JP2006344924A - 熱処理装置の較正方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多層基板と比較して異なる構造を有する試験基板を設けるステップS1と、熱プロセスパラメータ・セットを使用して試験基板を熱処理するステップであって、それによって前記試験基板上に或る厚さ分布を有する層を形成する熱処理するステップS3と、上記厚さ分布を較正試験基板上の較正層の所定の厚さ分布と比較するステップS5と、前記熱プロセスパラメータ・セットを修正するステップであって、加熱デバイスを上記厚さ分布と上記所定の厚さ分布との差を補償するように調節するよう修正するステップS6とを含む。この場合、較正試験基板上の較正層の所定の厚さ分布は同じ所定のプロセス条件・セットによって得られた多層基板上の層の平坦な厚さ分布に対応する。
【選択図】図3
Description
Claims (17)
- 加熱デバイス(5)を備え多層基板(15)の熱処理のために使用される熱処理装置(1)を較正する方法において、
(a)前記多層基板(15)と比較して異なる構造を有する試験基板(25)を用意するステップと、
(b)熱プロセスパラメータ・セットを使用して前記試験基板(25)を熱処理するステップであって、それによって前記試験基板(25)上にある厚さ分布(37)を有する層(27)を形成する熱処理するステップと、
(c)前記厚さ分布(37)を較正試験基板上の較正層の所定の厚さ分布(35)と比較するステップと、
(d)前記熱プロセスパラメータ・セットを修正するステップであって、前記加熱デバイス(5)を前記厚さ分布(37)と前記所定の厚さ分布(35)との差を補償するような調節をするように修正するステップと
を含み、
同じ所定の熱プロセス条件・セットによって処理された場合に、前記較正試験基板上の前記較正層の前記所定の厚さ分布(35)が多層基板(15)上の層(23)の平坦な厚さ分布(33)と対応するか、又は、スリップラインの低減及び/又は変形の低減が観測された多層基板(15)に対応するようにしたことを特徴とする方法。 - 前記ステップ(b)の前記熱プロセスパラメータ・セットは前記所定の熱プロセス条件・セットに対応する請求項1に記載の方法。
- 前記所定の厚さ分布(35)は異なる熱処理装置(1)で得られたものである請求項1又は2に記載の方法。
- 前記較正を検証するために、前記ステップ(d)後に第2試験基板が設けられ、前記修正された熱プロセスパラメータ・セットに従って熱処理される請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記加熱デバイスは前記試験基板(25)を局所的に加熱する複数の加熱器(5)及び前記試験基板(25)の温度を局所的に測定する複数のプローブ(7)を備え、前記ステップ(d)において前記複数の加熱器(5)のそれぞれによって提供される加熱電力が個々に調節される請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- それぞれの加熱器(5)の加熱電力が前記複数のプローブ(7)のオフセット値を個々に修正することによって個々に調節される請求項5に記載の方法。
- 前記多層基板(15)の表面層(17)と前記試験基板(25)は同じ材料でできている請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記多層基板(15)の表面層(17)と前記試験基板(25)は同じ結晶構造である請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記多層基板(15)はシリコンオンインシュレータ(SOI)タイプのウェーハであり、前記試験基板(25)はシリコンウェーハである請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記熱処理は高速熱アニーリング処理又は高速熱酸化処理である請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の較正方法において特に使用される熱処理装置(1)を較正するため使用される較正厚さ分布を作成する方法であって、
前記熱処理装置(1)が多層基板(15)を加熱処理する加熱デバイス(5)を備えるものであり、当該方法が、
(a)熱処理中に平坦な厚さ分布(33)を有する層(23)が多層基板(15)上に形成されるように、又は、スリップラインが低減され及び/又は変形が低減された多層基板(15)が得られるように、前記加熱デバイス(5)を較正するステップと、
(b)前記対応する熱プロセスパラメータ・セットを特定するステップと、
(c)前記多層基板(15)と比較して異なる構造を有する較正試験基板(25)を設けるステップと、
(d)前記対応する熱プロセスパラメータ・セットを使用して前記較正試験基板(25)を熱処理するステップであって、それによって前記較正試験基板(25)上に或る較正厚さ分布(35)を有する層(27)を形成するステップと、
(e)前記較正厚さ分布(35)を測定するステップと、
を含む方法。 - 前記ステップ(e)において前記較正厚さ分布(35)は前記較正試験基板(25)の中心領域よりも前記較正試験基板(25)の周辺部においてより高分解能で測定される請求項11に記載の方法。
- 前記較正厚さ分布(35)を複数の異なる多層基板(15)について測定する請求項11又は12に記載の方法。
- 前記種々の較正厚さ分布(35)をデータベースに記憶するステップをさらに含む請求項11〜13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記多層基板(15)はSOIタイプのウェーハであり、前記試験基板(25)はSiウェーハである請求項11〜14のいずれか1項に記載の方法。
- 較正試験基板であって、較正試験基板の主表面のうちの1つの主表面上に熱的に形成され、所定の厚さ分布(35)を有する層(27)を備えており、前記熱的に形成された層(27)は、一様な厚さ分布(33)が多層基板(25)上に達成されるための熱プロセスパラメータ・セット、或いは、スリップラインが低減され及び/又は変形が低減された多層基板を得るための熱プロセスパラメータ・セットによって得られることを特徴とする較正試験基板。
- 前記多層基板(15)はSOIタイプのウェーハであり、前記試験基板(25)はSiウェーハである請求項18に記載の較正試験基板。
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