JP5137366B2 - 基板処理システム及び液体材料供給装置 - Google Patents
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Description
基板を処理する処理室と、
液体原料を気化させる気化ユニットと、
前記気化ユニットで気化された原料ガスを前記処理室へ供給する原料ガス供給系と、
前記気化ユニット内に堆積した生成物を洗浄するための少なくとも2種類の洗浄液であって、非プロトン性の溶剤とプロトン性の溶剤を含む少なくとも2種類の洗浄液を前記気化ユニットへ供給する洗浄液供給系と、
前記少なくとも2種類の洗浄液が同時に前記気化ユニット内に存在する状態で、前記生成物に対して前記少なくとも2種類の洗浄液を相互に作用させることで前記生成物を前記気化ユニットから除去可能とするよう前記洗浄液供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理システム、が提供される。
また、本発明によれば、
液体原料を気化させる気化ユニットと、
前記気化ユニット内に堆積した生成物を洗浄するための洗浄液を前記気化ユニットへ供給する洗浄液供給系と、
非プロトン性の溶剤とプロトン性の溶剤を含む少なくとも2種類の洗浄液を前記気化ユニットへ供給し、前記2種類の洗浄液が同時に前記気化ユニット内に存在する状態で、前記生成物に対して前記2種類の洗浄液を相互に作用させることで前記生成物を前記気化ユニットから除去可能とするよう前記洗浄液供給系を制御する制御部と、
を有する液体材料供給装置、が提供される。
第1のガス供給管232aにTEMAH、第1のキャリアガス供給管234aにキャリアガス(N2)を流す。この時ガス排気管231の第5のバルブ243eは開けられている。第1のガス供給管232aの第1のバルブ243a、第1のキャリアガス供給管234aの第3のバルブ243cを共に開ける。キャリアガスは、第1のキャリアガス供給管234aから流れ、第2のマスフローコントローラ241bにより流量調整される。TEMAHは、第1のガス供給管232aから流れ、液体マスフローコントローラにより流量調整され、気化器242により気化され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第1のノズル233aの第1のガス供給孔248aから処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。この時、第5のバルブ243eを適正に調整して処理室201内の圧力を6.6-665Paの範囲であって、例えば300Paとする。液体マスフローコントローラ240で制御するTEMAHの供給量は0.01〜0.5g/minである。TEMAHガスにウエハ200を晒す時間は30〜180秒間である。このときヒータ207温度はウエハの温度が180〜300℃の範囲であって、例えば200℃になるよう設定してある。
TEMAHを処理室201内に供給することで、ウエハ200上の下地膜などの表面部分と表面反応(化学吸着)する。
第1のガス供給管232aの第1のバルブ243aを閉め、TEMAHの供給を停止する。このときガス排気管231の第5のバルブ243eは開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留TEMAHガスを処理室201内から排除する。このときN2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、更に残留TEMAHガスを排除する効果が高まる。
第2のガス供給管232bにO3、第2のキャリアガス供給管234bにキャリアガス(N2)を流す。第2のガス供給管232bの第2のバルブ243b、第2のキャリアガス供給管234bの第4のバルブ243dを共に開ける。キャリアガスは、第2のキャリアガス供給管234bから流れ、第3のマスフローコントローラ241cにより流量調整される。O3は第2のガス供給管232bから流れ、第3のマスフローコントローラにより流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第2のノズル233bの第2のガス供給孔248bから処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。この時、第5のバルブ243eを適正に調整して処理室201内の圧力を26-266Paの範囲であって、例えば66Paに維持する。O3にウエハ200を晒す時間は10〜120秒間である。このときのウエハの温度が、ステップ1のTEMAHガスの供給時と同じく180〜300℃の範囲であって、例えば200℃となるようヒータ207を設定する。O3の供給により、ウエハ200の表面に化学吸着したTEMAHとO3とが表面反応して、ウエハ200上にHfO2膜が成膜される。
成膜後、第2のガス供給管232bの第2のバルブ243b及び、第2のキャリアガス供給管234bの第4のバルブ243dを閉じ、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、残留するO3の成膜に寄与した後のガスを排除する。このとき、N2等の不活性ガスを反応管203内に供給すると、更に残留するO3の成膜に寄与した後のガスを処理室201から排除する効果が高まる。
ここでは、非プロトン性溶剤としてヘキサンを、プロトン性溶剤としてメタノールを例にとって説明する。
なお、この工程においてはヘキサンは排出しない方が良い。この理由としては、ヘキサンは揮発性が高いので、気化ユニットからヘキサンを排出してしまうと、生成物クラスター中に浸透したヘキサンも揮発してしまい、その状態でメタノールが供給されると、生成物クラスターがゲル化してしまうことがあるからである。但し、ヘキサンの排出時間が十分短かければ、一旦ヘキサンを排出させてもある程度の効果が期待できるが、排出させない方がより好ましい。
また、メタノールで分解されたクラスターの分子は、ヘキサンに溶ける。
(4) 好ましくは、この後にヘキサンを供給して排出する。これは、気化ユニットから極性溶剤であるメタノールを抜くより、非極性溶剤のヘキサンを抜く方が抜き易いからである(減圧排気だけで容易に抜くことが可能)。
なお、気化ユニット内の生成物をより確実に除去するため、上記(1)〜(3)の工程を複数回繰り返しても良い。
第一に、(ヘキサンが無い状態で)最初にメタノールを供給すると、熱が発生して縮合反応を起こしゲル化してしまうので、これを防ぐことができる。
第二に、生成物クラスターにヘキサンが浸透(又は、気化ユニット内にヘキサンが充満)されていると、次に供給されるメタノールが生成物クラスター中に均一に入り込むことができ、メタノールと生成物クラスターが均一に反応することができる。
(NMeEt)n(OH)mHfOl + MeOH → (MeO)n(OH)mHfOl + HNMeEt↑
ここで、(MeO)n(OH)mHfOl はヘキサン可溶性であり、HNMeEtはアミンのガスである。
洗浄シーケンスとして、まずバルブ10を開け、配管内に残留した液体原料を排気ポンプ246で排気する。続けてバルブ11を開け、第1の圧送ガス40により配管内をパージする。次にバルブ11を閉じ、洗浄液Aを導入するため真空にする。そしてバルブ10を閉じ、バルブ2、5を開け、第2の圧送ガス41の作用により気化器内に洗浄液Aを導入する。ここで配管や気化ユニット内の生成物がに洗浄液Aが浸透する。所定時間、洗浄液Aを供給させた後、バルブ2、5を閉じ、バルブ7、11を開け洗浄液Aを除去する。なお、前述したように、洗浄液Aが揮発性が高い場合は、除去、排出させない方が好ましい。そしてバルブ7、11を閉じ、バルブ1、6を開け洗浄液Bを導入する。所定時間経過後、バルブ1、6を閉じ、バルブ7、11を開け洗浄液Bを除去する。このとき生成物も同時に排出される。そしてバルブ7、11を閉じ、バルブ10を開け真空引きする。
以上の手順を実施することで、生成物を除去することができる。
なお、上記の洗浄シーケンスは、各バルブ等の動作をコントローラ280により制御することにより実行される。
基板を処理する処理室と、
液体原料を気化させる気化ユニットと、
前記気化ユニットで気化された原料ガスを前記処理室へ供給する供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排出する排出系と、
前記気化ユニット内に堆積した生成物を洗浄するための洗浄液を前記気化ユニットへ供給する洗浄液供給系を備え、
前記洗浄液供給系は、少なくとも2種類の洗浄液を前記気化ユニットへ供給し、前記生成物に対して前記2種類の洗浄液のそれぞれを作用させることで前記生成物を前記気化ユニットから除去可能とした ことを特徴とする基板処理システム、が提供される。
前記洗浄液は第1の洗浄液と第2の洗浄液を含み、前記第1の洗浄液は非プロトン性の溶剤、前記第2の洗浄液はプロトン性の溶剤であって、
前記洗浄液の供給順は、前記第1の洗浄液を前記気化ユニットへ供給した後、前記第2の洗浄液を前記気化ユニットへ供給する。
基板を処理する処理室と、
液体原料を気化させる気化ユニットと、
前記気化ユニットで気化された原料ガスを前記処理室へ供給する供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排出する排出系と、
前記気化ユニット内に堆積した生成物を洗浄するための洗浄液を前記気化ユニットへ供給する洗浄液供給系と、を備えた基板処理システムにおける前記気化ユニットの洗浄方法であって、
前記洗浄液供給系は、少なくとも2種類の洗浄液を前記気化ユニットへ供給し、前記生成物に対して前記2種類の洗浄液のそれぞれを作用させることで前記生成物を前記気化ユニットから除去させることを特徴とする洗浄方法、が提供される。
21…液体原料入口
22…原料導入ノズル
23…ヒータ
24…気化室
25…気化原料出口
26…副生成物
27…キャリア入口
30…原料供給タンク
31…洗浄液Aのタンク
32…洗浄液Bのタンク
40…第1の圧送ガス
41…第2の圧送ガス
42…第3の圧送ガス
200…ウエハ
202…処理炉
203…反応管
207…ヒータ
209…マニホールド
217…ボート
218…ボート支持台
219…シールキャップ
220…Oリング
231…ガス排気管
232a…第1のガス供給管
232b…第2のガス供給管
233a…第1のノズル
233b…第2のノズル
234a…第1のキャリアガス供給管
234b…第2のキャリアガス供給管
240…液体マスフローコントローラ
241a…第1のマスフローコントローラ
241b…第2のマスフローコントローラ
241c…第3のマスフローコントローラ
242…気化器
243a…第1のバルブ
243b…第2のバルブ
243c…第3のバルブ
243d…第4のバルブ
243e…第5のバルブ
246…空ポンプ
248a…第1のガス供給孔
248b…第2のガス供給孔
267…ボート回転機構
280…コントローラ
Claims (10)
- 基板を処理する処理室と、
液体原料を気化させる気化ユニットと、
前記気化ユニットで気化された原料ガスを前記処理室へ供給する原料ガス供給系と、
前記気化ユニット内に堆積した生成物を洗浄するための少なくとも2種類の洗浄液であって、非プロトン性の溶剤とプロトン性の溶剤を含む少なくとも2種類の洗浄液を前記気化ユニットへ供給する洗浄液供給系と、
前記少なくとも2種類の洗浄液が同時に前記気化ユニット内に存在する状態で、前記生成物に対して前記少なくとも2種類の洗浄液を相互に作用させることで前記生成物を前記気化ユニットから除去可能とするよう前記洗浄液供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理システム。 - 前記洗浄液は第1の洗浄液と第2の洗浄液を含み、前記第1の洗浄液は非プロトン性の溶剤、前記第2の洗浄液はプロトン性の溶剤であって、
前記洗浄液の供給順は、前記第1の洗浄液を前記気化ユニットへ供給した後、前記第2の洗浄液を前記気化ユニットへ供給する請求項1に記載の基板処理システム。 - 前記第2の洗浄液は、前記第1の洗浄液が前記気化ユニット内に残留している状態で、前記気化ユニット内に供給する請求項2に記載の基板処理システム。
- さらに、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系を備え、
前記制御部は、前記気化ユニットから前記第1の洗浄液と第2の洗浄液とを排出した後、再度、前記気化ユニットに前記第1の洗浄液を供給するよう前記洗浄液供給系を制御する請求項2または3に記載の基板処理システム。 - 前記制御部は、
前記気化ユニットに前記第1の洗浄液を供給することで前記第1の洗浄液を前記生成物の中に浸透させ、しかる後、前記第2の洗浄液を供給することで前記第2の洗浄液を前記生成物と反応させて分解させるよう前記洗浄液供給系を制御する請求項2乃至4のいずれか1項に記載の基板処理システム。 - 前記第1の洗浄液は非プロトン性溶媒である請求項2乃至5のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 前記第1の洗浄液はハイドロカーボン系溶媒である請求項2乃至6のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 前記第2の洗浄液はプロトン性溶媒である請求項2乃至7のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 前記第2の洗浄液はアルコール系溶媒である請求項2乃至8のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 液体原料を気化させる気化ユニットと、
前記気化ユニット内に堆積した生成物を洗浄するための洗浄液を前記気化ユニットへ供給する洗浄液供給系と、
非プロトン性の溶剤とプロトン性の溶剤を含む少なくとも2種類の洗浄液を前記気化ユニットへ供給し、前記2種類の洗浄液が同時に前記気化ユニット内に存在する状態で、前記生成物に対して前記2種類の洗浄液を相互に作用させることで前記生成物を前記気化ユニットから除去可能とするよう前記洗浄液供給系を制御する制御部と、
を有する液体材料供給装置。
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