KR101709586B1 - 반도체제조용 이송챔버 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체제조용 이송챔버에 관한 것으로서, 본 발명의 일실시예는, 이송챔버 내부의 상부에 설치되는 공기정화필터, 공기정화필터의 상부에서 이송챔버와 연결되는 적어도 한개 이상의 공기 및 질소유입챔버, 공기 및 질소유입챔버와 연결되어 질소를 공급하는 질소공급관, 공기 및 질소유입챔버의 내부에 설치되는 히터를 포함하는 반도체제조용 이송챔버를 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 제조장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체제조용 이송챔버의 내부에 산소 성분을 최소화함으로써 웨이퍼의 자연 산화 현상을 최소화하고, 반도체제조용 이송챔버 내부에 각종 가스와 수증기 성분을 최소화함으로써 제조 시설내에 발생되는 오염물질을 최소화할 수 있는 반도체제조용 이송챔버에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 팹(즉, 반도체 제조 공장)의 반도체 제조 라인에서 웨이퍼를 프로세싱하는 전공정 장비라 하면 노광장비, 화학기상증착장비(CVD), 물리기상증착장비(PVD), 식각장비(Etcher), 로(Furnace), 임플란타(Implanter), 세정장비(Wet Station) 등 웨이퍼 표면에 미세전자회로를 구조물형태로 구현하데 필요한 생산설비를 의미한다.
반도체 제조 공정의 특성상 전체 공정 중에서 증착공정(CVD, PVD)과 식각공정(Etcher)이 가장 높은 비중을 가지게 되고 이에 따라 반도체 제조 설비 중 이들 장비들의 설치 대수가 상대적으로 많고 결과적으로 반도체 제조 라인에서 가장 넓은 면적을 점유하게 된다.
도 1은 종래의 반도체 제조 장비에 대한 구조도로서, 도시된 바와 같이 중앙에 진공상태를 유지하는 대형 이송챔버(30)가 있고 그 주변에 독립적으로 작동하는 공정챔버(40)가 다수 연결된 구조이다.
이송챔버(30)의 일측에는 대기압과 진공 상태를 오르내리며 웨이퍼카세트(50)로부터 낱장 또는 여러 장의 웨이퍼를 옮겨담거나 공정챔버(40)에서 처리가 완료된 웨이퍼를 웨이퍼카세트(50)로 옮겨담는 역할을 하는 로드락챔버(20)가 한두개 장착되어 있다. 이때 이송챔버(30)의 중앙에는 진공상태에서 작동하는 고정밀 이송챔버 로봇암(35)이 있어 로드락챔버(20)와 공정챔버(40) 사이에 웨이퍼를 전달하는 과정을 수행한다.
반도체 제조 장비(70)의 전면에 위치한 웨이퍼 저장부(10)에는 여러 개의 웨이퍼카세트(50)가 놓여 있고, 저장부 로봇암(15)을 통해서 낱장의 웨이퍼가 로드락챔버(20)로 로딩되거나 로드락챔버(20)로부터 웨이퍼카세트(50)로 언로딩된다.
그러나, 최근에는 동일한 웨이퍼 크기에 보다 많은 칩을 생산하기 위해 회로의 선폭을 줄이는 것이 초미의 관심사가 되고 있는데, 상기와 같은 종래의 반도체제조용 이송챔버에는 웨이퍼 내에 존재하는 각종 가스와 대기내에 존재하는 산소가 웨이퍼에 노출되어 웨이퍼의 자연 산화현상이 발생되는 문제점이 있었다.
또한, 대기내에 존재하는 수증기 성분으로 인해 웨이퍼 내에 존재하는 각종 가스와 화학 반응이 발생되어 오염 물질이 발생되어 제조 현장의 안전을 위협하는 심각한 문제점이 있었다.
이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 반도체제조용 이송챔버의 내부에 산소 성분을 최소화함으로써 웨이퍼의 자연 산화 현상을 최소화하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체제조용 이송챔버의 각종 가스와 수증기 성분을 최소화함으로써 제조 시설내에 발생되는 오염물질을 최소화할 수 있는 반도체 제조용 이송챔버를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는, 이송챔버 내부의 상부에 설치되는 공기정화필터, 공기정화필터의 상부에서 이송챔버와 연결되는 적어도 한개 이상의 공기 및 질소유입챔버, 공기 및 질소유입챔버와 연결되어 질소를 공급하는 질소공급관, 공기 및 질소유입챔버의 내부에 설치되는 히터를 포함하는 반도체제조용 이송챔버를 제공한다.
이상과 같은 본 발명의 실시예에 의하면, 반도체제조용 이송챔버의 내부에 수증기 성분을 최소화함으로써 웨이퍼의 자연 산화 현상을 최소화하는 효과가 있다.
또한, 반도체제조용 이송챔버의 각종 가스와 수증기 성분을 최소화함으로써 제조 시설내에 발생되는 오염물질을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면 반도체제조용 이송챔버의 내부의 온도와 습도 및 질소를 자동 제어하는 인터록 시스템을 구현할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조 장비에 대한 구조도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버를 개략적으로 나타낸 구조도,
도 3은 도 2의 일부를 확대한 확대도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 질소공급관을 개략적으로 나타낸 계통도,
도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 디퓨저를 나타내는 사시도,
도 6은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 디퓨저와 방열판을 나타내는 정면도,
도 7은 도 5의 평면도,
도 8은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 노즐관을 개략적으로 나타낸 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버를 개략적으로 나타낸 구조도,
도 3은 도 2의 일부를 확대한 확대도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 질소공급관을 개략적으로 나타낸 계통도,
도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 디퓨저를 나타내는 사시도,
도 6은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 디퓨저와 방열판을 나타내는 정면도,
도 7은 도 5의 평면도,
도 8은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 노즐관을 개략적으로 나타낸 측면도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버를 개략적으로 나타낸 구조도, 도 3은 도 2의 일부를 확대한 확대도, 도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 질소공급관을 개략적으로 나타낸 계통도, 도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 디퓨저를 나타내는 사시도, 도 6은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 디퓨저와 방열판을 나타내는 정면도, 도 7은 도 5의 평면도, 도 8은 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버 중 노즐관을 개략적으로 나타낸 측면도이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 의한 반도체제조용 이송챔버는 이송챔버(200) 내부의 상부에 설치되는 공기정화필터(203), 공기정화필터(203)의 상부에서 이송챔버(200)와 연결되는 적어도 한개 이상의 공기 및 질소유입챔버(210), 공기 및 질소유입챔버(210)와 연결되어 질소를 공급하는 질소공급관(205), 공기 및 질소유입챔버(210)의 내부에 설치되는 히터(211)를 포함한다.
이송챔버(200)는 반도체 제조 공정상 미세한 먼지나 수증기, 불순물 등의 유입이 방지되도록 장방형의 밀폐형 구조를 가지며 이송챔버(200) 내부의 상부에는 공기 및 질소유입챔버(210)로부터 유입되는 불순물을 제거하는 공기정화필터(203)가 설치되어 있다.
여기서, 공기정화필터(203)는 입자의 크기가 1.2 ~ 1.7 ㎛ 의 미세먼지를 차단할 수 있는 ULPA 필터(Ultra Low Particulate Air Filter) 내지는 HEPA 필터(High Efficiency Particulate Air Filter)가 이용된다.
그리고, 공기정화필터(203)의 상부에는 이송챔버(200)와 연결되는 공기 및 질소유입챔버(210)가 적어도 한개 이상이 설치되고, 공기 및 질소유입챔버(210)에 질소공급관(205)이 연결되어 외부로부터 공기가 유입됨과 동시에 질소도 함께 이송챔버(200)의 상부 공간으로 유입된다.
이러한 공기 및 질소유입챔버(210)의 내부에는 유입되는 공기의 수증기 성분을 제거할 수 있도록 히터(211)가 설치되며 공기 및 질소유입챔버(210)의 단부에는 송풍팬(213)이 설치되어 수증기가 제거된 공기와 질소를 공기정화필터(203)로 송풍하여 상부에서 하부로 유동되게 되어 있다.
여기서, 공기와 질소는 대략 10 ~ 20 : 1 의 비율로 혼합되어 이송챔버(200)로 유동되는데, 질소의 비율이 높을수록 좋지만 질소 보관 및 이송 등의 시설비와 유지비 등을 고려하여 적절한 비율로 조정될 수 있다.
또한, 이송챔버(200)의 내부에는 이송챔버(200) 내부의 온도와 습도를 측정하는 온도 및 습도센서(207)와, 이송챔버(200) 내부의 산소 농도를 측정하는 산소센서(209)가 설치되어 있어서, 웨이퍼 제조에 악영향을 미치는 수증기와 산소의 존재량을 모니터링할 수 있게 되어 있다.
그리고, 이러한 온도 및 습도센서(207)와 산소센서(209)로부터 수신된 데이터를 기설정된 데이터 즉, 온도설정값, 습도설정값, 산소농도설정값과 비교하여 히터(211)와 질소공급관(205)의 작동을 제어하는 제어부(220)를 구비하고 있다.
여기서 제어부(220)는 온도 및 습도센서(207)와 산소센서(209)로부터 측정된 데이터를 수신하는 센서수신부(225)와, 온도 및 습도센서(207)로부터 수신된 온도 및 습도 데이터와 기설정된 온도및 습도 데이터를 비교하여 히터(211)의 작동여부를 제어하는 히터제어부(221)와, 산소센서(209)로부터 수신된 산소농도 데이터와 기설정된 산소농도 데이터를 비교하여 질소의 공급량을 제어하는 질소공급제어부(223)를 포함한다.
이러한 제어부(220)를 구비함으로써 이송챔버(200)에는 유입되는 공기중에 습도의 안정적인 제어를 위한 습도인터록 시스템과 온도인터록 시스템 및 질소인터록 시스템이 구비된다.
한편, 이송챔버(200)에는 적어도 어느 하나의 측벽면에 작업자가 출입할 수 있는 도어(201)가 구비되며, 이 도어(201)에는 도어(201)의 열림과 닫힘을 감지하는 도어센서(201a)가 구비되어 있다.
그리고, 제어부(220)는 도어센서(201a)로부터 수신된 도어(201)의 열림과 닫힘 여부에 따라서 질소의 공급과 차단을 제어하는 안전제어부(227)를 더 포함할 수 있다.
즉, 작업자가 제조 공정상 또는 작동 시설 보수 등을 위해 이송챔버(200) 내부로 출입할 때 산소의 농도가 너무 희박하여 호흡 곤란을 일으키거나 고온으로 인한 안전 사고를 방지할 수 있도록, 도어(201)가 열리면 제어부(220)가 히터(211) 작동과 질소 공급을 중단시킬 수 있도록 질소인터록 시스템이 구비되어 있다.
이러한 이송챔버(200)로 질소를 공급하는 질소공급관(205)에는 질소탱크와의 연결을 개폐하는 메인밸브(205a)와, 질소의 압력을 일정하게 유지시키는 레귤레이터(205c), 질소에 포함된 불순물과 수분을 제거하는 질소필터(205c), 질소공급제어부(223)와 연결되어 질소의 유량을 증감시키는 질소유량조절기(205e) 등이 구비된다.
따라서, 작업이 완료되거나 보수 작업이 필요한 경우에는 질소탱크로부터의 질소 공급이 원천 차단되도록 메인밸브(205a)를 닫아 안전 사고를 방지함과 더불어 불필요한 질소의 낭비를 방지하게 되어 있다.
또한, 레귤레이터(205c)가 이송챔버(200) 내부로 유입되는 질소의 압력을 일정하게 유지시킴으로써 제어부(220)가 질소의 유입량 제어를 용이하게 할 수 있게 되어 있으며, 질소필터(205c)를 통해 질소에 미량이라도 혼합되어 있는 수분이나 불순물이 이송챔버(200) 내부로 유입되지 않게 되어 있다.
또한, 제어부(220)를 통해 질소의 유동을 자동으로 제어될 수 있도록 솔레노이드밸브(222)에 의해 작동되는 제1밸브(205b)와 제2밸브(205f)가 함께 구비될 수 있으며, 여기서 제1밸브(205b)는 메인밸브(205a)와 함께 질소탱크와의 연결을 개폐하는 밸브이고 제2밸브(205f)는 질소유량조절기(205e)를 작동하기 위한 공압밸브이다.
따라서, 작업자가 수동으로 질소의 유동량을 조정할 수 있을뿐만아니라 전술한 각종 센서로부터 받은 데이터에 의해 제어부(220)가 질소의 유동량을 자동으로 제어할 수도 있게 된다.
한편, 히터(211)는 질소공급관(205)과 연결되는 중공형상의 디퓨저(215) 내부에 장착되는데, 질소를 공급하는 디퓨저(215)에는 상단과 하단에 방열판(217)이 구비되어 있어서, 디퓨저(215)의 상부와 하부로 유동되는 공기와 질소가 복사와 대류로 가열된 방열판(217)에 의해 가열되기 쉽도록 되어 있다.
디퓨저(215)는 원통형으로 내부에 히터(211)가 설치되는 대경부(215a)가 구비되고 양단에는 공기 및 질소유입챔버(210)와의 결합을 위한 플랜지부(215b)가 형성되어 있으며, 대경부(215a)에는 히터(211)의 전원연결부(218)와 온도센서(216)가 설치되고 대경부(215a)의 하단에는 질소공급관(205)과 연결되는 연결포트(214)가 구비된다.
여기서의 온도센서(216)는 히터(211)의 이상 작동을 감지하여 과열로 인한 안전사고를 방지할 수 있도록 제어부(220)와 연결되어 일정 이상의 온도가 감지되면 히터(211)로 공급되는 전원을 차단시키도록 되어 있다.
그리고, 양측 플랜지부(215b)에 원판형으로 형성되는 방열판(217)이 디퓨저(215)의 상단과 하단과 소정거리 이격된 위치에서 지지대(217a)로 결합되어 있어서 디퓨저(215)의 상부에서 유입되는 공기가 상부에 설치된 방열판(217)에 의해 부딪치면서 열교환이 이루어진 후 디퓨저(215)의 상단과 방열판(217)의 사이로 유동이 이루어지도록 되어 유입되는 공기의 가열이 효율적으로 이루어지게 되어 있다.
또한, 상부에 설치된 방열판(217)으로 인해 히터(211)에서 발생된 열이 공기 및 질소유입챔버(210)의 상부에 설치된 다른 시설물에 가하는 열량을 줄여주게 되어 주변 시설물의 열로 인한 손상과 변형을 줄여주어 내구성이 증대되게 되어 있다.
그리고, 디퓨저(215)를 통해 유입되는 질소는 디퓨저(215)의 하단에 설치된 방열판(217)에 부딪쳐 열교환이 이루어지면서 이송챔버(200) 내부로 유동되므로 이미 가열된 공기와 질소의 가열이 보다 신속하게 이루어지게 되며, 하부에 설치된 방열판(217)으로 인해 이송챔버(200) 상부에 설치된 공기정화필터(203)에 가해지는 열량이 줄어들어 공기정화필터(203)의 열로 인한 손상과 변형을 줄일 수 있게 되어 있다.
이와 같은 디퓨저(215)에는 일단이 질소공급관(205)과 연결되는 제1노즐관(214a), 제1노즐관(214a)의 타단에서 분기되어 각각 길이방향으로 연장 형성되는 제2노즐관(214b)과 제3노즐관(214c)이 결합되어 있으며, 이러한 제1노즐관(214a), 제2노즐관(214b), 제3노즐관(214c)의 하부에는 일정간격으로 이격되어 형성되는 노즐(219)이 구비되어 있어서 질소공급관(205)을 통해 유입되는 질소가 디퓨저(215)의 하부 즉, 이송챔버(200)의 상부로 신속하게 유동될 수 있게 된다.
즉, 도 7과 도 8에 도시된 것처럼 제1노즐관(214a), 제2노즐관(214b), 제3노즐관(214c)이 대략 120도의 각도로 분기되며 디퓨저(215)의 내부에 배치되어 있으며, 하부방향을 향하는 노즐(219)이 구비되어 있어서 디퓨저(215) 내부에서 질소의 공급이 하부방향으로 유동되면서 균일하게 전면적으로 유동될 수 있게 된다.
이상과 같은 본 발명의 실시예에 의하면, 반도체제조용 이송챔버의 내부에 산소 성분을 최소화함으로써 웨이퍼의 자연 산화 현상을 최소화하는 효과가 있다.
또한, 반도체제조용 이송챔버의 각종 가스와 수증기 성분을 최소화함으로써 제조 시설내에 발생되는 오염물질을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면 반도체제조용 이송챔버의 내부의 온도와 습도 및 질소를 자동 제어하는 인터록 시스템을 구현할 수 있는 효과가 있다.
이상에서, 본 발명의 실시예를 구성하는 모든 구성 요소들이 하나로 결합되거나 결합되어 동작하는 것으로 설명되었다고 해서, 본 발명이 반드시 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 목적 범위 안에서라면, 그 모든 구성 요소들이 하나 이상으로 선택적으로 결합하여 동작할 수도 있다.
또한, 이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
200: 이송챔버 201a: 도어센서
203: 공기정화필터 205: 질소공급관
207: 온도 및 습도센서 209: 산소센서
210: 공기 및 질소유입챔버 211: 히터
213: 송풍팬 215: 디퓨저
217: 방열판 220: 제어부
203: 공기정화필터 205: 질소공급관
207: 온도 및 습도센서 209: 산소센서
210: 공기 및 질소유입챔버 211: 히터
213: 송풍팬 215: 디퓨저
217: 방열판 220: 제어부
Claims (10)
- 이송챔버 내부의 상부에 설치되는 공기정화필터;
상기 공기정화필터의 상부에서 상기 이송챔버와 연결되는 적어도 한개 이상의 공기 및 질소유입챔버;
상기 공기 및 질소유입챔버와 연결되어 질소를 공급하는 질소공급관;
상기 공기 및 질소유입챔버의 내부에 설치되는 히터를 포함하며,
상기 히터는 상기 질소공급관과 연결되는 중공형상의 디퓨저 내부에 장착되며 상기 디퓨저에는 상단과 하단에 방열판이 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 이송챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 공기 및 질소유입챔버의 단부에 설치되는 송풍팬을 더 포함하는 반도체제조용 이송챔버. - 제 2 항에 있어서,
상기 이송챔버의 내부에 설치되어 온도와 습도를 측정하는 온도 및 습도센서와, 상기 이송챔버의 내부에 설치되어 산소 농도를 측정하는 산소센서를 더 포함하는 반도체 제조용 이송챔버. - 제 3 항에 있어서,
상기 온도 및 습도센서와 산소센서로부터 수신된 데이터와 기설정된 데이터를 비교하여 상기 히터와 질소공급관의 작동을 제어하는 제어부를 더 포함하는 반도체 제조용 이송챔버. - 제 4 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 온도 및 습도센서로부터 수신된 온도 및 습도 데이터와 기설정된 온도및 습도 데이터를 비교하여 상기 히터의 작동여부를 제어하는 히터제어부;
상기 산소센서로부터 수신된 산소 농도 데이터와 기설정된 산소 농도 데이터를 비교하여 상기 질소의 공급량을 제어하는 질소공급제어부;
를 포함하는 반도체 제조용 이송챔버. - 제 5 항에 있어서,
상기 이송챔버는 적어도 어느 하나의 측벽면에 도어가 구비되고 상기 도어에는 도어의 열림과 닫힘을 감지하는 도어센서가 구비되는 반도체 제조용 이송챔버. - 제 6 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 도어센서로부터 수신된 도어의 열림과 닫힘 여부에 따라서 질소의 공급과 차단을 제어하는 안전제어부를 더 포함하는 반도체 제조용 이송챔버. - 제 5 항에 있어서,
상기 질소공급관에는 질소탱크와의 연결을 개폐하는 메인밸브와, 상기 질소의 압력을 일정하게 유지시키는 레귤레이터와, 질소에 포함된 불순물과 수분을 제거하는 질소필터와, 상기 질소공급제어부와 연결되어 질소의 유량을 증감시키는 질소유량조절기가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 이송챔버. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 디퓨저에는 일단이 상기 질소공급관과 연결되는 제1노즐관과 상기 제1노즐관의 타단에서 분기되어 각각 길이방향으로 연장 형성되는 제2노즐관과 제2노즐관이 결합되고, 상기 제1노즐관, 제2노즐관, 제3노즐관에는 일정간격으로 이격되어 형성되는 노즐이 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 이송챔버.
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KR1020160019295A KR101709586B1 (ko) | 2016-02-18 | 2016-02-18 | 반도체제조용 이송챔버 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20210046079A (ko) * | 2018-09-18 | 2021-04-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인-시튜 통합 챔버들 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040064326A (ko) * | 2003-01-10 | 2004-07-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 |
KR20060036689A (ko) * | 2004-10-26 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정 장비의 게이트 밸브 |
KR20110055175A (ko) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 세메스 주식회사 | 팬 필터 유닛과, 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법 |
-
2016
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040064326A (ko) * | 2003-01-10 | 2004-07-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 |
KR20060036689A (ko) * | 2004-10-26 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정 장비의 게이트 밸브 |
KR20110055175A (ko) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | 세메스 주식회사 | 팬 필터 유닛과, 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210046079A (ko) * | 2018-09-18 | 2021-04-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인-시튜 통합 챔버들 |
KR102568706B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2023-08-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인-시튜 통합 챔버들 |
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