KR100742411B1 - 가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치 - Google Patents
가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100742411B1 KR100742411B1 KR1020067000140A KR20067000140A KR100742411B1 KR 100742411 B1 KR100742411 B1 KR 100742411B1 KR 1020067000140 A KR1020067000140 A KR 1020067000140A KR 20067000140 A KR20067000140 A KR 20067000140A KR 100742411 B1 KR100742411 B1 KR 100742411B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- passage
- reaction
- chamber
- vaporizer
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 148
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 76
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract description 71
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 10
- 238000009795 derivation Methods 0.000 claims description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000856746 Bos taurus Cytochrome c oxidase subunit 7A1, mitochondrial Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- UKGJZDSUJSPAJL-YPUOHESYSA-N (e)-n-[(1r)-1-[3,5-difluoro-4-(methanesulfonamido)phenyl]ethyl]-3-[2-propyl-6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]prop-2-enamide Chemical class CCCC1=NC(C(F)(F)F)=CC=C1\C=C\C(=O)N[C@H](C)C1=CC(F)=C(NS(C)(=O)=O)C(F)=C1 UKGJZDSUJSPAJL-YPUOHESYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45568—Porous nozzles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
가스 반응 장치는, 액체원료를 기화하여 반응가스를 생성하는 기화기(230)와, 반응가스를 반응시키는 반응실(221A)을 포함한다. 기화기(230)는, 반응실(221A)을 규정하는 구성부재에 대하여 일체적으로 구성된다. 기화기(230) 내에서 생성된 반응가스가 반응실(221A)내에 직접 도입된다. 기화기(230)의 기화실(232)은, 천정부(230A)와 상기 천정부(230A)의 상면상에 부착된 캡(230B)과의 공간으로서 형성된다. 캡(230B)과 천정부(230A)의 사이에는 기화실(232)에 연통하는 좁은 통로(233)가 형성된다
Description
본 발명은 가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 액체원료를 기화하여 반응가스 또는 처리 가스를 생성하기 위한 기화부를 갖는 이러한 종류의 장치에 관한 것이다. 여기서, 반도체 처리란, 반도체 기판이나 LCD(Liquid crysta1 display)나 FPD(F1at Panel Display)용의 유리 기판 등의 피처리 기판상에 반도체층, 절연층, 도전층 등을 소정의 패턴으로 형성함으로써, 해당 피처리 기판상에 반도체 디바이스나, 반도체 디바이스에 접속되는 배선, 전극 등을 포함하는 구조물을 제조하기 위해서 실시되는 여러가지의 처리를 의미한다.
일반적으로, 반도체 제조 라인이나 액정 표시체 제조 라인 등에 있어서, 원료가스를 반응실내에 유도하여 여러가지의 처리를 행하는 가스 반응 장치가 사용된다. 예컨대, 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판의 표면에 절연박막을 형성하는 성막 장치로서, 가스 반응에 의해 성막을 행하는 화학 기상 성장 장치(CVD 장치)가 공지되어 있다. 최근, PZT(티탄산지르콘산납) 등의 다원계 금속산화물 박막을 성막하 기 위해서, CVD 장치가 사용되고 있다.
PZT 등의 박막의 원료로 되는 유기 금속화합물은, 일반적으로 상온 상압에서 고체이다. 이 때문에, 이러한 종류의 고체원료를 CVD 장치에서 사용하기 위해서는, 고체원료를 가스화하여 처리실에 공급할 필요가 있다. 이 경우, 통상 고체원료를 적당한 용매에 용해시켜(용액원료라고 칭함) 액체로 하고, 그것을 기화기에 의해 기화시켜 처리실에 공급한다. 이러한 원료 공급방식은 용액 기화법이라고 불린다. 용액 기화법은, 버블링법이나 고체 승화법을 대신하는 유망한 가스화법의 하나로서 최근 활발하게 연구 개발이 이루어지고 있다(예컨대, 일본국 특허 공개공보 평성7-94426호 참조).
여기서, 상기의 용액 기화법을 이용하여 예컨대 3원계의 금속산화물 박막을 성막하는 경우에 대하여 설명한다. 도 10은 종래의 가스 반응 장치(성막 장치)의 전체를 도시하는 개략 구성도이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 이 성막 장치(100)는, 복수의 계통으로 나누어진 원료용기의 각각에 상이한 원료용액이 저장된다. 예를 들면, 이들의 원료용기는 납계 원료의 용액을 저장한 원료용기(101a), 지르코늄계 원료의 용액을 저장한 원료용기(101b), 및 티탄계 원료의 용액을 저장한 원료용기(101c)로 이루어진다.
원료용액은, 압송 가스관(102)을 거쳐서 가압 가스(A)가 공급됨으로써 공급관(103a, 103b, 103c)에 압출되고, 유량 제어기(105a, 105b, 105c)를 통하여 주 배관(107)에 흐른다. 주 배관(107)에는, 불활성 가스(예컨대 He, Ar) 등의 캐리어 가스(B)가 유량 제어기(115)를 통하여 공급된다. 배관(107)내에서, 용액 원료와 캐리어 가스가 혼합되어, 기액 혼합 상태로 기화기(110)로 보내어진다. 또, 예컨대 초산부틸, 옥탄이나 THF(테트라히드로푸란) 등의 용제를 수용한 용제용기(10ld)도 배치된다. 이 용제용기(10ld)에 수용된 용제도 가압 가스(A)에 의해 공급관(104)으로 압출되고, 유량 제어기(106)를 거쳐서 주 배관(107)에 흐른다.
기화기(110)에는 노즐(111)이 배치되고, 이 노즐(111)에 상기 주 배관(107)이 접속된다. 또한, 노즐(111)에는, 배관(108)에 의해 캐리어 가스(C)가 유량 제어기(109)를 통하여 공급된다. 노즐(111)에는 2중관 구조를 갖는 노즐구가 배치되고, 예컨대 외관내에 공급되는 캐리어 가스(C)에 의해 내관에 공급된 용액원료가 기화실(112)내에 분무된다. 여기서, 사용되는 용매의 기화 온도와 원료 그 자체의 기화 온도는 통상 상이하기 때문에, 기화 온도가 낮은 용매가 먼저 기화하지 않도록 노즐 부분은 실온 이하로 냉각된다.
기화실(112)의 내면은 원료를 기화시키기 위한 기화면(112a)이고, 예컨대 200℃ 전후로 가열된다. 노즐(111)로부터 분출한 안개형상의 용액원료는 기화면(112a)에 부딪쳐 순간적으로 기화하고, 기화실(112)내에서 원료가스로 된다. 이 원료가스는, 필터(114)를 통하여 가스 도출구(113)로 부터 도출되고, 가스 수송관(116)을 통하여 성막 장치 본체(120)의 처리실(121)에 공급된다. 가스 수송관(116)은, 내부를 통과하는 원료가스가 고화 또는 액화하지 않도록 가열된다.
처리실(121)내에는, 가스 수송관(116)이 접속된 샤워헤드(122)나, 피처리 기판(W)을 탑재하기 위한 서셉터(123) 등이 배치된다. 샤워헤드(122)에는, 반응가스 공급관(117)을 거쳐서, 처리실(121)내에서 원료가스와 반응되는 O2, N2O, NO2 등의 산화성 가스도 공급된다. 처리실(121)내에서는, 상기 원료가스와 산화성 가스와의 반응에 의해 피처리 기판(W) 상에 박막이 형성된다.
그러나, 상기 종래의 성막장치(100)에 있어서, 기화기(110)와 처리실(121) 사이의 가스 수송관(116)이 길다. 이 때문에, 원료가스중에 파티클이 발생하기 쉽거나, 또는 원료가스의 공급량이 변동하여, 막 조성이나 막두께의 균일성이 저하한다고 하는 문제점이 발생한다.
또한, 수송중에 원료가스가 고화 또는 액화하지 않도록, 가스 수송관(116)의 내부를 전체에 걸쳐 원료의 기화 온도 이상 그리고 분해 온도 이하로 가열 제어해야 한다. 이 경우, 가열수단 및 그 온도 제어수단이 필요하게 되어, 구조가 복잡화한다. 또한, 기화기(110), 가스 수송관(116) 및 처리실(121)을 따로따로 가열할 필요가 있어, 소비 전력도 증대한다. 또한, 가열수단을 동반한 기화기(110)나 가스 수송관(116)이 부수하기 때문에, 장치 전체가 대형화한다.
본 발명은 원료가스의 수송중에 있어서의 파티클의 발생을 방지하여 고품위의 가스 반응을 실현할 수 있음과 더불어, 장치의 간이화나 소형화 등을 도모하는 것이 가능한 가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 시점에 따른 가스 반응 장치는,
액체원료를 기화하여 반응가스를 생성하는 기화기와,
상기 반응가스를 반응시키는 반응실을 구비하고,
상기 기화기는, 상기 반응실을 규정하는 구성부재에 대하여 일체적으로 구성되고, 상기 기화기내에서 생성된 상기 반응가스가 상기 반응실에 직접 도입된다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 의하면, 기화기와 반응실을 연결하는 가스 수송관을 마련할 필요가 없어짐과 더불어, 가스 수송관을 가열하는 수단을 마련할 필요도 없어진다. 또한, 반응가스의 수송 거리가 단축됨으로써 수송관중의 체재 시간이 단축되어, 수송 도중에 있어서의 파티클의 발생도 회피할 수 있다.
여기서, 반응가스가 반응실에 직접 도입된다고 하는 것은, “반응가스가 기화기 및 반응실을 규정하는 구성부재의 외부에 한번 배관을 거쳐서 나온 후에 반응실에 도입되는” 것을 제외하는 취지이다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 기화기는, 상기 반응실에 상기 반응가스를 도입하는 가스 도입부의 외측에 직접적으로 구성되는 것이 바람직하다. 기화기에서 생성된 반응가스를 그 내측에 배치된 가스 도입부로 직접 유도함으로써, 반응실에 도입되기까지의 경로를 더욱 짧게 할 수 있다. 이 때문에, 파티클을 더욱 저감할 수 있음과 더불어, 반응가스의 안정성을 높일 수 있다. 여기서, 가스 도입부에는 반응가스를 도입하기 위한 반응실내로 개구하는 가스 도입구가 배치된다. 가스 도입부로서는, 복수의 가스 도입구를 갖는 샤워헤드 구조를 갖는 것을 예로 들 수 있다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 기화기는, 상기 반응실의 상방에 구성되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기화기나 가스 도입부 등의 분해 작업(정비작업)이 용이하게 된다.
또, 전체 구성으로서는, 기화기와 가스 도입부가 일체적으로 구성되고, 기화기를 가스 도입부와 더불어, 반응실을 규정하는 구성부재의 다른 부분에 대하여 분리하여 가능하게 하는 것, 예컨대 개폐 가능하게 구성하는 것이 바람직하다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 기화기는, 분무 노즐과, 해당 분무 노즐의 분무 공간을 구성하는 기화실과, 해당 기화실에 연통하는 좁은 통로와, 해당 좁은 통로 및 상기 반응실에 연통하는 도출부를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, 분무 노즐에 의해 액체원료가, 기화실내에 분무됨으로써 액체원료가 기화되어 반응가스가 생성된다. 그 후, 반응가스는 좁은 통로를 지나서 도출부에 이르고, 그곳으로부터 반응실에 도입된다. 이 때, 기화실에서 생성된 반응가스는, 반응실에 도입되기 전에 좁은 통로를 통과하기 때문에, 반응가스중에 포함되는 미세한 미스트가 통로 내면에서 포착되어, 재기화되기 쉬워진다. 그 결과, 반응가스의 기화율을 더욱 높일 수 있음과 동시에, 반응실에 도입되는 파티클도 더욱 저감할 수 있다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 좁은 통로는, 상기 기화실의 주위에 환상으로 배치된 일체의 또는 복수의 통로로 구성되고, 상기 도출부에는, 상기 좁은 통로에 연통하는 환상의 도출 통로가 배치되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기화기의 박형화를 도모할 수 있다. 또한, 장치를 대형화하는 일없이 좁은 통로의 유통 단면적을 충분히 확보하는 것도 가능하게 된다. 또한, 좁은 통로에 연통하는 환상의 도출 통로가 배치됨으로써, 좁은 통로를 통과한 반응가스의 컨덕턴스를 충분히 크게 할 수 있다. 이 때문에, 반응실에의 반응가스의 도입 경로내에 가스의 체류부가 발생하기 어렵게 되고, 이에 의해 반응실에 도입되는 파티클을 더욱 저감할 수 있다. 여기서, 상기 환상의 도출 통로는, 기화기를 더욱 소형화하기 위해서, 좁은 통로의 주위에 배치되는 것이 바람직하고, 특히 좁은 통로와 동축으로 구성되는 것이 바람직하다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 기화실의 내면 및 상기 좁은 통로의 내면을 가열하는 히터를 갖는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기화실의 내면에서 기화작용를 얻을 수 있는 것은 물론, 좁은 통로의 내면에 있어서도 미스트를 기화시킬 수 있다. 이 때문에, 반응가스의 기화율을 높일 수 있음과 동시에 파티클의 저감을 도모할 수 있다. 여기서, 가스 도입부의 외측에 기화기를 직접적으로 구성하는 경우에는, 상기 히터에 의해 가스 도입부까지도 동시에 가열할 수 있다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 도출 통로의 내부에는, 상기 반응가스중의 고형물 또는 액상물을 포착하는 필터가 배치되는 것이 바람직하다. 필터에 의해 반응가스중의 고형물이나 액상물을 포착할 수 있기 때문에, 반응실에 도입되는 파티클을 더욱 저감할 수 있다. 또한, 이 필터를 도출 통로의 내부에 배치함으로써 필터 면적을 충분히 확보할 수 있다. 또한, 미스트의 포착 기능을 구비한 협애 통로의 하류측에 필터가 배치되게 되기 때문에, 필터의 막힘을 저감할 수 있다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 필터는, 상기 반응실에 연통하는 상기 도출 통로의 도출구에 배치되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 필터 설치 공간을 최소한으로 한정시켜 확실히 반응가스중의 고형물이나 액상물을 포착할 수 있다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 도출구를 개폐하기 위한 밸브체가 배치되고, 상기 필터는 상기 밸브체를 포위하도록 배치되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 밸브체에 의해 도출구를 개폐할 수 있다. 또한, 밸브체를 포위하도록 필터가 배치됨으로써, 밸브체의 수용 공간을 이용하여 필터를 수용할 수 있기 때문에, 기화기를 더욱 콤팩트하게 구성할 수 있다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 필터를 가열하는 히터를 갖는 것이 바람직하다. 이에 의해, 필터에 있어서 포착된 미스트를 기화시킬 수 있기 때문에, 기화율을 향상할 수 있음과 더불어 필터의 막힘을 저감할 수 있다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 필터는, 상기 도출 통로의 내면과 열접촉하고, 상기 도출 경로의 내면으로부터 상기 히터의 열을 받도록 구성되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 히터를 도출 경로의 외측에 배치할 수 있기 때문에, 히터의 배치의 자유도가 높아짐과 더불어, 도출 경로를 콤팩트하게 구성할 수 있다. 이 히터는, 상기의 기화실을 가열하기 위한 히터와 공통의 것으로 할 수 있다.
제 1 시점에 따른 가스 반응 장치에 있어서, 상기 도출 통로에는, 상기 필터의 단부 가장자리 이외의 부위에 열접촉하는 전열부가 배치되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 필터를 보다 균일하게 가열할 수 있기 때문에, 기화율을 높일 수 있는 동시에, 필터의 국소적인 막힘을 저감할 수 있다. 전열부로서는, 도출 통로의 내면으로부터 돌출하여 필터면에 접촉하는 돌기를 예로 들 수 있다.
본 발명의 제 2 시점에 따른 반도체 처리 장치는,
피처리 기판을 처리하는 처리실을 형성하는 용기와, 상기 용기는 장착 및 분리 가능한 천정부를 갖는 것과,
상기 용기내에 배치된 상기 피처리 기판을 지지하는 지지부재와,
상기 처리실내에 처리 가스를 공급하는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드는, 상기 지지부재에 의해 지지된 상기 피처리 기판에 대향하도록, 상기 천정부의 하면상에 배치되는 것과,
상기 천정부의 상면상에 배치된, 액체원료를 기화하여 상기 처리 가스를 생성하는 기화실과,
상기 천정부를 통하여 상기 기화실과 상기 샤워헤드를 접속하도록 형성된 상기 처리 가스를 흐르게 하는 가스 통로를 구비한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 가스 반응 장치(반도체 처리 장치)의 장치 본체를 도시하는 개략 종단면도.
도 2는 도 1에 도시하는 장치 본체에 있어서의 기화기의 일부를 도시하는 확대 단면도.
도 3은 도 2에 도시하는 기화기의 변경예의 일부를 도시하는 확대 단면도.
도 4는 도 2에 도시하는 기화기의 별도의 변경예의 일부를 도시하는 확대 단면도.
도 5A, 5B는 각각 도 2 내지 도 4에 도시하는 기화기에 이용할 수 있는 분무 노즐을 개략적으로 도시하는 종단 측면도 및 종단 정면도.
도 6A∼6D는 도 5A의 선 VIA, VIB, VIC, VID를 따라 절취한 단면도.
도 7A, 7B는 각각 도 2 내지 도 4에 도시하는 기화기에 이용할 수 있는 별도의 분무 노즐을 개략적으로 도시하는 종단 측면도 및 종단 정면도.
도 8A∼8E는 도 5A의 선 VIIIA, VIIIB, VIIIC, VIIID, VIIIE를 따라 절취한 단면도.
도 9는 도 2 내지 도 4에 도시하는 기화기에 이용할 수 있는 또 다른 분무 노즐을 개략적으로 도시하는 종단 정면도.
도 10은 종래의 가스 반응 장치(성막 장치)의 전체를 도시하는 개략 구성도.
이하에, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또, 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일 부호를 부여하고, 중복설명은 필요한 경우에만 한다.
이하에 설명하는 실시형태에 따른 가스 반응 장치(반도체 처리 장치)는, 반응실내에 있어서 피처리 기판(W)에 성막 처리를 실시하기 위한 성막 장치(CVD 장 치)로서 구성된다. 그러나, 본 발명은, 액체원료를 기화하여 반응가스 또는 처리 가스를 생성하기 위한 기화부를 갖는 다른 가스 반응 장치(반도체 처리 장치) 예컨대, 드라이 에칭 장치, 플라즈마 애싱 장치 등에도 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 가스 반응 장치(반도체 처리 장치)의 장치 본체를 도시하는 개략 종단면도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 성막 장치 본체(220)는, 상부가 개구된 용기 케이싱(221)을 포함한다. 용기 케이싱(221)의 상부에, 가스 도입부(샤워헤드)(222)가 배치된다. 용기 케이싱(221)의 내부에, 서셉터(기판 홀더)(223)가 배치된다. 여기서, 가스 도입부(222)와 서셉터(223) 사이의 공간에 의해 반응실(처리실)(221A)이 구성된다. 용기 케이싱(221)에는, 배기 공간(221o)을 거쳐서 배기 장치(ES)가 접속된다. 반응실(221A)은 배기 장치(ES)에 의해 배기됨으로써, 감압된다.
서셉터(223)는 링 구조 등을 구비한, 예컨대 AlN, Al2O3, 석영 또는 알루미늄 등으로 구성된 지지체(224)에 의해 지지된다. 지지체(224)의 상면에는 석영 등으로 구성되는 쉴드 링(225)이 배치된다. 지지체(224)는 어태치먼트(225a)를 거쳐서 쉴드 베이스(225b)에 지지된다. 쉴드 베이스(225b)의 외주에 환상의 정류판(225c)이 장착된다. 정류판(225c)을 거쳐서, 반응실(221A)이 배기 공간(221o)에 연통한다.
서셉터(223)의 하방에는 석영 등으로 구성되는 창문부재(226)가 장착된다. 창문재(226)의 외부(하방)에 가열 램프(227)가 배치된다. 가열 램프(227)는 창문 재(226)를 통하여 서셉터(223)의 하면에 빛을 조사하여 이것을 가열한다. 서셉터(223)와 창문재(226) 사이에는, 가열 램프(227)로부터 조사되는 빛을 반사하는 환상의 리플렉터(228)가 배치된다. 서셉터(223)에는 외부로부터 열전대 등의 온도 센서(229)가 도입된다. 가열원은, 서셉터(223)의 내부에 저항체를 매설한 A12O3, AlN, SiC 등으로 이루어지는 세라믹 히터로서도 무방하다.
용기 케이싱(221)에는, 게이트밸브(221X)에 의해 개폐 가능하게 로드 포트(221i)가 형성된다. 용기 케이싱(221)에는, 리프트 기구(도시하지 않음)가 배치되고, 이 리프트 기구는 서셉터(223) 상에 복수의 리프터 핀을 출몰시킬 수 있다.
피처리 기판(예컨대 반도체 웨이퍼 등)(W)에 대하여 성막 처리가 실시될 때, 피처리 기판(W)은 반송 수단(도시하지 않음)에 의해 로드 포트(221i)를 거쳐서 용기 케이싱(221)에 도입된다. 도입된 피처리 기판(W)은, 서셉터(223)로부터 돌출된 리프트 기구의 리프터 핀에 의해 지지된다. 다음에, 피처리 기판(W)은 리프터 핀이 서셉터(223)내에 들어감으로써 서셉터(223)상에 탑재된다. 한편, 피처리 기판(W)에 대한 성막 처리가 종료되면, 상기 리프트 기구의 리프터 핀이 상승함으로써 피처리 기판(W)이 서셉터(223) 상으로부터 상방으로 들어 올려진다. 다음에, 피처리 기판(W)은 반송 수단에 의해 파지되고, 로드 포트(221i)를 거쳐서 외부로 반출된다.
용기 케이싱(221)의 상부 개구는, 천정부(230A)에 의해 기밀하게 폐쇄된다. 가스 도입부(샤워헤드)(222)는, 천정부(230A)의 하면상에 일체적으로 배치된다. 샤워헤드(222)를 형성하기 위하여, 천정부(230A)의 하면상에 중간판(222A) 및 하측판(222B)이 배치된다. 중간판(222B)과 천정부(230A) 사이에는 원료가스 확산실(222a)이 형성된다. 원료가스 확산실(222a)로부터는, 중간판(222A) 및 하측판(222B)를 통과하여 반응실(221A)에 개구되는 복수의 원료가스 공급 경로(222ax)가 신장한다.
중간판(222A)과 하측판(222B) 사이에는, 반응가스 확산실(222b)이 형성된다. 반응가스 확산실(222b)로부터는, 하측판(222B)을 통과하여 반응실(221A)에 개구되는 복수의 반응가스 공급 경로(222bx)가 신장한다. 반응가스 확산실(222b)은, 천정부(230A)의 상면상으로부터 신장하는 반응가스 공급관(222S)을 거쳐서 반응가스 공급부(RGS)에 접속된다. 반응가스 공급부(RGS)로부터, 반응가스(예컨대, O2, N2O, NO2 등의 산화성 가스)가, 반응가스 확산실(222b)에 도입된다.
천정부(230A)의 상면상, 즉 가스 도입부(222)의 상방에는 기화기(230)가 배치된다. 기화기(230)의 기화실(232)을 형성하기 위하여, 천정부(230A)의 상면상에는, 기화실(232)의 측벽을 규정하는 송출부(232S)가 형성된다. 즉, 송출부(232S)에 의해, 천정부(230A)의 상면상에 기화실(232)의 오목부가 형성된다. 송출부(232S)를 덮도록, 천정부(230A)의 상면상에 캡(230B)이 기밀하게 장착 및 분리 가능하게 배치된다. 기화실(232)은, 천정부(230A)와 캡(230B) 사이에서, 송출부(232S)에 포위된 공간으로서 형성된다. 기화를 효율적으로 실행하기 위하여, 기화실(232)의 측벽의 내면 형상은 오목만곡형상, 반구형상, 반타원형상으로 할 수 있 다.
천정부(230A) 및 캡(230B)의 적어도 한쪽의 내부에는 히터(가열수단)(232H)가 배치된다. 히터(232H)에 의해, 기화실(232)과 더불어 천정부(230A) 및 캡(230B)이 가열된다. 히터(232H)는, 천정부(230A)와 캡(230B)의 각각에 배치되는 것이 바람직하다. 또, 히터(232H)는, 실리콘 기판상에 PZT나 BST 등을 성막하는 경우, 후술하는 기화면(232a)이 180∼250℃, 바람직하게는 200∼220℃로 되도록 제어된다. 히터(232H)는, 가스 도입부(222)까지도 가열하고, 이에 의해 가스 도입부(222)의 내부에 있어서도 원료가스 온도가 소정 온도로 유지된다.
캡(230B)의 중앙에는 분무 노즐(231)이 고정된다. 분무 노즐(231)의 노즐구는 기화실(232)의 내부를 향하도록 배치된다. 분무 노즐(231)에는, 캐리어 가스와 혼합된 액체원료의 공급계 LMS 및 캐리어 가스의 공급계 CGS가 접속된다. 이들의 공급계는 도 10에 도시하는 것과 실질적으로 동일하다.
천정부(230A)의 송출부(232S)의 상면과 캡(230B)의 내면 사이에는 좁은 통로(233)가 형성된다. 보다 구체적으로는, 송출부(232S)의 상면 및 캡(230B)의 내면은 모두 원추면을 이루고, 이들이 근소한 간극을 거쳐서 대향함으로써 좁은 통로(233)가 형성된다. 따라서, 좁은 통로(233)는 기화실(232)의 주위를 둘러싸도록 환상을 이룬다. 좁은 통로(233)는, 후술하는 바와 같이, 기화된 가스중에 포함되는 미스트를 기화시키기 위한 통로로서 기능한다.
또한, 좁은 통로(233)의 주위에는, 환상의 도출 통로(234)가 동축형상으로 형성된다. 도출 통로(234)의 일부에는, 가스 도입부(222)를 거쳐서 반응실(221A) 에 연통하는 도출구(234a)가 형성된다. 캡(230B)에는, 도출구(234a)를 개폐하기 위한 개폐 밸브(235)가 배치된다. 개폐 밸브(235)의 밸브체(235a)는 도출구(234a)를 향하도록 배치된다.
도출구(234a)와 좁은 통로(233) 사이에는 미스트(기화 가스중의 고형물 또는 액상물)를 포착하는 필터(236)가 배치된다. 보다 구체적으로는, 좁은 통로(233)의 출구(233a)를 포위하도록 필터(236)가 배치된다. 또한, 도출 통로(234)의 다른 일부에는 배기구(234b)가 배치되고, 배기구(234b)에 배기 경로(237b)를 거쳐서 배기 장치(BS)가 접속된다. 배기 경로(237b)에는 개폐 밸브(237)가 배치되고, 개폐 밸브(237)에 의해 도출 통로(234)내를 배기한다. 개폐 밸브(237)의 밸브체(237a)는 배기구(234b)를 향하도록 배치된다.
본 실시형태에서는, 상기 도출구는 하나만 배치되지만, 도출 통로(234)에 2 이상의 도출구가 배치되어 있어도 무방하다. 또한 마찬가지로, 상기 배기구도 하나만 배치되지만, 2 이상의 배기구가 배치되어 있어도 무방하다.
천정부(230A)은 용기 케이싱(221)의 상측 가장자리에 장착된 힌지부(230C)에 의해서 개폐 가능한 덮개로서 구성된다. 따라서, 천정부(230A) 및 캡(230B)은 용기 케이싱(221)에 대하여 힌지부(230C)를 중심으로 하여 일체적으로 선회 가능하다. 환언하면, 기화기(230) 및 가스 도입부(222)는 용기 케이싱(221)의 상부 개구를 개폐 가능한 덮개 구조체의 부분으로서 구성된다. 따라서, 기화기(230) 및 가스 도입부(222)는 일체적으로 용기 케이싱(221)에 대하여 개폐 가능하게 된다. 또, 기화기(230)를 구성하는 부분과, 덮개 또는 가스 도입부(222)를 구성하는 부분이 서로 고정되어 이루어지는 구성으로 할 수도 있다.
도 2는 도 1에 도시하는 장치 본체에 있어서의 기화기(230) 중, 기화실(232)로부터 도출 통로(234)의 도출구(234a)에 이르는 부분을 도시하는 확대 단면도이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 분무 노즐(231)의 노즐구(231a)로부터, 미스트형상의 액체원료가 기화실(232)내에 분무된다. 액체원료는, 히터(232H)에 의해서 가열된 기화면(232a)에 충돌하면, 순간적으로 기화하여, 원료가스(반응가스)로 된다. 이 원료가스는, 반응실(221A)의 감압 상태에 의해 발생하는 압력 구배에 의해 기화실(232)의 주위에 형성된 좁은 통로(233)를 흐르고, 또한 도출 통로(234)에 유입한다.
전술한 바와 같이, 좁은 통로(233)는, 기화실(232)의 최상부에서 개구한다. 이에 의해, 노즐구(231a)로부터 분무된 미스트가, 좁은 통로(233)에 직접적으로 뛰어드는 것은 거의 없다. 또한, 분무된 미스트가 기화면(232a)에 충돌했을 때에 완전히 기화되지 않고 남은 미세한 미스트(비말)도 필터(236)에 도달하기 어렵다. 이 때문에, 필터(236)의 막힘이 저감되어, 그 사용 수명이 길어진다.
또한, 좁은 통로(233)는 기화실(232)에 대한 개구로부터 약간 하방을 향하여 경사지도록 신장한다. 이에 의해, 좁은 통로(233)의 개구에 도달한 미스트가 좁은 통로(233)의 내면에 접촉하기 쉽다. 따라서, 미스트가 그대로 좁은 통로(233)를 빠져나가서 도출 통로(234)에 도달하는 것을 억제할 수 있다. 좁은 통로(233)의 내면(상하 양면)은, 기화면(232a)과 마찬가지로 히터(232H)에 의해 가열되기 때문에, 좁은 통로(233)의 내면에 접촉한 미스트는 여기서도 기화하여, 원료가스가 생 성된다.
본 실시형태에 있어서, 기화실(232)의 주위에 환상의 좁은 통로(233)가 일체적으로 구성되지만, 복수의 좁은 통로를 기화실(232)의 주위에 환상(방사상)으로 배치하여도 무방하다. 기화실(232)의 주위에 환상으로 좁은 통로(233)가 구성됨으로써, 좁은 통로(233)의 통로 폭(가장 좁은 방향의 폭, 도시 예에서는 상하 폭)을 작게 하더라도, 주위 전체로서는 충분한 유통 단면적을 확보할 수 있다.
좁은 통로(233)의 통로 폭(상하 폭)은, 예컨대 0.5∼10.0mm 정도인 것이 바람직하다. 또는, 상기 통로 폭(상하 폭)을, 기화실(232)과 그것에 접속되는 반응실과의 압력차가 1.0∼4.5kPa 정도로 되도록 확보하는 것이 바람직하다. 이들의 범위를 하회할 때에는 좁은 통로(233)의 막힘이 발생하기 쉬워진다. 반대로 상기 범위를 상회하면 전술한 재기화 기능이 극단적으로 저하한다. 특히, 상기 통로 폭(상하 폭)은 미스트(예컨대 입자직경 10㎛∼100㎛ 정도)의 평균 자유 행정(λ)보다도 큰 폭(긴 거리)인 것이 바람직하다.
도출 통로(234)는 상기 좁은 통로(233)를 사이에 두고 기화실(232)의 외주를 따라 환상으로 구성된다. 도출 통로(234)는, 환상으로 형성된 좁은 통로(233)로부터 원료가스가 유입되어, 도출구(234a)로부터 원활하게 배출되도록 배치된다. 따라서, 도출 통로(234)는, 충분한 컨덕턴스를 갖는 것이 바람직하다. 도시 예에서는, 도출 통로(234)의 상하 폭은 기화실(232)의 상하 폭과 거의 동등한 치수로 되어 있다. 도출 통로(234)의 도출구(234a)의 상방에는 전술한 밸브체(235a)가 상하 이동 가능하게 배치된다. 밸브체(235a)가 하강하여 도출 통로(234)의 바닥부까지 도달하면, 도출구(234a)가 완전히 폐쇄된다. 반대로, 밸브체(235a)가 상승하면, 그 높이에 대응하여 도출구(234a)의 컨덕턴스는 증대한다.
필터(236)는 전체적으로 통형상(도시 예에서는 원통형상)을 갖고, 좁은 통로(233)의 출구(233a)를 포위하도록 도출 통로(234)내에 설치된다. 보다 구체적으로는, 필터(236)는, 도출 통로(234)내에 있어서, 좁은 통로(233)를 외측으로부터 환상으로 둘러싸도록 배치된다. 또, 이 필터(236) 대신에, 후술하는 필터(236′)(도 3 참조)를 이용하여도 무방하다.
필터(236)는 금속 등의 섬유형상 재료에 의해서 구성된 메쉬 구조, 섬유형상 재료를 부직포형상으로 뭉친 구조, 또는 미세한 세공을 다수 구비한 다공질 구조 등을 갖는다. 보다 구체적으로는, 필터(236)는, 상하에 배치된 금속 등으로 구성되는 지지 프레임(236a)과, 이 지지 플레임(236a)에 고정된 필터재료(236b)를 갖는다. 상하의 지지 프레임(236a)은 도출 통로(234)의 상면부(즉, 캡(230B)의 내면부)와, 도출 통로(234)의 저면부(즉, 천정부(230A)의 내면부)에 고정된다.
필터(236)는, 도출 통로(234)내에 유입된 원료가스에 포함되는 미세한 미스트나 파티클을 포착하여, 반응실(221)내에 파티클이 거의 도입되지 않도록 한다. 필터(236)도 또한, 천정부(230A) 및 캡(230B)으로부터의 열에 의해 가열된다. 이 때문에, 필터(236)에 포착되는 미세한 미스트의 적어도 일부는 기화하여, 원료가스로 된다.
상기 구성에 있어서, 예컨대 기화기(230)의 가동 초기에 있어서, 개폐 밸브(235)에 의해 도출구(234a)는 폐쇄되고, 개폐 밸브(237)에 의해 배기구(234b)는 개 방된다. 그리고, 분무 노즐(231)로부터 액체원료가 분무되고, 기화실(232)에서 생성된 원료가스는 좁은 통로(233) 및 도출 통로(234)를 지나서 배기구(234b)로부터 배출된다. 기화기(230)의 기화 상태가 충분히 안정되면, 개폐 밸브(235)에 의해 도출구(234a)가 개방됨과 더불어 개폐 밸브(237)에 의해 배기구(234b)가 폐쇄된다. 이에 의해 원료가스는 가스 도입부(222)를 거쳐서 반응실(221A) 내에 도입된다.
상기 가스 도입부(222)로부터 도입되는 원료가스로서는, Pb, Zr, Ti 등의 유기 금속화합물 가스 이외에, Al2O3, HfO2, RuO, ZrO, SBT, BLT, PLZT, STO 등의 성막용 유기금속 가스, 또한 TiCl4(사염화티탄), WF6(6불화텅스텐), Ta(OC2H5)5(펜트에톡시탄탈) 등의 고융점 금속화합물 가스, 또한 펜트에톡시실란 등의 유기 실리콘화합물 가스를 들 수 있다. 또한, 가스 도입부(222)에는, 기화기(230)에 의해 공급되는 상기 원료가스 이외에, 적절한 다른 반응가스가 도입된다. 이와 같은 다른 반응가스로서는, 환원성 가스로서의 H2, NH3, SiH4, SiH2Cl2, 산화성가스로서의 O2, O3, N2O, NO2, H2O 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 반응실(221A)에 대하여 기화기(230)가 일체적으로 구성됨으로써, 기화기(230)와 반응실(221A) 사이에 긴 가스 수송관을 마련할 필요가 없어진다. 이 때문에, 원료가스의 수송거리가 길어짐으로써 수송 도중에 있어서 파티클이 발생한다고 하는 우려가 저감된다. 또한, 가스 수송관내에 있어서의 원료가스의 고화나 액화를 방지하기 위하여 관로를 가열할 필요도 없어진다.
또한, 기화기와 반응실을 따로따로 설치하고, 그 사이를 관로에 의해 접속할 필요가 없어지기 때문에, 장치 전체를 콤팩트하게 구성할 수 있다. 특히, 기화기(230)는 가스 도입부(222)의 외측에 일체적으로 구성되기 때문에, 기화기(230)에서 생성된 원료가스(22)를 직접적으로 가스 도입부(222)에 도입할 수 있다. 또한, 기화기(230)로부터 반응실(221A)까지의 원료가스의 수송 거리를 짧게 구성할 수 있다. 이 때문에, 파티클의 발생을 더욱 억제할 수 있고, 원료가스의 공급 상태도 안정된다. PZT, BST 등의 성막에 사용되는 유기금속 소스 가스는 매우 고가이기 때문에, 원료가스의 수송 경로가 단축됨으로써, 원료가스의 낭비가 적어지는 것은 유리하다.
상기한 바와 같은 구성에 있어서 장치 전체를 보다 콤팩트하게 구성하기 위해서는, 기화기(230)를 박형화해야 한다. 따라서, 본 실시형태에서는, 상기한 바와 같이 기화실(232)의 주위에 좁은 통로(233)를 환상으로 배치하고, 그 좁은 통로(233)의 주위에 또한 동축형상으로 도출 통로(234)를 배치한다. 이와 같이 하면, 기화실(232), 좁은 통로(233) 및 도출 통로(234)의 컨덕턴스를 충분히 확보하면서, 기화기(230)를 대폭으로 박형화할 수 있다. 또한, 상기 필터(236)가 좁은 통로(233)의 출구(233a)를 포위하기 때문에, 캡(230B)을 분리함으로써 용이하게 필터(236)를 교환, 청소할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시하는 기화기의 변경예(230′)의 일부를 도시하는 확대 단면도이다. 이 기화기(230′)는, 변경된 캡(230B′)을 갖고, 기화실(232)의 상부(분무 노즐(231)의 설치측의 벽면)에 세공(232c)이 복수 형성된다. 이들의 세공(232c)은 도입 통로(232d)에 연통하고, 이 도입 통로(232d)는 상기와 마찬가지로 구성된 협애 통로(233)에 연통한다.
이 기화기(230′)에 있어서, 분무 노즐(231)에 의해 분무된 미스트는 기화실(232)내에서 기화하고, 생성된 원료가스는 상기 세공(232c)을 통하여 도입 통로(232d)에 유입된다. 그리고, 도입 통로(232d)를 통하여 원료가스는 좁은 통로(233)내에 유입되고, 그 후에는, 상기 실시형태와 마찬가지로 도출 통로(234)를 거쳐서 도출구(234a)로부터 배출되고, 가스 도입부(222)를 거쳐서 반응실(221A)에 공급된다.
상기 세공(232c) 및 도입 통로(232d)는 기화실(232)의 상부에 있어서 분무 노즐(231)의 주위에 환상으로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 복수의 세공(232c) 및 도입 통로(232d)가, 기화실(232)의 상부에 있어서 환상(방사상)으로 배열되어 있어도 무방하다. 이에 의해, 좁은 통로(233)까지의 가스 경로의 컨덕턴스를 충분히 확보할 수 있다.
상기의 세공(232c) 및 도입 통로(232d)에서는, 기화실(232)내에서 생성된 원료가스중에 포함되는 미세한 미스트가 포착되어, 재기화된다. 이 때문에, 좁은 통로(233)에 유입되는 원료가스중의 미세한 미스트를 저감할 수 있어, 기화율을 더욱 높일 수 있음과 더불어 파티클의 발생을 더욱 억제할 수 있다. 또, 이에 의해, 하류측에 배치된 좁은 통로(233)나 필터(236)의 막힘의 발생을 저감할 수 있다.
본 변경예에 있어서, 필터(236′)는 전체적으로 통형상(도시예에서는 원통형상)을 갖고, 밸브체(235a) 및 도출구(234a)를 포위하도록 도출 통로(234)내에 설치된다. 보다 구체적으로는, 필터(236′)는, 도출구(234a)를 한쪽 개구의 내측에 수 용하는 형태로, 그 축선을 수직으로 한 자세로 도출 통로(234)내에 배치된다. 필터(236′)의 다른쪽 개구 가장자리는 도출 통로(234)의 상부에 접촉한다. 통형상의 필터(236′)의 내부에 있어서, 상기 밸브체(235a)가 축선방향, 즉 수직방향으로 이동 가능하게 수용된다.
이와 같이 필터(236′)가 개폐 밸브(235)의 밸브체(235a)의 수용 부분에 배치됨으로써, 밸브체(235a)의 수용 부분을 이용하여 필터(236′)를 설치할 수 있다. 이 때문에, 도출 통로(234)를 쓸데없이 크게 구성하지 않고, 필터(236′)를 콤팩트하게 수용할 수 있다. 또한, 개폐 밸브(235)를 분리함으로써 용이하게 필터(236′)를 교환, 청소할 수 있다. 또한, 벨로우즈 밸브를 이용하는 경우, 밸브체(235a)의 벨로우즈에 원료 가스가 부착하고, 벨로우즈가 변형함으로써 파티클이 발생한다고 하는 것이 방지된다. 또, 본 변경예에 있어서, 필터(236′) 대신에 전술한 필터(236)를 이용하여도 무방하다.
도 4는 도 2에 도시하는 기화기의 다른 변경예(230″)의 일부를 도시하는 확대 단면도이다. 이 기화기(230″)에서는 변경된 천정부(230A″) 및 캡(230B″)을 갖고, 도출 통로(234″)의 내면에는, 필터(236)의 설치 부분에 복수의 돌기형상의 전열부(234c)가 형성된다. 이들의 다수의 전열부(234c)는, 필터재료(236b)의 표면에 접촉하고, 그들의 접점 부위가 거의 균일하게 분산 배치된다.
상기의 전열부(234c)가, 필터(236)의 필터면에 열접촉함으로써, 천정부(230A) 및 캡(230B)으로부터의 열이 필터(236)에 전달되기 쉬워짐과 더불어, 필터면 전체가 보다 균등하게 가열된다. 이 때문에, 필터면 전체의 온도의 정밀도 및 균일성이 향상한다. 따라서, 필터(236)에 있어서의 미스트의 재기화가 촉진되고, 또한 필터(236)의 막힘도 억제된다. 또, 본 변경예에 있어서도, 필터(236) 대신에 상기의 필터(236′)를 이용할 수 있다.
도 5A, B는 각각 도 2 내지 도 4에 도시하는 기화기에 이용할 수 있는 분무 노즐을 개략적으로 도시하는 종단 측면도 및 종단 정면도이다. 도 5A, B는 서로 직교하는 수직면에서 절단했을 때의 단면 구조를 도시한다. 도 6A∼D는 도 5A의 선 VIA, VIB, VIC, VID을 따라 절취한 단면도이다.
이 분무 노즐(231X)에서는, 상이한 복수의 액체원료(또는, 액체원료와 캐리어 가스(예컨대, Ar, N2, He 등, 이하 마찬가지)와의 기액 혼합물)가 배관(107A, 107B, 107C)으로부터 각각 독립적으로 노즐내에 배치된 공급로(231A, 231B, 231C)에 공급된다. 또한, 배관(108)으로부터 도입된 캐리어 가스가 공급로(231D)에 공급된다. 공급로(231D)는 상기 복수의 액체원료에 대응하는 복수의 확산실(231D1, 231D2, 231D3)에 공급된다. 각 확산실로부터는 상기 공급로(231A, 231B, 231C)와 동축으로 구성된 동축로가 신장한다. 이 동축로에 의해 공급된 캐리어 가스가 공급로(231A, 231B, 231C)에 의해 공급된 액체원료를 노즐구(231a, 231b, 231c)에서 미스트형상으로 분무한다.
이 분무 노즐(231X)은 복수의 액체원료를 각각의 노즐구로부터 분무하기 때문에, 도 10에 도시하는 바와 같이 주 배관에 구성되는 매니폴드에서 액체원료의 혼합을 할 필요가 없다. 또한, 원료별로 전용의 노즐구를 구비하고 있기 때문에, 원료마다 분무형태(원료의 분무량, 혼합하는 캐리어 가스의 양, 분무 압력 등)을 조정할 수 있다.
도 7A, B는 각각 도 2 내지 도 4에 도시하는 기화기에 이용할 수 있는 별도의 분무 노즐을 개략적으로 도시하는 종단 측면도 및 종단 정면도이다. 도 7A, B는 서로 직교하는 수직면에서 절단했을 때의 단면 구조를 도시한다. 도 8A∼E는 도 5A의 선 VIIIA, VIIIB, VIIIC, VIIID, VIIIE를 따라 절취한 단면도이다.
이 분무 노즐(231Y)에서는, 상이한 복수의 액체원료(또는, 액체원료와 캐리어 가스와의 기액 혼합물)가 배관(107A, 107B, 107C)으로부터 각각 독립적으로 노즐내에 배치된 공급로(231A, 231B, 231C)에 공급된다. 또한, 배관(108)으로부터 도입된 캐리어 가스가 공급로(231D)에 공급된다. 단지, 공급로(231A, 231B, 231C)는 도 8A∼C에 도시하는 단면의 위치에서 순차적으로 공통의 공급로에 합류한다. 또한, 공급로(231D)는 이 공통의 공급로에 대응하는 확산실(231D1)에 공급된다. 이 확산실(231D1)로부터는 상기 공통의 공급로와 동축으로 구성된 동축로가 신장한다. 이 동축로에 의해 공급된 캐리어 가스가 상기 공통의 공급로에 의해 공급된 액체원료를 노즐구(231a)에서 미스트형상으로 분무한다.
이 분무 노즐(231Y)은 복수의 액체원료가 노즐내에서 혼합되기 때문에, 도 10에 도시하는 바와 같이 주 배관에 구성되는 매니폴드에서 액체원료의 혼합을 할 필요가 없다. 또한, 복수 종류의 원료를 균일하게 혼합할 수 있기 때문에, 기화 공간내에서 혼합원료가 기화되어 성막실내에 공급된다. 이에 의해, 막의 조성비의 재현성이 향상한다.
도 9는 도 2 내지 도 4에 도시하는 기화기에 이용할 수 있는 또 다른 분무 노즐을 개략적으로 도시하는 종단 정면도이다. 이 분무 노즐(213Z)은 도 10에 도시하는 액체원료의 공급계를 그대로 이용하는 노즐 구조의 구성예이다. 여기서, 도 10에 도시하는 주 배관(107)에 의해 미리 혼합된 액체원료가, 분무 노즐(231z) 내의 공급로(231A)에 공급된다. 공급로(231A)는 확산실(231A1)에 연통하고, 이 확산실(231A1)로부터 복수의 공급로(231Aa, 231Ab, 231Ac)가 신장한다.
한편, 배관(108)에 의해 캐리어 가스가 공급로(231D)에 공급되고, 복수의 확산실(231D1, 231D2, 231D3)에 도입된다. 확산실(231D1, 231D2, 231D3)로부터는 각각 공급로(231Aa, 231Ab, 231Ac)와 각각 동축으로 구성된 복수의 동축로가 신장한다. 이들의 동축로에 의해 공급된 캐리어 가스가 공급로(231Aa, 231Ab, 231Ac)에 의해 각각 공급된 액체원료를 노즐구(231a, 231b, 231c)에서 각각 미스트형상으로 분무한다.
이 분무 노즐(231Z)을 이용할 때에는, 미리 복수의 액체원료가 혼합되기 때문에, 노즐 구조를 간이하게 구성할 수 있다. 또한, 복수의 노즐구를 가짐으로써 효율적으로 액체원료의 분무를 할 수 있다.
또, 본 발명에 따른 가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치는, 전술한 도시 예에만 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위내에 있어서 여러가지 변경을 할 수 있다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 복수의 액체원료를 혼합하여 원료가스를 구성하는 경우에 대하여 설명하고 있다. 그러나, 본 발명에 따른 액체원료의 수는 전혀 한정되는 것은 아니고, 하나의 액체원료만을 기화기에서 기화하는 것이어도 무방하다.
본 발명에 따른 가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치 의하면, 반응가스의 수송 거리를 짧게 함으로써 고품위의 가스반응을 실현할 수 있음과 더불어, 장치를 간단하고 그리고 콤팩트하게 구성할 수 있다.
Claims (20)
- 가스 반응 장치에 있어서,액체원료를 기화하여 반응가스를 생성하는 기화기와,상기 반응가스를 반응시키는 반응실을 구비하고,상기 기화기는, 상기 반응실을 규정하는 구성부재에 대하여 일체적으로 구성되고, 상기 기화기내에서 생성된 상기 반응가스가 상기 반응실에 직접 도입되는가스 반응 장치로서,상기 기화기는, 분무 노즐과, 해당 분무 노즐의 분무 공간을 구성하는 기화실과, 해당 기화실에 연통하는 좁은 통로와, 해당 좁은 통로 및 상기 반응실에 모두 연통하는 도출부를 갖는가스 반응 장치.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 기화기는, 상기 반응실의 상방에 구성되는가스 반응 장치.
- 삭제
- 제 4항에 있어서,상기 좁은 통로는, 상기 기화실의 주위에 환상으로 배치된 일체의 또는 복수의 통로로 구성되고, 상기 도출부에는, 상기 좁은 통로에 연통하는 환상의 도출 통로가 배치되는가스 반응 장치.
- 제 4항에 있어서,상기 기화실의 내면 및 상기 좁은 통로의 내면을 가열하는 히터를 갖는가스 반응 장치.
- 제 5항에 있어서,상기 도출 통로의 내부에는, 상기 반응가스중의 고형물 또는 액상물을 포착하는 필터가 배치되는가스 반응 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 필터는, 상기 반응실에 연통하는 상기 도출 통로의 도출구에 배치되는가스 반응 장치.
- 제 8항에 있어서,상기 도출구를 개폐하기 위한 밸브체가 배치되고, 상기 필터는 상기 밸브체를 포위하도록 배치되는가스 반응 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 필터를 가열하는 히터를 갖는가스 반응 장치.
- 제 10항에 있어서,상기 필터는, 상기 도출 통로의 내면과 열접촉하고, 상기 도출 경로의 내면으로부터 상기 히터의 열을 받는가스 반응 장치.
- 제 11항에 있어서,상기 도출 통로에는, 상기 필터의 단부 가장자리 이외의 부위에 열접촉하는 전열부가 배치되는가스 반응 장치.
- 반도체 처리 장치에 있어서,피처리 기판을 처리하는 처리실을 형성하는 용기와, 상기 용기는 장착 및 분리 가능한 천정부를 갖는 것과,상기 용기내에 배치된, 상기 피처리 기판을 지지하는 지지부재와,상기 처리실내에 처리 가스를 공급하는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드는, 상기 지지부재에 의해 지지된 상기 피처리 기판에 대향하도록, 상기 천정부의 하면상에 배치되는 것과,상기 천정부의 상면상에 배치된, 액체원료를 기화하여 상기 처리 가스를 생성하는 기화실과,상기 천정부를 통하여 상기 기화실과 상기 샤워헤드를 접속하도록 형성된 상기 처리 가스를 흐르게 하는 가스 통로를 구비하는반도체 처리 장치.
- 제 13항에 있어서,상기 기화실은 상기 천정부와 상기 천정부의 상면상에 장착된 캡과의 사이의 공간으로서 형성되는반도체 처리 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 가스통로는, 상기 캡과 상기 천정부와의 사이의 0.5∼10.0mm의 간극으로 이루어지는 좁은 통로를 포함하고, 상기 좁은 통로는 상기 처리 가스중에 포함되는 미스트를 기화시키기 위한 통로로서 기능하는반도체 처리 장치.
- 제 15항에 있어서,상기 천정부의 상면상에, 상기 기화실의 측벽을 규정하는 돌출부가 형성되고, 상기 좁은 통로는 상기 돌출부의 상면과 상기 갭의 내면과의 사이에 형성되는반도체 처리 장치.
- 제 16항에 있어서,상기 가스통로는, 상기 기화실을 포위하도록, 상기 돌출부의 외측면과 상기 갭의 내면과의 사이에 형성된 환상통로를 구비하고, 상기 환상 통로로부터 상기 샤워헤드를 향하여, 상기 천정부에 도출 구멍이 형성되는반도체 처리 장치.
- 제 17항에 있어서,상기 캡에 장착된, 상기 도출 구멍을 개폐하는 밸브를 더 구비하는반도체 처리 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 캡에 장착된, 상기 기화실내에 상기 액체원료를 분무하는 분무 노즐을 더 구비하는반도체 처리 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 천정부는 상기 용기의 본체에 대하여 힌지부을 거쳐서 접속되고, 상기 천정부 및 상기 캡은 상기 용기의 본체에 대하여, 상기 힌지부를 중심으로 하여 일체적으로 선회 가능한반도체 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003279970A JP4202856B2 (ja) | 2003-07-25 | 2003-07-25 | ガス反応装置 |
| JPJP-P-2003-00279970 | 2003-07-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060026477A KR20060026477A (ko) | 2006-03-23 |
| KR100742411B1 true KR100742411B1 (ko) | 2007-07-24 |
Family
ID=34100843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020067000140A KR100742411B1 (ko) | 2003-07-25 | 2004-07-23 | 가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7413611B2 (ko) |
| JP (1) | JP4202856B2 (ko) |
| KR (1) | KR100742411B1 (ko) |
| CN (1) | CN100414674C (ko) |
| WO (1) | WO2005010969A1 (ko) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4263206B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2009-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法、熱処理装置及び気化装置 |
| US7654010B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-02-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium |
| JP4877748B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および処理ガス吐出機構 |
| FR2900070B1 (fr) | 2006-04-19 | 2008-07-11 | Kemstream Soc Par Actions Simp | Dispositif d'introduction ou d'injection ou de pulverisation d'un melange de gaz vecteur et de composes liquides et procede de mise en oeuvre dudit dispositif. |
| FR2900071B1 (fr) * | 2006-08-24 | 2009-02-13 | Kemstream Soc Par Actions Simp | Dispositif d'introduction ou d'injection ou de pulverisation d'un melange de gaz vecteur et de composes liquides et procede de mise en oeuvre dudit dispositif |
| JP5427344B2 (ja) | 2007-05-23 | 2014-02-26 | 株式会社渡辺商行 | 気化装置、及び、気化装置を備えた成膜装置 |
| JP5624317B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2014-11-12 | 株式会社東芝 | 化合物半導体気相成長装置用ＡｌＮ製部材およびそれを用いた化合物半導体の製造方法 |
| KR101046119B1 (ko) * | 2009-01-12 | 2011-07-01 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| WO2010101077A1 (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-10 | 株式会社堀場エステック | ガス供給装置 |
| KR101559470B1 (ko) * | 2009-06-04 | 2015-10-12 | 주성엔지니어링(주) | 화학 기상 증착 장치 |
| US20110249960A1 (en) * | 2011-01-28 | 2011-10-13 | Poole Ventura, Inc. | Heat Source Door For A Thermal Diffusion Chamber |
| CN105714271B (zh) * | 2014-12-22 | 2020-07-31 | 株式会社堀场Stec | 汽化系统 |
| KR102649715B1 (ko) * | 2020-10-30 | 2024-03-21 | 세메스 주식회사 | 표면 처리 장치 및 표면 처리 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001335940A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-12-07 | Applied Materials Inc | 基板処理システムにおける材料蒸着方法及び装置 |
| JP2002535483A (ja) * | 1999-01-13 | 2002-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 先駆物質液を用いて金属層を化学蒸着する処理装置および方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4188368A (en) * | 1978-03-29 | 1980-02-12 | Nasa | Method of producing silicon |
| US5776254A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition |
| JP3360098B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
| TW322602B (ko) * | 1996-04-05 | 1997-12-11 | Ehara Seisakusho Kk | |
| US6074487A (en) * | 1997-02-13 | 2000-06-13 | Shimadzu Corporation | Unit for vaporizing liquid materials |
| US6409839B1 (en) * | 1997-06-02 | 2002-06-25 | Msp Corporation | Method and apparatus for vapor generation and film deposition |
| JP2000345345A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置用気化装置 |
| JP4220075B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| US6635114B2 (en) * | 1999-12-17 | 2003-10-21 | Applied Material, Inc. | High temperature filter for CVD apparatus |
| US6517634B2 (en) * | 2000-02-28 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber lid assembly |
| US6302965B1 (en) * | 2000-08-15 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces |
| JP3883918B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2007-02-21 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 枚葉式ｃｖｄ装置及び枚葉式ｃｖｄ装置を用いた薄膜形成方法 |
-
2003
- 2003-07-25 JP JP2003279970A patent/JP4202856B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-23 US US10/565,676 patent/US7413611B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-23 WO PCT/JP2004/010895 patent/WO2005010969A1/ja active Application Filing
- 2004-07-23 CN CNB2004800010614A patent/CN100414674C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-23 KR KR1020067000140A patent/KR100742411B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002535483A (ja) * | 1999-01-13 | 2002-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 先駆物質液を用いて金属層を化学蒸着する処理装置および方法 |
| JP2001335940A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-12-07 | Applied Materials Inc | 基板処理システムにおける材料蒸着方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060180078A1 (en) | 2006-08-17 |
| JP2005045170A (ja) | 2005-02-17 |
| WO2005010969A1 (ja) | 2005-02-03 |
| CN100414674C (zh) | 2008-08-27 |
| US7413611B2 (en) | 2008-08-19 |
| CN1701422A (zh) | 2005-11-23 |
| JP4202856B2 (ja) | 2008-12-24 |
| KR20060026477A (ko) | 2006-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100742411B1 (ko) | 가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치 | |
| KR100636038B1 (ko) | 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치 | |
| JP4696561B2 (ja) | 気化装置及び処理装置 | |
| TWI421914B (zh) | 汽化裝置及半導體製程系統 | |
| US6548112B1 (en) | Apparatus and method for delivery of precursor vapor from low vapor pressure liquid sources to a CVD chamber | |
| US8026159B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| CN1955338B (zh) | 气化器以及半导体处理系统 | |
| US7579276B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| US7883076B2 (en) | Semiconductor processing system and vaporizer | |
| US20070272154A1 (en) | Shower Head and Film-Forming Device Using the Same | |
| JP2001257202A (ja) | 高温フィルタ | |
| US20060070575A1 (en) | Solution-vaporization type CVD apparatus | |
| KR20010023887A (ko) | 기화 및 증착 장치 및 방법 | |
| KR20080088488A (ko) | 기화기 및 반도체 처리 시스템 | |
| US20030021595A1 (en) | Apparatus and method for vaporizing a liquid chemical | |
| JP2010219421A (ja) | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20070010830A (ko) | 가스 공급 장치 및 이를 갖는 박막 형성 설비 | |
| JP2009272355A (ja) | 基板処理システム | |
| KR19980042608A (ko) | 액체원료 기화시스템 및 가스 분사 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| G170 | Publication of correction | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130621 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140626 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |