KR102423268B1 - 기판처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리 장치는, 기판처리 장치(1)로서, 챔버(101) 내에 기판처리 가스를 공급하는 가스 공급부(300), 챔버(101) 내의 기판처리 가스를 외부로 배출하는 가스 배출부(400), 챔버(101) 내에 배치되며 챔버(101) 내부를 가열하는 히터부(200), 챔버(101) 내에 냉각 가스(CG)를 공급하는 냉각 가스 공급부(600), 및 챔버(101) 내의 냉각 가스(CG)를 외부로 배출하는 냉각 가스 배출부(700)를 포함하며, 냉각 가스(CG)는 챔버(101)의 측면을 따라 이동하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 냉각 가스가 챔버의 측면을 따라 이동하게 함으로써 챔버 내의 열이 냉각 가스의 흐름을 따라 빠져나가게 하는 기판처리 장치에 관한 것이다.
표시 장치 또는 반도체 소자 제조시 사용되는 기판처리 장치에서 기판이 처리되는 챔버 내부에는 많은 양의 가스가 공급 및 배출될 수 있다. 이러한 가스는 기판 상에 박막을 형성하거나, 기판 상의 박막에 패턴을 형성하거나, 챔버 내부의 분위기를 환기시키는 등의 목적으로 챔버에 내부에 공급되고, 챔버로부터 외부로 배출될 수 있다.
기판을 열처리 하는 등의 처리를 행한 후에 냉각의 과정이 필요하다. 외부 환경과 단절된 상태에서 냉각 공정을 수행하기 위해서, 가열을 중단하여 기판을 서서히 냉각시키거나, 챔버 내에 기판처리 가스와는 다른 별도의 냉각 가스를 공급하고 배출하는 과정이 필요하다. 하지만, 이 경우에는 챔버의 냉각 속도가 느려져 생산성이 저하되고, 기판처리 가스를 공급/배출하는 수단과는 별도로 냉각 가스를 공급/배출하는 수단을 챔버 전체에 구비하기 위해서는 장치가 복잡해지고 장치의 원가가 상승하는 문제점이 있었다.
또한, 기판처리 과정 중에 챔버 내부로 공급되는 가스 또는 기판으로부터 휘발되는 가스로부터 챔버 내벽이 오염될 수 있다. 기판처리 공정 중에 챔버 내부는 소정의 공정 온도 및 공정 압력을 유지해야 할 필요성이 있으며, 이때 챔버 외부와 챔버 내부의 온도 및 압력 차이 때문에 가스가 챔버 내벽에 응축되는 현상이 발생할 수 있다. 응축된 가스는 반복되는 기판처리 공정에 있어서 증발 및 응축을 반복하거나, 다른 화학 성분의 가스와 반응하거나, 특정 온도 환경 하에서 변질됨으로써 챔버 내벽을 더욱 오염시킬 수 있다. 결국, 종래의 기판처리 장치는, 챔버 내벽의 오염된 물질이 이후의 기판처리 과정 중에 재증발하여 기판 상에 유입되어 기판을 오염시키므로, 제품의 신뢰성이 저하되고, 수율을 하락시키는 문제점이 있었고, 챔버 내벽에 오염된 물질을 세정하거나, 챔버벽 자체를 교체해야 하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 챔버 내부를 빠른 속도로 냉각할 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 간단한 구조로 챔버 내부를 냉각할 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 챔버 내벽에 가스가 응축되지 않도록 챔버 내벽을 소정의 온도로 유지할 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 챔버 내벽을 오염되지 않게 유지함으로써, 제품의 신뢰성 및 수율을 증대시킬 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 상기의 목적은, 기판처리 장치로서, 챔버 내에 기판처리 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 챔버 내의 기판처리 가스를 외부로 배출하는 가스 배출부; 상기 챔버 내에 배치되며 상기 챔버 내부를 가열하는 히터부; 상기 챔버 내에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부; 및 상기 챔버 내의 냉각 가스를 외부로 배출하는 냉각 가스 배출부를 포함하며, 상기 냉각 가스는 상기 챔버의 측면을 따라 이동하는, 기판처리 장치에 의해 달성된다.
상기 냉각 가스 공급부는 상기 챔버 일측면의 사이드에 수직 방향을 따라 연결될 수 있다.
한쌍의 상기 냉각 가스 공급부가 상기 챔버 일측면의 양 사이드에 수직 방향을 따라 연결될 수 있다.
상기 냉각 가스 공급부는, 외부에서 냉각 가스가 유입되는 통로를 제공하는 냉각 가스 인입부; 및 상기 냉각 가스 인입부의 일단에 연결되고, 상기 냉각 가스 인입부로부터 유입된 냉각 가스가 수직 방향으로 분산되는 분산부를 포함하는 냉각 가스 토출부를 포함할 수 있다.
상기 냉각 가스 토출부의 일측에는 상호 이격된 복수의 냉각 가스 토출관이 연결되고, 상기 냉각 가스 토출관은 상기 챔버로 연통될 수 있다.
상기 냉각 가스 토출관의 직경은 상기 가스 공급부의 가스 토출관의 직경보다 적어도 2배 이상 클 수 있다.
상기 냉각 가스 인입부에는 필터가 설치될 수 있다.
상기 냉각 가스 배출부는 상기 챔버 일측면에 대향하는 타측면의 사이드에 수직 방향을 따라 연결될 수 있다.
한쌍의 상기 냉각 가스 배출부가 상기 챔버 타측면의 양 사이드에 수직 방향을 따라 연결될 수 있다.
상기 냉각 가스 배출부는, 외부로 냉각 가스가 배출되는 통로를 제공하는 냉각 가스 인출부; 및 상기 냉각 가스 유출부의 일단에 연결되고, 타단은 상기 챔버에 연결되는 냉각 가스 유출부를 포함할 수 있다.
상기 냉각 가스 유출부의 일측에는 상호 이격된 복수의 냉각 가스 유출관이 연결되고, 상기 냉각 가스 유출관은 상기 챔버로 연통될 수 있다.
상기 냉각 가스 유출부의 하단에는 배기 펌프가 더 연결될 수 있다.
상기 냉각 가스 공급부와 상기 냉각 가스 배출부는 상호 대향하는 위치에 배치될 수 있다.
상기 냉각 가스 공급부에서 상기 챔버 내에 공급된 냉각 가스는, 상기 챔버의 전면 사이드 좌측에서 우측을 따라 수평으로 이동 및 후면 사이드 좌측에서 우측을 따라 수평으로 이동하여 상기 냉각 가스 배출부를 통해 배출될 수 있다.
상기 냉각 가스의 흐름에 의해 생성된 흡압에 의해 상기 챔버 내의 열이 상기 전면 사이드 및 상기 후면 사이드를 따라 빠져나갈 수 있다.
상기 챔버의 외측면에 배치되며 챔버벽의 온도를 제어하는 온도제어부를 더 포함하고, 상기 온도제어부는, 상기 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 상기 챔버의 내벽에 응축되지 않도록, 상기 챔버의 상기 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지할 수 있다.
상기 물질은 휘발성 물질로서, 50℃ 내지 250℃에서 기화되는 물질일 수 있다.
상기 챔버 내부의 기판처리 온도가 300℃ 이하이면, 상기 온도제어부와 연결된 챔버벽 가열 모듈을 작동시키고, 상기 챔버 내부의 기판처리 온도가 300℃를 초과하면, 상기 온도 제어부와 연결된 챔버벽 냉각 모듈을 작동시켜, 상기 챔버의 상기 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지할 수 있다.
상기 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 상기 냉각 가스 배출부 내에 응축되지 않도록, 상기 냉각 가스 배출부에 응축 방지 히터부가 설치될 수 있다.
상기 챔버의 적어도 하나의 측면에는 복수개의 물질 배출 홀(hole)이 형성될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 챔버 내부를 빠른 속도로 냉각할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 간단한 구조로 챔버 내부를 냉각할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 챔버 내벽을 소정의 온도로 유지함으로써, 챔버 내벽에 가스가 응축되지 않도록 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 챔버 내벽을 오염되지 않게 유지함으로써, 제품의 신뢰성 및 수율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치의 전체적인 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 방향의 측단면도이다.
도 3은 도 1의 B-B' 방향의 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치를 나타내는 측면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 가스의 이동 방향 및 챔버 냉각 원리를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도제어부의 동작을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리 장치를 나타내는 측단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치에 물질 배출 홀이 형성된 형태를 나타내는 사시도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 기판은 LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등의 모든 기판을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 바람직하게는 플렉서블(Flexible) 표시장치에 사용되는 플렉서블 기판을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 기판처리 공정이란 증착 공정, 열처리 공정 등의 기판을 프로세싱하는 일련의 공정을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판처리 장치를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(1)의 전체적인 구성을 나타내는 사시도, 도 2는 도 1의 A-A' 방향의 측단면도, 도 3은 도 1의 B-B' 방향의 측단면도, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(1)를 나타내는 측면도이다. 도 3에서는 설명의 편의상 일부 구성요소를 제외하였다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리 장치(1)는 본체(100), 히터부(200), 가스 공급부(300), 가스 배출부(400), 냉각 가스 공급부(600) 및 냉각 가스 배출부(700)를 포함할 수 있다. 그리고, 일 실시예에 따르면, 온도제어부(500)를 더 포함할 수 있다.
본체(100)는 내부에 기판(10)이 로딩되어 처리되는 밀폐된 공간인 챔버(101)를 구성한다. 본체(100)의 재질은 석영(Quartz), 스테인리스 스틸(SUS), 알루미늄(Aluminium), 그라파이트(Graphite), 실리콘 카바이드(Silicon carbide) 또는 산화 알루미늄(Aluminium oxide) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
챔버(101) 내부에는 복수개의 기판(10)이 배치될 수 있다. 복수개의 기판(10)은 각각 일정간격을 가지면서 배치되며, 기판 홀더(11)에 지지되거나, 보트(미도시)에 안착되어 챔버(101) 내부에 배치될 수 있다.
본체(100)의 일면[일 예로, 전면]에는 기판(10)이 로딩/언로딩 되는 통로인 출입구(115)가 형성될 수 있다. 출입구(115)는 본체(100)의 일면[일 예로, 전면]에만 형성될 수 있고, 반대면[일 예로, 후면]에도 형성될 수 있다.
도어(110)는 본체(100)의 일면[즉, 출입구(115)가 형성된 면]에 설치될 수 있다. 도어는 전후방향, 좌우방향 또는 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치될 수 있다. 도어(110)는 출입구(115)를 개폐할 수 있고, 출입구(115)의 개폐 여부에 따라서 챔버(101)도 물론 개폐될 수 있다. 또한, 도어(110)에 의하여 출입구(115)가 완전하게 실링되도록 도어(110)와 본체(100)의 출입구(115)가 형성된 면 사이에는 오링(O-ring) 등의 실링부재(미도시)가 개재될 수 있다.
한편, 본체(100)의 외측면 상에는 보강리브(120)를 결합할 수 있다. 본체(100)는 공정 중에 내부에서 강한 압력 또는 고온의 영향을 받아 파손되거나 변형이 발생할 수 있다. 따라서 보강리브(120)를 본체(100)의 외측면 상에 결합하여 본체(100)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 필요에 따라서, 특정 외측면 또는 외측면 상의 일부에만 보강리브(120)를 결합할 수도 있다.
히터부(200)는 챔버(101) 내부를 가열하여 기판처리 분위기를 조성하며 기판(10)을 직접 가열하는 역할을 하는 메인 히터(210) 및 챔버(101) 내부의 열 손실을 방지하는 역할을 하는 서브 히터(220)를 포함할 수 있다.
메인 히터(210)는 기판(10)의 로딩/언로딩 방향과 수직한 방향으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있고, 기판(10)의 적층 방향을 따라 수직으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있다. 서브 히터(220)는 기판(10)의 로딩/언로딩 방향과 평행한 방향으로 챔버(101) 내벽에 기판(10)의 적층 방향을 따라 수직으로 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있다.
메인 히터(210)는 복수개의 발열체(211) 및 각각의 발열체(211)의 양단에 설치된 단자(212)를 포함할 수 있고, 서브 히터(220)도 동일하게 복수개의 발열체(221) 및 각각의 발열체(221)의 양단에 설치된 단자(222)를 포함할 수 있다. 발열체(211, 221)의 개수는 본체(100)의 크기, 기판(10)의 크기 및 개수에 따라서 다양하게 변경될 수 있다.
발열체(211, 221)는 챔버(101)의 일측면에서 타측면까지 연통되는 바(bar) 형상을 가지며, 석영관 내부에 발열 물질이 삽입된 형태일 수 있다. 일 예로, 메인 히터(210)의 발열체(211)는 챔버(101)의 좌측면에서 우측면까지 연통될 수 있고, 서브 히터(220)의 발열체(221)는 출입구(115) 부분을 제외한 챔버(101)의 전면에서 후면까지 연통될 수 있다. 단자(212, 222)는 외부의 전원(미도시)로부터 전력을 공급받아 발열체(211, 221)에서 열을 발생시킬 수 있도록 한다.
따라서, 기판(10)은 상부 및 하부에 배치된 히터부(200)에 의해서 전면적이 균일하게 가열될 수 있으므로, 기판처리 공정의 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.
도 1, 도 2 및 도 4를 다시 참조하면, 가스 공급부(300)는 챔버(101)[또는 본체(100)]의 외부 일측면[일 예로, 좌측면]에 연결되고, 가스 배출부(400)는 챔버(101)[또는 본체(100)]의 외부 타측면[일 예로, 우측면]에 연결될 수 있다.
가스 공급부(300)는 챔버(101)의 내부로 기판처리 가스를 공급하는 통로를 제공할 수 있다. 가스 공급부(300)는 가스 저장부(미도시)와 연결되어 기판처리 가스를 공급받는 가스 공급관(320) 및 가스 공급관(320)에 수직으로 일정한 간격을 가지도록 복수개 형성된 가스 토출관(310)을 포함할 수 있다. 가스 토출관(310)은 본체(100)를 관통하여 챔버(101) 내부로 연결될 수 있으며, 가스 토출관(310)의 단부에 형성된 가스 토출공(311)을 통해 기판처리 가스가 챔버(101) 내부로 공급될 수 있다.
가스 배출부(400)는 챔버(101) 내부의 기판처리 가스를 외부로 배출하는 통로를 제공할 수 있다. 가스 배출부(400)은 외부의 가스 배출시설(미도시)과 연결되어 기판처리 가스를 배출하는 가스 배출관(420) 및 가스 배출관(420)에 수직으로 일정한 간격을 가지도록 복수개 형성된 가스 인출관(410)을 포함할 수 있다. 가스 인출관(410)은 본체(100)를 관통하여 챔버(101) 내부로 연결될 수 있으며, 가스 인출관(410)의 단부에 형성된 가스 배출공(411)을 통해 가스가 챔버(101) 내부에서 외부로 배출될 수 있다.
가스 토출공(311)[또는 가스 토출관(310)] 및 가스 배출공(411)[또는 가스 인출관(410)]은, 복수개의 기판(10)이 챔버(101)에 수용되었을 때, 기판처리 가스를 기판(10)으로 균일하게 공급하고, 기판처리 가스를 용이하게 흡입하여 외부로 배출할 수 있도록, 챔버(101) 내에 배치된 기판(10)과 상부 또는 하부에 인접하는 기판(10) 사이의 간격에 각각 위치되는 것이 바람직하다.
도 1, 도 3 및 도 4를 다시 참조하면, 본 발명의 기판처리 장치(1)는 챔버(101) 내에 냉각 가스(CG)를 공급하는 냉각 가스 공급부(600) 및 챔버(101) 내의 냉각 가스(CG)를 외부로 배출하는 냉각 가스 배출부(700)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 냉각 가스(CG)는 챔버(101)의 측면을 따라 이동할 수 있다. 예를 들어, 냉각 가스(CG)는 챔버(101)의 전면과 후면을 따라 이동할 수 있다. 냉각 가스(CG)는 기판(10)과 반응하지 않는 불활성, 비활성 기체인 것이 바람직하며, 챔버(101)의 열처리 온도보다 낮은 온도를 가지는 것이 바람직하다.
냉각 가스(CG)가 챔버(101)의 중앙부로 진입하지 않고 측면을 따라 일 방향으로 이동하기 때문에, 챔버(101)의 중앙부를 부분에 급격한 온도 변화를 일으키지 않고, 기판(10)에 직접적으로 냉각 가스(CG)가 접촉하지 않도록 하여 기판(10)의 손상, 변형을 방지할 수 있다. 그러면서도, 챔버(101)의 측면을 따라 냉각 가스(CG)가 급속으로 이동하기 때문에, 챔버(101)의 중앙부와의 압력 차이에 의한 냉각 가스(CG)의 흡압에 의해, 챔버(101) 중앙부의 열(H) 에너지가 냉각 가스(CG)의 흐름에 편입될 수 있다. 다시 말해, 챔버(101) 중앙부의 열(H) 에너지가 냉각 가스(CG)에 섞여 빨아들여져 외부로 배출될 수 있다. 그리하여, 챔버(101) 중앙부에 직접적인 냉각 가스의 공급 없이도 챔버(101) 내부를 빠르게 냉각시키고, 냉각에 사용되는 공정 시간을 단축시킬 수 있게 된다.
게다가, 냉각 가스(CG)가 챔버(101)의 중앙부로 진입하지 않고 측면을 따라 일 방향으로 이동하기 때문에, 기판(10)에 직접적으로 냉각 가스(CG)가 접촉하지 않도록 하여 기판(10)이 흔들리는 것을 방지할 수 있다. 그리하여 기판(10)이 안정적으로 챔버(101) 내에 지지되어 열처리 될 수 있게 된다.
이하에서, 냉각 가스 공급부(600) 및 냉각 가스 배출부(700)의 구성을 구체적으로 설명한다. 도 3에서는 냉각 가스 공급부(650)와 냉각 가스 배출부(750)를 예로 설명하나, 냉각 가스 공급부(610)와 냉각 가스 배출부(710)도 동일한 구성임을 밝혀둔다.
냉각 가스 공급부(600)는 챔버(101)[또는 본체(100)]의 외부 일측면[일 예로, 좌측면]에 연결되고, 냉각 가스 배출부(700)는 챔버(101)[또는 본체(100)]의 외부 타측면[일 예로, 우측면]에 연결될 수 있다. 냉각 가스 공급부(600)가 본체(100)의 좌측면 상에서 사이드에 수직 방향을 따라 배치될 수 있다. 또는, 한 쌍의 냉각 가스 공급부(600: 610, 650)가 본체(100)의 좌측면 상에서 양 사이드에 수직 방향을 따라 배치될 수 있다. 다시 말해, 본체(100)의 좌측면 상에서 본체(100)의 전면 부근의 모서리에 하나의 냉각 가스 공급부(610)가 배치되고, 본체(100)의 후면 부근의 모서리에 하나의 냉각 가스 공급부(650)가 배치될 수 있다.
마찬가지로, 냉각 가스 배출부(700)가 본체(100)의 우측면 상에서 양 사이드에 수직 방향을 따라 배치될 수 있다. 또는, 한 쌍의 냉각 가스 배출부(700: 710, 750)가 본체(100)의 우측면 상에서 양 사이드에 수직 방향을 따라 배치될 수 있다. 다시 말해, 본체(100)의 우측면 상에서 본체(100)의 전면 부근의 모서리에 하나의 냉각 가스 배출부(710)가 배치되고, 본체(100)의 후면 부근의 모서리에 하나의 냉각 가스 배출부(750)가 배치될 수 있다. 바람직하게는, 냉각 가스 공급부(600)와 냉각 가스 배출부(700)는 상호 챔버(101)의 좌측면과 우측면 상에 대향하도록 배치될 수 있다. 하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 챔버(101)의 측면을 따라 냉각 가스(CG)가 이동되는 범위 내에서 냉각 가스 공급부(600) 및 냉각 가스 배출부(700)의 배치 개수, 위치 등은 변경될 수 있다.
냉각 가스 공급부(600: 610, 650)는 챔버(101)의 내부로 냉각 가스(CG)를 공급하는 통로를 제공할 수 있다. 냉각 가스 공급부(650)는 일단이 외부의 냉각 가스 공급수단(미도시)과 연결되어 냉각 가스(CG)를 공급받는 냉각 가스 인입부(660) 및 냉각 가스 인입부(660)의 타단에 연결되어 냉각 가스 인입부(660)로부터 공급받은 냉각 가스(CG)를 챔버(101) 내부로 공급하는 냉각 가스 토출부(670)를 포함할 수 있다. 냉각 가스 인입부(600)로 외부의 공기가 유입될 수 있고, N2 가스가 유입될 수도 있다.
냉각 가스 인입부(660)의 입구(661)에는 필터(663)가 설치될 수 있다. 필터(663)는 외부의 냉각 가스 공급수단(미도시) 또는 외부 환경으로부터 공급받는 냉각 가스(CG)에 포함된, 기판(10)을 오염시킬 수 있는 미세 입자를 필터링 할 수 있다. 밸브(665)는 냉각 가스 인입부(660)를 통과하는 냉각 가스(CG)의 유동량을 제어할 수 있다. 그리고, 연결관(667)은 냉각 가스 인입부(660)와 냉각 가스 토출부(670)를 연결할 수 있다.
냉각 가스 토출부(670)는 냉각 가스 인입부(660)로부터 유입된 냉각 가스(CG)가 수직 방향으로 분산되는 분산부(671)를 포함할 수 있다. 분산부(671)는 냉각 가스 토출부(670)의 길이 방향에 따라 형성된 내부 공간으로서, 유입된 냉각 가스(CG)가 수직 방향으로 분산되는 공간을 제공할 수 있다. 따라서, 수평한 방향을 따라 균일한 양의 냉각 가스(CG)를 각각 냉각 가스 토출관(680)을 통하여 챔버(101)에 공급할 수 있으므로, 층류를 형성하는데 보다 유리하다. 분산부(671)에서 챔버(101)와 연통되도록, 냉각 가스 토출부(670)의 일측에 수직 방향으로 일정한 간격을 가지도록 복수의 냉각 가스 토출관(680)이 연결될 수 있다. 냉각 가스 토출관(680)은 본체(100)를 관통하여 챔버(101) 내부로 연결될 수 있으며, 냉각 가스 토출관(680)의 단부에 형성된 가스 토출공을 통해 냉각 가스(CG)가 챔버(101) 내부로 공급될 수 있다.
냉각 가스 토출관(680) 및 후술할 냉각 가스 유출관(780)은, 가스 토출공(311) 및 가스 배출공(411)과 마찬가지로, 챔버(101) 내에 배치된 기판(10)과 상부 또는 하부에 인접하는 기판(10) 사이의 간격에 각각 위치될 수 있다.
냉각 가스 공급부(600)에서 공급되는 냉각 가스(CG)는 가스 공급부(300)에서 공급되는 기판처리 가스보다 더 빠르고 많은 양이 공급되어야 한다. 따라서, 냉각 가스 공급부(600)의 냉각 가스 토출관(680)의 직경은 가스 토출관(310)[또는, 가스 토출공(311)]의 직경보다 2배이상 큰 것이 바람직하다. 마찬가지로, 냉각 가스 유출관(780)도 가스 인출관(410)[또는, 가스 배출공(411)]의 직경보다 2배이상 큰 것이 바람직하다. 그리하여, 가스 공급부(300)에서 기판처리 가스가 공급되고, 냉각 가스 공급부(600)에서 냉각 가스(CG)가 동시에 공급되는 경우에도 측면에서 이동하는 냉각 가스(CG)의 유량이 더 클 수 있다. 냉각 가스(CG)가 챔버(101)에서 측면을 따라 이동하는 유량이 더 크므로, 기판처리 가스가 챔버(101)의 측면으로 퍼져나가 챔버(101) 내벽 또는 모서리 부분에서 와류하는 것을 방지할 수 있다. 기판처리 가스가 와류되지 않으므로 이물질이 기판(10) 상에 개재되는 것이 방지될 수 있다.
냉각 가스 배출부(700: 710, 750)는 챔버(101)의 외부로 냉각 가스(CG)를 배출하는 통로를 제공할 수 있다. 냉각 가스 배출부(750)는 일단이 외부의 냉각 가스 배출수단(미도시)과 연결되어 냉각 가스(CG)를 배출하는 냉각 가스 인출부(760) 및 냉각 가스 인출부(760)의 타단에 연결되어 챔버(101)로부터 배출된 냉각 가스(CG)를 냉각 가스 인출부(760)로 전달하는 냉각 가스 유출부(770)를 포함할 수 있다.
냉각 가스 인출부(760)의 밸브(765)는 냉각 가스 인출부(760)를 통과하여 배출되는 냉각 가스(CG)의 유동량을 제어할 수 있다. 그리고, 연결관(767)은 냉각 가스 인출부(760)와 냉각 가스 유출부(770)를 연결할 수 있다.
냉각 가스 유출부(770)와 챔버(101)가 연통되도록, 냉각 가스 유출부(770)의 일측에 수직 방향으로 일정한 간격을 가지도록 복수의 냉각 가스 유출관(780)이 연결될 수 있다. 냉각 가스 유출관(780)은 본체(100)를 관통하여 챔버(101) 내부로 연결될 수 있으며, 냉각 가스 유출관(780)의 단부에 형성된 가스 유출공을 통해 냉각 가스(CG)가 챔버(101) 내부로부터 배출될 수 있다.
냉각 가스 유출부(770)에는 배기 펌프(775)가 더 연결될 수 있다. 배기 펌프(775)는 냉각 가스 유출부(770)의 하단에 연결되어 배기압을 인가함에 따라 챔버(101) 내부로부터 냉각 가스(CG)가 냉각 가스 유출관(780), 냉각 가스 유출부(770) 및 냉각 가스 인출부(760)를 통해 빠르게 배출될 수 있도록 할 수 있다. 이에 따라 냉각 가스(CG)가 챔버(101)에서 급속으로 이동할 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 가스(CG)의 이동 방향 및 챔버 냉각 원리를 나타내는 개략도이다. 도 5는 기판처리 장치(1)의 정단면 개략도를 나타내며, 설명의 편의상 관련된 구성요소만 도시한다.
도 5를 참조하면, 한 쌍의 냉각 가스 공급부(600: 610, 650)와 한 쌍의 냉각 가스 배출부(700: 710, 750)가 상호 대향하도록 배치된다. 한 쌍의 냉각 가스 공급부(600: 610, 650)는 각각 챔버(101) 좌측면 상에서 양 사이드에 배치되고, 한 쌍의 냉각 가스 배출부(700: 710, 750)는 각각 챔버(101) 우측면 상에서 양 사이드에 배치될 수 있다.
냉각 가스 공급부(610)에서는 급속으로 냉각 가스(CG)가 공급되고, 냉각 가스 공급부(610)에서 공급된 냉각 가스(CG)는 챔버(101) 반대편의 냉각 가스 배출부(710)를 향해 이동할 수 있다. 동일하게, 냉각 가스 공급부(650)에서는 급속으로 냉각 가스(CG)가 공급되고, 냉각 가스 공급부(650)에서 공급된 냉각 가스(CG)는 챔버(101) 반대편의 냉각 가스 배출부(750)를 향해 이동할 수 있다.
냉각 가스(CG)가 챔버(101)의 측면[예를 들어, 전면, 후면]을 따라 일직선 방향으로 이동하기 때문에, 챔버(101) 중앙부와의 압력 차이가 발생할 수 있다. 챔버(101) 중앙부에는 기판(10)들이 배치되며 기판(10)의 열처리를 위한 열(H)이 남아있을 수 있다. 챔버(101) 측면과 챔버(101) 중앙부와의 압력 차이에 의해, 챔버(101) 측면에서 중앙부로 흡압이 발생할 수 있다. 이에 의해, 챔버(101) 중앙부의 공기들이 측면으로 이동하면서 열(H)이 냉각 가스(CG)의 흐름에 편입될 수 있다. 그리하여, 챔버(101)의 열(H) 에너지가 챔버(101)의 사이드를 이동하는 냉각 가스(CG)에 섞여 외부로 배출될 수 있고, 챔버(101) 중앙부에 직접적인 냉각 가스의 공급 없이도 챔버(101) 내부를 빠르게 냉각시킬 수 있게 된다.
한편, 도 1 내지 도 4를 다시 참조하면, 본 발명의 기판처리 장치(1)는 챔버(101)의 외측면에 배치되어 챔버벽의 온도를 제어하는 온도제어부(500)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
온도제어부(500)는 챔버벽의 외측면에 인접하거나, 소정의 거리만큼 이격되어 배치될 수 있으며, 내부에 열매(熱媒) 또는 냉매(冷媒)가 흐를 수 있는 파이프 등을 지그재그로 휘어지게 배치하는 것이 바람직하다. 온도제어부(500)는 기판처리 공정 중에 기판(10) 상에서 휘발되는 물질, 챔버(101)에 공급되고 배출되는 물질 등이 챔버(101)의 내벽에 응축되지 않도록 챔버(101)의 내벽 온도를 소정의 온도로 유지하는 역할을 할 수 있다. 바람직하게는, 챔버(101)의 내벽 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지할 수 있다.
온도제어부(500)는 챔버벽의 상부측(510), 좌우측(520: 520a, 520b), 하부측(530) 및 전후측의 도어(540, 550)에 배치될 수 있으나, 챔버(101)의 내벽 온도를 소정의 온도로 유지하는 본 발명의 목적에 달성되는 범위 내에서, 챔버(101)의 일부 외측면에는 온도제어부(500)의 배치가 생략될 수도 있다.
일 예로, 본 발명의 기판처리 장치가 플렉서블 표시장치에 사용되는 플렉서블 기판(10)을 처리하는 것을 상정하면, 이때 기판처리 과정에서 온도제어부(500)의 기능을 구체적으로 설명하면 아래와 같다.
일반적으로 플렉서블 기판(10)의 제조과정은, 논플렉서블 기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 공정, 플렉서블 기판에 패턴을 형성하는 공정 및 논플렉서블 기판에서 플렉서블 기판을 분리하는 공정으로 나누어 질 수 있다.
플렉서블 기판은 유리, 플라스틱 등의 논플렉서블 기판 상에 폴리이미드(Polyimide) 등으로 구성되는 막을 형성하고 열처리를 하여 경화시킨 후, 논플렉서블 기판과 플렉서블 기판을 점착하는 물질에 용매를 주입하여 점착력을 약화시키거나 점착 물질을 분해하여 플렉서블 기판을 논플렉서블 기판으로부터 분리하여 완성할 수 있다.
이때, 주입하는 용매 성분 또는 플렉서블 기판의 형성과정 중에 플렉서블 기판에 포함되어 있던 용매 성분이 휘발되어 가스 배출부(400)을 통해 챔버(101) 외부로 배출될 수 있으나, 챔버(101) 외부와 챔버(101) 내부의 온도 및 압력 차이 때문에 챔버(101) 내벽의 소정의 부분은 위 물질이 휘발되지 못하고 응축될 정도로 챔버(101) 내벽의 온도가 낮게 형성되어 있을 수 있다. 결국, 챔버(101) 내벽에 응축된 용매 성분은 챔버(101)를 오염시키거나, 후속 공정에서 기판(10)을 오염시키는 문제점이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명의 기판처리 장치는 용매를 포함한 챔버(101) 내의 가스가 챔버(101) 내벽에 응축되지 않고 기체 상태로 모두 외부로 배출될 수 있도록, 챔버(101) 내벽 온도를 가스가 응축되지 않을 정도로 유지할 수 있다.
일 예로, 기판(10) 상에 포함되어 있던 물질은 용매와 같은 휘발성 물질로서, 50℃ 내지 250℃에서 기화되는 물질일 수 있다. 이러한 물질은 바람직하게는 NMP(n-methyl-2-pyrrolidone)일 수 있고, IPA, 아세톤(Acetone), PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate) 등의 휘발성 물질일 수도 있다.
상기 물질들이 챔버(101) 내부에서 응축되지 않고 기체 상태를 유지하여 배출되도록 하기 위해서, 챔버(101)의 내벽의 온도를 상기 물질들이 기화할 수 있는 온도로 유지해야 함은 물론이다. 이를 위해, 온도제어부(500)에 챔버벽 가열 모듈(570)과 챔버벽 냉각 모듈(590)을 연결할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 온도제어부(500)의 동작을 나타내는 개략도이다.
도 5를 참조하면, 온도제어부(500), 챔버벽 가열 모듈(570) 및 챔버벽 냉각 모듈(590) 중간에는 3 웨이 밸브(3 way valve; 3WV)가 설치될 수 있다. 챔버벽 가열 모듈(570)은 냉각수(Process Cooling Water, PCW)의 온도를 순간적으로 올릴 수 있는 열 교환기를 포함하여, 냉각수를 가열하여 공급하는 장치로 이해될 수 있고, 챔버벽 냉각 모듈(590)은 냉각수를 공급하는 장치로 이해될 수 있다.
일 예로, 기판처리 공정시에는 챔버(101) 내부의 기판처리 온도가 80℃에서 150℃, 150℃에서 250℃, 250℃에서 350℃ 등으로 단계적으로 상승할 수 있다. 기판처리 초기에는 챔버(101) 내부의 기판처리 온도가 80℃ 정도이기 때문에 챔버(101) 내벽의 온도는 상대적으로 더 낮은 60 ~ 80℃ 미만일 수 있고, 증발대역을 80 ~ 150℃정도로 갖는 휘발성 물질 중 하나인 NMP는 챔버(101) 내벽에 응축될 가능성이 높다. 따라서, 기판처리 초기에는 3 웨이 밸브(3WV)를 제어하여 챔버벽 가열 모듈(570)로부터 온도제어부(500)에 냉각수를 가열하여 공급함으로써(P1), 챔버벽의 온도를 NMP의 최소 증발대역인 80℃ 이상으로 유지할 수 있다.
챔버(101) 내부의 기판처리 온도가 300℃ 이하인 경우에는 챔버벽 히팅 모듈(600)을 작동시키고, 챔버(101) 내부의 기판처리 온도가 300℃를 초과하게 되면, 3방 밸브(3WV)를 제어하여 챔버벽 냉각 모듈(590)로부터 온도제어부(500)에 냉각수를 공급함으로써(P2), 챔버벽의 온도를 NMP의 최소 증발대역인 80℃ 이상으로 유지할 수 있다. 물론, 챔버(101) 내부의 기판처리 온도가 300℃를 초과하게 되면 굳이 온도제어부(500)에 냉각수를 공급하지 않더라도 챔버벽의 온도가 80℃이상이 되는 것은 당연하나, 챔버벽의 온도가 NMP의 증발대역인 80 ~ 150℃를 넘어서게 되면 챔버벽의 뒤틀림, 파손 문제가 발생할 수 있으므로, 냉각 모듈(700)로부터 온도제어부(500)에 적절하게 냉각수를 공급하는 것이 필요하다. 다시 말해, 챔버(101) 내부의 기판처리 온도가 300℃ 이하이면 챔버벽 가열 모듈(570)을 작동시키고, 챔버(101) 내부의 기판처리 온도가 300℃를 초과하면 챔버벽 냉각 모듈(590)을 작동시켜, 챔버(101)의 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지할 수 있는 것이다.
이와 같이, 본 발명의 기판처리 장치(1)는 온도제어부(500)를 구비하여, 챔버(101) 내벽을 소정의 온도(즉, 가스의 증발 온도)로 유지하여 챔버(101) 내벽에 가스가 응축되지 않도록 하는 이점이 있다. 또한, 챔버(101) 내벽에 가스가 응축되지 않고 챔버(101) 외부로 모두 배출될 수 있으므로, 챔버(101) 내벽이 오염되지 않고, 제품의 신뢰성 및 수율을 증대시킬 수 있는 이점이 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리 장치를 나타내는 측단면도이다. 이하에서는, 도 1 내지 도 5를 통해 상술한 기판처리 장치와의 차이점에 대해서만 설명한다.
챔버(101) 내벽은 온도제어부(500)에 의해 가스가 응축되지 않도록 할 수 있으나, 챔버(101)의 외부, 특히, 냉각 가스 배출부(700)에서 낮은 온도의 영향을 받아 가스가 쉽게 응축될 수 있다. 챔버 내에서 증발된 기판 상의 물질, 휘발된 용매 성분이 냉각 가스(CG)에 섞여 배출되는 중에 냉각 가스 배출부(700)의 내부에서 이러한 물질, 용매 성분 등이 응축될 수 있다. 액체로 응축된 결과 냉각 가스 배출부(700)를 오염시키거나, 역으로 챔버(101) 내로 들어가서 챔버(101) 또는 기판(10)의 오염을 발생시킬 수도 있다.
따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 챔버(101) 내에서 기화되거나 건조되는 기판(10) 상의 물질이 냉각 가스 배출부(700)에 응축되지 않도록, 냉각 가스 배출부(700)에는 응축 방지 히터부(790)가 더 설치될 수 있다. 응축 방지 히터부(790)는 냉각 가스 유출부(770)의 내부에 삽입되거나 외부를 감싸는 형태로 설치될 수도 있고, 냉각 가스 유출관(780) 및 냉각 가스 인출부(760)에도 설치될 수 있다. 응축 방지 히터부(790)는 상술한 온도제어부(500)와 마찬가지로 냉각 가스 배출부(700)를 소정의 온도로 유지하여 가스가 응축되지 않도록 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치에 물질 배출 홀(hole; 130: 130a, 130b, 130c, 130d)이 형성된 형태를 나타내는 사시도이다.
도 8을 참조하면, 챔버(101)의 적어도 하나의 측면에 복수개의 물질 배출 홀(130: 130a, 130b, 130c, 130d)이 형성될 수 있다. 물질 배출 홀은 외부에 배치된 펌핑 수단(미도시)에 연결되어 챔버(101) 내부의 응축된 물질을 효과적으로 배출할 수 있다.
복수개의 물질 배출 홀(130)을 통해, 온도제어부(500)와 더불어 챔버(101)의 내벽에 가스가 응축되는 것을 방지할 수 있고, 가스가 응축되는 상황이 발생하더라도, 물질 배출 홀(130)을 통해 외부로 방출함으로써, 챔버(101) 내벽의 오염을 더욱 효과적으로 방지하고, 제품의 신뢰성 및 수율을 보다 증대시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
1: 기판처리 장치
10: 기판
11: 기판 홀더
100: 본체
101: 챔버
110: 도어
120: 보강리브
200: 히터부
210: 메인 히터
220: 서브 히터
300: 가스 공급부
400: 가스 배출부
500: 온도제어부
570: 챔버벽 가열 모듈
590: 챔버벽 냉각 모듈
600, 610, 650: 냉각 가스 공급부
660: 냉각 가스 인입부
670: 냉각 가스 토출부
680: 냉각 가스 토출관
700, 710, 750: 냉각 가스 배출부
760: 냉각 가스 인출부
770: 냉각 가스 유출부
775: 배기 펌프
780: 냉각 가스 유출관
790: 응축 방지 히터부
CG: 냉각 가스
H: 챔버 내 열

Claims (20)

  1. 기판처리 장치로서,
    챔버 내에 기판처리 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 챔버 내의 기판처리 가스를 외부로 배출하는 가스 배출부;
    상기 챔버 내에 배치되며 상기 챔버 내부를 가열하는 히터부;
    상기 챔버 내에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부; 및
    상기 챔버 내의 냉각 가스를 외부로 배출하는 냉각 가스 배출부
    를 포함하며,
    상기 냉각 가스 공급부는 상기 챔버 일측면의 사이드에 수직 방향을 따라 연결되고, 상기 챔버 일측면의 중앙 부분에는 연결되지 않으며,
    상기 냉각 가스 배출부는 상기 챔버 일측면에 대향하는 타측면의 사이드에 수직 방향을 따라 연결되고, 상기 챔버 타측면의 중앙 부분에는 연결되지 않으며,
    상기 냉각 가스 공급부에서 상기 챔버 내에 공급된 냉각 가스는, 상기 챔버의 전면 사이드 좌측에서 우측을 따라 수평으로 이동 및 후면 사이드 좌측에서 우측을 따라 수평으로 이동하여 상기 냉각 가스 배출부를 통해 배출되고, 상기 챔버의 중앙부에는 상기 냉각 가스가 이동하지 않으며,
    상기 냉각 가스의 흐름에 의해 생성된 흡압에 의해 상기 챔버 내의 열이 상기 전면 사이드 및 상기 후면 사이드를 따라 빠져나가는, 기판처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급부에서 상기 기판처리 가스가 공급되고, 상기 냉각 가스 공급부에서 상기 냉각 가스가 동시에 공급되는 경우에도, 상기 챔버의 전면 사이드 좌측에서 우측을 따라 수평으로 이동 및 후면 사이드 좌측에서 우측을 따라 수평으로 이동하는 상기 냉각 가스의 유량이 더 큰, 기판처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    한쌍의 상기 냉각 가스 공급부가 상기 챔버 일측면의 양 사이드에 수직 방향을 따라 연결되는, 기판처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 가스 공급부는,
    외부에서 냉각 가스가 유입되는 통로를 제공하는 냉각 가스 인입부; 및
    상기 냉각 가스 인입부의 일단에 연결되고, 상기 냉각 가스 인입부로부터 유입된 냉각 가스가 수직 방향으로 분산되는 분산부를 포함하는 냉각 가스 토출부
    를 포함하는, 기판처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 냉각 가스 토출부의 일측에는 상호 이격된 복수의 냉각 가스 토출관이 연결되고, 상기 냉각 가스 토출관은 상기 챔버로 연통되는, 기판처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 냉각 가스 토출관의 직경은 상기 가스 공급부의 가스 토출관의 직경보다 적어도 2배 이상 큰, 기판처리 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 냉각 가스 인입부에는 필터가 설치되는, 기판처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    한쌍의 상기 냉각 가스 배출부가 상기 챔버 타측면의 양 사이드에 수직 방향을 따라 연결되는, 기판처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 가스 배출부는,
    외부로 냉각 가스가 배출되는 통로를 제공하는 냉각 가스 인출부; 및
    상기 냉각 가스 인출부의 일단에 연결되고, 타단은 상기 챔버에 연결되는 냉각 가스 유출부
    를 포함하는, 기판처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 냉각 가스 유출부의 일측에는 상호 이격된 복수의 냉각 가스 유출관이 연결되고, 상기 냉각 가스 유출관은 상기 챔버로 연통되는, 기판처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 냉각 가스 유출관의 직경은 상기 가스 배출부의 가스 인출관의 직경보다 적어도 2배 이상 큰, 기판처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 냉각 가스 유출부의 하단에는 배기 펌프가 더 연결되는, 기판처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 가스 공급부와 상기 냉각 가스 배출부는 상호 대향하는 위치에 배치되는, 기판처리 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 전면 사이드 및 후면 사이드와 상기 챔버의 중앙부와의 압력 차이에 의해 상기 흡압이 발생되는, 기판처리 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 중앙부에 직접적인 상기 냉각 가스의 공급 없이 상기 챔버의 내부를 냉각할 수 있는, 기판처리 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 외측면에 배치되며 챔버벽의 온도를 제어하는 온도제어부를 더 포함하고,
    상기 온도제어부는, 상기 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 상기 챔버의 내벽에 응축되지 않도록, 상기 챔버의 상기 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지하는, 기판처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 물질은 휘발성 물질로서, 50℃ 내지 250℃에서 기화되는 물질인, 기판처리 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 챔버 내부의 기판처리 온도가 300℃ 이하이면, 상기 온도제어부와 연결된 챔버벽 가열 모듈을 작동시키고,
    상기 챔버 내부의 기판처리 온도가 300℃를 초과하면, 상기 온도 제어부와 연결된 챔버벽 냉각 모듈을 작동시켜,
    상기 챔버의 상기 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지하는, 기판처리 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 상기 냉각 가스 배출부 내에 응축되지 않도록, 상기 냉각 가스 배출부에 응축 방지 히터부가 설치되는, 기판처리 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 적어도 하나의 측면에는 복수개의 물질 배출 홀(hole)이 형성된, 기판처리 장치.
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