JP4981485B2 - 気相成長方法および気相成長装置 - Google Patents
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1/2≦(第2のガス流量/第1のガス流量)≦1
であることが望ましい。
また、本発明の一態様の気相成長装置は、ウェーハ上に成膜を行う反応室と、反応室下部に設けられ、ウェーハを加熱するヒータと、ウェーハを保持する保持機構と、保持機構と接続され、ウェーハを回転させる回転機構と、反応室の上部に設けられ、上方よりウェーハ全面に供給される反応ガスによる第1のガス流を形成する第1のガス供給機構と、保持機構の上面の外周部に対してノズルの先端部が離間して近傍に配置され、ノズルと保持機構との隙間から流出する反応ガスのガス流の外周に、ノズルからのガス供給によって外周下方向の第2のガス流を形成する第2のガス供給機構を備えることを特徴とする。
1/2≦(外周ガス流量/反応ガス流量)≦1
であることが好ましい。但し、外周ガスにキャリアガスと比較して重いArガスなどを用いる場合では、外周ガスの流量を抑えることが可能である。
Claims (5)
- ウェーハ上に成膜を行うための反応室に、反応ガスを導入し、
前記ウェーハを回転させながら裏面より加熱し、
前記ウェーハを保持する保持機構の上面の外周部に対してノズルの先端部が離間して近傍に配置されたシャワーヘッドの内側において、前記ウェーハの上方より、前記ウェーハの全面に前記反応ガスを供給するための第1のガス流を形成するとともに、前記ノズルと前記保持機構との隙間から流出する前記第1のガス流の外周に、前記ノズルからのガス供給によって外周下方向の第2のガス流を形成して、前記ウェーハ上に成膜を行うことを特徴とする気相成長方法。 - 前記第2のガス流は、水素ガス或いは不活性ガスによるガス流であることを特徴とする請求項1に記載の気相成長方法。
- 前記第1のガス流と、前記第2のガス流の流量比が、
1/2≦(第2のガス流量/第1のガス流量)≦1
であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の気相成長装置。 - ウェーハ上に成膜を行う反応室と、
前記反応室下部に設けられ、前記ウェーハを加熱するヒータと、
前記ウェーハを保持する保持機構と、
前記保持機構と接続され、前記ウェーハを回転させる回転機構と、
前記反応室の上部に設けられ、上方より前記ウェーハ全面に供給される反応ガスによる第1のガス流を形成する第1のガス供給機構と、
前記保持機構の上面の外周部に対してノズルの先端部が離間して近傍に配置され、前記ノズルと前記保持機構との隙間から流出する前記反応ガスのガス流の外周に、前記ノズルからのガス供給によって外周下方向の第2のガス流を形成する第2のガス供給機構と、
を備えることを特徴とする気相成長装置。 - 前記第2のガス流は、水素ガスあるいは不活性ガスによるガス流であることを特徴とする請求項4に記載の気相成長装置。
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