JP2007019350A - エピタキシャル成長装置 - Google Patents
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 98
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 57
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Si and O Chemical class 0.000 description 1
- XLVKXZZJSTWDJY-UHFFFAOYSA-N [SiH4].[Si] Chemical compound [SiH4].[Si] XLVKXZZJSTWDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明のエピタキシャル成長装置は、処理炉101、前記処理炉内部に成膜用ガスを導入するガス導入口102、前記成膜用ガスを排出するガス排気口103、前記処理炉内にありウェハ107を載置する環状ホルダー105、および、前記環状ホルダーを上面に配置し前記環状ホルダー以外の部分に開口部111を有する回転体ユニット106を備えることを特徴とする。
このような、エピタキシャル成長装置は、回転体ユニット内への成膜用ガス流入を最小化し、ウェハ裏面への膜成長を効果的に抑制する。また、回転体ユニットに積極的に開口部を設けることにより、処理炉と回転体ユニット内の圧力を同一とし、圧力差によるウェハの前記環状ホルダーからの外れを防止する。
【選択図】 図1
Description
シリコンウェハ等の半導体基板に単結晶薄膜を気相成長させるエピタキシャル成長では、減圧CVD(Chemical Vapor Deposition)が多く使用され、その中でVPE(Vapor phase epitaxial growthを含む)と称されるエピタキシャル成長装置が用いられている(特許文献1、特許文献2)。このうち、減圧CVD法を用いたエピタキシャル成長装置について、図6を用いて説明する。
従来のエピタキシャル成長装置は、処理炉601と、処理炉内部に成膜用ガスを導入するガス導入口602と、成膜用ガスを排出するガス排気口603と、このガス排気口につながる第1の真空ポンプ604と、上述した処理炉内部に配置され、半導体ウェハ607を載置保持する環状ホルダー605をその上面に配置し回転する回転体ユニット606と、環状ホルダーに載置された半導体ウェハを加熱するヒーター608と、回転体ユニットを回転させる回転装置609と、回転体ユニットにつながる回転体ユニットの排気口620と、第2の真空ポンプ621とを備えている。
半導体ウェハ607を載置する環状ホルダー605について、環状ホルダーの替わりに加熱機構を有し、半導体ウェハ裏面全面に接するサセプタを使用することも考えうる。しかし、半導体ウェハ全面に接し、直接加熱するサセプタよりも、環状ホルダーと、半導体ウェハと離間したヒーター608の輻射熱による間接加熱機構の方が、半導体ウェハの温度均一性を保つ上ですぐれており望ましい。また、直接半導体ウェハを加熱するサセプタに比較して、半導体ウェハと離間したヒーターによる加熱の方が、半導体ウェハの昇降温を速くすることができ、スループットの観点からも望ましい。
もっとも、エピタキシャル成長中に、処理炉内の流量変動が生ずると、回転体ユニット606内と処理炉601内に圧力差が生じうる。このため、回転体ユニット606内の圧力が処理炉601内の圧力に対し、高圧になった場合には、環状ホルダー605に載置されている半導体ウェハ607が、内圧に押され環状ホルダーから外れてしまい、エピタキシャル成長が正常におこなわれないという問題が生ずる。この問題を回避するため、従来は、第2の真空ポンプ621を用いることにより排気口620から排気し、回転体ユニット内の圧力を、処理炉内の圧力に対し、67Pa(0.5Torr)〜270Pa(2Torr)程低く制御して、半導体ウェハが環状ホルダーから外れることを防止していた。
また、従来技術に係るエピタキシャル成長装置においては、回転体ユニット内の圧力を制御するための第2の真空ポンプ621の導入が必要になり、製造装置が複雑化するという問題も生じていた。
また、従来技術に係るエピタキシャル成長装置においては、回転体ユニット内の圧力を制御する第2の真空ポンプの導入により、製造装置が複雑になるという問題も生じていた。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、半導体ウェハ裏面への膜成長を抑制することを可能とするエピタキシャル成長装置を提供することにある。
本発明に係るエピタキシャル装置は、処理炉に成膜用ガスのガス導入口およびガス排出口が設けられている。そして、処理炉内部には、半導体ウェハを載置する環状ホルダーをその上面に配置し、その環状ホルダー以外の部分に開口部を有する回転体ユニットが備えられている。このようなエピタキシャル装置の実施の形態について、添付図面に基づき説明する。
図1は、本実施の形態に係るエピタキシャル成長装置を模式的に示した概略図である。
図1に示すように、本実施の形態のエピタキシャル成長装置は、従来のエピタキシャル装置と同様に処理炉101と、処理炉内部に成膜用ガス(反応ガス等)を導入するガス導入口102と、成膜用ガスを排出するガス排気口103と、成膜用ガス排気口103に接続して設けられ処理炉内部の内圧を制御する真空ポンプ104と、処理炉内部に配置され、半導体ウェハ107を載置する環状ホルダー105と、この環状ホルダーをその上面に配置し回転する回転体ユニット106と、この回転体ユニットを回転させる回転装置109とを備えている。
図2に、この回転体ユニット底部であるベースディスクの平面図を示す。この図に示すように、例えば、開口部211は円形であり、ベースディスク210中心に対して6個点対称に配置されている。
なお、回転体ユニット底部は必ずしも円板状のベースディスクでなくとも、例えば、漏斗上や、半球状などの任意の形状を取りうる。
また、作用・効果の説明において後述するように、回転体ユニットの開口部は回転体ユニット底部に設けることがもっとも効果的であるが、必ずしも回転体ユニット底部に限らず、回転体ユニットの他の領域に設けることもできる。たとえば図3に示すように、回転体ユニットの側面に開口部311を設けても、あるいは図4に示すように、回転体ユニットを保持する回転軸440に開口部411を設けても差し支えない。また、その形状や配置についても、必ずしも円形や規則的な配置でなくとも、スリット状や格子状などを含む任意の開口形状や、不規則な配置とすることも可能である。
さらに、回転体ユニットには、回転体ユニット内の圧力を制御するための真空ポンプは設けられていない。
以下に、このように構成されたエピタキシャル成長装置の作用および効果について説明する。
処理炉101内では、処理される半導体ウェハ107が、環状ホルダー105上に載置され回転する。このとき、処理炉の上方から、半導体ウェハの上面に向けて、ソースガス、ドーパントガス、キャリアガス等の成膜用ガスが供給される。そして、半導体ウェハは半導体ウェハ裏面側より、インヒーター108によって加熱される。さらに、成膜用ガスは、加熱された半導体ウェハ107の上で反応し、半導体ウェハ面にエピタキシャル単結晶膜を成長させながら、処理炉101の底部に流下し、成膜用ガス排出口103から排出される。ここで、処理炉101内の圧力は真空ポンプ104によって、エピタキシャル成長を行う上での最適な条件に保たれるよう制御される。
したがって、真空ポンプ104によって、処理炉101内の圧力が下げられたとしても、回転体ユニット内の圧力が相対的に上昇し、環状ホルダーに載置されている半導体ウェハ107が、内圧に押されて外れ、エピタキシャル成長が正常におこなわれないという問題が生ずることはない。
しかし、半導体ウェハから離間した位置、好ましくは上述のとおり図1に示すように回転体ユニット106において半導体ウェハからもっとも離間したベースディスク110に、開口部111を設けることにより、半導体ウェハ107裏面へのエピタキシャル単結晶膜の成長を、効果的に抑制することが可能となる。
また、取り外しや交換の比較的容易なベースディスク110に開口部111を設けることにより、プロセス条件や装置構成に変更が生じても、その変更に対応した開口部の形状や配置の修正が容易になるという効果もある。
次に、実施の形態1の第1の変形例である、本発明を適用した、回転体ユニットを500min−1以上の回転数で回転させることを可能とする回転装置を備えたエピタキシャル成長装置について図1を用いて説明する。
処理炉、ガス導入口、ガス排気口,真空ポンプ、環状ホルダー、開口部を有する回転体ユニット等の装置の基本的構成は、図1に示す実施の形態1と同様である。
このように、高い回転数で半導体ウェハを回転させてエピタキシャル成長を行う高速回転CVD法では、半導体ウェハ直上に極薄の濃度境界層(バウンダリー・レイヤー)を設けることにより、高成膜速度かつ面内膜厚均一性の高いエピタキシャル単結晶膜成長が可能となる。
この高速回転CVD法により成膜するエピタキシャル成長装置においては、半導体ウェハを高速回転させることにより単結晶成長が反応律速となることを抑制できるため、通常の装置よりも反応ガスの供給量を増大させることが可能となる。
このため、高速回転CVD法を用いると、従来の処理炉内と回転体ユニット内に圧力差を設けて半導体ウェハの外れを防止するエピタキシャル成長装置では、半導体ウェハと環状ホルダーの間隙や、半導体ウェハ近傍での部材の間隙からの回転体ユニット内への成膜用ガス取り込みがより顕著になり、結果的に裏面への膜成長量が増大するという問題が生じていた。
したがって、高速回転CVD法を用いるエピタキシャル単結晶成長装置において顕在化する半導体ウェハ裏面膜成長の問題を、本発明により最小化することが可能となる。
次に、回転体ユニット内に、環状ホルダーに載置された半導体ウェハを加熱するインヒーターと、半導体ウェハの外周部を加熱するアウトヒーターと、インヒーターおよびアウトヒーター下方に配置される遮蔽板とを備えたエピタキシャル成長装置についての実施の形態を、添付図面に基づき説明する。
図5は、本実施の形態に係るエピタキシャル成長装置を模式的に示した概略図である。
図5に示すように、処理炉501、ガス導入口502、ガス排気口503、真空ポンプ504、半導体ウェハ507を載置して回転する環状ホルダー505、回転体ユニット506と、回転体ユニットを回転させる回転装置509を備えている点においては上記実施の形態1と同様である。
加えて、本実施の形態においては、半導体ウェハの外周部を選択的に加熱するアウトヒーター531が、環状ホルダー505とインヒーター508の間に位置して設けられている。
さらに、本実施の形態においては、インヒーター508と回転体ユニット506のベースディスク510間に遮蔽板532が設けられている。
なお、実施の形態1同様、回転体ユニットの開口部は回転体ユニット底部に設けることがもっとも効果的であるが、必ずしも回転体ユニット底部に限らず、回転体ユニットの他の領域に設けることもできる。また、その形状や配置も、必ずしも円形や規則的な配置でなくとも、任意の形状または配置とすることが可能である点についても実施の形態1と同様である。
さらに、回転体ユニットには、回転体ユニット内の圧力を制御するための真空ポンプは設けられていない点についても実施の形態1と同様である。
以下に、このように構成されたエピタキシャル成長装置の作用および効果について説明する。
処理炉501内には、処理される半導体ウェハ507が環状ホルダー505上に載置され、回転する。このとき、処理炉501内の上方から、半導体ウェハ507の上面に向けて、反応ガス、ドーパントガス、キャリアガス等の成膜用ガスが供給される。そして、半導体ウェハ507全体が、半導体ウェハ裏面側よりインヒーター508により加熱される。さらに、半導体ウェハの周辺領域を選択的にアウトヒーター531により加熱する。成膜用ガスは、半導体ウェハ507の上で反応し、半導体ウェハ面にエピタキシャル単結晶膜を成長させながら、処理炉501の底部に流下し、成膜用ガス排出口503から排出される。ここで、処理炉501内の圧力は真空ポンプ504によって、エピタキシャル成長を行う上での最適な条件に保たれるよう制御される。
したがって、実施の形態1同様、真空ポンプ504によって、処理炉501内の圧力が下げられたとしても、回転体ユニット内の圧力が相対的に上昇し、環状ホルダーに載置されている半導体ウェハ507が、内圧に押されて半導体ウェハが外れ、エピタキシャル成長が正常におこなわれないという問題が生ずることはない。
しかし、半導体ウェハから離間した位置、好ましくは図5に示すように、回転体ユニットの中では半導体ウェハからもっとも離間したベースディスク510に開口部511を設けることにより、半導体ウェハ裏面へのエピタキシャル単結晶膜の成長を抑制することが可能となる。
さらに、本実施の形態においては、開口部511から流入した成膜用ガスが半導体ウェハ507裏面にいたる経路上に、遮蔽板532と、アウトヒーター531とが設けられている。したがって、成膜用ガスの流れを遮断し、開口部511から半導体ウェハ507裏面に到達する成膜用ガス量を減少させることが可能となる。このことにより、さらなる半導体ウェハ裏面へのエピタキシャル単結晶膜の成長抑制が実現される。
加えて、遮蔽板532を設けることによって、インヒーター508およびアウトヒーター531の輻射熱の下方への熱損失を抑制し、装置の消費電力を削減するという効果も得られる。
(実施例)
図1は、前述のように本発明を適用したエピタキシャル成長装置である。本装置を用いて、半導体ウェハ表面にボロンを不純物として含有するシリコン膜をエピタキシャル成長させた。そして、この時に裏面に成長するシリコン膜の有無を成膜プロセス後に裏面側からSIMSによって分析することにより判定した。また、同時に、成膜プロセス中に環状ホルダーからの半導体ウェハの外れが生ずるか否かも確認した。
本実施例で用いたエピタキシャル成長装置は、図1に示すように回転体ユニットのベースディスク110に開口部111を有する。そして、開口部は、図2に示すようにベースディスクに6個配置され、その開口部はそれぞれ半径5mmの円形である。
エピタキシャル成長膜の成膜条件は、以下の条件とした。
被処理半導体ウェハ:8インチ径シリコンウェハ
設定温度:1000℃
処理炉内圧力:2000Pa(15torr)
回転体ユニット内圧力:2000Pa(15torr)
シリコンソースガス:SiH4(モノシラン)
シリコンソースガス流量:0.81Pa・m3/s(480sccm)
ドーパントガス:B2H6(ジボラン)
ドーパントガス流量:0.51Pa・m3/s(300sccm)
キャリアガス・流量:H2・40slm
成長処理時間(成長膜厚):4分(4000nm)
半導体ウェハ回転数:900min−1
図1は、前述のように従来技術を適用したエピタキシャル成長装置である。実施例との比較のため、本装置を用いて、半導体ウェハ表面にボロンを不純物として含有するシリコン膜をエピタキシャル成長させた。そして、この時に実施例同様、裏面に成長するシリコン膜の有無、および、環状ホルダーからの半導体ウェハの外れが生ずるか否かを確認した。
本比較例で用いたエピタキシャル成長装置は、実施例と異なり、図6に示すように回転体ユニットに開口部を設けず、回転体ユニット内の圧力を第2の真空ポンプにより、処理炉内より低圧に保持している。本比較例においては、処理炉内の2000Paに対し、回転体ユニット内は1930Paに保持した。なお、上記回転体ユニット内の圧力以外の成膜条件は、上記実施例と同様である。
図7に、実施例、比較例による成膜後の半導体ウェハ裏面SIMS分析結果を示す。横軸は半導体ウェハ裏面からの深さ、縦軸は検出されたボロン濃度である。図から明らかなように、比較例においては、半導体ウェハ裏面表面からの深さ0.01um近傍に4E17atoms/cm3程度のボロンが検出されている。一方、実施例の場合には、かかるボロンは検出されていない。したがって、本発明に係るエピタキシャル成長装置を用いた実施例の場合には、半導体ウェハ裏面にシリコン膜が成長しておらず、半導体ウェハ裏面への膜成長を抑制する上で本発明は極めて有効と結論付けられる。なお、半導体ウェハ裏面再表面に見られる1E19atoms/cm3オーダーの測定点は、Si、O等の妨害イオンのため、SIMS測定の測定上不可避的に生ずるものであり、現実のボロンの存在を示すものではない。
また、実施例においても、比較例においても、成膜プロセス中に環状ホルダーからの半導体ウェハの外れは生じかった。したがって、本発明の半導体ウェハ外れに対する有効性も本実施例により確認された。
102、302、402、502、602…ガス導入口
103、303、403、503.603…ガス排出口
104、304、404、504、604…真空ポンプ
105、305、405、505、605…環状ホルダー
106、306、406、506、606…回転体ユニット
107、307、407、507、607…半導体ウェハ
108、308、408、608…ヒーター
508…インヒーター
109、309,409、509、609…回転装置
110、210、310、410、510、610…ベースユニット
111、211、311、411、511、611…開口部
531…アウトヒーター
532…遮蔽版
620…回転体ユニットの排気口
621…第2の真空ポンプ
Claims (5)
- 処理炉と、前記処理炉に形成され、前記処理炉内部に成膜用ガスを導入するガス導入口と、前記処理炉に形成され、前記成膜用ガスを排出するガス排気口と、前記処理炉内にありウェハを載置する環状ホルダーと、前記環状ホルダーを上面に配置し前記環状ホルダー以外の部分に開口部を有する回転体ユニットとを備えることを特徴とするエピタキシャル成長装置。
- 前記開口部が、回転体ユニット底部に形成されていることを特徴とする請求項1記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記開口部の面積が、ベースディスクの総面積の0.0001%以上0.5%未満であることを特徴とする請求項2記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記回転体ユニットを、500min−1以上の回転数で回転させることを可能とする回転装置を備えることを特徴とする請求項1乃至3記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記回転体ユニット内に、前記環状ホルダーに載置されたウェハを加熱するインヒーターと、前記ウェハの外周部を加熱するアウトヒーターと、前記インヒーターおよび前記アウトヒーター下方に配置される遮蔽板とを備えることを特徴とする請求項1乃至4記載のエピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200959A JP4695934B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200959A JP4695934B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | エピタキシャル成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007019350A true JP2007019350A (ja) | 2007-01-25 |
JP4695934B2 JP4695934B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=37756220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005200959A Active JP4695934B2 (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4695934B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076689A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びそれに用いる基板載置台 |
JP2009170676A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
JP2010267782A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03129722A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-06-03 | Showa Denko Kk | 気相成長装置 |
JPH0590165A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Toshiba Corp | 気相成長装置 |
JPH05152207A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長方法 |
JPH05166736A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-07-02 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
JPH065514A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体薄膜の選択的成長方法 |
JPH06177056A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Hitachi Ltd | ガス処理装置 |
JPH08148437A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Corp | 真空処理装置 |
JPH0963973A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-03-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長装置 |
JPH09190980A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
JPH1027758A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Toshiba Microelectron Corp | 気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法 |
JPH10237657A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-08 | Furontetsuku:Kk | プラズマ処理装置 |
JPH1179888A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-23 | Inotetsuku Kk | 気相成長装置 |
JP2000034568A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-02-02 | Shibaura Mechatronics Corp | 回転基板ホルダー |
JP2003179253A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Toshiba Corp | 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置 |
JP2003197532A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター |
JP2004327811A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャルウエーハ製造方法 |
JP2005109342A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
-
2005
- 2005-07-08 JP JP2005200959A patent/JP4695934B2/ja active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03129722A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-06-03 | Showa Denko Kk | 気相成長装置 |
JPH0590165A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Toshiba Corp | 気相成長装置 |
JPH05152207A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長方法 |
JPH05166736A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-07-02 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
JPH065514A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体薄膜の選択的成長方法 |
JPH06177056A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Hitachi Ltd | ガス処理装置 |
JPH08148437A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Corp | 真空処理装置 |
JPH0963973A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-03-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長装置 |
JPH09190980A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
JPH1027758A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Toshiba Microelectron Corp | 気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法 |
JPH10237657A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-08 | Furontetsuku:Kk | プラズマ処理装置 |
JPH1179888A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-23 | Inotetsuku Kk | 気相成長装置 |
JP2000034568A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-02-02 | Shibaura Mechatronics Corp | 回転基板ホルダー |
JP2003179253A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Toshiba Corp | 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置 |
JP2003197532A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター |
JP2004327811A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャルウエーハ製造方法 |
JP2005109342A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076689A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びそれに用いる基板載置台 |
JP2009170676A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
JP2010267782A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4695934B2 (ja) | 2011-06-08 |
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