TWI458032B - 半導體製造裝置及半導體製造方法 - Google Patents

Description

半導體製造裝置及半導體製造方法

本案係以於2007年11月29日所申請之日本專利第2007-308852號、以及於2008年3月24日所申請之日本專利第2008-075957號作為基礎，並主張優先權，同時引用其全文做為參考文獻。

本發明，係有關於一面加熱半導體晶圓一面供給製程氣體並進行成膜的半導體製造裝置及半導體製造方法。

近年來，伴隨著半導體裝置之低價格化、高性能化之要求，在要求成膜工程中之高生產性的同時，亦被要求有膜厚均一性的提升等之高品質化。

為了滿足此種要求，如同在日本專利公開公報平11-67675號中所揭示一般，係使用有：使用枚葉式之磊晶成膜裝置，並一面以例如900rpm以上來高速旋轉一面加熱之手法。進而，藉由在使用例如Φ300mm之大口徑晶圓的同時，亦使用低價之三氯矽烷(以下，記載為TCS)、二氯矽烷等之Cl系來源氣體，而期待有生產性、膜厚均一性之提升。

然而，當形成例如被使用在IGBT(絕緣閘極形雙極電晶體)等中之超過150μm一般之厚的磊晶膜時，係有著難以得到充分之生產性的問題。

進而，由於將上述一般之來源氣體供給至晶圓上，在被形成有磊晶膜的同時，亦會產生朝向外周方向之氣體流。此種氣體流，例如係會到達反應室壁面等之構件處，並容易產生成為粒子之發生要因的堆積物，同時，會形成上下方向之氣體流。

而，上方向之氣體流，會在晶圓與反應室之上壁之間滯留，並對晶圓週邊部之成膜性造成影響。進而，下方向之氣體流，會在排氣前產生滯留，並侵入至加熱單元或是使其旋轉之旋轉驅動機構內，而有著會產生由於所生成之堆積物所致的堵塞等而使生產性降低等之不良影響的問題。

因此，雖然亦可考慮將反應室之直徑增大，但是，係會有裝置被大型化之問題。又，雖然亦可考慮在旋轉驅動機構內導入洗淨氣體，但是，此係成為需要大量的洗淨氣體，而有著運轉成本增大之問題。

如上述一般，例如在半導體裝置之厚膜形成工程中，要得到高生產性一事係為困難，同時，亦產生有由於反應室內部之氣體流所致的膜厚均一性之降低或是堆積物之生成等的問題。

因此，本發明，係以提供一種生產性為高，且能夠對反應室內部之氣體流作控制而抑制滯留，而能夠對晶圓進行均一之成膜的半導體製造裝置以及半導體製造方法為目的。

若藉由本發明，則係提供一種對晶圓進行成膜處理之半導體裝置的製造裝置，其特徵為，具備有：晶圓所被導入之反應室；和被配置在此反應室之上部，而用以供給包含有來源氣體之第1製程氣體的氣體供給機構；和用以將第1製程氣體以整流狀態而供給至晶圓上之第1整流板；和用以從反應室之下部而將氣體排出之第1氣體排出機構；和用以從反應室之上部而將氣體排出之第2氣體排出機構；和將晶圓作加熱之加熱器；和將晶圓作保持之晶座；和使晶圓旋轉之旋轉驅動機構。

若藉由本發明，則係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵為：在反應室內保持晶圓，在前述晶圓之表面處，將包含有來源氣體之第1製程氣體以整流狀態來作供給，從前述反應室之下部以及上部而將氣體排出，並以使前述反應室內成為特定之壓力的方式來作調整，將前述晶圓一面被旋轉一面加熱，並在前述晶圓之表面上進行成膜。

若藉由本發明，則係提供一種對晶圓進行成膜處理之半導體裝置的製造裝置，其特徵為，具備有：晶圓所被導入之反應室；和被配置在此反應室之上部，而用以供給包含有來源氣體之製程氣體的氣體供給機構；和用以將第1製程氣體以整流狀態而供給至晶圓上之整流板；和用以從反應室之下部而將氣體排出之第1氣體排出機構；和用以從反應室之上部而將氣體排出之第2氣體排出機構；和具備有用以將晶圓作加熱之加熱器和將晶圓作保持之晶座的加熱單元；和被連接於加熱單元，並使晶圓旋轉之旋轉驅動機構；和被設置在加熱單元與反應室之底面之間，並從旋轉軸方向而朝向外周方向形成氣體流之扇葉。

若藉由本發明，則係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵為：在反應室內，於加熱單元上而保持晶圓，在晶圓之表面處，將包含有來源氣體之製程氣體以整流狀態來作供給，將晶圓一面藉由旋轉驅動機構來旋轉一面作加熱，在反應室之底面上，係從旋轉之旋轉軸方向朝向外周方向而被形成有氣體流，從反應室之下部以及上部而使氣體被排出，並以使反應室內成為特定之壓力的方式來作調整。

本發明之額外的目的及優點，將於以下敘述中加以說明，且其將可藉由實施本發明而更為清楚地被了解。本發明的目的及優點可藉由下文中所特別指出之手段及組合而實現。

應了解，本說明書之敘述以及詳細內容係僅為說明之用，而非用以限制本發明。

以下，對本發明之實施例的詳細內容作說明，並於相關圖面中舉例作敘述。

(實施例1)

於圖1，展示本實施形態之半導體製造裝置的剖面圖。在晶圓w被進行成膜處理之反應室11中，係被設置有：氣體供給口12a，其係被連接於用以從反應室11上方來將包含有TCS、二氯矽烷等之來源氣體的製程氣體供給至晶圓w上的氣體供給機構(未圖示)；和氣體供給口12b，其係被連接於用以將稀釋氣體、成膜反應抑制氣體或者是洗淨氣體等供給至晶圓w之外周上的氣體供給機構(未圖示)。

在反應室11之下方以及上方壁面處，係分別在複數場所處、例如在2場所處，被設置有氣體排出口13a、13b，其係被連接於用以將反應室11內之壓力控制為一定(常壓)之氣體排出機構。

於圖2中，展示構成氣體排出機構之排氣系的概念圖。分別被形成於2個場所之氣體排出口13a、13b，係分別被作一元化並被與反應室11外部之排氣管20a、20b相連接。在排氣管20a、20b處，係分別被設置有壓力計21a、21b，和壓力控制閥22a、22b。排氣管20a、20b係更進而被作一元化，並與擴散幫浦23相達接。

在反應室11之上部處，係分別被設置有：用以將從氣體供給口12a所供給而來之製程氣體以整流狀態來供給至晶圓w上之整流板14a、和用以於晶圓w之外周處而將從氣體供給口12b所供給而來之稀釋氣體等以整流狀態來作供給之整流板14b。

在整流板14a、14b之間、亦即是在整流板14a之外周處，係被設置有區隔板15a，而在整流板14b之外周處，係被設置有區隔板15b。區隔板15a、15b，係以分別使上端連接於反應室11之上部，並使下端成為從晶圓w表面而例如離開有20mm之高度的方式，而被作配置。

在反應室11之下方，係被設置有由馬達(未圖示)、旋轉軸(未圖示)等所構成之用以使晶圓w旋轉的旋轉驅動機構16；和與旋轉驅動機構16相連接，並用以將晶圓w作保持之晶座17。

在晶座17之下方，係被設置有用以加熱晶圓之內加熱器18a。在晶座17與內加熱器18a之間，係被設置有用以對晶圓w之周圍邊緣部作加熱之外加熱器18b。在內加熱器18a之下部，係被設置有用以對晶圓w有效率地作加熱之圓盤狀的反射器19。

使用此種半導體製造裝置，在晶圓W上形成例如Si磊晶膜。首先，將例如Φ200mm之晶圓w導入至反應室11內，並載置於晶座17上。以使晶圓w之溫度成為1100℃的方式，而對內加熱器18a、外加熱器18b之溫度作控制，同時，將晶圓w藉由旋轉驅動機構16而以例如900rpm來作旋轉。

進而，藉由氣體供給口12a，將例如以使TCS濃度成為2.5%的方式所調製之製程氣體，以例如50SLM而作導入，並經由整流板14a而以整流狀態來供給至晶圓w上。如此這般，而在晶圓上使Si磊晶膜成長。

此時，同時地藉由氣體供給口12b，作為稀釋氣體而將H₂ 以例如50SLM來作導入，並經由整流板14b而以整流狀態來在晶圓w外周上作供給，來將晶圓w外周上之包含有TCS的製程氣體稀釋。被供給之稀釋氣體，係藉由區隔板15、其之供給速度、濃度之控制，而使稀釋氣體之朝向晶圓w上之流入、與製程氣體間之混合，被作抑制。

此時，被供給至晶圓w上並成為了剩餘的製程氣體、稀釋氣體、身為反應副生成物之HCl等之氣體(以下，記載為排出氣體)，係藉由如同圖1中以箭頭所示一般的路徑，而在到達反應室之壁面11a之後，以沿著反應室之壁面11a的方式而於上方以及下方分離並流動。排出氣體，係並不滯留地而到達氣體排出口13a、13b處。進而，排出氣體，係藉由擴散幫浦23，而經由氣體排出口13a、13b以及與此些排出口分別作連接之排氣管20a、20b而被排出。

此時，分別被設置在氣體排出口13a、13b處之壓力計21a、21b，係檢測出壓力。根據所檢測出之壓力，壓力控制閥22a、22b之開度係被作調整。如此這般，反應室11內之壓力係被控制為一定(常壓)。

如此這般，在晶圓w上，係以整流狀態而被供給包含有TCS等之Cl系氣體的製程氣體，且排出氣體係不會在反應室11內滯留，而立刻從氣體排出口13a、13b而被排出，藉由此，不會使裝置大型化，便能夠將磊晶成長率提升。

在使用有Cl系來源氣體之磊晶成長中，隨著時間的經過，磊晶成長率係會降低。例如在使用有TCS的情況時，若是供給TCS與H₂ ，則由於

SiHCl₃ +H₂ +Si+3HCl‧‧‧(1)

之反應係朝向右側進行，因此係被形成有Si磊晶膜，但是，與Si同時的，係產生有HCl。

當不存在有上方之氣體排出口13b的情況時，於上方流動之HCl，係會產生對流，並再度流動至晶圓表面。於(1)中所示之反應，由於係為由複數之反應所成的平衡反應，因此，若是晶圓w上之HCl莫耳比變高，則平衡係朝向左側移動。故而，Si之生成反應的進行係被抑制，而可以想見磊晶成長率係降低。

因此，藉由在使流動於上方之HCl直接被排出並對於滯留作了抑制的狀態下來使TCS被作供給，可以想見，(1)式之平衡反應係成為朝向右側進行。

進而，藉由在將包含有來源氣體之製程氣體供給至晶圓w上的同時，亦對晶圓w外周上供給身為稀釋氣體之H₂ ，成為能夠與成膜工程並行地而抑制對於晶圓w外周之多晶矽等的堆積。

此時，作為供給至晶圓w外周上之氣體，雖係使用了H₂ ，但是，作為稀釋氣體，係並非為被限定於H₂ ，亦可使用不會對成膜反應造成影響之He、Ar等的惰性氣體。於該情況，藉由使用Ar等之較重的氣體，係成為能夠更有效果地將晶圓w外周上的製程氣體作稀釋除去。

進而，作為稀釋氣體，係並非為被限定於H₂ 、Ar等者，包含可將成膜反應之平衡朝向成膜抑制側而作移動之HCl等的成膜反應抑制氣體一事，係亦為有效。又，藉由供給包含有濃度被適宜地作了調整的HCl等之洗淨氣體，亦能夠將堆積於晶圓w外周處之多晶矽等的堆積物除去。

如此這般，藉由與成膜工程並行地而對晶圓w外周上之堆積物作抑制、除去，能夠對粒子之產生、晶圓w之貼附等所致之對於晶圓品質的影響作抑制。又，由於堆積物所致之構件的劣化係被抑制，因此，洗淨頻度係被減低，而成為能夠對生產性之降低作抑制。

在本實施形態中，係設置有用以將分別相異之氣體作供給之整流板14a、14b。藉由此些之整流板14a、14b，藉由對氣體作整流，能夠將氣體均一地供給至晶圓w上。

故而，成為能夠謀求被形成在晶圓w上之磊晶膜等的膜厚之均一性。進而，藉由在晶圓w外周上供給被整流後之氣體，能夠將晶圓w外周上之來源氣體有效果地除去。

在整流板14a與整流板14b之間，係以使下端成為從晶圓w表面而距離有20mm之高度的方式，而被設置有區隔板15a。被供給至晶圓w上之製程氣體和被供給至晶圓w外周上之氣體的混合狀態，主要係由被供給至晶圓w外周上之氣體的速度、濃度所支配者，但是，藉由設置區隔板15a，能夠對氣體之混合更有效果地作抑制。

在氣體之混合抑制的觀點上，可以想見，區隔板15a係以一直設置到晶圓w之近旁為理想。然而，被供給至旋轉之晶圓w上的氣體，係會在晶圓w上形成邊界層，而剩餘之氣體會朝向外周方向排出。故而，係以不會在該排出路徑上成為阻礙的方式來作配置為理想。例如，只要在所期望之製程條件下，對於當將區隔板15a之設置高度作了變動時之對於區隔板15a的堆積物量作測定，並以使其成為令堆積物之生成量變少的高度之方式來配置即可。

以與區隔板15a成為相同高度的方式，而在整流板14b之外周處設置區隔板15b。藉由設置區隔板15b，與設置區隔板15a的情況相同的，能夠對被供給至晶圓w外周上之氣體與被排出之氣體間的混合更有效果地作抑制。

(實施例2)

於圖3，展示本實施形態之半導體製造裝置的剖面圖。在晶圓w被進行成膜處理之反應室31中，係被設置有與用以從反應室31上方而將包含有TCS、二氯矽烷等之來源氣體的製程氣體供給至晶圓w上之氣體供給機構(未圖示)相連接的氣體供給口32。在反應室31之下方以及上方壁面處，係與實施形態1同樣的，設置有分別在複數場所處、例如在2場所處，而將氣體排出並用以將反應室31內之壓力控制為一定(常壓)的氣體排出口33a、33b。

在反應室31上部，係被設置有用以將從氣體供給口32所供給之製程氣體以整流狀態來供給至晶圓w上的整流板34。在整流板34之外周處，係被設置有上端被連接於反應室31之上部，且以使下端成為例如從晶圓w表面而距離有20mm之高度的方式所配置的區隔板35。

在反應室31之下方處，係被設置有由馬達(未圖示)、旋轉軸36a等所構成的旋轉驅動機構36。在旋轉驅動機構36之上部，係被設置有與用以使晶圓w旋轉之旋轉驅動機構36相連接之加熱單元37。

加熱單元37，係具備有用以保持晶圓w之晶座37a、和將此作支持之環37b。在加熱單元37之內部、亦即是在藉由晶座37a與環37b所包圍之空間中，係被設置有用以加熱晶圓w之內加熱器38a。在晶座37a與內加熱器38a之間，係被設置有用以對晶圓w之周圍邊緣部作加熱之外加熱器38b。在內加熱器38a之下部，係被設置有用以對晶圓w有效率地作加熱之圓盤狀的反射器39。

在加熱單元37之下部處，係被設置有開口部37c。開口部37c，係為了將加熱單元37內之壓力設為與反應室31內實質性相等，以防止壓力差所致之晶圓w的脫落，而被設置。

進而，在加熱單元37與反應室31的底面之間，係被被設有旋轉板40，其係被安裝在旋轉軸36a處，並藉由使旋轉軸36a旋轉，來從旋轉軸36a方向而朝向外周方向形成氣體流。於圖4中，展示此旋轉板之上面圖。ㄑ字狀之複數(於此係為5根)的扇葉40a，係被設置在旋轉板40之上面。

在加熱單元37之下面以及反應室31之底面處，係被設置有從旋轉軸方向朝向外周方向而逐漸變窄一般之突出部41。進而，在反應室31之內側處，係被設置有用以使從晶圓w面而來之朝向下方的氣體流和藉由旋轉板40所形成之朝向上方的氣體流相分離之襯墊42。在襯墊42之上部處，係為了將從晶圓w面而來之朝向上方的氣體流排出，而設置有與氣體排出口33b相連接之開口部42a的。排氣系，係為和實施形態1同樣的構成。

使用此種半導體製造裝置，在晶圓W上形成例如Si磊晶膜。首先，與實施形態1相同的，將例如Φ200mm之晶圓w導入至反應室31內，並載置於晶座37a上。而後，以使晶圓w之溫度成為1100℃的方式，而對內加熱器38a、外加熱器38b之溫度作控制，同時，將晶圓w藉由旋轉驅動機構36而以例如900rpm來作旋轉。

而後，藉由氣體供給口12a，將例如以使TCS濃度成為2.5%的方式所調製之製程氣體，以例如50SLM而作導入，並經由整流板14a而以整流狀態來供給至晶圓w上，而在晶圓上使Si磊晶膜成長。

此時，被供給至晶圓w上，並成為了剩餘的包含有TCS之製程氣體、身為反應副生成物之HCl等之氣體(排出氣體)，係藉由如同圖3中以箭頭所示一般的路徑，而在到達襯墊之壁面42b之後，以沿著襯墊42之壁面42a的方式而於上方以及下方分離並流動。此時，朝向上方之氣體流，係經由被形成於襯墊42上部之開口部42a，而與實施例1同樣的，藉由氣體排出口33b而被排出。

此時，加熱單元37內，雖係藉由內加熱器38a、外加熱器38b而被加熱，但是，藉由開口部37c，係能夠將加熱單元37內之壓力保持為與反應室31內實質相等。

因應於加熱單元37內之壓力，藉由開口部37c而被形成有朝向加熱單元37下部之氣體流。進而，與晶圓w之旋轉一同地，旋轉板40係旋轉，並藉由扇葉40a而被形成有從旋轉軸36a方向而朝向外周方向之氣體流。

此朝向外周方向之氣體流，係與從晶圓w而來之朝向下方的氣體流一同地，而通過襯墊42之下方的間隙並以沿著反應室31之壁面31a的方式而於上方以及下方分離並流動。排出氣體，係並不滯留地而與實施例1同樣的藉由氣體排出口33a、33b而被排出。

此時，與實施例1同樣的，氣體排出口33a、33b之排出壓力係被檢測出來。根據所檢測出之壓力，各別之壓力控制閥之開度係被作調整。如此這般，反應室31內之壓力係被控制為一定(常壓)。

如此這般，在晶圓w上，係以整流狀態而被供給包含有TCS等之C1系來源氣體的製程氣體，且排出氣體係不會在反應室31內滯留，而立刻從氣體排出口13a、33b而被排出，藉由此，不會使裝置大型化，便能夠將磊晶成長率提升。

進而，藉由旋轉板40，從旋轉軸36a方向朝向外周方向而被形成有氣體流，而不在反應室31內滯留地立即從氣體排出口33a、33b而被排出。故而，就算是在加熱單元37處設置用以防止壓力差所致之晶圓w之脫落的開口部37c，亦成為能夠對於包含有製程氣體之氣體流的侵入至加熱單元37或是使其旋轉之旋轉驅動機構36內一事作抑制。進而，藉由設置突出部41，而成為能夠更有效果地對從外周方向而來之包含有製程氣體的氣體流之侵入作抑制。

如此這般，藉由對包含有製程氣體之氣體流的侵入作抑制，不需要大量之洗淨氣體，便能夠抑制對於加熱單元37或是旋轉驅動機構36內的堆積物之生成、堆積物所致之阻塞等。故而，能夠抑制洗淨頻度，而成為能夠對生產性之降低作抑制。

在本實施例中，係亦可與實施例1同樣的設為將整流板作分割並流動相異之氣體的構成。藉由此種構成，能夠得到與實施例1同樣的效果。

又，在本實施例中，雖係將旋轉板40之扇葉40a的形狀設為了如圖4中所示一般之形狀，但是，其係並非為被限定為此種形狀者。除此之外，例如，亦可如圖5中所示一般，將扇葉40b設為與旋轉軸36a相分離並具備有曲面的形狀。進而，亦可如圖6中所示一般，將扇葉40c設為板狀(直線狀)的形狀。

若藉由本發明，則係能夠以高產率來將例如磊晶薄膜一般之薄膜形成在半導體晶圓上。進而，係能夠提升在元件之形成過程與分離過程中之晶圓和半導體裝置的製造產率，且能夠維持在半導體裝置中之元件的特性之安定。另外，藉由在例如功率MOSFET和IGBT一般之在N型基極區域、P型基極區域或是絕緣分離區域中需要100μm以上之厚膜的功率半導體裝置中適用磊晶成長過程，能夠維持滿意的元件特性。

在本實施例中，雖係針對形成有單晶矽層(磊晶薄膜)之情況而作了說明，但是，係並不被限定於此，本發明，係亦可適用在多晶矽層之形成中。另外，本發明亦可適用於矽薄膜以外之例如SiO₂ 薄膜、Si₃ N₄ 薄膜，以及例如GaAs、GaAlAs、InGaAs之類的半導體化合物之製造中的當薄膜成長速度會隨著時間而降低的情形中。

本發明之其他實施形態，係可由熟習該項技藝者所思及。因此，本發明之範圍並不限於此處所敘述與說明之特定細節與各實施例。該些實施例，僅為實施本發明之其中一例，本發明之精神及範圍，仍係由本案之申請專利範圍所界定。

11．．．反應室

11a．．．壁面

12a．．．氣體供給口

12b．．．氣體供給口

13a．．．氣體排出口

13b．．．氣體排出口

14a．．．整流板

14b．．．整流板

15a．．．區隔板

15b．．．區隔板

16．．．旋轉驅動機構

17．．．晶座

18a．．．內加熱器

18b．．．外加熱器

19．．．反射器

20a．．．排氣管

20b．．．排氣管

21a．．．壓力計

21b．．．壓力計

22a．．．壓力控制閥

22b．．．壓力控制閥

23．．．擴散幫浦

31．．．反應室

31a．．．壁面

32．．．氣體供給口

33a．．．氣體排出口

33b．．．氣體排出口

34．．．整流板

35．．．區隔板

36．．．旋轉驅動機構

36a．．．旋轉軸

37．．．加熱單元

37a．．．晶座

37b．．．環

37c．．．開口部

38a．．．內加熱器

38b．．．外加熱器

39．．．反射器

40．．．旋轉板

40a．．．扇葉

40b．．．扇葉

40c．．．扇葉

41．．．突出部

42．．．襯墊

42a．．．開口部

42b．．．壁面

w．．．晶圓

此些附圖係併於本說明書中並構成本說明書的一部份，以用於說明本發明之實施例，且用於說明本發明之原理。

圖1，係為展示本發明之其中一種形態中的半導體製造裝置之剖面的圖。

圖2，係為展示本發明之其中一種形態中的排氣系之概念的圖。

圖3，係為展示本發明之其中一種形態中的半導體製造裝置之剖面的圖。

圖4，係為展示本發明之其中一種形態中的旋轉板之構造的上面圖。

圖5，係為展示本發明之其中一種形態中的旋轉板之構造的上面圖。

圖6，係為展示本發明之其中一種形態中的旋轉板之構造的上面圖。

11．．．反應室

11a．．．壁面

12a．．．氣體供給口

12b．．．氣體供給口

13a．．．氣體排出口

13b．．．氣體排出口

14a．．．整流板

14b．．．整流板

15a．．．區隔板

15b．．．區隔板

16．．．旋轉驅動機構

17．．．晶座

18a．．．內加熱器

18b．．．外加熱器

19．．．反射器

w．．．晶圓

Claims (19)

1. 一種半導體製造裝置，係為對晶圓進行成膜處理之半導體裝置的製造裝置，其特徵為，具備有：前述晶圓所被導入之反應室；和在前述反應室內而保持前述晶圓之晶座；和用以從前述反應室之上部而供給包含有來源氣體之第1製程氣體的氣體供給機構；和被配置在前述反應室之上部，並用以將從前述氣體供給機構所供給而來之前述第1製程氣體以整流狀態來朝向下方向而供給至前述晶圓之上面處之第1整流板；和被配置在前述晶座之下方且為外周側處，並用以將包含有被供給至前述晶圓上並成為剩餘之前述第1製程氣體以及反應副生成物的排出氣體中，到達前述反應室之側壁面處並被朝向下方向而分離的氣體，從前述反應室之下部側而排出之第1氣體排出機構；和被配置在前述晶座之上方且為外周側處，並用以將前述排出氣體中之到達前述反應室之側壁面處並被朝向上方向而分離的氣體，從前述反應室之上部側而排出之第2氣體排出機構；和將前述晶圓作加熱之加熱器；和使前述晶圓旋轉之旋轉驅動機構。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體製造裝置，其中，係具備有：第1區隔板，其係被設置在前述第1整流板之外周處，且以使其之下端與前述晶圓之上面相離 開有特定距離的方式而被作配置。
3. 如申請專利範圍第2項所記載之半導體製造裝置，其中，係具備有：第2整流板，其係被設置在前述第1區隔板之外周處，並用以將包含有稀釋氣體、成膜反應抑制氣體或者是清洗氣體之任一者的第2製程氣體，以整流狀態而供給至前述晶圓之外周上。
4. 如申請專利範圍第3項所記載之半導體製造裝置，其中，係具備有：第2區隔板，其係被設置在前述第2整流板之外周處，且以使其之下端與前述晶圓之上面相離開有特定距離的方式而被作配置。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體製造裝置，其中，係具備有將藉由前述第1排出機構所排出之氣體與藉由前述第2排出機構所排出之氣體作一元化的排氣管。
6. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為：在反應室內保持晶圓，在前述晶圓之上面處，將包含有來源氣體之第1製程氣體以整流狀態來朝下方向作供給，包含有被供給至前述晶圓上並成為剩餘之前述第1製程氣體以及反應副生成物的排出氣體中，到達前述反應室之側壁面處並被朝向較前述晶圓之保持位置更為下方向而分離的氣體，係從前述反應室之下部側而被排出，並且，前述排出氣體中之到達前述反應室之側壁面處並被朝向較前述晶圓之保持位置更為上方向而分離的氣體，係從 前述反應室之上部側而被排出，以使前述反應室內成為特定之壓力的方式來作調整，前述晶圓，係一面被旋轉一面被加熱，並在前述晶圓之表面上進行成膜。
7. 如申請專利範圍第6項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，在前述晶圓之外周上，將包含有稀釋氣體、成膜反應抑制氣體或者是清洗氣體之任一者的第2製程氣體，以整流狀態而作供給。
8. 如申請專利範圍第6項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述反應室，係被控制為常壓。
9. 一種半導體製造裝置，係為對晶圓進行成膜處理之半導體裝置的製造裝置，其特徵為，具備有：晶圓所被導入之反應室；和用以從此反應室之上部而供給包含有來源氣體之製程氣體的氣體供給機構；和用以將前述第1製程氣體以整流狀態而供給至前述晶圓上之整流板；和用以從前述反應室之下部而將氣體排出之第1氣體排出機構；和用以從前述反應室之上部而將氣體排出之第2氣體排出機構；和具備有用以將前述晶圓作加熱之加熱器和將前述晶圓作保持之晶座之加熱單元；和被連接於前述加熱單元，並使前述晶圓旋轉之旋轉驅 動機構；和被設置在前述加熱單元與前述反應室之底面之間，並從旋轉軸方向而朝向外周方向來形成氣體流之扇葉。
10. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體製造裝置，其中，於前述加熱單元之外周，在較前述扇葉之水平位置為更上方處，係被形成有於上部具有與前述第2氣體排出機構相連接之開口部的襯墊。
11. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體製造裝置，其中，係具備有：區隔板，其係被設置在前述整流板之外周處，且以使其之下端與前述晶圓之上面相離開有特定距離的方式而被作配置。
12. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體製造裝置，其中，前述加熱單元與前述反應室之底面間的空隙，係具備有從旋轉軸方向起朝向外周方向而變窄的部分。
13. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體製造裝置，其中，在加熱單元之下部處，係具備有開口部。
14. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體製造裝置，其中，係具備有將藉由前述第1排出機構所排出之氣體與藉由前述第2排出機構所排出之氣體作一元化的排氣管。
15. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為：在反應室內，於加熱單元上而保持晶圓，在前述晶圓之表面處，將包含有來源氣體之製程氣體以整流狀態來作供給， 將前述晶圓一面藉由旋轉驅動機構來旋轉一面作加熱，在前述反應室之底面上，係從前述旋轉之旋轉軸方向朝向外周方向而被形成有氣體流，從前述反應室之下部以及上部而使氣體被排出，並以使前述反應室內成為特定之壓力的方式來作調整。
16. 如申請專利範圍第15項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述加熱單元內部與前述反應室之壓力，係實質上相等。
17. 如申請專利範圍第15項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，包含有被供給至前述晶圓上並成為剩餘之前述製程氣體以及反應副生成物的排出氣體，係在前述反應室之下部以及上部分離流動，在前述下部流動之前述排出氣體，係與前述氣體流一同而朝向前述外周方向流動，前述流動於外周方向上之氣體，係在前述反應室之下部以及上部分離流動，並分別從前述反應室之前述下部以及前述上部而被排出。
18. 如申請專利範圍第15項所記載之半導體製造方法，其中，前述氣體流，係為從前述加熱單元內部或者是前述旋轉驅動機構而來之氣體流。
19. 如申請專利範圍第15項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述反應室，係被控制為常壓。