JPH1027758A - 気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法 - Google Patents
気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法Info
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- JPH1027758A JPH1027758A JP8180399A JP18039996A JPH1027758A JP H1027758 A JPH1027758 A JP H1027758A JP 8180399 A JP8180399 A JP 8180399A JP 18039996 A JP18039996 A JP 18039996A JP H1027758 A JPH1027758 A JP H1027758A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反応管内に導入される反応ガスの淀み等による
反応管の内壁への反応副生成物の付着を抑制し、また、
短時間で安全に反応副生成物の除去ができる気相成長装
置及び半導体ウエハの気相成長方法を提供すること。 【解決手段】内部に石英製の反応管２を有する気相成長
室１の底部に、先端付近に長さが気相成長室１の底部か
らサセプター７までの高さを越えない程度であるフィン
９が設置されているアーム８を設け、反応管２の底部に
沿って回転させる。また、アーム８は、一定方向に回転
させることが望ましく、複数設置した場合に振動なく回
転するように、気相成長室１底部の円周を等分割するよ
うな位置に配置すると良い。
反応管の内壁への反応副生成物の付着を抑制し、また、
短時間で安全に反応副生成物の除去ができる気相成長装
置及び半導体ウエハの気相成長方法を提供すること。 【解決手段】内部に石英製の反応管２を有する気相成長
室１の底部に、先端付近に長さが気相成長室１の底部か
らサセプター７までの高さを越えない程度であるフィン
９が設置されているアーム８を設け、反応管２の底部に
沿って回転させる。また、アーム８は、一定方向に回転
させることが望ましく、複数設置した場合に振動なく回
転するように、気相成長室１底部の円周を等分割するよ
うな位置に配置すると良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長装置のう
ち、特に減圧下で反応ガスを整流する気相成長装置及び
気相成長方法に関するものである。
ち、特に減圧下で反応ガスを整流する気相成長装置及び
気相成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの表面に気相成長層を形成
するための気相成長装置は、高集積化に対応するため、
その気相成長層の膜厚を半導体ウエハ全面に均一に、且
つ高精度に制御することが必要とされている。このた
め、近年、気相成長装置はバッチ式処理型から枚葉式処
理型へと移行してきている。
するための気相成長装置は、高集積化に対応するため、
その気相成長層の膜厚を半導体ウエハ全面に均一に、且
つ高精度に制御することが必要とされている。このた
め、近年、気相成長装置はバッチ式処理型から枚葉式処
理型へと移行してきている。
【０００３】従来の枚葉式気相成長装置について、図面
を参照して説明する。図３は、従来の気相成長装置の断
面図、図４は、従来の気相成長装置の一部の拡大図であ
る。まず、気相成長室１０１の上部のガス供給口１０２
より整流板１０３を通して反応ガス、例えばＳｉＨ4や
ＳｉＨ2Ｃｌ2を導入する。次に、ウエハ導入口１０４よ
り導入し、支持台であるサセプター１０５の上に載置し
た半導体ウエハ１０６を回転軸１０７を中心にサセプタ
ー１０５ごと回転させ、放射温度計１０８でヒーター１
０９の温度制御をしながら所定の温度に加熱し、半導体
ウエハ１０６表面に気相成長膜を形成する。その後、反
応ガスは、気相成長室１０１の下部に設けられている排
気口１１０よりドライポンプ（図示せず）で強制的に引
くことによって排気される。
を参照して説明する。図３は、従来の気相成長装置の断
面図、図４は、従来の気相成長装置の一部の拡大図であ
る。まず、気相成長室１０１の上部のガス供給口１０２
より整流板１０３を通して反応ガス、例えばＳｉＨ4や
ＳｉＨ2Ｃｌ2を導入する。次に、ウエハ導入口１０４よ
り導入し、支持台であるサセプター１０５の上に載置し
た半導体ウエハ１０６を回転軸１０７を中心にサセプタ
ー１０５ごと回転させ、放射温度計１０８でヒーター１
０９の温度制御をしながら所定の温度に加熱し、半導体
ウエハ１０６表面に気相成長膜を形成する。その後、反
応ガスは、気相成長室１０１の下部に設けられている排
気口１１０よりドライポンプ（図示せず）で強制的に引
くことによって排気される。
【０００４】更に、半導体ウエハ１０６を数百回転以上
の高速で回転させることによって、反応ガスを半導体ウ
エハ１０６の表面に引き寄せ、エピタキシャル成長が進
む半導体ウエハ１０６表面直上の境界層を薄くし、反応
ガスの供給効率を上げてエピタキシャル成長速度を大き
くしている。
の高速で回転させることによって、反応ガスを半導体ウ
エハ１０６の表面に引き寄せ、エピタキシャル成長が進
む半導体ウエハ１０６表面直上の境界層を薄くし、反応
ガスの供給効率を上げてエピタキシャル成長速度を大き
くしている。
【０００５】また、気相成長室１０１内を減圧にするこ
とによって、半導体ウエハ１０６からのオートドープを
抑制することができる。更に、図４に示されているよう
に、半導体ウエハ１０６表面上を外周方向にはきだされ
た反応ガスの流れを反応管１１１の内壁に沿って排気口
１１０へ向かうように整えられる。
とによって、半導体ウエハ１０６からのオートドープを
抑制することができる。更に、図４に示されているよう
に、半導体ウエハ１０６表面上を外周方向にはきだされ
た反応ガスの流れを反応管１１１の内壁に沿って排気口
１１０へ向かうように整えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】気相成長室１０１の底
部に１８０度反対の位置に排気口１１０を２つ持つ従来
の気相成長装置を用いて、直径約１５０ｍｍの半導体ウ
エハ１０６の２５０枚に、連続して厚さ約２．０μｍの
エピタキシャル層を形成させる。このときのエピタキシ
ャル層の成長条件としては、Ｈ2：約３０ｓｌｍを流し
た雰囲気中で、ＳｉＨ2Ｃｌ2：約１００ｓｃｃｍ、Ｂ2
Ｈ6：約３０ｓｃｃｍの反応ガスを用いて、サセプター
１０５を約１５００ｒｐｍで回転させ、温度：約１１５
０℃、圧力：約５０Ｔｏｒｒで約４分間成長させるもの
とする。また、５０枚に１度の割合で、ＨＣｌガスを用
いてサセプター１０５等に堆積したＳｉを１００μｍ程
度除去できるようエッチングを行う。
部に１８０度反対の位置に排気口１１０を２つ持つ従来
の気相成長装置を用いて、直径約１５０ｍｍの半導体ウ
エハ１０６の２５０枚に、連続して厚さ約２．０μｍの
エピタキシャル層を形成させる。このときのエピタキシ
ャル層の成長条件としては、Ｈ2：約３０ｓｌｍを流し
た雰囲気中で、ＳｉＨ2Ｃｌ2：約１００ｓｃｃｍ、Ｂ2
Ｈ6：約３０ｓｃｃｍの反応ガスを用いて、サセプター
１０５を約１５００ｒｐｍで回転させ、温度：約１１５
０℃、圧力：約５０Ｔｏｒｒで約４分間成長させるもの
とする。また、５０枚に１度の割合で、ＨＣｌガスを用
いてサセプター１０５等に堆積したＳｉを１００μｍ程
度除去できるようエッチングを行う。
【０００７】２５０枚処理した後に、気相成長室１０１
内が室温程度まで下がるのを待ちながら、気相成長室１
０１を一時間以上Ｎ2でパージしてから、反応管１１１
を取り出すと、高さ方向にサセプター１０５の真横付近
から反応管１１１の底部まで、幅約２０ｃｍにわたり乳
白色のやや粘性のある反応副生成物１１２が一面に付着
する。また、その付着量は、反応管１１１の底部に近づ
くほど多くなる。
内が室温程度まで下がるのを待ちながら、気相成長室１
０１を一時間以上Ｎ2でパージしてから、反応管１１１
を取り出すと、高さ方向にサセプター１０５の真横付近
から反応管１１１の底部まで、幅約２０ｃｍにわたり乳
白色のやや粘性のある反応副生成物１１２が一面に付着
する。また、その付着量は、反応管１１１の底部に近づ
くほど多くなる。
【０００８】このように、従来、気相成長室１０１内で
ヒーター１０９によって半導体ウエハ１０６上を外周方
向に流れた反応ガスが、石英製の反応管１１１の内壁付
近に集まって、ここで急激に冷やされると、半導体ウエ
ハ１０６上で消費されなかった分が、図５の従来の気相
成長装置の一部の拡大図に示されるように、Ｈ2を含ん
だ非晶質のＳｉの反応副生成物１１２として反応管１１
１の内壁に付着してしまうという問題があった。
ヒーター１０９によって半導体ウエハ１０６上を外周方
向に流れた反応ガスが、石英製の反応管１１１の内壁付
近に集まって、ここで急激に冷やされると、半導体ウエ
ハ１０６上で消費されなかった分が、図５の従来の気相
成長装置の一部の拡大図に示されるように、Ｈ2を含ん
だ非晶質のＳｉの反応副生成物１１２として反応管１１
１の内壁に付着してしまうという問題があった。
【０００９】また、ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：１の混合液を
純水で５倍程度に希釈したエッチング液を用いて、反応
管１１１内の反応副生成物１１２を洗浄除去する作業を
行うと、反応副生成物１１２中の水素がエッチング液中
の酸と激しく反応し、連続して発火を繰り返し、非常に
危険であるという問題があった。更に、完全にエッチン
グするには３０分以上もの長い時間を費やした。
純水で５倍程度に希釈したエッチング液を用いて、反応
管１１１内の反応副生成物１１２を洗浄除去する作業を
行うと、反応副生成物１１２中の水素がエッチング液中
の酸と激しく反応し、連続して発火を繰り返し、非常に
危険であるという問題があった。更に、完全にエッチン
グするには３０分以上もの長い時間を費やした。
【００１０】また、気相成長室１０１の排気に関して、
排気口１１０の数が少ないと気相成長室１０１の下部に
おいて、図６（ａ）の気相成長室下部の拡大図に示され
るように、気相成長室１０１の底部で反応ガスの淀みを
生じてしまうことがあるという問題があった。また、逆
に排気口１１０の数を増やすなどして排気する面積を大
きくした場合、図６（ｂ）の気相成長室下部の拡大図に
示されるように、従来のドライポンプ（図示せず）によ
る反応ガスの排気では、排気口１１０付近の排気流速が
低下し、その分反応副生成物１１２がつきやすくなって
しまうという問題があった。
排気口１１０の数が少ないと気相成長室１０１の下部に
おいて、図６（ａ）の気相成長室下部の拡大図に示され
るように、気相成長室１０１の底部で反応ガスの淀みを
生じてしまうことがあるという問題があった。また、逆
に排気口１１０の数を増やすなどして排気する面積を大
きくした場合、図６（ｂ）の気相成長室下部の拡大図に
示されるように、従来のドライポンプ（図示せず）によ
る反応ガスの排気では、排気口１１０付近の排気流速が
低下し、その分反応副生成物１１２がつきやすくなって
しまうという問題があった。
【００１１】本発明は上記のような事情を考慮し、反応
ガスの淀みによる反応管の内壁への反応副生成物の付着
を抑制し、また、短時間で安全に反応副生成物の除去が
できる気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法を
提供することを目的としている。
ガスの淀みによる反応管の内壁への反応副生成物の付着
を抑制し、また、短時間で安全に反応副生成物の除去が
できる気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法を
提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の気相成長装置は、反応ガス供給口と排気口を
有する反応室と、この反応室の内部に設置された反応管
と、この反応管の内部に設置され、前記半導体ウエハを
載置し回転するサセプターと、前記反応管の底部に沿っ
て回転するアームと、このアームの端部に設置されたフ
ィンと、このフィン及び前記アームを回転させる回転装
置とを具備したことを特徴とするものである。
に本発明の気相成長装置は、反応ガス供給口と排気口を
有する反応室と、この反応室の内部に設置された反応管
と、この反応管の内部に設置され、前記半導体ウエハを
載置し回転するサセプターと、前記反応管の底部に沿っ
て回転するアームと、このアームの端部に設置されたフ
ィンと、このフィン及び前記アームを回転させる回転装
置とを具備したことを特徴とするものである。
【００１３】更に、前記フィンは、前記アームに垂直に
設置することが望ましい。また、前記フィンの長さは、
最長で前記反応管の底部から前記サセプターの高さまで
とすることが望ましい。
設置することが望ましい。また、前記フィンの長さは、
最長で前記反応管の底部から前記サセプターの高さまで
とすることが望ましい。
【００１４】また、前記フィン及び前記アームは、前記
反応室底部の円周を等分割するように配置することが望
ましい。更に、前記アームは、１０００ｒｐｍ程度以下
で回転させることが望ましい。
反応室底部の円周を等分割するように配置することが望
ましい。更に、前記アームは、１０００ｒｐｍ程度以下
で回転させることが望ましい。
【００１５】また、前記反応管は、石英製であることが
望ましい。また、反応管内に反応ガスを導入する工程
と、前記反応ガスが前記反応室の底部に停滞しないよう
に、前記反応ガスに一定の流れを生じさせる工程と、前
記反応管内で前記半導体ウエハを回転させながら前記半
導体ウエハ上に気相成長膜を形成する工程と、前記反応
ガスを排気する工程とを具備したことを特徴とする半導
体ウエハの気相成長方法がある。
望ましい。また、反応管内に反応ガスを導入する工程
と、前記反応ガスが前記反応室の底部に停滞しないよう
に、前記反応ガスに一定の流れを生じさせる工程と、前
記反応管内で前記半導体ウエハを回転させながら前記半
導体ウエハ上に気相成長膜を形成する工程と、前記反応
ガスを排気する工程とを具備したことを特徴とする半導
体ウエハの気相成長方法がある。
【００１６】更に、前記反応ガスに一定の流れを生じさ
せる工程において、前記反応管の底部に沿ってアームを
回転させることが望ましい。更に、前記アームは、一定
方向で回転させることが望ましい。
せる工程において、前記反応管の底部に沿ってアームを
回転させることが望ましい。更に、前記アームは、一定
方向で回転させることが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態にかかる気相成長装置及び気相成長方法につい
て説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態にかか
る枚葉式気相成長装置の断面図、図１（ｂ）は、本発明
の実施の形態にかかる気相成長装置の一部の拡大図であ
る。
施の形態にかかる気相成長装置及び気相成長方法につい
て説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態にかか
る枚葉式気相成長装置の断面図、図１（ｂ）は、本発明
の実施の形態にかかる気相成長装置の一部の拡大図であ
る。
【００１８】気相成長室１は底付円筒形であり、この気
相成長室１と円筒側面が平行な石英製の反応管２が内部
に設けられている。気相成長室１の上部には反応ガスを
内部に導入するガス供給口３を有し、整流板４を通して
反応ガス、例えばＳｉＨ4やＳｉＨ2Ｃｌ2を整流して気
相成長室１内に導入する機構になっている。また、気相
成長室１の側面には半導体ウエハ５を一枚ずつ導入する
ウエハ導入口６を有し、半導体ウエハ５は、気相成長室
１の中心軸上に設置された支持台であるサセプター７の
上に載置され、回転軸８を中心にサセプター７ごと回転
させる。ここで、気相成長室１底部に、サセプター７の
治具と同じＳｉＣコートされたＣ製の材質からなり、先
端が反応管２の内壁付近まで達するアーム８を中心軸を
挟んで１８０度反対の位置に２本設け、その先端付近
に、長さが気相成長室１の底部からサセプター７までの
高さを越えない程度のフィン９を設置する。回転軸によ
りこのアーム８を回転させることによって、先端のフィ
ン９が反応管２の内壁に沿って回転し、反応管２の内壁
付近に留まっている反応ガスの流れを内壁から引き離す
ことができる。また、半導体ウエハ６表面に気相成長膜
を形成させるために、気相成長室１の上部より導入され
る放射温度計１０で半導体ウエハ６の下部に設置された
ヒーター１１の温度制御をしながら、所定の温度に加熱
する。気相成長に用いられた反応ガスは、気相成長室１
の下部に中心軸を挟んで１８０度反対の位置に２ヵ所設
けられている排気口１２よりドライポンプ（図示せず）
で強制的に真空引きすることによって排気される。排気
された反応ガスは、その後バンドヒーター（図示せず）
によって１２０℃程度に加熱された排気配管を通過し、
その先に取り付けたフィルター（図示せず）で反応ガス
内に含まれている反応副生成物を除去する。
相成長室１と円筒側面が平行な石英製の反応管２が内部
に設けられている。気相成長室１の上部には反応ガスを
内部に導入するガス供給口３を有し、整流板４を通して
反応ガス、例えばＳｉＨ4やＳｉＨ2Ｃｌ2を整流して気
相成長室１内に導入する機構になっている。また、気相
成長室１の側面には半導体ウエハ５を一枚ずつ導入する
ウエハ導入口６を有し、半導体ウエハ５は、気相成長室
１の中心軸上に設置された支持台であるサセプター７の
上に載置され、回転軸８を中心にサセプター７ごと回転
させる。ここで、気相成長室１底部に、サセプター７の
治具と同じＳｉＣコートされたＣ製の材質からなり、先
端が反応管２の内壁付近まで達するアーム８を中心軸を
挟んで１８０度反対の位置に２本設け、その先端付近
に、長さが気相成長室１の底部からサセプター７までの
高さを越えない程度のフィン９を設置する。回転軸によ
りこのアーム８を回転させることによって、先端のフィ
ン９が反応管２の内壁に沿って回転し、反応管２の内壁
付近に留まっている反応ガスの流れを内壁から引き離す
ことができる。また、半導体ウエハ６表面に気相成長膜
を形成させるために、気相成長室１の上部より導入され
る放射温度計１０で半導体ウエハ６の下部に設置された
ヒーター１１の温度制御をしながら、所定の温度に加熱
する。気相成長に用いられた反応ガスは、気相成長室１
の下部に中心軸を挟んで１８０度反対の位置に２ヵ所設
けられている排気口１２よりドライポンプ（図示せず）
で強制的に真空引きすることによって排気される。排気
された反応ガスは、その後バンドヒーター（図示せず）
によって１２０℃程度に加熱された排気配管を通過し、
その先に取り付けたフィルター（図示せず）で反応ガス
内に含まれている反応副生成物を除去する。
【００１９】気相成長室１の底部でアーム８を回転させ
ることによって、底部の反応ガスの淀みを防止すること
ができる。また、反応管２の内壁に沿ってフィン９が回
転するので、反応管２の内壁付近の反応ガスの流れを内
壁から引き離し、ドライポンプで排気口１２から真空引
きする際に、反応管２の下方の内壁に反応副生成物が付
着するのを防止することができる。
ることによって、底部の反応ガスの淀みを防止すること
ができる。また、反応管２の内壁に沿ってフィン９が回
転するので、反応管２の内壁付近の反応ガスの流れを内
壁から引き離し、ドライポンプで排気口１２から真空引
きする際に、反応管２の下方の内壁に反応副生成物が付
着するのを防止することができる。
【００２０】本実施の形態における気相成長装置を用い
て、直径１５０ｍｍ程度の半導体ウエハ６の表面上に、
厚さ２．０μｍ程度のエピタキシャル層を２５０枚連続
で形成する場合を考える。この時の条件は、Ｈ2を３０
ｓｌｍ程度流した雰囲気中で、ＳｉＨ2Ｃｌ2：１００ｓ
ｃｃｍ程度、Ｂ2Ｈ6：３０ｓｃｃｍ程度の反応ガスをガ
ス供給口３より導入し、温度：１１５０℃程度、圧力：
５０Ｔｏｒｒ程度の減圧下で、サセプター７を約１５０
０ｒｐｍで回転させ、アーム８を約２００ｒｐｍでプロ
ペラ状に回転させながら、４分間程度エピタキシャル成
長させることとする。また、５０枚に１度の割合でＨＣ
ｌガスを用いて、サセプター７等に堆積したＳｉを１０
０μｍ程度除去できるようにエッチングを行うものとす
る。
て、直径１５０ｍｍ程度の半導体ウエハ６の表面上に、
厚さ２．０μｍ程度のエピタキシャル層を２５０枚連続
で形成する場合を考える。この時の条件は、Ｈ2を３０
ｓｌｍ程度流した雰囲気中で、ＳｉＨ2Ｃｌ2：１００ｓ
ｃｃｍ程度、Ｂ2Ｈ6：３０ｓｃｃｍ程度の反応ガスをガ
ス供給口３より導入し、温度：１１５０℃程度、圧力：
５０Ｔｏｒｒ程度の減圧下で、サセプター７を約１５０
０ｒｐｍで回転させ、アーム８を約２００ｒｐｍでプロ
ペラ状に回転させながら、４分間程度エピタキシャル成
長させることとする。また、５０枚に１度の割合でＨＣ
ｌガスを用いて、サセプター７等に堆積したＳｉを１０
０μｍ程度除去できるようにエッチングを行うものとす
る。
【００２１】２５０枚処理した後、気相成長室１内が室
温程度に冷めるまで１時間以上Ｎ2パージしてから反応
管２を取り出すと、反応副生成物は、底部に幅約３ｃｍ
程度付着されているのみで、従来に比べて反応副生成物
の付着を大幅に低減することができることがわかる。
温程度に冷めるまで１時間以上Ｎ2パージしてから反応
管２を取り出すと、反応副生成物は、底部に幅約３ｃｍ
程度付着されているのみで、従来に比べて反応副生成物
の付着を大幅に低減することができることがわかる。
【００２２】また、ＨＦ：ＨＮＯ3＝１：１の混合液を
純水で５倍程度に希釈したエッチング液を用いて、反応
管２内を洗浄すると、反応副生成物の付着量が少ないた
め、エッチング液内の酸と反応副生成物内の水素とが反
応して起こる発火はほとんど見られない。また、洗浄処
理は５分程度で終了し、従来に比べて、約５倍以上時間
を短縮することができる。従って、従来よりも反応副生
成物の洗浄除去作業の頻度を少なくすることができる。
純水で５倍程度に希釈したエッチング液を用いて、反応
管２内を洗浄すると、反応副生成物の付着量が少ないた
め、エッチング液内の酸と反応副生成物内の水素とが反
応して起こる発火はほとんど見られない。また、洗浄処
理は５分程度で終了し、従来に比べて、約５倍以上時間
を短縮することができる。従って、従来よりも反応副生
成物の洗浄除去作業の頻度を少なくすることができる。
【００２３】尚、フィン９の高さは、サセプター７に載
置された半導体ウエハ６上に流れる反応ガスが逆流して
半導体ウエハ６上に戻り、膜厚制御を困難にすることが
ないように、サセプター７の高さを越えない程度である
ことが望ましい。
置された半導体ウエハ６上に流れる反応ガスが逆流して
半導体ウエハ６上に戻り、膜厚制御を困難にすることが
ないように、サセプター７の高さを越えない程度である
ことが望ましい。
【００２４】また、気相成長室１底部でのアーム８及び
フィン９の配置の仕方は、アーム８及びフィン９が複数
の場合振動なく回転するように、例えば、図２のアーム
及びフィンの概略図に示されるように、気相成長室１底
部の円周を等分割するような位置に配置することが望ま
しい。また、アーム８及びフィン９の数は、限定されな
い。
フィン９の配置の仕方は、アーム８及びフィン９が複数
の場合振動なく回転するように、例えば、図２のアーム
及びフィンの概略図に示されるように、気相成長室１底
部の円周を等分割するような位置に配置することが望ま
しい。また、アーム８及びフィン９の数は、限定されな
い。
【００２５】尚、反応ガスの流れを乱して、気相成長室
１底部のパーティクルを巻き上げることがないように、
アーム８は一定方向に回転させることが望ましい。ま
た、上記実施の形態に限定されず、アーム８及びフィン
９の材質は金属汚染の心配がなく、耐腐蝕性、耐熱性の
もの、例えば、石英でもよい。
１底部のパーティクルを巻き上げることがないように、
アーム８は一定方向に回転させることが望ましい。ま
た、上記実施の形態に限定されず、アーム８及びフィン
９の材質は金属汚染の心配がなく、耐腐蝕性、耐熱性の
もの、例えば、石英でもよい。
【００２６】尚、気相成長室１の上部から反応ガスが導
入され、下部より排気され、また、気相成長室１の下部
において反応ガスの温度が上部に比べて低下してしまう
ような構造を有する気相成長装置であれば、バッチ式の
気相成長装置にも用いることが可能である。
入され、下部より排気され、また、気相成長室１の下部
において反応ガスの温度が上部に比べて低下してしまう
ような構造を有する気相成長装置であれば、バッチ式の
気相成長装置にも用いることが可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、気相成長室の底部に設
けられたフィン付のアームを回転させることによって、
反応ガスの淀みを防止し、反応副生成物が反応管の内壁
に付着するのを低減することができる。また、付着した
反応副生成物を短時間で安全に洗浄除去することができ
る。
けられたフィン付のアームを回転させることによって、
反応ガスの淀みを防止し、反応副生成物が反応管の内壁
に付着するのを低減することができる。また、付着した
反応副生成物を短時間で安全に洗浄除去することができ
る。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態にかかる気相成長装
置の断面図。 （ｂ）本発明の実施の形態にかかる気相成長装置の一部
の拡大図。
置の断面図。 （ｂ）本発明の実施の形態にかかる気相成長装置の一部
の拡大図。
【図２】本発明の実施の形態にかかるアーム及びフィン
の概略図。
の概略図。
【図３】従来の気相成長装置の断面図。
【図４】従来の気相成長装置の一部の拡大図。
【図５】従来の気相成長装置の一部の拡大図。
【図６】気相成長室下部の拡大図。
１，１０１…気相成長室、 ２，１１１…反応管、 ３，１０２…ガス供給口、 ４，１０３…整流板、 ５，１０６…半導体ウエハ、 ６，１０４…ウエハ導入口、 ７，１０５…サセプター、 ８…アーム、 ９…フィン、 １０，１０８…放射温度計、 １１，１０９…ヒーター、 １２，１１０…排気口、 １０７…回転軸、 １１２…反応副生成物
Claims (10)
- 【請求項１】 反応ガス供給口と排気口を有する反応室
と、この反応室の内部に設置された反応管と、この反応
管の内部に設置され、前記半導体ウエハを載置し回転す
るサセプターと、前記反応管の底部に沿って回転するア
ームと、このアームの端部に設置されたフィンと、この
フィン及び前記アームを回転させる回転装置とを具備し
たことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記フィンは、前記アームに垂直に設置
することを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記フィンの長さは、最長で前記反応管
の底部から前記サセプターの高さまでとする請求項１記
載の気相成長装置。 - 【請求項４】 前記フィン及び前記アームは、前記反応
室底部の円周を等分割するように配置することを特徴と
する請求項１記載の気相成長装置。 - 【請求項５】 前記アームは、１０００ｒｐｍ程度以下
で回転させることを特徴とする請求項１記載の気相成長
装置。 - 【請求項６】 前記反応管は、石英製であることを特徴
とする請求項１記載の気相成長装置。 - 【請求項７】 反応管内に反応ガスを導入する工程と、
前記反応ガスが前記反応管の底部に停滞しないように前
記反応ガスに一定の流れを生じさせる工程と、前記反応
管内で前記半導体ウエハを回転させながら前記半導体ウ
エハ上に気相成長膜を形成する工程と、前記反応ガスを
排気する工程とを具備したことを特徴とする半導体ウエ
ハの気相成長方法。 - 【請求項８】 前記反応ガスに一定の流れを生じさせる
工程において、前記反応管の底部に沿ってアームを回転
させることを特徴とする請求項７記載の半導体ウエハの
気相成長方法。 - 【請求項９】 前記アームは、１０００ｒｐｍ以下で回
転させることを特徴とする請求項８記載の半導体ウエハ
の気相成長方法。 - 【請求項１０】 前記アームは、一定方向で回転させる
ことを特徴とする請求項８または請求項９記載の半導体
ウエハの気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180399A JPH1027758A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180399A JPH1027758A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027758A true JPH1027758A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16082567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8180399A Withdrawn JPH1027758A (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 気相成長装置及び半導体ウエハの気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027758A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274146A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-10-05 | Applied Materials Inc | ヒータ温度均一化装置 |
| JP2007019350A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Nuflare Technology Inc | エピタキシャル成長装置 |
| JP2013042092A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Nuflare Technology Inc | 薄膜処理方法 |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP8180399A patent/JPH1027758A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274146A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-10-05 | Applied Materials Inc | ヒータ温度均一化装置 |
| JP2007019350A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Nuflare Technology Inc | エピタキシャル成長装置 |
| JP2013042092A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Nuflare Technology Inc | 薄膜処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |