制。
若過氧化氫(H2O2)與水蒸氣(水，H2O)作比較，則由於活性化能量高，在1分子中所含的氧原子數多，所以氧化力強。因此，藉由使用包含H2O2的氣體作為處理氣體，可使氧原子到達在晶圓200的溝內所形成的膜的深部(溝的底部)。因此，在晶圓200上的膜的表面部與深部之間可使改質處理的程度更均一。亦即，在被形 成於晶圓200的膜的表面部與深部之間可進行更均一的基板處理，可使改質處理後的晶圓200的介電常數等形成均一。並且，可低溫進行改質處理工程，可抑制形成於晶圓200上的電路的性能劣化等。另外，在本實施形態中，將使作為反應物的H2O2氣化或霧化者(亦即氣體狀態的H2O2)稱為H2O2氣體或反應氣體，將至少包含H2O2氣體(反應氣體)的氣體稱為處理氣體，將包含H2O2的液體狀態的水溶液稱為過氧化氫水或液體原料。
(基板搬入工程(S10))
首先，將預先被指定的片數的晶圓200裝填於晶舟217。藉由晶舟升降機來舉起保持複數片的晶圓200的晶舟217而搬入至處理容器203內。在此狀態下，處理爐202的開口部的爐口是成為藉由密封蓋219來密封的狀態。
(壓力‧溫度調整工程(S20))
以處理容器203內能夠成為所望的壓力(真空度)之方式控制真空泵246來將處理容器203內的環境真空排氣。並且，從含氧氣體供給部(供給孔501b)供給含氧氣體至處理容器203。較理想是以含氧氣體加熱部602e來將含氧氣體加熱至100℃~120℃後供給。此時，處理容器203內的壓力是以壓力感測器223來測定，根據此測定的壓力來反餽控制APC閥255的開度(壓力調整)。 處理容器203內的壓力是例如被調整成微減壓狀態(約700hPa~1000hPa)。
以被收容於處理容器203內的晶圓200能夠成為所望的第1溫度例如40℃~100℃之方式藉由第1加熱部207來加熱。此時，以處理容器203內的晶圓200能夠成為所望的溫度之方式，根據第1溫度感測器263a，第2溫度感測器263b，第3溫度感測器263c，第4溫度感測器263d所檢測出的溫度資訊來反餽控制(溫度調整)往第1加熱部207所具備的第1加熱器單元207a，第2加熱器單元207b，第3加熱器單元207c，第4加熱器單元207d的供給電力。此時，控制成第1加熱器單元207a，第2加熱器單元207b，第3加熱器單元207c，第4加熱器單元207d的設定溫度全部成為同溫度。而且，在處理容器203內(特別是處理容器203的下方)，以處理氣體能夠成為不再被液化的溫度之方式控制第2加熱部280。例如，以能夠成為100℃~200℃的方式加熱。
並且，一面加熱晶圓200，一面作動晶舟旋轉機構267，開始晶舟217的旋轉。此時，藉由控制器121來控制晶舟217的旋轉速度。另外，晶舟217是至少至後述的改質處理工程(S30)終了的期間，設為經常使旋轉的狀態。
(改質處理工程(S30))
一旦晶圓200到達預定的第1溫度，晶舟217到達所 望的旋轉速度，則從液體原料供給部300將液體原料(過氧化氫水)供給至氣化器100。亦即，打開閥302，將藉由LMFC303來流量控制的液體原料予以經由滴下噴嘴107供給至氣化容器101內。被供給至氣化器100的液體原料是從滴下噴嘴107滴下至氣化容器101的內側表面的底。氣化容器101是藉由氣化器加熱器103來加熱至所望的溫度(例如180~220℃)，被滴下的液體原料(過氧化氫水)的液滴是藉由接觸於氣化容器101的內側表面來瞬間地加熱蒸發，成為氣體。
並且，打開閥289b，以形成氣體的液體原料(氣化氣體)作為處理氣體，經由排氣口104，處理氣體供給管289a，氣體濃度計500，氣體過濾器600，閥289b，處理氣體供給噴嘴501a，供給孔501b來供給至處理室201內。通過氣體過濾器600的處理氣體是在通過被加熱的過濾器部620時被加熱，處理氣體中所含的液滴狀態或霧狀態的液體原料會被氣化。從供給孔501b導入至處理室201內的處理氣體是藉由處理氣體加熱部217d來更加熱後，供給至晶圓200。處理氣體中所含的H2O2氣體是作為反應氣體與晶圓200的表面的含矽膜氧化反應，藉此將該含矽膜改質成SiO膜。在本工程中將處理氣體供給至晶圓200的期間，如後述般，根據從處理氣體溫度感測器286，處理氣體壓力感測器287，氣體濃度計500取得的資料來控制處理氣體供給部的各構成。
並且，一面對處理容器203內供給處理氣體， 一面藉由真空泵246來將處理容器203內排氣。亦即，打開APC閥255，將經由氣體排氣管231來從處理容器203內排氣的排氣氣體予以藉由真空泵246排氣。然後，經過預定時間後，關閉閥289b，停止往處理容器203內之處理氣體的供給。並且，再經過預定時間後，關閉APC閥255，停止處理容器203內的排氣。
而且，在本實施形態中，雖是記載供給過氧化氫水作為液體原料至氣化器100，而將包含H2O2氣體的處理氣體供給至處理容器203內，但並非限於此，亦可例如使用包含臭氧(O3)的液體或水等作為液體原料。
(乾燥處理工程(S40))
改質處理工程(S30)終了後，使晶圓200昇溫至在預烘工程T30所被處理的溫度以下的預定的第2溫度。第2溫度是被設定成比上述的第1溫度更高的溫度，上述的預烘工程T30的溫度以下的溫度。例如，使昇溫至150℃。昇溫後，保持溫度，使晶圓200及處理容器203內緩和地乾燥。藉由如此地乾燥，可使一面抑制從聚矽氮烷膜離脫的副生成物之氨，氯化銨，碳，氫，及起因於溶媒的排氣等的雜質，以及起因於H2O2的雜質往晶圓200再附著，一面進行晶圓200的乾燥及異物源的除去。
(後烘工程(S50))
乾燥處理工程(S40)終了後，比乾燥處理工程更高 溫昇溫，在包含氮，氧及氬的至少1個以上的環境下處理，藉此可除去殘留於SiO膜中的氫，可改質成氫少之良好的SiO膜。藉由進行後烘工程S50，可使SiO膜的品質提升，但在被要求高品質的氧化膜質的裝置工程(例如STI等)以外，有使製造處理能力優先的情況，此時亦可不進行該後烘工程。
(降溫‧大氣壓恢復工程(S60))
乾燥處理工程(S40)或後烘工程(S50)終了後，打開APC閥255，將處理容器203內真空排氣，藉此可除去殘留於處理容器203內的微粒或雜質。真空排氣後，關閉APC閥255，使處理容器203內的壓力恢復至大氣壓。處理容器203內的壓力會變成大氣壓，經過預定時間後，使降溫成預定的溫度(例如晶圓200的挿入溫度程度)。
(基板搬出工程(S70))
然後，藉由晶舟升降機來使密封蓋219下降，將處理容器203的下端開口，且在將處理完成晶圓200保持於晶舟217的狀態下從處理容器203的下端往處理容器203的外部搬出。然後，處理完成晶圓200由晶舟217取出，終了本實施形態的基板處理工程。
(4)改質處理工程的處理氣體供給部的控制
在氣化器100中，氣化加熱器103的溫度會隨著液體 原料的氣化而降低，因此發生液體原料的氣化不良。一旦發生氣化不良，則會在所被生成的處理氣體中含有液體原料的液滴或霧。該等的液滴或霧是藉由被供給至晶圓200而成為微粒的發生原因，或成為藉由改質處理而取得的氧化膜的品質降低的原因。而且，一旦發生氣化不良，則在氣化容器101內產生的液體原料的積液中會有H2O2的濃縮發生的情形。因為此H2O2的濃縮，一旦在處理氣體中所含的H2O2氣體的濃度發生不均，則會成為妨礙對於晶圓200的安定的改質處理的原因。並且，在處理氣體供給管289a等中處理氣體再液化時也會發生上述的問題。
本實施形態是在改質處理工程S30的處理氣體供給時，根據在處理氣體溫度感測器286所取得之流動於處理氣體供給管289a內的處理氣體的溫度資料，在處理氣體壓力感測器287所取得之流動於處理氣體供給管289a內的處理氣體的壓力資料，在氣體濃度計500所取得之流動於處理氣體供給管289a內的處理氣體中的特定的氣體的濃度值的至少任一個，將在氣化器100中發生氣化不良的情形或發生氣化不良的可能性高的狀態通知使用者。並且，在改質處理工程S30的處理氣體供給時，根據處理氣體的溫度資料，壓力資料，濃度值的至少任一個來控制處理氣體供給部的各構成，藉此抑制氣化不良的發生或再液化的發生。具體而言實行以下的控制。
(A)根據處理氣體溫度感測器286的溫度資料的控制
在處理氣體被供給的過程的途中，當從氣化器100送出的處理氣體的溫度降低時，可推測在氣化器100中發生液體原料的氣化不良，或發生氣化不良的可能性高。並且，因為處理氣體的溫度降低，在處理氣體供給管289a等中，處理氣體再液化的可能性變高。因此，控制器121是當判定成從處理氣體溫度感測器286取得的處理氣體供給管289a內的處理氣體的溫度比預定的溫度值或溫度帶更低時，將在氣化器100中發生氣化不良的情形或發生氣化不良的可能性高的狀態，例如藉由輸出入裝置122來通知使用者，或作為記錄表記錄於記錄裝置121c。
而且，如圖11A所示般，當判定成取得的處理氣體的溫度比預定的溫度帶(第1溫度以上，第2溫度以下的範圍)更低時(S101)，控制器121是經由溫度控制控制器106來控制氣化器100的氣化加熱器103，使氣化加熱器103的溫度以預定的幅度上昇(S102)。藉此，氣化器100的液體原料的氣化不良會被改善或解除。預定的溫度帶是例如150℃以上200℃以下的範圍。若處理氣體的溫度為100%H2O2的沸點之150℃以上的溫度，則一般液體原料的氣化不良不發生，且處理氣體的再液化也不發生。並且，氣化加熱器103是被控制成氣化加熱器103的溫度會例如成為180℃以上220℃以下的範圍。
另一方面，在本實施形態中作為含在處理氣體中的反應氣體使用的H2O2氣體是如上述般，具有溫度越高，分解越被促進的性質。並且，在改質處理工程對於晶 圓200的處理溫度，為了將對於形成於晶圓200上的裝置等的熱損傷形成最小限度，最好為更低的溫度。因此，當判定成所取得的處理氣體的溫度比預定的溫度帶更高時(S101)，控制器121使氣化器100的氣化加熱器103的溫度以預定的幅度下降(S103)。
並且，在氣化器100中發生液體原料的氣化不良時，有時藉由增加供給至氣化器100的載體氣體的流量來改善或解除氣化不良。因此，當判定成被取得的處理氣體的溫度比預定的溫度帶更低時(S101)，控制器121是亦可控制MFC601b(控制被供給至氣化器100的載體氣體的流量)，使載體氣體的供給量以預定的幅度增大(S102)。但，當使載體氣體的流量變化時，有被生成的處理氣體中的H2O2氣體的濃度變化的情形。為了對於晶圓200的安定的改質處理，最好H2O2氣體的濃度為一定。因此，最好比使載體氣體流量變化的控制更優先進行使氣化加熱器103的溫度變化的控制。並且，MFC601b被控制使載體氣體的流量能夠成為預定流量以下的範圍。
並且，在氣化器100中發生液體原料的氣化不良時，藉由減少被供給至氣化器100的液體原料的流量，可改善或解除氣化不良。因此，當判定成所取得的處理氣體的溫度比預定的溫度帶更低時(S101)，控制器121是亦可控制LMFC303(控制被供給至氣化器100的液體原料的流量)來使液體原料的供給量以預定的幅度減少(S102)。但，使液體原料的流量變化時，被生成的處理 氣體中的H2O2氣體的濃度，及H2O2氣體本身的供給量會變化。為了對於晶圓200的安定的改質處理，最好H2O2氣體的濃度及供給量為一定。並且，使液體原料的流量變化時，有氣化加熱器103的溫度也變化的情形。因此，最好比使液體原料的流量變化的控制更優先進行使載體氣體流量變化的控制或使氣化加熱器103的溫度變化的控制。
另外，判定成所被取得的處理氣體的溫度比預定的溫度帶更高時(S101)，控制器121亦可使被供給至氣化器100的載體氣體的供給量以預定的幅度增大，或使被供給至氣化器100的液體原料的供給量以預定的幅度增加(S103)。但，如上述般，最好H2O2氣體的濃度及供給量為一定，因此比使液體原料的流量變化的控制及使載體氣體流量變化的控制更優先進行使氣化加熱器103的溫度變化的控制。
上述S102的氣化加熱器103的溫度控制，載體氣體的供給量控制及液體原料的供給量控制是亦可分別單獨實施，且亦可同時或以不同的時機實施該等的控制的2個以上。同樣，上述S103的載體氣體的供給量控制及液體原料的供給量控制是亦可分別單獨實施，且亦可同時或以不同的時機實施該等的控制。
並且，所被取得的處理氣體的溫度比預定的溫度帶更低時，為了防止處理氣體的再液化，控制器121是亦可控制成使配管加熱器289c，過濾器加熱器630，氣體口加熱器285的至少任一個的溫度以預定的幅度上昇。
(B)根據處理氣體壓力感測器287的壓力資料的控制
在處理氣體被供給的過程的途中，當從氣化器100送出的處理氣體供給管289a內的處理氣體的壓力未安定時，可推測在氣化器100中發生液體原料的氣化不良發生。因此，控制器121是當判定成從處理氣體壓力感測器287取得的處理氣體的壓力值在預定時間的期間相對於成為基準的預定的壓力值(基準壓力值)成為預定的比率以下的值之狀態繼續時，將在氣化器100中發生氣化不良的情形或發生氣化不良的可能性高的狀態，例如藉由輸出入裝置122來通知使用者，或作為記錄表記錄於記錄裝置121c。另外，處理氣體的壓力是依處理氣體的流量或濃度等的條件也會變動。因此，例如最好預先將對應於載體氣體供給量的基準壓力值作為表保持，藉由參照該表來逐次決定在作為載體氣體流量控制部的MFC601b所被控制之對應於各時間點的載體氣體供給量的基準壓力值。
並且，控制器121是當判定成從處理氣體壓力感測器287取得的處理氣體的壓力值在預定時間的期間相對於基準壓力值成為偏離預定的比率的範圍的值之狀態繼續時，當作在氣化器100中發生氣化不良的情形，或發生氣化不良的可能性高的狀態，亦可實行同樣的處理。例如，一旦所被取得的處理氣體的壓力值偏離以基準壓力值為中心，±0.5%~±2%的範圍(亦即變化幅度是以基準壓力值為中心，1%~4%的範圍)的狀態在30秒~60秒以 上的期間繼續的情形被檢測得知，則上述的處理會被進行。並且，控制器121是在判定成從處理氣體壓力感測器287取得的處理氣體的壓力值之相對於基準壓力值的每預定時間的變化量或變化率為預定值以上時，或判定成所被取得的處理氣體的壓力偏離基準壓力值或以基準壓力值為中心的預定的壓力帶時，當作在氣化器100中發生氣化不良的情形，或發生氣化不良的可能性高的狀態，亦可實行同樣的處理。
而且，如圖11B所示般，當判定成所被取得的處理氣體的壓力值在預定時間的期間相對於基準壓力值成為預定的比率(第1壓力比率)以下的值之狀態繼續時(S111)，控制器121是經由溫度控制控制器106來控制氣化器100的氣化加熱器103，使氣化加熱器103的溫度以預定的幅度上昇(S112)。例如，一旦所被取得的處理氣體的壓力值相對於基準壓力值成為0.5%~2%以上低的值(亦即98%~99.5%以下的值)之狀態在30秒~60秒以上的期間繼續的情形被檢測得知，則S112的控制會被進行。在本實施形態中，一旦檢測得知被取得的處理氣體的壓力值相對於基準壓力值成為1%以上低的值(亦即99%以下的值)之狀態在30秒以上的期間繼續，則控制器121是進行S112的控制。藉此，氣化器100之液體原料的氣化不良會被改善或解除。氣化加熱器103是被控制成氣化加熱器103的溫度會例如成為180℃以上220℃以下的範圍內。
並且，在氣化器100中發生液體原料的氣化不良時，有時藉由增加被供給至氣化器100的載體氣體的流量，可改善或解除氣化不良。因此，當判定成所被取得的處理氣體的壓力值在預定時間的期間相對於基準壓力值成為預定的比率(第1壓力比率)以下的值之狀態繼續時(S111)，控制器121是亦可控制MFC601b(控制被供給至氣化器100的載體氣體的流量)，使載體氣體的供給量以預定的幅度增大(S112)。但，使載體氣體的流量變化時，會有所被生成的處理氣體中的H2O2氣體的濃度變化的情形。並且，不論有無氣化不良，所被取得的處理氣體的壓力會變化，因此根據處理氣體的壓力之控制難。所以，最好比使載體氣體流量變化的控制更優先進行使氣化加熱器103的溫度變化的控制。並且，MFC601b是被控制成載體氣體的流量會成為預定流量以下的範圍。
並且，在氣化器100中發生液體原料的氣化不良時，藉由減少被供給至氣化器100的液體原料的流量，可改善或解除氣化不良。因此，當判定成所被取得的處理氣體的壓力值在預定時間的期間相對於基準壓力值成為預定的比率(第1壓力比率)以下的值之狀態繼續時(S111)，控制器121是亦可控制LMFC303(控制被供給至氣化器100的液體原料的流量)，使液體原料的供給量以預定的幅度減少。但，使液體原料的流量變化時，所被生成的處理氣體中的H2O2氣體的濃度，及H2O2氣體本身的供給量會變化。因此，最好比使液體原料的流量變化 的控制更優先進行使載體氣體流量變化的控制或使氣化加熱器103的溫度變化的控制。
另一方面，一旦處理氣體的壓力上昇，則相對地處理氣體的再液化(結露)會容易發生。因此，為了抑制再液化的發生，當判定成所被取得的處理氣體的壓力值在預定時間的期間相對於基準壓力值成為預定的比率(第2壓力比率)以下的值之狀態繼續時(S111)，控制器121控制MFC601b(控制被供給至氣化器100的載體氣體的流量)，使載體氣體的供給量以預定的幅度減少(S113)。更亦可控制LMFC303(控制被供給至氣化器100的液體原料的流量)，使液體原料的供給量以預定的幅度減少(S113)。例如，一旦被取得的處理氣體的壓力值相對於基準壓力值成為0.5%~2%以上高的值(亦即100.5%~102%以上的值)之狀態在30秒~60秒以上的期間繼續的情形被檢測得知，則進行S113的控制。在本實施形態中，一旦檢測得知所被取得的處理氣體的壓力值相對於基準壓力值成為1%以上高的值之狀態在30秒以上的期間繼續，則控制器121進行S113的控制。
另外，在本實施形態中，當在S111取得的處理氣體的壓力值成為第1壓力比率以下時，進行上述S112的氣化加熱器103的溫度控制，載體氣體的供給量控制及液體原料的供給量控制的至少任一個，但亦可按照各控制來個別設定預定的比率。並且，上述S112的氣化加熱器103的溫度控制，載體氣體的供給量控制及液體原 料的供給量控制是亦可分別單獨實施，或亦可同時或在不同的時機實施該等的控制的2個以上。同樣，上述S113的載體氣體的供給量控制及液體原料的供給量控制是亦可分別單獨實施，或亦可同時或在不同的時機實施該等的控制。
又，控制器121是當判定成從處理氣體壓力感測器287取得的處理氣體的壓力值在預定時間的期間相對於基準壓力值成為偏離預定的比率的範圍的值之狀態繼續時，當作在氣化器100中發生氣化不良的情形，或氣化不良發生的可能性高的狀態，亦可實行S112的控制。並且，控制器121是在判定成從處理氣體壓力感測器287取得的處理氣體的壓力值之相對於基準壓力值的每預定時間的變化量或變化率為預定值以上時，或判定成所被取得的處理氣體的壓力偏離基準壓力值或以基準壓力值為中心的預定的壓力帶時，當作在氣化器100中發生氣化不良的情形，或發生氣化不良的可能性高的狀態，亦可實行S112的控制。
又，當被取得的處理氣體的溫度比預定的壓力帶更高時，為了防止處理氣體的再液化，控制器121是亦可控制成使配管加熱器289c，過濾器加熱器630，氣體口加熱器285的至少任一溫度以預定的幅度上昇。
(C)根據濃度計500的濃度值資料的控制
在處理氣體被供給的過程的途中，當從氣化器100送 出的處理氣體中的反應氣體濃度值(亦即H2O2氣體的濃度值)未安定時，推測在氣化器100中發生液體原料的氣化不良。因此，控制器121是當判定成從濃度計500取得的處理氣體供給管289a內的處理氣體中的反應氣體的濃度值在預定時間的期間相對於成為基準的預定的濃度值(基準濃度值)成為預定的比率以下的值之狀態繼續時，將在氣化器100中發生氣化不良的情形或發生氣化不良的可能性高的狀態，例如藉由輸出入裝置122來通知使用者，或作為記錄表記錄於記錄裝置121c。另外，處理氣體中的反應氣體的濃度值是依載體氣體的流量等的條件也會變動。因此，例如最好預先將對應於載體氣體供給量的基準濃度值作為表保持，藉由參照該表來逐次決定在作為載體氣體流量控制部的MFC601b所被控制之對應於各時間點的載體氣體供給量的基準濃度值。並且，控制器121是當判定成所被取得的處理氣體中的反應氣體的每預定時間的濃度降低量為預定值以上繼續時，或判定成所被取得的處理氣體中的反應氣體濃度值為預定的濃度值或比預定的濃度值的範圍的值更低時，當作在氣化器100中發生氣化不良的情形，或氣化不良發生的可能性高的狀態，亦可實行同樣的處理。
而且，如圖11C所示般，當判定成所被取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值在預定時間的期間相對於基準濃度值成為預定的比率(第1濃度比率)以下的值之狀態繼續時(S121)，控制器121是經由溫度控制控制器 106來控制氣化器100的氣化加熱器103，使氣化加熱器103的溫度以預定的幅度上昇(S122)。例如，一旦被取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值相對於基準濃度值成為5%~15%以上低的值(亦即85%~95%以下的值)之狀態在30秒~60秒以上的期間繼續的情形被檢測得知，則S122的控制會被進行。在本實施形態中，一旦檢測得知所被取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值相對於基準濃度值成為10%以上低的值(亦即90%以下的值)之狀態在30秒以上的期間繼續，則控制器121進行S122的控制。藉此，氣化器100的液體原料的氣化不良會被改善或解除。並且，氣化加熱器103是被控制成氣化加熱器103的溫度會例如成為180℃以上220℃以下的範圍。
並且，在氣化器100中發生液體原料的氣化不良時，有時藉由增加被供給至氣化器100的載體氣體的流量來改善或解除氣化不良。因此，當判定成所被取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值在預定時間的期間相對於基準濃度值成為預定的比率(第1濃度比率)以下的值之狀態繼續時(S121)，控制器121亦可控制MFC601b(控制被供給至氣化器100的載體氣體的流量)，使載體氣體的供給量以預定的幅度增大(S122)。但，使載體氣體的流量變化時，所被生成的處理氣體中的H2O2氣體的濃度會有變化的情形。並且，不論氣化不良的有無，所被取得的處理氣體中的反應氣體濃度值會變化，因此根據氣體濃度值的控制難。因此，最好比使載體氣體流量變化的控制 更優先進行使氣化加熱器103的溫度變化的控制。並且，控制MFC601b，使載體氣體的流量能夠成為預定流量以下的範圍。
並且，在氣化器100中發生液體原料的氣化不良時，可藉由減少被供給至氣化器100的液體原料的流量來改善或解除氣化不良。因此，當判定成所被取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值在預定時間的期間相對於基準濃度值成為預定的比率(第1濃度比率)以下的值之狀態繼續時(S121)，控制器121亦可控制LMFC303(控制被供給至氣化器100的液體原料的流量)，使液體原料的供給量以預定的幅度減少(S122)。但，使液體原料的流量變化時，所被生成的處理氣體中的H2O2氣體的濃度及H2O2氣體本身的供給量會變化。因此，最好比使液體原料的流量變化的控制更優先進行使載體氣體流量變化的控制或使氣化加熱器103的溫度變化的控制。
另一方面，一旦處理氣體中的反應氣體濃度值上昇，則相對的處理氣體的再液化(結露)容易發生。並且，處理氣體中的反應氣體濃度值，為了安定的基板處理，最好為預定的濃度值的範圍內。因此，為了抑制再液化的發生，當判定成所被取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值在預定時間的期間相對於基準濃度值成為預定的比率(第2濃度比率)以上的值之狀態繼續時(S121)，控制器121是控制MFC601b(控制被供給至氣化器100的載體氣體的流量)，使載體氣體的供給量以預定的幅度增 大(S123)。而且，亦可控制LMFC303(控制被供給至氣化器100的液體原料的流量)，使液體原料的供給量以預定的幅度減少(S123)。例如，一旦所被取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值相對於基準濃度值成為5%~15%以上高的值(亦即105%~115%以上的值)之狀態在30秒~60秒以上的期間繼續的情形被檢測得知，則S123的控制會被進行。在本實施形態中，一旦檢測得知所被取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值相對於基準濃度值成為10%以上高的值(亦即110%以上的值)之狀態在30秒以上的期間繼續，則控制器121進行S123的控制。
在本實施形態中，當在S121取得的處理氣體中的反應氣體的濃度值成為第1濃度比率以下時，進行上述S122的氣化加熱器103的溫度控制，載體氣體的供給量控制及液體原料的供給量控制的至少任一個，但亦可按照各控制來個別設定預定的比率。並且，上述S122的氣化加熱器103的溫度控制，載體氣體的供給量控制及液體原料的供給量控制是亦可分別單獨實施，或亦可同時或在不同的時機實施該等的控制的2個以上。同樣，上述S123的載體氣體的供給量控制及液體原料的供給量控制是亦可分別單獨實施，或亦可同時或在不同的時機實施該等的控制。
又，當被取得的處理氣體中的反應氣體濃度值比預定的濃度值的範圍的值更高時，為了防止處理氣體的再液化，控制器121亦可控制成使配管加熱器289c，過 濾器加熱器630，氣體口加熱器285的至少任一個的溫度以預定的幅度上昇。
另外，上述的控制動作是最好被適用在氣化加熱器103的溫度或載體氣體的供給量或液體原料的供給量被適當地設定，使在處理氣體供給開始的初期狀態，所被取得的處理氣體的溫度，壓力，濃度值能夠進入使用者所定的預定範圍的值之情況。例如，在上述的改質處理工程S30中，從處理氣體的供給開始後，經過一定時間以上，處理氣體的生成安定之後，開始上述的控制，藉此容易檢測出氣化器100的氣化不良的發生，且解除或迴避氣化不良的控制變容易。
另外，上述的(A)~(C)所示的控制是亦可分別單獨實施，或同時或在不同的時機實施該等的控制的2個以上。例如，控制器121是亦可根據取得的處理氣體的溫度及壓力來進行(A)及(B)所示的控制。此時，優先實施(A)所示的控制為理想。又，例如，控制器121是亦可根據取得的處理氣體的溫度及濃度值來進行(A)及(C)所示的控制。此時，優先實施(A)所示的控制為理想。
若根據本實施形態，則可取得以下所示的1個或複數的效果。
(a)藉由利用處理氣體溫度感測器286來檢測出從氣化器100送出之處理氣體的溫度降低，可掌握氣化器100的液體原料的氣化不良發生的情形，或發生的可能性 高的狀態，或處理氣體再液化的可能性高的狀態，進行對使用者的通知等。
(b)又，藉由根據利用處理氣體溫度感測器286所取得之從氣化器100送出的處理氣體的溫度來控制氣化器100的參數(氣化加熱器103的溫度，載體氣體流量，液體原料的流量)，可解除氣化器100的液體原料的氣化不良，或抑制氣化不良的發生，又，可抑制在處理氣體供給管289a內等的再液化。
(c)藉由利用處理氣體壓力感測器287來檢測出從氣化器100送出的處理氣體供給管289a內的處理氣體的壓力降低，可掌握在氣化器100中發生液體原料的氣化不良的情形，或發生的可能性高的狀態，進行對使用者的通知等。
(d)又，藉由根據利用處理氣體壓力感測器287所取得之從氣化器100送出的處理氣體供給管289a內的處理氣體的壓力來控制氣化器100的參數(氣化加熱器103的溫度，載體氣體流量，液體原料的流量)，可解除氣化器100的液體原料的氣化不良，或抑制氣化不良的發生。
(e)藉由利用氣體濃度計500來檢測出從氣化器100送出之處理氣體中的反應氣體濃度值的降低，可掌握在氣化器100中發生液體原料的氣化不良的情形，或發生的可能性高的狀態，進行對使用者的通知等。
(f)又，藉由根據利用氣體濃度計500所取 得之從氣化器100送出的處理氣體中的反應氣體濃度值來控制氣化器100的參數(氣化加熱器103的溫度，載體氣體流量，液體原料的流量)，可解除氣化器100的液體原料的氣化不良，或抑制氣化不良的發生。
(g)更藉由在處理容器203內設置處理氣體加熱部217d，可在處理氣體即將被供給至晶圓200之前的處理容器203內使液滴或霧氣化，因此可防止對於晶圓200供給液滴狀態或霧狀態的液體原料。
<本發明的其他的實施形態>
以上，具體說明本發明的實施形態，但本發明並非限於上述的實施形態，亦可在不脫離其主旨的範圍實施各種變更。
在上述的實施形態中是說明有關使用包含H2O2氣體的氣體作為處理氣體的情況，但並非限於此。亦即，處理氣體是只要使在常溫下為固體或液體的原料(反應物)溶解於溶媒的溶液(液體狀態的反應物)氣化的氣體即可。又，若原料(反應物)的氣化點與溶媒的氣化點不同，則可容易取得上述實施形態的效果。又，處理氣體的氣化氣體是不限於一旦再液化則原料的濃度變高者，亦可為一旦再液化則原料的濃度變低者。即使是如此的處理氣體，也可使在處理容器203內的處理氣體的濃度形成均一。例如，亦可使用將水加熱而使產生的水蒸氣(H2O)。
另外，在上述的處理氣體中所含的H2O2氣體是除了H2O2分子單體的狀態的情況以外，也包含幾個的H2O2分子結合的群集狀態的情況。並且，在由過氧化氫水來生成包含H2O2的氣體時，不是僅使分裂至H2O2分子單體的情況，亦有使分裂至幾個的H2O2分子結合的群集狀態的情況。並且，只要是在作為處理結果的氧化膜的品質中所被容許的範圍，會有即使是上述的群集幾個集合成的霧(霧)狀態亦可的情況。
並且，利用使作為液體原料的水(H2O)氣化的氣體(水蒸氣)作為處理氣體時，被供給至晶圓200上的水蒸氣是除了H2O分子單體的狀態的情況以外，也包含幾個的H2O分子結合的群集狀態的情況。而且，將水從液體狀態形成氣體狀態時，不僅使分裂至H2O分子單體的情況，也有使分裂至幾個的H2O分子結合的群集狀態的情況。並且，只要是在作為處理結果的氧化膜的品質中所被容許的範圍，會有即使是上述的群集幾個集合成的霧(霧)狀態亦可的情況。
又，上述的實施形態中是顯示處理形成聚矽氮烷膜的晶圓200的例子，但並非限於此。例如，在處理形成具有矽氮烷結合(-Si-N-)的膜的晶圓200時也同樣可適用本發明。例如，在對於使用六甲基二矽氮烷(HMDS)，六甲基環三矽氧烷(HMCTS)，聚硼碳矽氮烷，聚有機矽氨烷的塗佈膜之處理中亦可適用本發明。
又，上述中是顯示處理具有矽氮烷結合的膜被 旋轉塗佈且被預烘的晶圓200的例子，但並非限於此，即使是以CVD法形成且未被預烘的含矽膜，例如藉由使用甲矽烷(SiH4)氣體或三矽烷胺(TSA)氣體等的矽原料之CVD法，即使是含矽膜，也可同樣使氧化。作為根據CVD法之含矽膜的形成方法是特別可使用流動性CVD法。藉由流動性CVD法，例如可將長寬比大的縫隙以含矽膜充填，對於被充填的含矽膜進行本發明的氧化處理或退火處理。
並且，在上述的實施形態中是說明有關具備縱型處理爐的基板處理裝置，但並非限於此，例如亦可將本發明適用在具有單片式，Hot Wall型，Cold Wall型的處理爐之基板處理裝置，或使處理氣體激發來處理晶圓200之基板處理裝置中。
〔產業上的利用可能性〕
若根據本發明，則即使在低溫條件中，也可抑制處理裝置內的處理氣體的液滴化或霧化等的發生，使藉由處理氣體來處理的基板上所被形成的膜的特性提升。

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具有：處理室，其係收容基板；氣化器，其係使液體原料氣化而生成過氧化氫氣體，與載體氣體一起作為處理氣體送出的氣化器，具備：前述液體原料會被氣化的氣化容器，將前述液體原料導入至前述氣化容器內的液體原料導入部，將前述載體氣體導入至前述氣化容器內的載體氣體導入部，及構成可加熱被導入至前述氣化容器內的前述液體原料的加熱器；載體氣體供給控制部，其係構成可控制被供給至前述氣化器的前述載體氣體的供給量；液體原料供給控制部，其係構成可控制被供給至前述氣化器的前述液體原料的供給量；處理氣體供給管，其係將從前述氣化器送出的前述處理氣體導入至前述處理室內；及氣體濃度感測器，其係檢測出從前述氣化器送出至前述處理氣體供給管內的前述處理氣體中所含的前述過氧化氫氣體的氣體濃度。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具有控制部，其係構成取得在前述氣體濃度感測器所檢測出的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，根據取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，來判定被供給至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化狀態。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述控制部係構成當前述取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度在預定時間的期間相對於成為基準的預定的濃度值，為預定的比率以下的值之狀態繼續時，判定成發生被供給至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化不良。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述控制部係構成當判定成發生被供給至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化不良時，控制顯示裝置，將氣化不良發生之事通知使用者。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述控制部係構成當判定成發生被供給至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化不良時，控制記錄裝置，記錄氣化不良發生之事。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具有控制部，其係構成取得在前述氣體濃度感測器所檢測出的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，根據取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，進行(a)控制前述加熱器，調整前述加熱器的溫度，(b)控制前述載體氣體供給控制部，調整前述載體氣體的供給量，(c)控制前述液體原料供給控制部，調整前述液體原料的供給量之中的一方的控制。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部係構成當前述取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度在預定時間的期間相對於成為基準的預定的濃度值，為預定的比率以下的值之狀態繼續時，進行(a)控制前述載體氣體供給控制部，使前述載體氣體的供給量增加，(b)控制前述液體原料供給控制部，使前述液體原料的供給量減少之中的一方的控制。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具有控制部，其係構成取得在前述氣體濃度感測器所檢測出的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，當前述取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度在預定時間的期間相對於成為基準的預定的濃度值，為預定的比率以上的值之狀態繼續時，控制前述液體原料供給控制部，使前述液體原料的供給量減少。
  9. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有利用基板處理裝置來處理前述基板之工程，該基板處理裝置係具有：處理室，其係收容基板；氣化器，其係使液體原料氣化而生成過氧化氫氣體，與載體氣體一起作為處理氣體送出的氣化器，具備：前述液體原料會被氣化的氣化容器，將前述液體原料導入至前述氣化容器內的液體原料導入部，將前述載體氣體導入至前述氣化容器內的載體氣體導入部，及構成可加熱被導入至前述氣化容器內的前述液體原料的加熱器；處理氣體供給管，其係將從前述氣化器送出的前述處理氣體導入至前述處理室內；及氣體濃度感測器，其係檢測出從前述氣化器送出至前述處理氣體供給管內的前述處理氣體中所含的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，處理前述基板的工程係包含：將前述基板搬入至前述處理室內的工程；從前述液體原料導入部，將前述液體原料及前述載體氣體供給至前述氣化器內，藉由前述加熱器來加熱被供給至前述氣化器內的前述液體原料，而使氣化來生成前述處理氣體的工程；經由前述處理氣體供給管來將在前述氣化器內所生成的前述處理氣體導入至前述處理室內的工程；及取得在前述氣體濃度感測器所被檢測出的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，根據取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，判定被供給至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化狀態的工程。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法，其中，在判定前述液體原料的氣化狀態的工程中，當前述取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度在預定時間的期間相對於成為基準的預定的濃度值，為預定的比率以下的值之狀態繼續時，判定成發生被導入至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化不良。
  11. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法，其中，在判定前述液體原料的氣化狀態的工程中，當判定成發生被導入至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化不良時，至少(a)藉由顯示裝置來通知使用者發生氣化不良之事，或(b)藉由記錄裝置來記錄發生氣化不良之事。
  12. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法，其中，在判定前述液體原料的氣化狀態的工程中，當判定成發生被導入至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化不良時，進行(a)調整前述加熱器的溫度，(b)調整前述載體氣體的供給量，(c)調整前述液體原料的供給量之中的任一方。
  13. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法，其中，在判定前述液體原料的氣化狀態的工程中，當前述取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度在預定時間的期間相對於成為基準的預定的濃度值，為預定的比率以下的值之狀態繼續時，進行(a)使前述載體氣體的供給量增加，(b)使前述液體原料的供給量減少之中的任一方。
  14. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法，其中，在判定前述液體原料的氣化狀態的工程中，當前述取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度在預定時間的期間相對於成為基準的預定的濃度值，為預定的比率以上的值之狀態繼續時，使前述液體原料的供給量減少。
  15. 一種電腦可讀取的記錄媒體，係記錄了藉由電腦來使預定的程序實行於基板處理裝置之程式，其特徵為：前述基板處理裝置係具有：處理室，其係收容基板；氣化器，其係使液體原料氣化而生成過氧化氫氣體，與載體氣體一起作為處理氣體送出的氣化器，具備：前述液體原料會被氣化的氣化容器，將前述液體原料導入至前述氣化容器內的液體原料導入部，將前述載體氣體導入至前述氣化容器內的載體氣體導入部，及構成可加熱被導入至前述氣化容器內的前述液體原料的加熱器；處理氣體供給管，其係將從前述氣化器送出的前述處理氣體導入至前述處理室內；及氣體濃度感測器，其係檢測出從前述氣化器送出至前述處理氣體供給管內的前述處理氣體中所含的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，前述預定的程序係具有：將前述基板搬入至前述處理室內的程序；從前述液體原料導入部，將前述液體原料及前述載體氣體供給至前述氣化器內，藉由前述加熱器來加熱被供給至前述氣化器內的前述液體原料，而使氣化來生成前述處理氣體的程序；經由前述處理氣體供給管來將在前述氣化器內所生成的前述處理氣體導入至前述處理室內的程序；及取得在前述氣體濃度感測器所檢測出的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，根據取得的前述過氧化氫氣體的氣體濃度，判定被供給至前述氣化容器內的前述液體原料的氣化狀態的程序。
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