JP4956470B2 - 半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4956470B2 JP4956470B2 JP2008075957A JP2008075957A JP4956470B2 JP 4956470 B2 JP4956470 B2 JP 4956470B2 JP 2008075957 A JP2008075957 A JP 2008075957A JP 2008075957 A JP2008075957 A JP 2008075957A JP 4956470 B2 JP4956470 B2 JP 4956470B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- wafer
- reaction chamber
- outer periphery
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
図1に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、ウェーハwが成膜処理される反応室11には、反応室11上方より、TCS、ジクロロシランなどのソースガスを含むプロセスガスをウェーハw上に供給するためのガス供給口12a、ウェーハwの外周上に希釈ガス、成膜反応抑制ガスあるいはクリーニングガスなどを供給するためのガス供給口12bが設置されている。そして、反応室11下方および上方壁面には、それぞれ複数箇所、例えば2箇所にガスを排出し、反応室11内の圧力を一定(常圧)に制御するためのガス排出口13a、13bが設置されている。
SiHCl3+H2→Si+3HCl・・・(1)
の反応が右側に進行することにより、Siエピタキシャル膜が形成されるが、SiとともにHClが生成される。上方のガス排出口13bがない場合、上方に流れたHClは、対流を起こし、再びウェーハ表面へと流れる。(1)に示される反応は、複数の反応からなる平衡反応であるため、ウェーハw上のHClモル比が高くなると、平衡は左側にシフトする。従って、Siの生成反応の進行が抑えられ、エピタキシャル成長率が低下すると考えられる。
図3に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、ウェーハwが成膜処理される反応室31には、反応室31上方より、TCS、ジクロロシランなどのソースガスを含むプロセスガスをウェーハw上に供給するためのガス供給口32が設置されている。そして、反応室31下方および上方壁面には、実施形態1と同様に、それぞれ複数箇所、例えば2箇所にガスを排出し、反応室31内の圧力を一定(常圧)に制御するためのガス排出口33a、33bが設置されている。
12a、12b、32…ガス供給口
13a、13b、33a、33b…ガス排出口
14a、14b、34…整流板
15a、15b、35…仕切り板
16、36…回転駆動機構
17、37a…サセプタ
18a、38a…インヒータ
18b、38b…アウトヒータ
19、39…リフレクター
20a、20b…排気管
21a、21b…圧力計
22a、22b…圧力制御弁
23…拡散ポンプ
36a…回転軸
37…ヒータユニット
37b…リング
40…回転板
40a、40b、40c…フィン
41…突出部
42…ライナー
Claims (8)
- ウェーハが導入される反応室と、
この反応室の上部に配置され、成膜用のソースガスを含む第1のプロセスガスを前記反応室内に供給するガス供給機構と、
前記第1のプロセスガスを前記ウェーハの表面に整流状態で供給する第1の整流板と、
この第1の整流板の外周に設けられ、その下端が前記ウェーハの表面と所定距離離間するように配置された仕切り板と、
この仕切り板の外周に設けられ、希釈ガス、成膜反応抑制ガスあるいはクリーニングガスのいずれかを含む第2のプロセスガスを、前記ウェーハの外周上に整流状態で供給する第2の整流板と、
前記反応室の下部であって前記第2の整流板の外周に配置され、前記反応室内のガスを排出する第1のガス排出機構と、
前記反応室の上部であって前記第2の整流板の外周に配置され、前記反応室内のガスを排出する第2のガス排出機構と、
前記反応室内に配置され、前記ウェーハを保持するサセプタと、
前記サセプタの下部に配置され、前記保持された前記ウェーハを加熱するヒータと、
前記サセプタに接続され、前記サセプタと共に前記ウェーハを回転させる回転駆動機構と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記第2の整流板の外周に設けられ、その下端が前記サセプタの表面と所定距離離間するように配置された第2の仕切り板を更に備え、
前記第1のガス排出機構および前記第2のガス排出機構は、前記第2の仕切り板の外周にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 反応室内でウェーハを保持し、
前記ウェーハの表面に、成膜用のソースガスを含む第1のプロセスガスを整流状態で供給し、
前記ウェーハの外周上に、希釈ガス、成膜反応抑制ガスあるいはクリーニングガスのいずれかを含む第2のプロセスガスを前記第1のプロセスガスと仕切り板で仕切りながら整流状態で供給し、
前記反応室の下部および上部よりガスを排出して、前記反応室内を所定の圧力となるように調整し、
前記ウェーハを回転させながら加熱して、前記ウェーハの表面に成膜することを特徴とする半導体製造方法。 - ウェーハが導入される反応室と、
この反応室の上部に配置され、成膜用のソースガスを含むプロセスガスを前記反応室内に供給するガス供給機構と、
前記第1のプロセスガスを前記ウェーハの表面に整流状態で供給する整流板と、
前記反応室の下部であって前記整流板の外周に配置され、前記反応室内のガスを排出する第1のガス排出機構と、
前記反応室の上部であって前記整流板の外周に配置され、前記反応室内のガスを排出する第2のガス排出機構と、
前記ウェーハを加熱するヒータと前記ウェーハを保持するサセプタを備えるヒータユニットと、
前記ヒータユニットに接続され、前記サセプタと共に前記ウェーハを回転させる回転駆動機構と、
前記ヒータユニットと前記反応室の底面との間に設置され、回転軸方向から外周方向にガス流を形成するフィンと、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記ヒータユニットの外周で、前記フィンの水平位置より上方に、上部に前記第2のガス排出機構と接続される開口部を有するライナーが形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置。
- 前記ヒータユニットと前記反応室の底面との間の空隙は、回転軸方向から外周方向に狭くなる部分を有することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体製造装置。
- 反応室内でヒータユニット上にウェーハを保持し、
前記ウェーハの表面に、成膜用のソースガスを含むプロセスガスを整流状態で供給し、
前記ウェーハを回転駆動機構により回転させながら加熱し、
前記反応室の底面上に、前記回転の回転軸方向から外周方向にガス流を形成し、
前記反応室の下部および上部よりガスを排出して、前記反応室内を所定の圧力となるように調整することを特徴とする半導体製造方法。 - 前記ヒータユニット内部または前記回転駆動機構から前記ガス流が形成されることを特徴とする請求項7に記載の半導体製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008075957A JP4956470B2 (ja) | 2007-11-29 | 2008-03-24 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
US12/324,578 US7967912B2 (en) | 2007-11-29 | 2008-11-26 | Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device |
TW097145946A TWI458032B (zh) | 2007-11-29 | 2008-11-27 | 半導體製造裝置及半導體製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007308852 | 2007-11-29 | ||
JP2007308852 | 2007-11-29 | ||
JP2008075957A JP4956470B2 (ja) | 2007-11-29 | 2008-03-24 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009152521A JP2009152521A (ja) | 2009-07-09 |
JP4956470B2 true JP4956470B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=40921287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008075957A Expired - Fee Related JP4956470B2 (ja) | 2007-11-29 | 2008-03-24 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4956470B2 (ja) |
TW (1) | TWI458032B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5275935B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2013-08-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP5372816B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2013-12-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
JP5410348B2 (ja) | 2010-03-26 | 2014-02-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 表面処理装置 |
JP5820143B2 (ja) | 2010-06-22 | 2015-11-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法 |
KR101391883B1 (ko) * | 2010-06-22 | 2014-05-07 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 반도체 제조 장치, 반도체 제조 방법 및 반도체 제조 장치의 클리닝 방법 |
JP5542584B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-07-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
JP5149437B1 (ja) * | 2011-11-24 | 2013-02-20 | シャープ株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
US20150345046A1 (en) * | 2012-12-27 | 2015-12-03 | Showa Denko K.K. | Film-forming device |
JP5968776B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2016-08-10 | 昭和電工株式会社 | 成膜装置 |
WO2014103727A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | SiC膜成膜装置およびSiC膜の製造方法 |
JP2019057668A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 成膜装置、および成膜方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3606497B2 (ja) * | 1996-10-03 | 2005-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
EP0854210B1 (en) * | 1996-12-19 | 2002-03-27 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus for forming thin film |
JPH1167675A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高速回転気相薄膜形成装置及びそれを用いる高速回転気相薄膜形成方法 |
JP3757698B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2006-03-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造システム |
JP4450299B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-04-14 | コバレントマテリアル株式会社 | 薄膜気相成長方法及び薄膜気相成長装置 |
US20050103265A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation | Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures |
-
2008
- 2008-03-24 JP JP2008075957A patent/JP4956470B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-27 TW TW097145946A patent/TWI458032B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200937559A (en) | 2009-09-01 |
JP2009152521A (ja) | 2009-07-09 |
TWI458032B (zh) | 2014-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4956470B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
US7967912B2 (en) | Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device | |
KR101158971B1 (ko) | 반도체 제조장치 및 반도체 제조방법 | |
US8921212B2 (en) | Manufacturing apparatus and method for semiconductor device | |
JP4933399B2 (ja) | 半導体製造方法および半導体製造装置 | |
WO2020039809A1 (ja) | 気相成長装置 | |
KR101633557B1 (ko) | 반도체 제조장치 및 반도체 제조방법 | |
US20070123007A1 (en) | Film-forming method and film-forming equipment | |
JP4417950B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP4933409B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
US11390949B2 (en) | SiC chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing SiC epitaxial wafer | |
JP2011151118A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP2010186949A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
US8597429B2 (en) | Manufacturing apparatus and method for semiconductor device | |
JP2020102533A (ja) | SiC化学気相成長装置 | |
JP5107685B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2009135229A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
JP2011171479A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP5252896B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2012169543A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120316 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4956470 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |