JPH06177056A - ガス処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ上の処理状態が均一になるように加熱
をヒータの制御する。 【構成】 処理室２と、ガス供給路１４と、ウエハ１を
保持するサセプタ７と、サセプタを介してウエハを加熱
するヒータ２２と、ヒータを制御するコントローラ２３
とを備えたプラズマＣＶＤ装置において、処理室２の外
部にウエハ１上に形成された処理膜２６の膜厚を測定す
る膜厚測定装置２５が設備され、この測定装置２５がコ
ントローラ２３に接続されている。ヒータ２２はサセプ
タ７の中央部７ａを加熱する内側ヒータ２２ａと、その
周辺部７ｂを加熱する外側ヒータ２２ｂとに分割されて
いる。コントローラ２３は膜厚測定装置２５からの測定
データに対応して内外のヒータ２２ａ、２２ｂの加熱出
力をそれぞれ制御する。 【効果】 膜厚データに対応してサセプタ７の内外が内
外のヒータ２２ａ、２２ｂによって加熱されるため、温
度分布に依存する膜厚分布は均一になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ガス処理装置、特に、
被処理物を所定の温度に加熱して、処理ガスによって所
望のガス処理を施すガス処理技術に関し、例えば、半導
体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、ウエ
ハという。）に所望の薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装
置に利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、プラズ
マＣＶＤ装置によって、ウエハ上に酸化膜や窒化膜およ
び金属膜が生成される場合、膜生成に必要なエネルギー
を得るためにウエハを所望の温度に加熱する必要があ
る。

【０００３】そして、ウエハに１枚宛成膜処理が実施さ
れる枚葉式のプラズマＣＶＤ装置においては、ウエハが
載置されるサセプタの裏側に円形のヒータが配設され、
この円形のヒータによりサセプタ上のウエハが全体的に
均一に加熱されることが実施されている。

【０００４】他方、このような成膜工程においては、生
成した膜の均一性や反射率、異物、不純物濃度といった
膜の質が重要視されている。そして、これらの膜質はウ
エハの温度と密接な関係があることが知られている。し
たがって、ウエハの温度分布を全体にわたって制御する
ことは、非常に重要な事項になる。

【０００５】なお、ガス処理装置の温度制御技術を述べ
てある例としては、特開昭６３−１２８７１７号公報、
がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマＣＶＤ装置におけるウエハの加熱は、円形のヒ
ータによって全体的に均一になるように制御されている
ため、次のような問題点がある。

【０００７】 ウエハが大径化されるのに伴って、円
形のヒータが大径化されることになるが、ヒータ全体の
重量や構造の増加量はヒータ外径の増加の比例値よりも
遙かに大きくなる。

【０００８】 円形ヒータによってウエハの温度分布
を全体にわたって均一に加熱するための制御はきわめて
困難になり、ウエハの温度分布が不均一になる。このた
め、ウエハに形成された膜質が低下する。

【０００９】 ガス流量が一定であっても処理室内の
状態変化により、ウエハの中央部と周辺部とにおいてガ
スの流れが異なるため、ウエハ内において膜質が低下す
る。

【００１０】 成膜処理後のウエハの膜質についての
測定はオフライン作業によって実施されているため、ウ
エハの温度分布の均一性の低下や、ガスの流れの不均一
による膜質の低下に素早く対応することができない。

【００１１】本発明の目的は、被処理物の処理状態が均
一になるように加熱を制御することができるガス処理装
置を提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。すなわち、被処理物が出し入れされる出し入れ
口を有する処理室と、処理室に接続されて処理ガスが供
給されるガス供給路と、処理室内に設備されて被処理物
を保持するサセプタと、サセプタの被処理物と反対側に
設備されて被処理物を加熱するヒータと、ヒータを制御
するコントローラとを備えているガス処理装置におい
て、前記処理室の外部に処理室で処理された被処理物に
ついての処理状態を測定する処理状態測定装置が設けら
れているとともに、この処理状態測定装置はその測定デ
ータを前記コントローラに送信するように構成されてお
り、また、前記ヒータが前記サセプタの各別のゾーンを
加熱する複数の分割ヒータによって構成されており、さ
らに、前記コントローラは前記処理状態測定装置から送
られて来た測定データに対応して分割ヒータを各別に制
御するように構成されていることを特徴とする。

【００１４】

【作用】前記した手段において、処理状態測定装置から
送られて来た処理状態に関するデータに基づいて、コン
トローラは被処理物内における処理状態の均一性を求め
る。この均一性が悪い場合には、コントローラは均一性
を改善するための処理温度の分布を求めるとともに、こ
の温度分布が得られるように、各ゾーンの加熱を担当す
るヒータのそれぞれの出力を制御する。

【００１５】コントローラにより各ヒータに対して指定
された加熱制御によって、処理状態を均一に形成させる
温度分布になるため、被処理物に対する処理状態は均一
になる。

【００１６】

【実施例】図１は本発明の一実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す正面断面図である。図２はその作用を説明
するための線図である。

【００１７】本実施例において、本発明に係るガス処理
装置はプラズマＣＶＤ装置として構成されており、この
プラズマＣＶＤ装置はシリコンウエハ（以下、ウエハと
いう。）１の上にシリコン酸化膜を形成するのに使用さ
れている。

【００１８】本実施例において、プラズマＣＶＤ装置は
被処理物としてのウエハ１を処理するための処理室２を
構成するチャンバ３を備えており、チャンバ３にはその
側壁にウエハ１を出し入れするための搬入口４および搬
出口５が、また、その底壁に処理室２内を排気するため
の排気口６がそれぞれ開設されている。

【００１９】処理室２内の下部および上部には一対の電
極７、８が互いに平行平板電極を構成するようにそれぞ
れ水平に配設されている。下部電極７はチャンバ３の底
壁に絶縁体９を介して摺動自在に挿入された支軸１０に
より上下動かつ回転可能に支持されている。下部電極７
はその上面においてウエハ１を１枚、載置状態に保持し
得るように構成されており、したがって、下部電極（以
下、サセプタということがある。）７は被処理物として
のウエハ１を保持するためのサセプタを実質的に構成し
ている。

【００２０】上部電極８はチャンバ３に絶縁体１１を介
して挿入された支軸１２により固定的に吊持されてお
り、下部電極７との間に高周波電源１３が接続されてい
る。また、上部電極８およびその支軸１２の内部にはガ
ス供給路１４が開設されており、上部電極８の下面には
複数のガス吹出口１５がガス供給路１４の処理ガス１６
をウエハに向けて吹き出せるように開設されている。

【００２１】本実施例において、サセプタ７の内部には
断熱材２１および抵抗加熱方式のヒータ２２が設備され
ている。ヒータ２２はサセプタ７の内部における上側に
配置されており、サセプタ７に載置状態に保持されたウ
エハ１を加熱するように構成されている。断熱材２１は
サセプタ７の内部におけるヒータ２２の下側に配置され
て充填されており、断熱材２１はヒータ２２の加熱がチ
ャンバ３を向かうのを抑制するようになっている。

【００２２】本実施例において、ヒータ２２はサセプタ
７の第１ゾーンとしての中央部７ａを加熱するための第
１の分割ヒータである内側ヒータ２２ａと、サセプタ７
の第２ゾーンとしての周辺部７ｂを加熱するための第２
の分割ヒータである外側ヒータ２２ｂとによって構成さ
れている。すなわち、内側ヒータ２２ａは被加熱物であ
るウエハ１の外径よりも小径の外径を有する円板形状に
形成されており、外側ヒータ２２ｂは内側ヒータ２２ａ
の外径と等しい円径と、サセプタ７の外径と等しい外径
とを有する円形リング形状に形成されている。

【００２３】ヒータ２２は全体としては大径に設定され
ているが、内側ヒータ２２ａと外側ヒータ２２ｂとに分
割されていることにより、大重量化および構造の複雑化
が抑制されている。しかも、ヒータ２２は全体として大
径のウエハ７をも均一に加熱し得るようになっている。

【００２４】ヒータ２２の内側ヒータ２２ａおよび外側
ヒータ２２ｂはマイクロコンピュータやシーケンサ等か
ら構成されているコントローラ２３にそれぞれ接続され
ており、内外のヒータ２２ａおよび２２ｂはサセプタ７
に載置されたウエハ１を指定された温度に加熱すべく、
このコントローラ２３のシーケンス制御によって運転さ
れるように構成されている。また、コントローラ２３に
は後記する各温度計がそれぞれ接続されており、これら
温度計の測定データに基づいて、コントローラ２３は内
外のヒータ２２ａおよび２２ｂをそれぞれフィードバッ
ク制御し得るように構成されている。

【００２５】さらに、サセプタ７の内部には接触式温度
計としての内外２組の熱電対２４ａ、２４ｂがヒータ２
２内外のヒータ２２ａおよび２２ｂの上側にそれぞれ位
置するように挿入されており、これらの熱電対２４ａお
よび２４ｂはヒータ２２のコントローラ２３に接続され
ている。内外の熱電対２４ａおよび２４ｂは内外のヒー
タ２２ａおよび２２ｂによってそれぞれ加熱されたサセ
プタ７における中央部７ａおよび周辺部７ｂの現在の温
度をそれぞれ測定して、それらの測定データをリアルタ
イムでコントローラ２３にそれぞれ送信するように構成
されている。そして、後述するように、コントローラ２
３は内外の熱電対２４ａおよび２４ｂからそれぞれ送信
されて来る測定データに基づいて内外のヒータ２２ａお
よび２２ｂをそれぞれフィードバック制御し得るように
構成されている。

【００２６】本実施例において、処理室２の外部には処
理状態測定装置としての膜厚測定装置２５が、搬出口５
に対向するように配されて設備されており、この膜厚測
定装置２５は前記コントローラ２３に膜厚に関する測定
データを送信するように接続されている。ちなみに、こ
の膜厚測定装置２５としては、エリプリメトリ法（偏光
解析法）による膜厚測定装置や、干渉法による膜厚測定
装置、およびシート抵抗法による膜厚測定装置等を使用
することができる。

【００２７】次に作用を説明する。ウエハ１がサセプタ
７上に載置されて処理室２内が排気されると、ガス供給
路１４に処理ガス（例えば、ＳｉＨ₄ ＋Ｏ₂ 等）１６が
供給されて上部電極８の吹出口１５から吹き出されると
ともに、両電極７、８間に高周波電圧が電源１３により
印加される。これにより、プラズマＣＶＤ反応が惹起さ
れ、例えば、ウエハ１上にプラズマシリコン酸化膜が堆
積される。

【００２８】このプラズマシリコン酸化膜の生成処理に
際して、予め設定されているプラズマＣＶＤ反応に最適
の温度がコントローラ２３において、コントローラ２３
自体に構成されているシーケンサ等によって指定され
る。コントローラ２３はウエハ１が指定された目標温度
になるようにヒータ２２の加熱作動をシーケンス制御す
る。

【００２９】指定された温度になるようにヒータ２２に
よって加熱されたサセプタ７の現在の実際の温度は、そ
の中央部７ａの温度が内側の熱電対２４ａによって、そ
の周辺部７ｂの温度が外側の熱電対２４ｂによってそれ
ぞれ測定される。内外の熱電対２４ａおよび２４ｂによ
って測定されたサセプタ７の現実の温度は、コントロー
ラ２３にリアルタイムで送信される。

【００３０】コントローラ２３は各熱電対２４ａ、２４
ｂから送信されて来た現実の温度と、指定された目標温
度とを比較し、現実の温度が目標温度になるように信号
をヒータ２２に指令する。ヒータ２２はこの指令信号に
よって駆動されてサセプタ７を介してウエハ１を加熱す
る。

【００３１】以上のようにしてプラズマシリコン酸化膜
の形成処理が終了した後、ウエハ１は搬出口５から処理
室２の外部へ搬出されるとともに、膜厚測定装置２５に
搬送される。膜厚測定装置２５はウエハ１に形成された
シリコン酸化膜２６の厚さを測定し、その測定データを
コントローラ２３に送信する。

【００３２】コントローラ２３は膜厚測定装置２５から
送られて来た膜厚データに基づいて、ウエハ１内におけ
る酸化膜２６の膜厚の均一性を求める。この膜厚の均一
性が悪い場合には、コントローラ２３は膜厚分布を改善
するための温度分布を求めるとともに、この温度分布が
得られるように内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２２
ｂの加熱出力を制御する。

【００３３】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は膜厚分布を
均一に改善するための温度分布の制御方法の一実施例を
示す線図であり、（ａ）は改善前の膜厚分布を示す線
図、（ｂ）は温度分布を示す線図、（ｃ）は改善後の膜
厚分布を示す線図である。図２中、横軸にはウエハの位
置が示され、縦軸には膜厚および温度がそれぞれ示され
ている。

【００３４】例えば、膜厚測定装置２５からの膜厚測定
データに基づいてウエハ１内の膜厚分布を求めた結果
が、図２（ａ）に実線で示されているように、膜厚がウ
エハの中央部において厚く、周辺部に行くに従って薄く
なる傾向であったと仮定する。この場合には、コントロ
ーラ２３はウエハにおける温度分布が図２（ｂ）に示さ
れている状態になるように内側ヒータ２２ａおよび外側
ヒータ２２ｂをそれぞれ制御することになる。すなわ
ち、内側ヒータ２２ａの出力が抑制され、外側ヒータ２
２ｂの出力が高められる制御が実行されることになる。

【００３５】そして、次回のウエハ１についてのプラズ
マシリコン酸化膜２６の形成処理に際して、内側ヒータ
２２ａおよび外側ヒータ２２ｂがこのように制御される
と、図２（ｃ）に示されているように、ウエハ１上に生
成されるプラズマシリコン酸化膜２６の膜厚分布は全体
にわたって均一になる。

【００３６】以上の膜厚測定装置２５の膜厚測定データ
に基づくコントローラ２３を介しての内側ヒータ２２ａ
および外側ヒータ２２ｂによる温度分布制御は、各ウエ
ハ１に対する成膜処理の都度実行してもよいし、複数枚
毎に定期的に実行してもよく、さらには、膜厚測定装置
２５の測定データによる膜厚分布の均一性が予め設定さ
れた設定値よりも低下した際に実行する等、不定期的に
実行してもよい。

【００３７】以上説明した前記実施例によれば次の効果
が得られる。 膜厚測定装置２５によって測定された膜厚分布デー
タに基づいて、その膜厚分布がウエハ１の全体にわたっ
て均一になるように改善するための温度分布を求め、こ
の温度分布が創り出されるように内側ヒータ２２ａおよ
び外側ヒータ２２ｂの加熱出力をコントローラ２３によ
ってそれぞれ制御することにより、ウエハ１上にプラズ
マシリコン酸化膜２６をその膜厚が全体にわたって均一
になるように分布させることができる。

【００３８】 ウエハ１上にプラズマシリコン酸化膜
２６をその膜厚が全体にわたって均一になるように分布
させることにより、ウエハ１内のシリコン酸化膜２６の
膜質を安定させることができるため、製品歩留りを高め
ることができる。 ヒータ２２を内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２
２ｂに分割することにより、ヒータ２２全体としての重
量増や構造の複雑化を抑制しつつ、被処理物としてのウ
エハ１の大径化に対処することができ、しかも、被加熱
物上の温度分布を変更調整することができる。

【００３９】図３は本発明の実施例２であるプラズマＣ
ＶＤ装置を示す正面断面図である。図４はその作用を説
明するための線図である。

【００４０】本実施例２が前記実施例１と異なる点は、
処理状態測定装置としての膜厚測定装置の代わりに処理
状況測定装置としてのプラズマモニタリング装置２７が
設備されており、かつ、このプラズマモニタリング装置
２７によって測定されたモニタリングデータがコントロ
ーラ２３に送信されるように構成されている点にある。
ちなみに、プラズマモニタリング装置２７としては、静
電探針法によるプラズマモニタリング装置や、レーザ誘
起蛍光法によるプラズマモニタリング装置を使用するこ
とができる。

【００４１】本実施例２においては、処理室２内におけ
るプラズマシリコン酸化膜の形成処理中、プラズマモニ
タリング装置２７によってプラズマ２８の生成状態がモ
ニタリングされ、そのモニタリングデータがコントロー
ラ２３に送信される。

【００４２】コントローラ２３はプラズマモニタリング
装置２７から送られた来たモニタリングデータに基づい
て、このプラズマ２８の生成状態においてウエハ１上に
形成される膜厚分布が均一になるように制御するための
ウエハ１上の温度分布を求めるとともに、ウエハ１上に
おいてこの温度分布が得られるように内側ヒータ２２ａ
および外側ヒータ２２ｂの加熱出力を制御する。

【００４３】図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は膜厚分布を
均一に改善するための温度分布の制御方法の一実施例を
示す線図であり、（ａ）はプラズマの濃度分布を示す線
図、（ｂ）は温度分布を示す線図、（ｃ）は膜厚分布を
示す線図である。図４中、横軸にはウエハの位置が示さ
れ、縦軸にはプラズマ濃度、温度および膜厚がそれぞれ
示されている。

【００４４】例えば、プラズマモニタリング装置２７か
らのモニタリングデータに基づいて得られたプラズマ２
８の濃度の分布は、図４（ａ）に示されているように、
ウエハの中央部に対応する領域で濃く、周辺部に対応す
る領域で薄くなる傾向であったと仮定する。この場合に
は、コントローラ２３はウエハにおける温度分布が図４
（ｂ）に示されている状態になるように、内側ヒータ２
２ａおよび外側ヒータ２２ｂをそれぞれ制御する。すな
わち、内側ヒータ２２ａの出力が抑制され、外側ヒータ
２２ｂの出力が高められる制御が実行されることにな
る。

【００４５】そして、内側ヒータ２２ａおよび外側ヒー
タ２２ｂがこのように制御されると、図４（ｃ）に示さ
れているように、ウエハ１上に形成されるプラズマシリ
コン酸化膜２６の膜厚分布は全体にわたって均一にな
る。このプラズマモニタリング装置２７のモニタリング
データに基づくコントローラ２３によるヒータ２２ａ、
２２ｂの制御は、プラズマ成膜処理中にリアルタイムで
実行してもよいし、過去のモニタリングデータを現在の
処理において実行するようにしてもよい。

【００４６】本実施例２によれば、前記実施例と同様の
効果が得られる。

【００４７】図５は本発明の実施例３であるプラズマＣ
ＶＤ装置を示す図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）
はランプヒータ部分を示す平面断面図である。

【００４８】本実施例３が前記実施例１と異なる点は、
ウエハを加熱するためのヒータとして内側ランプヒータ
２９ａおよび外側ランプヒータ２９ｂが設備されてお
り、かつ、これらランプヒータ２９ａ、２９ｂがコント
ローラ２３によって制御されるように構成されている点
にある。

【００４９】本実施例３においては、前記実施例１と同
様の作用および効果が奏される。さらに、本実施例３に
よれば、ヒータを分割し易く、かつ、各別に制御し易い
という特有の効果が得られる。

【００５０】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５１】例えば、ヒータは内外２重に分割するに限
らず、３重以上に分割してもよいし、さらには、同心円
状に分割するに限らず、前後左右や放射状等に分割して
もよい。

【００５２】接触式温度計としては熱電対を使用するに
限らないし、放射温度計等の非接触式温度計によって被
処理物であるウエハの温度を直接的に測定するように構
成してもよい。さらに、温度計は省略してもよい。

【００５３】処理室のウエハ出し入れ口は搬入口と搬出
口を各別に構成するに限らず、兼用するように構成して
もよい。

【００５４】被処理物はウエハに限らず、磁気ディスク
や液晶パネル等であってもよい。

【００５５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるプラズ
マＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、減圧ＣＶＤ装置や常圧ＣＶ
Ｄ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置等
の加熱下でガスが使用された処理が実施されるガス処理
装置全般に適用することができる。

【００５６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。処理状態測定装置によって測定された処
理状態の分布データに基づいて、その分布が被処理物の
全体にわたって均一になるように改善するための温度分
布を求め、この温度分布が創り出されるように各ゾーン
の加熱をそれぞれ担当する分割ヒータの加熱出力をそれ
ぞれ制御することにより、被処理物に施される処理の状
態を全体にわたって均一に分布させることができる。そ
の結果、被処理物内の処理状態の質を安定させることが
できるため、製品歩留りを高めることができる。

【００５７】ヒータを各ゾーンの加熱を担当する複数基
の分割ヒータによって構成することにより、ヒータ全体
としての重量増や構造の複雑化を抑制しつつ、被処理物
の大径化に対処することができ、しかも、被処理物上に
おける温度分布を変更調整することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるプラズマＣＶＤ装置を
示す正面断面図である。

【図２】膜厚分布を均一に改善するための温度分布の制
御方法の一実施例を示す線図であり、（ａ）は改善前の
膜厚分布を示す線図、（ｂ）は温度分布を示す線図、
（ｃ）は改善後の膜厚分布を示す線図である。

【図３】本発明の実施例２であるプラズマＣＶＤ装置を
示す正面断面図である。

【図４】膜厚分布を均一に改善するための温度分布の制
御方法の一実施例を示す線図であり、（ａ）はプラズマ
の濃度分布を示す線図、（ｂ）は温度分布を示す線図、
（ｃ）は膜厚分布を示す線図である。

【図５】本発明の実施例３であるプラズマＣＶＤ装置を
示す図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）はランプヒ
ータ部分を示す平面断面図である。

【符合の説明】

１…ウエハ（被処理物）、２…処理室、３…チャンバ、
４…搬入口、５…搬出口、６…排気口、７…下部電極
（サセプタ）、７ａ…内側ゾーン、７ｂ…外側ゾーン、
８…上部電極、９、１１…絶縁体、１０、１２…支軸、
１３…高周波電源、１４…ガス供給路、１５…ガス吹出
口、１６…処理ガス、２１…断熱材、２２…ヒータ、、
２２ａ…内側ヒータ、、２２ｂ…外側ヒータ、２３…コ
ントローラ、２４ａ、２４ｂ…熱電対（接触式温度
計）、２５…膜厚測定装置（処理状態測定装置）、２６
…プラズマシリコン酸化膜（処理膜）、２７…プラズマ
モニタリング装置（処理状況測定装置）、２８…プラズ
マ、２９ａ、２９ｂ…ランプヒータ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 呂畑 勉 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 日 立電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 大川 章 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内 (72)発明者 渡辺 智司 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理物が出し入れされる出し入れ口を
   有する処理室と、処理室に接続されて処理ガスが供給さ
   れるガス供給路と、処理室内に設備されて被処理物を保
   持するサセプタと、サセプタの被処理物と反対側に設備
   されて被処理物を加熱するヒータと、ヒータを制御する
   コントローラとを備えているガス処理装置において、 前記処理室の外部に処理室で処理された被処理物につい
   ての処理状態を測定する処理状態測定装置が設けられて
   いるとともに、この処理状態測定装置はその測定データ
   を前記コントローラに送信するように構成されており、 また、前記ヒータが前記サセプタの各別のゾーンを加熱
   する複数の分割ヒータによって構成されており、 さらに、前記コントローラは前記処理状態測定装置から
   送られて来た測定データに対応して分割ヒータを各別に
   制御するように構成されていることを特徴とするガス処
   理装置。
2. 【請求項２】 前記ヒータが内側に配された第１ゾーン
   を加熱する内側ヒータと、第１ゾーンの外側を取り囲む
   第２ゾーンを加熱する外側ヒータとにより構成されてお
   り、 また、前記サセプタの内側ゾーンの温度を測定する内側
   温度計と、前記サセプタの外側ゾーンの温度を測定する
   外側温度計が前記コントローラにそれぞれ接続されてい
   るとともに、コントローラは内側温度計および外側温度
   計の測定データによって前記内側ヒータおよび外側ヒー
   タをそれぞれフィードバック制御するように構成されて
   いることを特徴とする請求項１に記載のガス処理装置。
3. 【請求項３】 被処理物が出し入れされる出し入れ口を
   有する処理室と、処理室に接続されて処理ガスが供給さ
   れるガス供給路と、処理室内に設備されて被処理物を保
   持するサセプタと、サセプタの被処理物と反対側に設備
   されて被処理物を加熱するヒータと、ヒータを制御する
   コントローラとを備えているガス処理装置において、 前記処理室の外部に処理室の処理状況を測定する処理状
   況測定装置が設けられているとともに、この処理状況測
   定装置はこの測定データを前記コントローラに送信する
   ように構成されており、 また、前記ヒータが前記サセプタの各別のゾーンを加熱
   する複数の分割ヒータによって構成されており、 さらに、前記コントローラは前記処理状況測定装置から
   送られて来た測定データに対応して各分割ヒータを各別
   に制御するように構成されていることを特徴とするガス
   処理装置。