KR940009945B1 - 화학기상 성장장치 - Google Patents

화학기상 성장장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940009945B1
KR940009945B1 KR1019910023356A KR910023356A KR940009945B1 KR 940009945 B1 KR940009945 B1 KR 940009945B1 KR 1019910023356 A KR1019910023356 A KR 1019910023356A KR 910023356 A KR910023356 A KR 910023356A KR 940009945 B1 KR940009945 B1 KR 940009945B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
reaction
semiconductor wafer
head
film
Prior art date
Application number
KR1019910023356A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920012537A (ko
Inventor
아키마사 유우키
다카아키 가와하라
토오루 야마구치
고이치로 츠타하라
Original Assignee
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
시키모리야
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시덴키 가부시키가이샤, 시키모리야 filed Critical 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Publication of KR920012537A publication Critical patent/KR920012537A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940009945B1 publication Critical patent/KR940009945B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

내용 없음.

Description

화학기상 성장장치
제 1 도는 이 발명의 실시예 1에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 단면 구성도,
제 2 도는 이 발명의 실이예 1에 의한 화학기상 성장장치의 반응실내에 있어서의 흐름의 모양을 표시하는 설명도.
제 3 도는 이 발명의 실시예 1에 관한 가스헤드를 표시하는 설명도.
제 4 도는 제 3 도의 가스헤드에 의해 형성된 반응생성막의 두께의 분포를 표시하는 조감도.
제 5 도는 이 발명의 실시예 1에 관한 다른 가스헤드를 표시하는 설명도.
제 6 도는 제 5 도의 가스헤드에 의해 형성된 반응생성막의 두께의 분포를 표시하는 조감도.
제 7 도는 제 3 도의 가스헤드에 의해 형성된 다른 반응생성막의 두께의 분포를 표시하는 조감도.
제 8 도는 제 3 도의 가스헤드에 의해 형성된 다른 반응생성막의 두께의 분포를 표시하는 조감도.
제 9 도는 이 발명의 실시예 2에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 단면 연결구성도.
제 10 도는 이 발명의 실시예 3에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 개략 구성도.
제 11 도는 이 발명의 실시예 4에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 개략 구성도.
제 12 도는 이 발명의 실시예 5에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 단면 구성도 및 평면도.
제 13 도는 종래의 화학기상 성장장치를 표시하는 단면 구성도.
제 14 도는 종래의 연속형 화학기상 성장장치를 표시하는 구성도.
제 15 도는 종래의 연속형 화학기상 성장장치의 성막반응부를 표시하는 단면 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 반도체 웨이퍼 2: 스테이지
3: 히터 4: 반응실
5: 가스헤드 6a: N2가스분출구
6b: 반응가스분출구 6c: N2가스분출구
B: 반응가스 C: N2가스.
17: 간막이 17a: 간막이
17b: 간막이 6a: N2가스분출구
6b: 반응가스분출구 6c: N2가스분출구
B: 반응가스 C: N2가스.
이 발명은 피처리물로서의 반도체 웨이퍼에 박막을 형성할때 사용하는데 적합한 화학기상 성장장치에 관한 것이다.
종래 이 종류의 화학기상 성장장치로는, 예를 들면, 특개평 2-283696호 공보에 기지된 것이 있다. 제 13 도는 이와 같은 종래의 화학기상 성장장치를 표시하는 단면 구성도이고 도면에서, 2는 반응생성막(도시하지않음)이 형성되는 반도체 웨이퍼 1을 보지하고 있는 가열용 스테이지, 3은 이 스테이지(2)를 가열하기 위한 히터, 4는 반응가스에 의해 박막이 형성되는 반도체 웨이퍼(1)을 낱장으로 처리하는 반응실, 5는 스테이지(2)가 간격을 두고 설치되어, 반응가스(B)를 공급하기 위한 다수의 가스분출구(6)를 갖는 가스헤드, 7은 반응실(4)를 둘러싸고 있는 반응실 측벽, 8은 배기링, 9는 배기실, 10은 반응실벽(7)에 설치되어 배기 A를 도출하기 위한 배기구, 11은 배기배출구, 12는 배기플랜지, 13은 배기저항판, 14는 스테이지(2)의 열이 전도에 의해 외부로 도망하는 것을 방지하기 위해서와, 스테이지를 회전시키기 위한 스테이지 간극이다. 또 15는 N2분출구, 16은 N2분출링.
이와 같이 구성된 종래의 화학기상 성장장치에 있어서는 미리 스테이지(2)상에서 가열된 반도체 웨이퍼(1)에 대해, 가스분출구(6)으로부터 분출된 반응가스(B)를 공급함으로써, 반도체 웨이퍼상에 반응생성막을 형성할 수가 있다.
종래의 화학기상 성장장치는 이상과 같이 구성되어 있으므로, 반응생성막의 성장속도가 가스헤드(5)로부터 반도체 웨이퍼(1)에 공급되는 가스농도에 의존하기 때문에 반응생성막의 막의 두께를 균일하게 할 경우에, 반도체 웨이퍼(1)상의 임의의 부위에서 반응가스(B)의 농도를 안정하고도 균일하게 하기 위해 반응가스(B)의 흐름을 안정하고도 균일하게 할 필요가 있었다.
또, 반응가스(B)는 기상반응에 의해 반응생성물(D)가 생기고, 이것이 반응실내벽 각부에 부착해서 다음에 내부벽으로부터 박리되어 떨어져, 반도체 웨이퍼(1) 위에 부착하므로, 제품의 수율저하의 원인이 되었었다.
또는 수율저하를 피하기 위해, 반응생성물(D)를 제거하기 위해 반응실청소를 빈번하게 해야하며 생산성이 저하한다는 문제점이 있었다. 그래서 반응생성물(D)의 발생을 감소시키고 또한 배기(A)와 함께 반응실(4)로부터 외부로 송출할 필요가 있었다.
이 발명은, 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 발명된 것으로, 반응실내의 반응가스의 흐름과 조성을 제어할 수가 있고, 따라서 균일한 막의 두께를 갖는 반응생성막을 얻을 수가 있고 더우기 반응실내부에의 이물질의 부착을 감소시킬 수 있는 화학기상 성장장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이 발명에 관한 화학기상 성장장치는, 반응가스를 공급하는 가스헤드를 다분활해서 중앙부로부터 반응가스를 공급하고, 단부에서 불활성가스를 같은 분출속도로 공급하는 것이다.
이 발명에 있어서의 화학기상 성장장치는, 가스헤드의 단부의 반응가스를 불활성 가스로 치환할 수가 있기 때문에, 반응실내의 흐름을 교란시키지 않고, 균일한 막을 형성할 수 있다.
그리고 웨이퍼 표면에서 멀리 떨어진 지점에서의 불필요한 반응이 억제되기 때문에 반응실내벽에 부착하는 이물질의 발생을 감소시킬 수 있다.
［실시예 1］
이하 이 발명을 도면에 표시하는 실시예에 따라 상세히 설명한다.
제 1 도는 이 발명의 한 실시예에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 구성도, 제 2 도는 이 발명의 한 실시예에 의한 화학기상 성장장치의 반응실내의 흐름을 표시하는 설명도이다.
도면중 제 13 도와 같은 부재에 대해서는 동일부호를 붙치고 설명은 생략한다.
제 1 도, 제 13 도에 있어서, 6a와 6b는 간막이(17)을 두어, 각각 N2가스(불활성가스)(C)와 반응가스인 TEOS와 O3를 포함하는 N2가스(B)를 분출하는 가스분출구이다. 각각 균일하고 그리고 같은 속도로 가스가 분출되고 있기 때문에, 반응실내의 유속분포는, 제 2 도에 표시하는 바와 같이, 단일 분출구를 갖는 종래의 가스헤드를 사용한 반응실과 같고, 균일한 두께의 속도경계층과 온도경계층이 형성된다.
도면중, E는 반응가스농도의 경계선, F는 온도분포의 경계선, H는 불필요한 반응발생영역을 표시하고 있다. TEOS-O3혼합기의 반응이 활발해지기 위한 필요온도의 경계를 표시하는 온도경계선 F는, 스테이지 표면에 거의 평행해서 존재하고 있다.
한편, 웨이퍼 표면근방의 TEOS-O3농도는, 간막이(17)의 반경이 조절되어 있고 주위 N2의 영향을 받지 않고, 단일분출의 경우와 같다.
단, 웨이퍼 표면에서 떨어진 지점에서는 주위 N2에 의해 희석되기 때문에, TEOS-O3농도는 저하되어 있다. 이때 주변부에서의 온도는 TEOS-O3가 반응하기에는 충분히 높으나, TEOS-O3농도가 낮기 때문에 반응생성물이 발생하지 않는 영역(H)가 생긴다.
종래의 단일분출의 경우는, 이 영역은 웨이퍼(1)의 성막에 기여하지 않는 불필요한 반응이 일어나는 영역으므로 이 발명에 의해 반응실내벽에 부착하는 반응생성물(D)의 생성량을 저감할 수가 있다.
여기서, 가스헤드(5) 중앙부의 반응가스(B)를 공급하는 부분과, 외주부의 N2가스(C)를 공급하는 부분의 크기와, 반도체 웨이퍼(1)상에 형성되는 막의 두께분포에 대해 실제의 데이터를 기초로 설명을 한다.
제 3 도는 중앙부의 반응가스공급부의 직경이 110mm, 전체의 외경이 150mm의 원형의 가스헤드(5)와 여기에 7mm의 간격을 두고 대향하는 반도체 웨이퍼(1)와, 스테이지(2)를 표시하는 설명도이고, 제4도는 제3도의 상태에서 성막을 했을때, 반도체 웨이퍼(1)상에 형성된 반응생성막의 두께분포를 표시하는 조감도이다.
이와 마찬가지로, 제 5 도는 중앙부의 반응가스공급부의 직경이 90mm, 전체의 외경이 150mm의 원형의 가스헤드(5)와 이것에 7mm의 간격을 두고 대향하는 반도체 웨이퍼(1)과 스테이지(2)를 표시하는 설명도이고, 제 6 도는 제 5 도의 상태에서 성막을 했을때에 반도체 웨이퍼(1)상에 형성된 반응생성막의 두께분포를 표시하는 조감도이다.
제 4 도는 제 3 도에 있어서, 반응가스 B의 가스헤드(5)상의 평균유속과, N2가스(C)의 가스헤드(5)상의 평균유속을 같게(약 26mm/sec)해서 성막을 했을때의 반도체 웨이퍼(1)상에 형성된 반응생성막의 두께분포를 표시하는 조감도로, 이것에 의하면 반도체 웨이퍼(1)상의 중앙부와 외주부의 막의 두께가 같고 가스헤드(5)의 중앙부로부터 공급된 반응가스(B)가 반도체 웨이퍼(1)의 전면에 도달한 것을 알 수 있다.
제 6 도는 제 5 도에 있어서, 반응가스(B)의 가스헤드(5)상의 평균유속과, N2가스(C)의 가스헤드(5)상의 평균유속을 같게(약 26mm/sec)해서 성막을 했을때의 반도체 웨이퍼(1)상에 형성된 반응생성막의 두께분포를 표시하는 조감도로, 이것에 의하면 반도체 웨이퍼(1)상의 중앙부에 비해 외주부에서는 막의 두께가 저하되어 있고, 가스헤드(5)의 중앙부에서 공급된 반응가스(B)가 반도체 웨이퍼(1)의 전면에는 달하지 않고 반도체 웨이퍼(1)의 외주부에는 가스헤드 외주부로부터의 N2가스(C)가 확산에 의해 달해 있기 때문에, 막의 두께가 얇아진 것을 알 수가 있다.
이상의 결과로부터, 이 가스헤드(5)와 반도체 웨이퍼(1)의 간격이 7mm이고 가스헤드(5)의 외경이 150mm인 경우, 가스헤드(5) 중앙부의 반응가스공급부의 크기가 110mm경(經)까지는 공급된 반응가스(b)가 반도체 웨이퍼(1)상의 전면에 도달하고 균일한 두께의 반응생성막이 형성되나, 그 이하의 크기에서는 가스헤드(5) 중앙부의 반응가스공급부로부터 공급되는 반응가스(b)가 반도체 웨이퍼(1)의 전면에 달하지 않게 되므로, 반도체 웨이퍼(1)의 주변부에서 막의 두께가 저하한다.
따라서 상술한 가스헤드(5)와 반도체 웨이퍼(1)의 간격 및 가스헤드의 외경에 있어서는, 가스헤드(5) 중앙부의 반응가스공급부의 크기는 110mm경까지 작게할 수 있고, 그 면적에 따른 분만큼 반도체 웨이퍼(1)상에 도달하지 못하고 배기되었던, 성막에 기여하지 않는 반응가스(B)를 감소시킬 수가 있다.
단 가스헤드(5) 중앙부의 반응가스공급부의 반도체 웨이퍼(1)상에 균일하게 성막할 수 있는 최소의 크기는, 가스헤드(5)와 반도체 웨이퍼(1)의 간격 가스헤드의 외경 및 가스의 공급량에 의해 결정되는 것으로, 상기의 치에 한정되는 것은 아니다.
다음에, 가스헤드(5) 중앙부의 반응가스공급부로부터의 반응가스(B)의 가스헤드(5)상의 평균유속과, 가스헤드(5) 외주부로부터의 N2가스(C)의 가스헤드(5)상의 평균유속의 비와, 반도체 웨이퍼(1)상에 형성되는 반응생성막의 두께의 분포에 대해 실제의 데이터를 기초로해서 설명을 한다.
제 4 도, 제 7 도 제 8 도는 각각 전기 제3도의 구성으로, 가스유속을 변경해서 성막을 했을때에 반도체 웨이퍼(1)상에 형성된 반응생성막의 두께분포를 표시하는 조감도이다.
제 4 도는 상술한 바와 같이, 반응가스(B)의 가스헤드(5)상의 평균유속과 N2가스(C)의 가스헤드(5)상의 평균유속의 비를 1:1로 해서 성막을 했을때의 두께분포로, 이것에 의하면, 반도체 웨이퍼 1상의 중앙부의 막두께와 외주부의 막두께는 같아져 있다.
제 7 도는 제 3 도에 있어서, 반응가스(B)의 가스헤드(5)사의 평균유속과 N2가스(C)의 가스헤드(5)상의 평균유속의 비를 1:0.77로 해서 성막을 했을때의 두께분포로, 이것에 의하면, 반도체 웨이퍼(1)상의 중앙부의 막두께에 대해 외주부의 두께는 얇아져 있다. 이것은 가스헤드(5)의 외주부로부터 공급되는 N2가스(C)의 유속이 가스헤드(5) 중앙부로부터 공급되는 반응가스(B)의 유속에 비해 작기 때문에, 반응가스(B)와 N2가스(C)의 경계가 N2가스(C)의 흐름에 의해 반도체 웨이퍼(1)로 밀어올려지는 것이 약하게 되므로, 반도체 웨이퍼(1)상의 외주부에서 반응가스(B)의 농도가 엷어지기 때문이다.
제 8 도는 제 3 도에 있어서, 반응가스(B)의 가스헤드(5)상의 평균유속과 N2가스(C)의 가스헤드(5)상의 평균유속의 비를 1:1.19로 해서 성막을 했을때의 두께분포로, 이것에 의하면 반도체 웨이퍼(1)상의 중앙부의 두께에 대해 외주부의 두께는 두껍게 되어 있다. 이것은 가스헤드(5)의 외주부로부터 공급되는 N2가스(C)의 유속이 가스헤드(5) 중앙부로부터 공급되는 반응가스(B)의 유속에 비해 크기 때문에, 반응가스(B)와 N2가스(C)의 경계가 N2가스(C)의 흐름에 의해 반도체 웨이퍼(1)에 밀어올려지는 힘이 강하게 됨으로, 반도체 웨이퍼(1)상의 외주부에서 반응가스(B)의 농도가 진하게 되기 때문이다.
이상의 결과로부터 가스헤드(5) 중앙부의 반응가스공급부로부터 공급되는 반응가스(B)의 가스헤드(5)상의 평균유속에 대해, 가스헤드(5)외주의 N2가스공급부로부터 공급되는 N2가스(C)의 가스헤드(5)상의 평균유속을 변화시킴으로써, 반도체 웨이퍼(1)상에 형성되는 반응생성막의 외주부의 막의 두께를 중앙부의 두께에 대해 변화시킬 수가 있다.
따라서, 어떤 요인으로해서 반도체 웨이퍼(1)상에 형성되는 반응생성막의 두께에 원주방향의 불균일이 발생했을때 가스헤드(5) 외주부의 N2가스공급부로부터 공급되는 N2가스(C)의 유속을 변화시켜서 두께의 불균일을 해소하는 방향으로 두께를 변화시킴으로써, 반도체 웨이퍼(1)상에 형성되는 반응생성막의 두께분포를 균일하게 할 수가 있다.
［실시예 2］
제 9 도는 이 발명의 제2의 실시예에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 단면 구성도이고, 도면중 제 1 도와 같은 부재에 대해서는 동일부호를 붙치고, 설명은 생략한다.
도면에서 6a와 6b는 N2가스를 분출하는 N2가스분출구, 6b는 반응가스인 TEOS 와 O3를 포함하는 N2가스를 분출하는 반응가스분출구이다.
분출구(6a)와 (6b), 분출구(6a)와 (6c)는 간막이 (17a)(17b)로 간막이되고, N2가스분출구(6a)와 반응가스분출구(6b)는 균일하고 같은 속도로 가스가 분출되고, N2가스분출구(6c)로부터는 다른 분출구에 비해 빠른 속도로 N2가스가 분출된다.
예를 들면, 외경 150mm의 가스헤드에 있어서, 간막이(17a)를 90mm경, 간막이(17b)를 120mm경으로 하고, 다시 가스의 분출유속을 6a:6b:6c=1:1:1.2로 설정한다. 이때 만약 분출유속비가 6a:6b:6c=1:1:1이었으면, 제 6 도에 표시하는 바와 같이 반도체 웨이퍼(1)의 주변부의 막의 두께가 저하되나 분출구(6c)의 유속이 높기 때문에, 제 8 도에 표시되어 있는 빠른 분출유속에 의한 막의 두께가 상승하는 효과에 의해 상쇄되어, 균일한 두께분포가 실현 가능하다.
이것에 의해 반응가스의 필요한 공급량은 더욱 감소하고 또 불필요한 기상에서의 반응도 억제할 수 있다.
［실시예 3］
제10도는 이 발명의 제3의 실시예에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 개략 구성도이고, 도면중, 제1도와 같은 부재에 대해서는 동일부호를 붙치고 설명은 생략한다.
도면에서 6a는 N2가스를 분출하는 N2가스분출구, 6b와 6d는 반응가스인 TEOS와 O3를 포함하는 N2가스를 분출하는 분출구이다. 분출구(6a)와 (6b), 분출구(6a)와 (6d)는 간막이(17a)(17c)로 구분되고, 반응가스분출구(6b)와 (6d)에서 분출되는 반응가스는 매스플콘트롤러(19a),(19b)(19c)에 의해 조성이 조정되어 각각의 분출속도의 대소는 밸브(18a)(18b)에 의해 조절된다. N2가스분출구(6a)로부터 분출되는 N2가스분출속도는 매스플로콘트롤로(19d)에 의해 제어된다.
이와 같이 구성되어 있으므로, 반도체 웨이퍼(1) 중앙부의 두께분포는 제 7 도, 제 8 도에 표시한 분출유속에 의한 두께의 변화효과에 의해, 임의로 제어할 수가 있어 보다 균일성이 우수한 막의 두께분포의 실현이 가능해진다.
또 여기서는 반응가스분출구(6b)와 (6d)의 유속비를 변화시키기 위해, 밸브(18a)와 (18b)를 사용했으나, 이것에 한하는 것이 아니라, 예를 들면, 유로저항이 큰 세관을 설치하고 길이를 조절함으로써 유속비를 변화시킬 수가 있다. 또는 매스플로콘트롤러를 각각 2조 사용해서 유량비의 콘트롤을 해도 꼭같은 효과를 기대할 수 있다.
［실시예 4］
제 11 도는 이 발명의 제4의 실시예에 의한 화학기상 성장장치를 표시하는 개략 구성도이고, 도면중, 제1도와 동일한 부재에 대해서는 동일부호를 붙치고 설명은 생략한다.
도면에서 19e는 외주부의 N2가스류(C)에 반응억제가스인 이소부텐(C4H8)을 정량적으로 첨가하기 위한 매스플로콘트롤러이다.
이소부텐(C4H8)은 O3의 열분해에 의해 생긴 O원자와의 반응성이 높기 때문에, O원자의 TEOS와의 반응을 막을 수가 있다. 주변부의 N2가스류 C에 포함된 이소부텐(C4H8)은 기판으로부터 떨어진 곳에서 발생하고, TEOS와 반응함으로써 분말의 전구물질(前驅物質)을 발생시키는 O원자를 포획하기 위해 분말의 발생은 감소한다.
여기서는, 반응억제가스로서 이소부텐(C4H8)을 사용해서 설명했으나, O원자를 효과적으로 포획할 수 있는 화학종이면 똑같은 효과가 기대된다. 예를 들면 C2H4, C3H6등의 탄화수소, 메탄올, 에탄올 등의 알코올이 있다.
［실시예 5］
지금까지는 동심원상의 성막장치를 사용해서 설명했으나, 다음으로 연속형 화학기상 성장장치에 이 발명을 이용한 경우를 설명한다.
제 14 도는 종래의 연속형 화학기상 성장장치를 표시하는 구성도이고, 제 15 도는 동장치의 성막반응부를 표시하는 단면 구성도이다.
도면에 있어서, 1은 반응생성막(도시하지 않음)이 형성되는 반도체 웨이퍼, 2는 반도체 웨이퍼(1)을 보지, 반송하는 스테이지, 3은 이 스테이지(2)하고, 여기에 실려있는 반도체 웨이퍼(1)을 소정의 온도까지 가열하기 위한 히터, 5는 반응가스(B)를 반도체 웨이퍼(1)에 균일하게 공급하기 위해, 반도체 웨이퍼(1)에 대향하는 면의 전면에 복수의 슬리트를 설치해 구성되는 가스헤드, 20은 복수개의 가스헤드(5)를 덮는 것같이 설치되어 배기(A)를 빼기 위한 배기커버이다.
종래의 연속형 화학기상 성장장치는 이상과 같이 구성되어 있으므로, 가스헤드(5)의 끝부분으로부터 반도체 웨이퍼(1)에 향해 공급된 반응가스(B)는 반도체 웨이퍼(1)에 도달하는 일없이 배기(A)로서 흐른다. 여기서 반응가스(B)는 가상반응에 의해 반응생성물(D)를 생성하고, 이 반응생성물(D)가 가스헤드(5)가 배기커버(20)등에 부착해, 다음에 떨어져서 반도체 웨이퍼(1)상에 부착하기 때문에, 제품의 수율저하의 원인이 되었었다. 또 정기적으로 장치를 세워서 반응생성물(D)의 제거를 하게 해 장치의 가동율저하의 원인이 되었었다.
제12a, b 도는 각각 이 발명의 제5의 실시예에 의한 연속형 화학기상 성장장치를 표시하는 단면구성도 및 평면도이다. 가스헤드(5)는 종래와 같이 반도체 웨이퍼(1)에 대향하는 면의 전면 슬리트를 갖고 있으나, 슬리트 중앙부로부터만, 반응가스(B)가 공급되고, 배기(A)에 가까운 가스헤드의 양단부의 슬리트로부터는 N2가스(C)가 반응가스(B)와 같은 유속으로 공급된다.
이때, 가스헤드(5)의 중앙부에서 공급된 반응가스(B)는 반도체 웨이퍼(1)에만 도달해서, 성막반응을 한다. 가스헤드(5)의 양단부로부터 공급될 N2가스(C)는, 반응가스(B)와 같은 유속임으로, 반응가스 B의 흐름을 교란시키지 않고, 반도체 웨이퍼(1)에 도달하는 일없이 배기된다.
이와 같이, 이 발명에 의하면 종래 가스헤드(5)로부터 공급되어 반도체 웨이퍼(1)에 도달하지 않고 배기되는 반응가스(B)를 불활성인 N2가스(C)로 치환하였으므로, 반응가스(B)의 기상반응에 의해 발생하는 반응생성물(D)가 가스헤드(5)나 배기커버(20)에 부착하는 일없이 제품의 수율, 장치의 가동율 등를 향상시킬 수 있다.
또, 필요한 반응가스의 공급량이 반응가스가 공급되는 슬리트의 면적에 따라 감소하기 때문에, 사용하는 반응가스를 절약할 수가 있다.
또 이상 설명한 연속형 화학기상 성장장치의 스테이지, 히터, 가스헤드, 배기커버등의 형상 배치는 이에 한하는 것이 아니고 또 가스헤드 양단으로부터 공급하는 가스도 N2가스 대신에 성막에 관여하지 않는 불활성가스를 사용해도 가능하다.
또 이번에는 일부에서 TEOS-O3를 예로해서 설명했으나 이것에 한하는 것이 아니라 기상반응을 해서 발진(發塵)하는 반응가스를 사용하는 경우에 적용할 수 있는 것도 사실이다. 또, 외주부에 N2대신에 다른 불활성가스를 흘려도 같은 효과를 기대할 수 있다.
이상과 같이, 이 발명에 의하면 가스헤드를 중앙부의 반응가스분출구와 단부의 불활성가스분출구로 분리하고, 상기 반응가스분출구와 이 가스분출구에 인접하는 상기 불활성가스분출구로부터 분출되는 각 가스의 유속이 같아지도록 했기 때문에 균일한 막의 두께를 유지하면서 적은 반응가스로 성막시킬 수 있는 효과가 있다.
또, 반응실내부에의 이물질의 부착을 감소시킬 수가 있다.

Claims (1)

  1. 반응가스에 의해 박막이 형성된 반도체 웨이퍼를 매수 별로 처리하는 반응실, 상기 반응실내에 놓여지는 상기 반도체 웨이퍼의 주변에 대향해서 설치되는 상기 반도체 웨이퍼에 상기 반응가스를 공급하는 가스헤드 및 상기 반도체 웨이퍼를 가열하는 스테이지로 구성되는 화학기상 성장장치에 있어서, 상기 가스헤드가 중앙부의 반응가스분출구와 단부의 불활성 가스분출구로 분리되고, 상기 반응가스분출구와 이 가스분출구에 인접해 있는 상기 불활성가스분출구로부터 분출되는 각 가스의 유속이 같아지도록 한 것을 특징으로 하는 화학기상 성장장치.
KR1019910023356A 1990-12-28 1991-12-18 화학기상 성장장치 KR940009945B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP90-408754 1990-12-28
JP40875490 1990-12-28
JP1679391 1991-03-20
JP91-16793 1991-03-20
JP3160349A JPH04348031A (ja) 1990-12-28 1991-07-01 化学気相成長装置
JP91-160349 1991-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920012537A KR920012537A (ko) 1992-07-27
KR940009945B1 true KR940009945B1 (ko) 1994-10-19

Family

ID=26353190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910023356A KR940009945B1 (ko) 1990-12-28 1991-12-18 화학기상 성장장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5669976A (ko)
JP (1) JPH04348031A (ko)
KR (1) KR940009945B1 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3360265B2 (ja) * 1996-04-26 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US20020127343A1 (en) * 1997-12-18 2002-09-12 Kutilek Luke A. Methods and apparatus for forming a graded fade zone on a substrate and articles produced thereby
US6649214B2 (en) 1997-12-18 2003-11-18 Ppg Industries Ohio, Inc. Compositions and methods for forming coatings of selected color on a substrate and articles produced thereby
US6312790B1 (en) 1997-12-18 2001-11-06 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods and apparatus for depositing pyrolytic coatings having a fade zone over a substrate and articles produced thereby
US7507479B2 (en) * 1998-08-13 2009-03-24 Ppg Industries Ohio, Inc. Compositions and methods for forming coatings of selected color on a substrate and articles produced thereby
JP2000349078A (ja) 1999-06-03 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置および半導体装置の製造方法
US6849306B2 (en) * 2001-08-23 2005-02-01 Konica Corporation Plasma treatment method at atmospheric pressure
US20050224902A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-13 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
US20050233770A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-20 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
US20050224899A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-13 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
US7289230B2 (en) * 2002-02-06 2007-10-30 Cyberoptics Semiconductors, Inc. Wireless substrate-like sensor
CA2409056C (en) * 2002-10-21 2010-02-02 Gabe Coscarella Cleanout with drainage capabilities
JP4880175B2 (ja) * 2002-12-06 2012-02-22 富士通株式会社 気相成長装置及び気相成長方法
KR100536797B1 (ko) * 2002-12-17 2005-12-14 동부아남반도체 주식회사 화학 기상 증착 장치
US7118781B1 (en) * 2003-04-16 2006-10-10 Cree, Inc. Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same
US7371436B2 (en) * 2003-08-21 2008-05-13 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for depositing materials with tunable optical properties and etching characteristics
JP4550507B2 (ja) * 2004-07-26 2010-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
GB2450261A (en) * 2006-02-21 2008-12-17 Cyberoptics Semiconductor Inc Capacitive distance sensing in semiconductor processing tools
US7893697B2 (en) * 2006-02-21 2011-02-22 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Capacitive distance sensing in semiconductor processing tools
US8823933B2 (en) * 2006-09-29 2014-09-02 Cyberoptics Corporation Substrate-like particle sensor
JP4981485B2 (ja) * 2007-03-05 2012-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法および気相成長装置
US7778793B2 (en) * 2007-03-12 2010-08-17 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Wireless sensor for semiconductor processing systems
JP5034594B2 (ja) * 2007-03-27 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US20080246493A1 (en) * 2007-04-05 2008-10-09 Gardner Delrae H Semiconductor Processing System With Integrated Showerhead Distance Measuring Device
US20090015268A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Gardner Delrae H Device and method for compensating a capacitive sensor measurement for variations caused by environmental conditions in a semiconductor processing environment
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
EP2553144B1 (en) * 2010-03-29 2016-11-23 Koolerheadz Gas injection device with uniform gas velocity
TR201903701T4 (tr) * 2011-03-23 2019-04-22 Pilkington Group Ltd İnce film kaplamaların çöktürülmesi için düzenek ve bu düzeneğin kullanılması için çöktürme usulü.
US9695510B2 (en) * 2011-04-21 2017-07-04 Kurt J. Lesker Company Atomic layer deposition apparatus and process
US9388494B2 (en) * 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
KR101482630B1 (ko) * 2012-11-07 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
MX2014013233A (es) * 2014-10-30 2016-05-02 Ct Investig Materiales Avanzados Sc Tobera de inyeccion de aerosoles y su metodo de utilizacion para depositar diferentes recubrimientos mediante deposito quimico de vapor asistido por aerosol.

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3854443A (en) * 1973-12-19 1974-12-17 Intel Corp Gas reactor for depositing thin films
JPS5354181A (en) * 1976-10-28 1978-05-17 Fujitsu Ltd Chemical evaporation apparatus
JPS591671A (ja) * 1982-05-28 1984-01-07 Fujitsu Ltd プラズマｃｖｄ装置
JPS6164122A (ja) * 1984-09-05 1986-04-02 Toshiba Corp 試料処理装置
JPS61189624A (ja) * 1985-02-19 1986-08-23 Toshiba Corp Ｃｖｄ装置
JPS6353932A (ja) * 1986-08-22 1988-03-08 Nec Corp 半導体ウエハ−の薄膜成長装置
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
US4892753A (en) * 1986-12-19 1990-01-09 Applied Materials, Inc. Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4741354A (en) * 1987-04-06 1988-05-03 Spire Corporation Radial gas manifold
US5221556A (en) * 1987-06-24 1993-06-22 Epsilon Technology, Inc. Gas injectors for reaction chambers in CVD systems
JPH01223724A (ja) * 1988-03-02 1989-09-06 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
JPH01286306A (ja) * 1988-05-12 1989-11-17 Mitsubishi Electric Corp 結晶成長装置
JPH02142525A (ja) * 1988-11-24 1990-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 食器洗い機の凍結防止装置
JPH02200784A (ja) * 1989-01-30 1990-08-09 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk Ｃｖｄ電極
JPH02222134A (ja) * 1989-02-23 1990-09-04 Nobuo Mikoshiba 薄膜形成装置
JPH02234419A (ja) * 1989-03-07 1990-09-17 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk プラズマ電極
JPH088257B2 (ja) * 1989-04-13 1996-01-29 三菱電機株式会社 常圧ｃｖｄ装置
JPH0676276B2 (ja) * 1989-04-25 1994-09-28 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
US4950156A (en) * 1989-06-28 1990-08-21 Digital Equipment Corporation Inert gas curtain for a thermal processing furnace
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
JPH03281780A (ja) * 1990-03-30 1991-12-12 Hitachi Ltd Ｃｖｄ装置
US5698036A (en) * 1995-05-26 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04348031A (ja) 1992-12-03
KR920012537A (ko) 1992-07-27
US6022811A (en) 2000-02-08
US5669976A (en) 1997-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940009945B1 (ko) 화학기상 성장장치
EP0637058B1 (en) Method of supplying reactant gas to a substrate processing apparatus
JP2930960B2 (ja) 大気圧化学蒸着装置および方法
KR102312248B1 (ko) 화학 증착 장치
US5702531A (en) Apparatus for forming a thin film
US10381461B2 (en) Method of forming a semiconductor device with an injector having first and second outlets
KR20150122680A (ko) 화학 증착 장치
JPS63227011A (ja) 化学気相成長装置
JP2003188160A (ja) 選択的化学気相成長システム及び方法
US6994887B2 (en) Chemical vapor deposition apparatus and film deposition method
JPH09246192A (ja) 薄膜気相成長装置
JPS615515A (ja) 化学気相成長装置
EP0540082A1 (en) LPCVD reactor for high efficiency, high uniformity deposition and a method of such deposition
JP2003309075A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JPH0196924A (ja) 熱ｃｖｄ法による製膜方法
JP2943407B2 (ja) 化学気相成長装置
KR100686724B1 (ko) 화학기상증착장치
CN115110064A (zh) 一种气体输入设备和气体输入方法
JPH04154117A (ja) 減圧ｃｖｄ装置
JPS63199412A (ja) 気相成長装置
JPH07193016A (ja) 化学気相付着反応装置
KR20230100634A (ko) 웨이퍼 에지 퍼지를 갖는 반도체 처리 장치
JPH0713946B2 (ja) Ｃｖｄ装置
JPH11154670A (ja) 化学的気相成長成膜装置
JPH0669138A (ja) 減圧気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051011

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee