KR101661178B1 - 기판 프로세싱 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 프로세싱 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 프로세싱 장치는, 기판 프로세싱 장치로서, 챔버(101) 내에 기판 프로세싱 가스를 공급하는 가스 인릿(inlet; 300); 챔버(101) 내의 기판 프로세싱 가스를 외부로 배출하는 가스 아웃릿(outlet; 400); 챔버(101) 내에 배치되며 챔버(101) 내부를 가열하는 히터(200); 및 챔버(101)의 외측면에 배치되며 챔버벽의 온도를 제어하는 온도 컨트롤러(500)를 포함하며, 온도 컨트롤러(500)는, 상기 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 챔버(101)의 내벽에 응축되지 않도록, 챔버(101)의 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 프로세싱 장치{APPARATUS FOR PROCESSING WAFER}
본 발명은 기판 프로세싱 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 챔버벽의 온도를 제어하는 온도 컨트롤러를 구비하여, 챔버의 내벽에 기판 프로세싱 가스 또는 휘발성 물질이 챔버의 내벽에 응축되지 않도록 챔버의 내벽의 온도를 소정의 온도로 유지할 수 있는 기판 프로세싱 장치에 관한 것이다.
표시 장치 또는 반도체 소자 제조시 사용되는 기판 프로세싱 장치에서 기판이 프로세싱되는 챔버 내부에는 많은 양의 가스가 공급 및 배출될 수 있다. 이러한 가스는 기판 상에 박막을 형성하거나, 기판 상의 박막에 패턴을 형성하거나, 챔버 내부의 분위기를 환기시키는 등의 목적으로 챔버에 내부에 공급되고, 챔버로부터 외부로 배출될 수 있다.
기판 프로세싱 과정 중에 챔버 내부로 공급되는 가스 또는 기판으로부터 휘발되는 가스로부터 챔버 내벽이 오염될 수 있다. 기판 프로세싱 공정 중에 챔버 내부는 소정의 공정 온도 및 공정 압력을 유지해야 할 필요성이 있으며, 이때 챔버 외부와 챔버 내부의 온도 및 압력 차이 때문에 가스가 챔버 내벽에 응축되는 현상이 발생할 수 있다. 응축된 가스는 반복되는 기판 프로세싱 공정에 있어서 증발 및 응축을 반복하거나, 다른 화학 성분의 가스와 반응하거나, 특정 온도 환경 하에서 변질됨으로써 챔버 내벽을 더욱 오염시킬 수 있다.
결국, 종래의 기판 프로세싱 장치는, 챔버 내벽의 오염된 물질이 이후의 기판 프로세싱 과정 중에 재증발하여 기판 상에 유입되어 기판을 오염시키므로, 제품의 신뢰성이 저하되고, 수율을 하락시키는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 기판 프로세싱 장치는, 챔버 내벽에 오염된 물질을 세정하거나, 챔버벽 자체를 교체해야 하는 문제가 발생하므로, 제품의 생산 비용이 증대되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 챔버 내벽에 가스가 응축되지 않도록 챔버 내벽을 소정의 온도로 유지할 수 있는 기판 프로세싱 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 챔버 내벽을 오염되지 않게 유지함으로써, 제품의 신뢰성 및 수율을 증대시킬 수 있는 기판 프로세싱 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치는, 기판 프로세싱 장치로서, 상기 챔버 내에 기판 프로세싱 가스를 공급하는 가스 인릿(inlet); 상기 챔버 내의 기판 프로세싱 가스를 외부로 배출하는 가스 아웃릿(outlet); 상기 챔버 내에 배치되며 상기 챔버 내부를 가열하는 히터; 및 상기 챔버의 외측면에 배치되며 챔버벽의 온도를 제어하는 온도 컨트롤러를 포함하며, 상기 온도 컨트롤러는, 상기 물질이 상기 챔버의 내벽에 응축되지 않도록, 상기 챔버의 상기 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 휘발성 물질 응축방지 방법은, 기판 프로세싱 장치에서, 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 상기 챔버의 내벽에 응축되지 않도록, 챔버벽의 온도를 제어하는 온도 컨트롤러가 상기 챔버의 상기 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 챔버 내벽을 소정의 온도로 유지함으로써, 챔버 내벽에 가스가 응축되지 않도록 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 챔버 내벽을 오염되지 않게 유지함으로써, 제품의 신뢰성 및 수율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치의 전체적인 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치를 나타내는 정단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치를 나타내는 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 컨트롤러의 동작을 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 인릿 및 가스 아웃릿을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치에 물질 배출 홀이 형성된 형태를 나타내는 사시도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 기판은 LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등의 모든 기판을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 바람직하게는 플렉서블(Flexible) 표시장치에 사용되는 플렉서블 기판을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 기판 프로세싱 공정이란 증착 공정, 열처리 공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 바람직하게는 논플렉서블(Non-Flexible) 기판 상에 플렉서블 기판 형성, 플렉서블 기판 상에 패턴 형성, 플렉서블 기판 분리 등의 공정을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치를 상세히 설명한다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치의 전체적인 구성을 나타내는 사시도, 도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치를 나타내는 정단면도, 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치를 나타내는 측단면도이다.
도 1 내지 도 3를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치는 본체(100), 히터(200), 가스 인릿(inlet; 300), 가스 아웃릿(outlet; 400) 및 온도 컨트롤러(500)를 포함할 수 있다.
본체(100)는 내부에 기판(10)이 로딩되어 처리되는 밀폐된 공간인 챔버(101)를 구성한다. 본체(100)의 재질은 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide) 또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
챔버(101) 내부에는 복수개의 기판(10)이 배치될 수 있다. 복수개의 기판(10)은 각각 일정간격을 가지면서 배치되며, 기판 홀더(11)에 지지되거나, 보트(미도시)에 안착되어 챔버(101) 내부에 배치될 수 있다.
본체(100)의 일면[일 예로, 전면]에는 기판(10)이 로딩/언로딩 되는 통로인 출입구(115)가 형성될 수 있다. 출입구(115)는 본체(100)의 일면[일 예로, 전면]에만 형성될 수 있고, 반대면[일 예로, 후면]에도 형성될 수 있다.
도어(110)는 본체(100)의 일면[즉, 출입구(115)가 형성된 면]에 설치될 수 있다. 도어는 전후방향, 좌우방향 또는 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치될 수 있다. 도어(110)는 출입구(115)를 개폐할 수 있고, 출입구(115)의 개폐 여부에 따라서 챔버(101)도 물론 개폐될 수 있다. 또한, 도어(110)에 의하여 출입구(115)가 완전하게 실링되도록 도어(110)와 본체(100)의 출입구(115)가 형성된 면 사이에는 오링(O-ring) 등의 실링부재(미도시)가 개재될 수 있다.
한편, 본체(100)의 외측면 상에는 보강리브(120)를 결합할 수 있다. 본체(100)는 공정 중에 내부에서 강한 압력 또는 고온의 영향을 받아 파손되거나 변형이 발생할 수 있다. 따라서 보강리브(120)를 본체(100)의 외측면 상에 결합하여 본체(100)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 필요에 따라서, 특정 외측면 또는 외측면 상의 일부에만 보강리브(120)를 결합할 수도 있다.
히터(200)는 챔버(101) 내부를 가열하여 기판 프로세싱 분위기를 조성하며 기판(10)을 직접 가열하는 역할을 하는 메인 히터(210) 및 챔버(101) 내부의 열 손실을 방지하는 역할을 하는 서브 히터(220)를 포함할 수 있다.
메인 히터(210)는 기판(10)의 로딩/언로딩 방향과 수직한 방향으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있고, 기판(10)의 적층 방향을 따라 수직으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있다. 서브 히터(220)는 기판(10)의 로딩/언로딩 방향과 평행한 방향으로 챔버(101) 내벽에 기판(10)의 적층 방향을 따라 수직으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있다.
메인 히터(210)는 복수개의 발열체(211) 및 각각의 발열체(211)의 양단에 설치된 단자(212)를 포함할 수 있고, 서브 히터(220)도 동일하게 복수개의 발열체(221) 및 각각의 발열체(221)의 양단에 설치된 단자(222)를 포함할 수 있다. 발열체(211, 221)의 개수는 본체(100)의 크기, 기판(10)의 크기 및 개수에 따라서 다양하게 변경될 수 있다.
발열체(211, 221)는 챔버(101)의 일측면에서 타측면까지 연통되는 바(bar) 형상을 가지며, 석영관 내부에 발열 물질이 삽입된 형태일 수 있다. 일 예로, 메인 히터(210)의 발열체(211)는 챔버(101)의 좌측면에서 우측면까지 연통될 수 있고, 서브 히터(220)의 발열체(221)는 출입구(115) 부분을 제외한 챔버(101)의 전면에서 후면까지 연통될 수 있다. 단자(212, 222)는 외부의 전원(미도시)로부터 전력을 공급받아 발열체(211, 221)에서 열을 발생시킬 수 있도록 한다.
따라서, 기판(10)은 상부 및 하부에 배치된 히터(200)에 의해서 전면적이 균일하게 가열될 수 있으므로, 기판 프로세싱 공정의 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.
도 1 내지 도 3을 다시 참조하면, 가스 인릿(300)는 챔버(101)[또는 본체(100)]의 외부 일측면[일 예로, 좌측면]에 연결되고, 가스 아웃릿(400)는 챔버(101)[또는 본체(100)]의 외부 타측면[일 예로, 우측면]에 연결될 수 있다.
가스 인릿(300)은 챔버(101)의 내부로 기판 프로세싱 가스를 공급하는 통로를 제공할 수 있다. 가스 인릿(300)은 가스 저장부(미도시)와 연결되어 기판 프로세싱 가스를 공급받는 가스 공급관(320) 및 가스 공급관(320)에 수직으로 일정한 간격을 가지도록 복수개 형성된 가스 토출관(310)을 포함할 수 있다. 가스 토출관(310)은 본체(100)를 관통하여 챔버(101) 내부로 연결될 수 있으며, 가스 토출관(310)의 단부에 형성된 가스 토출공(311)을 통해 기판 프로세싱 가스가 챔버(101) 내부로 공급될 수 있다.
가스 아웃릿(400)은 챔버(101) 내부의 기판 프로세싱 가스를 외부로 배출하는 통로를 제공할 수 있다. 가스 아웃릿(400)은 외부의 가스 배출시설(미도시)과 연결되어 기판 프로세싱 가스를 배출하는 가스 아웃릿 파이프(420) 및 가스 아웃릿 파이프(420)에 수직으로 일정한 간격을 가지도록 복수개 형성된 가스 아웃릿 파이프(410)를 포함할 수 있다. 가스 아웃릿 파이프(410)는 본체(100)를 관통하여 챔버(101) 내부로 연결될 수 있으며, 가스 아웃릿 파이프(410)의 단부에 형성된 가스 아웃릿 홀(411)을 통해 가스가 챔버(101) 내부에서 외부로 배출될 수 있다.
가스 인릿 홀(311)[또는 가스 인릿 파이프(310)] 및 가스 아웃릿 홀(411)[또는 가스 인릿 파이프(410)]은, 복수개의 기판(10)이 챔버(101)에 수용되었을 때, 기판 프로세싱 가스를 기판(10)으로 균일하게 공급하고, 기판 프로세싱 가스를 용이하게 흡입하여 외부로 배출할 수 있도록, 챔버(101) 내에 배치된 기판(10)과 상부 또는 하부에 인접하는 기판(10) 사이의 간격에 각각 위치되는 것이 바람직하다.
도 1 내지 도 3를 다시 참조하면, 본 발명의 기판 프로세싱 장치는 챔버(101)의 외측면에 배치되어 챔버벽의 온도를 제어하는 온도 컨트롤러(500)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
온도 컨트롤러(500)는 챔버벽의 외측면에 인접하거나, 소정의 거리만큼 이격되어 배치될 수 있으며, 내부에 열매(熱媒) 또는 냉매(冷媒)가 흐를 수 있는 파이프 등을 지그재그로 휘어지게 배치하는 것이 바람직하다. 온도 컨트롤러(500)는 기판 프로세싱 공정 중에 기판(10) 상에서 휘발되는 물질, 챔버(101)에 공급되고 배출되는 물질 등이 챔버(101)의 내벽에 응축되지 않도록 챔버(101)의 내벽 온도를 소정의 온도로 유지하는 역할을 할 수 있다. 바람직하게는, 챔버(101)의 내벽 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지할 수 있다.
온도 컨트롤러(500)는 챔버벽의 상부측(510), 좌우측(520: 520a, 520b), 하부측(530) 및 전후측의 도어(540, 550)에 배치될 수 있으나, 챔버(101)의 내벽 온도를 소정의 온도로 유지하는 본 발명의 목적에 달성되는 범위 내에서, 챔버(101)의 일부 외측면에는 온도 컨트롤러(500)의 배치가 생략될 수도 있다.
일 예로, 본 발명의 기판 프로세싱 장치가 플렉서블 표시장치에 사용되는 플렉서블 기판(10)을 처리하는 것을 상정하면, 이때 기판 프로세싱 과정에서 온도 컨트롤러(500)의 기능을 구체적으로 설명하면 아래와 같다.
일반적으로 플렉서블 기판(10)의 제조과정은, 논플렉서블 기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 공정, 플렉서블 기판에 패턴을 형성하는 공정 및 논플렉서블 기판에서 플렉서블 기판을 분리하는 공정으로 나누어 질 수 있다.
플렉서블 기판은 유리, 플라스틱 등의 논플렉서블 기판 상에 폴리이미드(Polyimide) 등으로 구성되는 막을 형성하고 열처리를 하여 경화시킨 후, 논플렉서블 기판과 플렉서블 기판을 점착하는 물질에 용매를 주입하여 점착력을 약화시키거나 점착 물질을 분해하여 플렉서블 기판을 논플렉서블 기판으로부터 분리하여 완성할 수 있다.
이때, 주입하는 용매 성분 또는 플렉서블 기판의 형성과정 중에 플렉서블 기판에 포함되어 있던 용매 성분이 휘발되어 가스 아웃릿(400)을 통해 챔버(101) 외부로 배출될 수 있으나, 챔버(101) 외부와 챔버(101) 내부의 온도 및 압력 차이 때문에 챔버(101) 내벽의 소정의 부분은 위 물질이 휘발되지 못하고 응축될 정도로 챔버(101) 내벽의 온도가 낮게 형성되어 있을 수 있다. 결국, 챔버(101) 내벽에 응축된 용매 성분은 챔버(101)를 오염시키거나, 후속 공정에서 기판(10)을 오염시키는 문제점이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명의 기판 프로세싱 장치는 용매를 포함한 챔버(101) 내의 가스가 챔버(101) 내벽에 응축되지 않고 기체 상태로 모두 외부로 배출될 수 있도록, 챔버(101) 내벽 온도를 가스가 응축되지 않을 정도로 유지하는 것을 특징으로 한다.
일 예로, 기판(10) 상에 포함되어 있던 물질은 용매와 같은 휘발성 물질로서, 50℃ 내지 250℃에서 기화되는 물질일 수 있다. 이러한 물질은 바람직하게는 NMP(n-methyl-2-pyrrolidone)일 수 있고, IPA, 아세톤(Acetone), PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate) 등의 휘발성 물질일 수도 있다.
상기 물질들이 챔버(101) 내부에서 응축되지 않고 기체 상태를 유지하여 배출되도록 하기 위해서, 챔버(101)의 내벽의 온도를 상기 물질들이 기화할 수 있는 온도로 유지해야 함은 물론이다. 이를 위해, 온도 컨트롤러(500)에 챔버벽 히팅 모듈(600)과 챔버벽 쿨링 모듈(700)을 연결할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 컨트롤러(500)의 동작을 나타내는 개략도이다.
도 4를 참조하면, 온도 컨트롤러(500), 챔버벽 히팅 모듈(600) 및 챔버벽 쿨링 모듈(700) 중간에는 3 웨이 밸브(3 way valve; 3WV)가 설치될 수 있다. 챔버벽 히팅 모듈(600)은 냉각수(Process Cooling Water, PCW)의 온도를 순간적으로 올릴 수 있는 열 교환기를 포함하여, 냉각수를 가열하여 공급하는 장치로 이해될 수 있고, 챔버벽 쿨링 모듈(700)은 냉각수를 공급하는 장치로 이해될 수 있다.
일 예로, 기판 프로세싱 공정시에는 챔버(101) 내부의 기판 프로세싱 온도가 80℃에서 150℃, 150℃에서 250℃, 250℃에서 350℃ 등으로 단계적으로 상승할 수 있다. 기판 프로세싱 초기에는 챔버(101) 내부의 기판 프로세싱 온도가 80℃ 정도이기 때문에 챔버(101) 내벽의 온도는 상대적으로 더 낮은 60 ~ 80℃ 미만일 수 있고, 증발대역을 80 ~ 150℃정도로 갖는 휘발성 물질 중 하나인 NMP는 챔버(101) 내벽에 응축될 가능성이 높다. 따라서, 기판 프로세싱 초기에는 3 웨이 밸브(3WV)를 제어하여 챔버벽 히팅 모듈(600)로부터 온도 컨트롤러(500)에 냉각수를 가열하여 공급함으로써(P1), 챔버벽의 온도를 NMP의 최소 증발대역인 80℃ 이상으로 유지할 수 있다.
챔버(101) 내부의 기판 프로세싱 온도가 300℃ 이하인 경우에는 챔버벽 히팅 모듈(600)을 작동시키고, 챔버(101) 내부의 기판 프로세싱 온도가 300℃를 초과하게 되면, 3방 밸브(3WV)를 제어하여 챔버벽 쿨링 모듈(700)로부터 온도 컨트롤러(500)에 냉각수를 공급함으로써(P2), 챔버벽의 온도를 NMP의 최소 증발대역인 80℃ 이상으로 유지할 수 있다. 물론, 챔버(101) 내부의 기판 프로세싱 온도가 300℃를 초과하게 되면 굳이 온도 컨트롤러(500)에 냉각수를 공급하지 않더라도 챔버벽의 온도가 80℃이상이 되는 것은 당연하나, 챔버벽의 온도가 NMP의 증발대역인 80 ~ 150℃를 넘어서게 되면 챔버벽의 뒤틀림, 파손 문제가 발생할 수 있으므로, 냉각 모듈(700)로부터 온도 컨트롤러(500)에 적절하게 냉각수를 공급하는 것이 필요하다. 다시 말해, 챔버(101) 내부의 기판 프로세싱 온도가 300℃ 이하이면 챔버벽 히팅 모듈(600)을 작동시키고, 챔버(101) 내부의 기판 프로세싱 온도가 300℃를 초과하면 챔버벽 쿨링 모듈(700)을 작동시켜, 챔버(101)의 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지할 수 있는 것이다.
이와 같이, 본 발명의 기판 프로세싱 장치는 온도 컨트롤러(500)를 구비하여, 챔버(101) 내벽을 소정의 온도(즉, 가스의 증발 온도)로 유지하여 챔버(101) 내벽에 가스가 응축되지 않도록 하는 이점이 있다. 또한, 챔버(101) 내벽에 가스가 응축되지 않고 챔버(101) 외부로 모두 배출될 수 있으므로, 챔버(101) 내벽이 오염되지 않고, 제품의 신뢰성 및 수율을 증대시킬 수 있는 이점이 있다.
한편, 본 발명의 기판 프로세싱 장치는 응축된 가스를 배출하기 위한 수단을 더 구비할 수 있다. 이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 인릿(300) 및 가스 아웃릿(400)을 나타내는 단면도이다. 도 5의 (a)는 가스 인릿(300), 도 5의 (b)는 가스 아웃릿(400)을 나타낸다.
챔버(101) 내벽은 온도 컨트롤러(500)에 의해 가스가 응축되지 않도록 할 수 있으나, 챔버(101)의 외부 일측면[일 예로, 좌측면] 및 외부 타측면[일 예로, 우측면]에 연결된 가스 인릿(300)과 가스 아웃릿(400)은 외부의 낮은 온도의 영향을 받아 가스가 쉽게 응축될 수 있다. 응축된 가스는 가스 인릿(300)의 파이프에 응축되어 있다가 기판 프로세싱 공정시에 기판 프로세싱 가스의 공급과 더불어 챔버(101) 내부로 토출되면서 기판(10)의 오염을 발생할 수 있는 문제점이 있다.
따라서, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 가스 인릿(300)은 응축된 가스[또는, 응축된 휘발성 물질]을 배출할 수 있는 드레인 포트(drain port; 330)를 더 구비할 수 있다. 드레인 포트(330)는 단순히 응축된 액체 상태의 물질을 흘러 내보내는 통로일 수도 있고, 펌프(미도시) 등과 연결되어 공기를 흡입할 수 있는 석션(suction) 기능을 갖출 수도 있다. 가스 공급관(320)을 통해서 가스를 공급(g)하고, 가스 인릿(300) 내부에서 응축된 가스 등은 드레인 포트(330)를 통해 배출(d)할 수 있다.
가스 아웃릿(400) 역시 가스 인릿(300)과 동일하게 가스 배출관(420)에 드레인 포트(미도시)가 연결된 구성을 가질 수 있다.
한편, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 가스 아웃릿(400)은 챔버(101) 내부의 가스를 외부로 배출(g)하는 역할을 하므로, 따로 드레인 포트(미도시)를 구비할 필요없이, 가스 배출관(420)의 단부(430)가 드레인 포토의 역할을 겸할 수 있도록, 챔버(101) 내부의 가스를 외부로 배출(g)함과 동시에 가스 아웃릿(400) 내부에서 응축된 가스 등을 외부로 같이 배출(d)할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치에 물질 배출 홀(hole; 130: 130a, 130b, 130c, 130d)이 형성된 형태를 나타내는 사시도이다.
도 6을 참조하면, 챔버(101)의 적어도 하나의 측면, 구체적으로는 도 5를 참조하여 설명한 가스 인릿(300) 및 가스 아웃릿(400)이 배치되는 챔버(101)의 좌측면 및 우측면을 제외한 측면에 복수개의 물질 배출 홀(130: 130a, 130b, 130c, 130d)이 형성될 수 있다. 물질 배출 홀은 외부에 배치된 펌핑 수단(미도시)에 연결되어 챔버(101) 내부의 응축된 물질을 효과적으로 배출할 수 있다.
복수개의 물질 배출 홀(130)을 통해, 온도 컨트롤러(500)와 더불어 챔버(101)의 내벽에 가스가 응축되는 것을 방지할 수 있고, 가스가 응축되는 상황이 발생하더라도, 물질 배출 홀(130)을 통해 외부로 방출함으로써, 챔버(101) 내벽의 오염을 더욱 효과적으로 방지하고, 제품의 신뢰성 및 수율을 보다 증대시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 기판
11: 기판 홀더
100: 본체
101: 챔버
110: 도어
120: 보강리브
200: 히터
210: 메인 히터
220: 서브 히터
300: 가스 인릿
400: 가스 아웃릿
500: 온도 컨트롤러
600: 챔버벽 히팅 모듈
700: 챔버벽 쿨링 모듈

Claims (8)

  1. 기판 프로세싱 장치로서,
    챔버 내에 기판 프로세싱 가스를 공급하는 가스 인릿(inlet);
    상기 챔버 내의 기판 프로세싱 가스를 외부로 배출하는 가스 아웃릿(outlet);
    상기 챔버 내에 배치되며 상기 챔버 내부를 가열하는 히터; 및
    상기 챔버의 외측면에 배치되며 챔버벽의 온도를 제어하는 온도 컨트롤러
    를 포함하며,
    상기 온도 컨트롤러는, 상기 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 상기 챔버의 내벽에 응축되지 않도록,
    상기 챔버 내부의 기판 프로세싱 온도가 300℃ 이하이면, 상기 온도 컨트롤러와 연결된 챔버벽 히팅 모듈을 작동시켜, 상기 온도 컨트롤러에 냉매를 가열상태로 공급하고,
    상기 챔버 내부의 기판 프로세싱 온도가 300℃를 초과하면, 상기 온도 컨트롤러와 연결된 챔버벽 쿨링 모듈을 작동시켜, 상기 온도 컨트롤러에 냉매를 냉각상태로 공급하여,
    상기 챔버의 상기 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 프로세싱 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 물질은 휘발성 물질로서, 50℃ 내지 250℃에서 기화되는 물질인 것을 특징으로 하는 기판 프로세싱 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 히터는 상기 챔버의 일측면에서 타측면까지 연통되는 바(bar) 형상의 발열체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 프로세싱 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 내에는 복수개의 기판이 배치된 것을 특징으로 하는 기판 프로세싱 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가스 인릿은 상기 챔버의 외부 일측면에 연결되고,
    상기 가스 아웃릿은 상기 챔버의 외부 타측면에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 프로세싱 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가스 인릿 또는 상기 가스 아웃릿 중 적어도 하나는 상기 물질을 배출하는 포트를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 프로세싱 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 적어도 하나의 측면에는 복수개의 물질 배출 홀(hole)이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 프로세싱 장치.
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