JP2004172227A - 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜形成装置は、気相成長法による薄膜形成装置であって、薄膜を形成すべき基板の表面へ向かって成膜ガスを噴き出すためのシャワーヘッド18を具備し、該シャワーヘッド18は、基板の表面に沿って流れる成膜ガスの流速が基板の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、形成されている構成とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は気相成長法による薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
DRAMやFRAM用のキャパシタのための薄膜の形成のために、様々な薄膜形成装置及び薄膜形成方法が提案されている。例えば、ゾル・ゲル法やスパッタ法による薄膜形成方法が薄膜の量産に使用されている。近年、メモリの集積度が次第に上がってきており、0.18μmルールのDRAMやFRAM用のキャパシタやPZT薄膜を製造するには、ゾル・ゲル法やスパッタ法では、膜厚の厚膜化や段差被覆性を達成することは難しくなってきている。そこで、MOCVD法による薄膜形成装置及び薄膜形成方法が開発されている。MOCVD法はシャワーヘッドを用いた気相成長法による薄膜形成方法である。なお、シャワーヘッドを用いたプラズマ処理方法が公知である(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−189308号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
MOCVD法を使用して薄膜を形成する際形成されるべき薄膜の膜厚及び組成を均一にすることが難しいという問題がある。均一な成膜を行うためには、シャワーヘッドから均一に混合された成膜ガスを供給するとともに、成膜ガスが基板上のあらゆる位置に均一に当たるようにすることが必要である。
【0005】
シャワーヘッドから流出する成膜ガスの流量は制御できるが、従来は基板の表面に沿った成膜ガスの流れが最適に制御されていたかどうか分らず、MOCVD法によるPZT薄膜が形成できる量産装置と成膜方法はいまだ開発できていないのが現状である。現在では、シャワーヘッドの開口面積(ノズル数、ノズル径)等を実験による合わせ込みに頼ることが多い。そして、膜厚均一性と薄膜品質の両面から最適な条件を見いだす必要があるが、均一性を改善すると、膜質が低下し、膜質を改善すると、均一性が悪くなるという問題がある。
【0006】
本発明の目的は均一な膜厚及び優れた品質の薄膜を形成することのできる薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明による薄膜形成装置は、気相成長法による薄膜形成装置であって、薄膜を形成すべき基板の表面へ向かって成膜ガスを噴き出すためのシャワーヘッドを具備し、該シャワーヘッドは、基板の表面に沿って流れる成膜ガスの流速が基板の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、形成されていることを特徴とするものである。
【0008】
また、本発明による薄膜形成方法は、シャワーヘッドを用いた気相成長法による薄膜形成方法であって、薄膜を形成すべき基板に沿って流れる成膜ガスの流速が基板の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、該シャワーヘッドから基板の表面へ向かって成膜ガスを噴き出すことを特徴とするものである。
【0009】
この構成によれば、成膜ガスの流速が薄膜を基板の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、シャワーヘッドから基板の表面へ向かって成膜ガスを噴き出すようにしたので、基板の表面に沿って成膜ガスの流れの一様な境界層が形成され、その結果、均一な膜厚及び優れた品質の薄膜を形成することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の実施例の薄膜形成装置及び薄膜形成方法を示す。この薄膜形成装置はMOCVD装置と呼ばれる。図2は図1のシャワーヘッドを示す断面図である。図3は図2のシャワーヘッドの底面図である。
【0011】
図1において、薄膜形成装置10は、気化器12と、ガス混合室14と、成膜室16とを含む。シャワーヘッド18が成膜室16に臨んで配置される。気化器12は配管20によりガス混合室14に接続され、原料ガスが気化器12からガス混合室14に流される。反応ガス、例えば酸素ガスを供給する配管22もガス混合室14に接続される。ガス混合室14はシャワーヘッド18を介して成膜室16に接続される。成膜室16においては、基板24がステージ26に支持されている。シャワーヘッド18は基板24と対向している。
【0012】
実施例はシリコンウエハ(基板)にPZTの薄膜を形成するようになっている。Pb,Zr,Tiの有機金属原料がそれぞれ溶媒に一定の濃度で溶け込んでおり、この液体原料を気化室12に一定の流量で送り込む。また、原料の流量を変化させたときに全流量を一定に保つために、一定量の溶媒も同時に気化室12に送る。流量調整は液体のマスフローコントローラにて行う。送られた液体原料は気化室12で溶媒とともに気化され、原料ガスとなって、温度管理された配管18を通り、ガス混合室14へ向かう。
【0013】
気化器12の出口側には窒素パージラインが接続されており、成膜時と非成膜時で、成膜室16に流入するガス量を一定にするようになっている。一方、反応ガスはマスフローコントローラで一定の流量で供給され、熱交換器によってガス温度を原料の気化温度まで上昇させられる。そして、混合室14の中で原料ガスと反応ガスが混合され、混合された成膜ガスがシャワーヘッド18に流れ、成膜ガスがシャワーヘッド18から成膜されるべき基板24の表面に向かって噴き出す。基板24の温度は500〜650℃になっており、基板24に降り注いだ成膜ガス中の有機金属ガスは、基板24の表面温度の熱エネルギーでもって分解され、基板24上に薄膜を形成する。
【0014】
成膜中の基板24の表面付近は、境界層と呼ばれるガス流速が低速になる部分が存在し、この境界層の厚さが成膜レートに大きく依存する。境界層の厚さδは、ガス流速に依存し、一般に次の式で規定される。
【0015】
【数1】
【0016】
ここで、Uはガスの平均速度、νは動的粘性係数、xはガス流れ方向の座標である。ここで、ガスの平均流速Uが位置xに対して正比例の関係(U=ax、aは定数)になると、境界層の厚さδは位置に依存せずに一定となり、一様な成膜レートを得ることができる。成膜されなかった成膜ガスは、排気ポート28を通り、トラップ30による回収または除害装置32による分解が行われ、無害化されて大気中に排気される。34は真空ポンプである。
【0017】
図2及び図3において、シャワーヘッド18は、ガス混合室14に通じるポート36と、ポート36に通じてシャワーヘッド18の下面側に開口する多数の微小なノズル(開口部)38とを有する。
【0018】
図4は成膜ガスがシャワーヘッド18から基板24の表面へ向かって噴き出すところを示す図である。噴き出した成膜ガスは基板24の表面に沿って流れる。シャワーヘッド18の直径は基板24の直径よりも大きく、ノズル38は基板24の領域よりも外側にも存在する。
【0019】
シャワーヘッド18は、成膜ガスの流速が薄膜を形成すべき基板24の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、形成されている。より具体的には、成膜ガスの流速の増加比率が常に増加し、好ましくは増加率は一定である(U=ax)ようになっている。
【0020】
図5はシャワーヘッド18の解析用のモデルを示す図である。モデル40はシャワーヘッド18の半円部分に相当する。円の中心から半径方向の距離をxとする。シャワーヘッド18からモデル40へ成膜ガスを噴き出す。それによって生じる基板24の表面に沿った成膜ガスの流れの流速を流体解析した。実際の成膜条件と同じガス流量条件を入力値とし、シャワーヘッドのノズル38の数及び径(開口面積)を変更したときの基板24の表面上のガス流速を解析した。初期質量流量を0.03932(約0.04)g/sec とし、6インチシリコン基板24がステージ26上に配置されたものとして計算した。
【0021】
図6は、ノズル38の直径を一定(1mm)とし、ノズル数を変えたときの距離(x)とガス流速の関係を示す図である。曲線Aはノズル38の数がモデル40に均等に700個ある場合を示し、曲線Bはノズル38の数がモデル40に均等に350個ある場合を示し、曲線Cはノズル38の数がモデル40に均等に175個ある場合を示す。
【0022】
ノズル38の数が700個、350個のとき(曲線A,B)には、基板の中心から半径方向に位置が変わっても、ガス流速の増加率はあまり変化がない(ほぼ直線的に増加している)。従って、膜厚が均一な品質のより薄膜を形成することができる。なお、6インチの基板の場合には、図6に基板の外縁部はxが約75mmの位置にくる。ノズル38の数が175個の場合には、ガス流速の増加率が急に大きくなり、ガスの流れが乱されて、膜厚の均一性および薄膜の品質が低下する。
【0023】
従って、ノズル38の数は多い方がよく、図6に示す結果では350個以上が適切と言える。この場合のシャワーヘッドの開口断面積は、ノズル数350、ノズル径1mmとして、π×(1/2)2 ×350×2=550mm2 となる。シャワーヘッドの単位開口断面積あたりの成膜ガス流量は、3.932×10−2g/sec の質量流量を550mm2 の開口断面積で割って、1.43×10−4g/sec /mm2 であった。一方、ノズル38の数が175個の場合には、シャワーヘッドの単位開口断面積あたりの成膜ガス流量は、2.9×10−4g/sec /mm2 であった。
【0024】
図7は、ノズル38の数を一定(700個)とし、ノズル径を変えたときの距離(x)とガス流速の関係を示す図である。曲線Dはノズル38の径が2mmの場合を示し、曲線Eはノズル38の径が1mmの場合を示し、曲線Fはノズル38の径が0.5mmの場合を示す。上記例と同様に、解析モデルを構築し、初期質量流量を0.03932(約0.04)とし、基板表面上のガス流速を計算した。
【0025】
シャワーヘッドのノズル径が1mm、2mmのとき(曲線D,E)には、ガス流速の増加率にあまり変化はないが、ノズル径が0.5mmになるとガス流速の増加率の変化が大きくなった。従って、ノズル径は大きい方がよく、図7に示す結果では1mm以上が適切と言える。ノズル径が2mmの場合のシャワーヘッドの開口断面積は、ノズル数700、ノズル径2mmとして、π×(2/2)2 ×700×2=4398mm2 となる。シャワーヘッドの単位開口断面積あたりの成膜ガス流量は、3.932×10−2g/sec の質量流量を4398mm2 の開口断面積で割って、1.75×10−5g/sec /mm2 であった。一方、ノズル38の数が175個の場合には、シャワーヘッドの単位開口断面積あたりの成膜ガス流量は、2.9×10−4g/sec /mm2 であった。
【0026】
なお、上記した結果から、シャワーヘッドの開口断面積は、550mm2 〜4398mm2 の範囲内にあるのがよく、シャワーヘッドの単位開口断面積あたりの成膜ガス流量は、1.43×10−4g/sec /mm2 〜1.75×10−5g/sec /mm2 の範囲内にあるのが好ましい。
【0027】
次に、図1に示す薄膜形成装置において、ノズル数1400、ノズル径1mmのシャワーヘッド18を使用し、PZTの成膜を行った。原料は、Pb(DPM)2 、Zr(DMHD)4 、Ti(O−iPr)2 (DPM)2 を使用し、溶媒にはTHFを使用した。酸素1000sccm、窒素1800sccm、THF1.0ml/min を流し、6インチのシリコンウエハ上に、PZTの膜を成膜した。基板温度は580℃、圧力667Paに設定した。成膜条件とシャワーヘッド18の仕様から、シャワーヘッドの開口面積に対する成膜ガス流量は、約7.3×10−5g/sec /mm2 であった。
【0028】
成膜したPZT膜の膜厚と組成を9点で測定したところ、以下のような結果になった。膜厚(nm)は156±5であった。組成〔Pb(Zr+Ti)〕は1.12±0.10であった。組成〔Zr(Zr+Ti)〕は0.44±0.05であった。
【0029】
この結果、均一な膜厚で組成のむらのない品質の優れたPZT薄膜ができていることが確認された。また、連続して10枚の成膜を行ったが、同様の測定結果が得られ、膜厚、組成ともに再現していることが分かった。
【0030】
また、上記の例では、成膜ガスはPb,Zr,Tiを含んでいたが、本発明はそのような例に限定されるものではない。本発明では、成膜ガスがPb,Zr,Ti,La,Ca,Sr,Ba,Ta,Biのうちの少なくとも1つ又は幾つかを含んでいるものを使用することができる。
【0031】
以上の説明には下記の特徴が含まれる。
【0032】
(付記1) 気相成長法による薄膜形成装置であって、薄膜を形成すべき基板の表面へ向かって成膜ガスを噴き出すためのシャワーヘッドを具備し、該シャワーヘッドは、基板の表面に沿って流れる成膜ガスの流速が基板の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、形成されていることを特徴とする薄膜形成装置。(1)
(付記2) シャワーヘッドを用いた気相成長法による薄膜形成方法であって、薄膜を形成すべき基板の表面に沿って流れる成膜ガスの流速が基板の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、該シャワーヘッドから基板の表面へ向かって成膜ガスを噴き出すことを特徴とする薄膜形成方法。(2)
(付記3) 成膜ガスの流速の増加比率が一定であることを特徴とする付記2に記載の薄膜形成方法。(3)
(付記4) 成膜ガスの流速の変化が基板上の範囲のみで満たしていることを特徴とする付記2に記載の薄膜形成方法。(4)
(付記5) シャワーヘッドは微小な複数の開口部を有し、該開口部の合計の断面積が550mm2 から4398mm2 の範囲内にあることを特徴とする付記2に記載の薄膜形成方法。
【0033】
(付記6) シャワーヘッドの単位開口断面積あたりの成膜ガス流量が1.43×10−4g/sec /mm2 から1.75×10−5g/sec /mm2 の範囲内にあることを特徴とする付記2に記載の薄膜形成方法。(5)
(付記7) 成膜ガスがPb,Zr,Ti,La,Ca,Sr,Ba,Ta,Biのうちの少なくとも一つを含んでいることを特徴とする付記2に記載の薄膜形成方法。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、均一な膜厚を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の薄膜形成装置及び薄膜形成方法を示す図である。
【図2】図1のシャワーヘッドを示す断面図である。
【図3】図2のシャワーヘッドの底面図である。
【図4】混合ガスがシャワーヘッドから基板に向かって降り注ぐところを示す図である。
【図5】シャワーヘッドの検討用のモデルを示す図である。
【図6】ノズル数を変えたときの距離とガス流速の関係を示す図である。
【図7】ノズル径を変えたときの距離とガス流速の関係を示す図である。
【符号の説明】
10…薄膜形成装置
12…気化器
14…ガス混合室
16…成膜室
18…シャワーヘッド
20…配管
22…配管
24…基板
26…ステージ
38…ノズル
Claims (5)
- 気相成長法による薄膜形成装置であって、薄膜を形成すべき基板の表面へ向かって成膜ガスを噴き出すためのシャワーヘッドを具備し、該シャワーヘッドは、基板の表面に沿って流れる成膜ガスの流速が基板の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、形成されていることを特徴とする薄膜形成装置。
- シャワーヘッドを用いた気相成長法による薄膜形成方法であって、薄膜を形成すべき基板の表面に沿って流れる成膜ガスの流速が基板の中心から半径方向にいくに従って単調増加するように、該シャワーヘッドから基板の表面へ向かって成膜ガスを噴き出すことを特徴とする薄膜形成方法。
- 成膜ガスの流速の増加比率が一定であることを特徴とする請求項2に記載の薄膜形成方法。
- シャワーヘッドは微小な複数の開口部を有し、該開口部の合計の断面積が550mm2 から4500mm2 の範囲内にあることを特徴とする請求項2に記載の薄膜形成方法。
- シャワーヘッドの単位開口断面積あたりの成膜ガス流量が1.43×10−4g/sec /mm2 から1.75×10−5g/sec /mm2 の範囲にあることを特徴とする請求項2に記載の薄膜形成方法。
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JP2002334059A JP2004172227A (ja) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
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JP2002334059A Pending JP2004172227A (ja) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
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-
2002
- 2002-11-18 JP JP2002334059A patent/JP2004172227A/ja active Pending
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