KR100712040B1 - 열처리 설비의 캘리브레이션 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 가열 장치를 포함하며 다층 기판을 열처리하기 위하여 사용되는 열처리 설비를 캘리브레이션하는 방법에 관한 것이다. 값 싼 재료를 사용하면서도 상기 캘리브레이션 방법을 최적화하기 위하여, 본 발명은, 상기 다층 기판과 대비되는 다른 구조를 갖는 시험 기판을 제공하는 단계; 시험 기판을 열처리 변수 세트를 사용하여 열처리함으로써, 시험 기판 상에 두께 프로파일을 갖는 층을 형성하는 단계; 캘리브레이션 시험 기판 상의 캘리브레이션층의 소정의 두께 프로파일과 두께 프로파일을 비교하는 단계; 및 가열 장치가 두께 프로파일과 소정의 두께 프로파일 사이의 차이를 보상하도록 조절되기 위하여, 상기 열처리 변수 세트를 수정하는 단계를 포함하며, 상기 캘리브레이션 시험 기판 상의 캘리브레이션층의 소정의 두께 프로파일은 다층 기판 상의 층의 균일한 두께 프로파일 또는 동일한 소정의 열처리 조건 세트로 처리될 때 감소된 슬립 라인 및/또는 감소된 변형이 관측되는 다층 기판에 대응된다. 또한, 본 발명은 캘리브레이션 두께 프로파일을 생성하는 방법 및 그 하나의 주요 표면 상에 열적으로 형성된 소정의 두께 프로파일을 갖는 층을 포함하는 캘리브레이션 시험 기판에 관한 것이다.
Description
도 1은 열처리 설비를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2a는 열처리에 의해서 얻어진 층 및 균일한 두께 프로파일을 갖는 다층 기판을 나타내는 도면이다.
도 2b는 도 2a의 다층 기판 상에 균일한 두께 프로파일이 얻어지는 처리 조건과 동일한 처리 조건 하에서 얻어지는 소정의 두께 프로파일을 갖는 시험 기판을 나타내는 도면이다.
도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 소정의 두께 프로파일(최적 프로파일)을 결정하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3b 및 3c는 각각 다층 기판의 균일한 두께 프로파일과 시험 기판의 해당 소정의 두께 프로파일(최적 프로파일)을 나타내는 도면이다.
도 3d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 소정의 두께 프로파일을 결정하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4a는 본 발명에 따른 캘리브레이션 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4b는 도 3c에 도시된 최적 프로파일과 대비되는 시험 기판에서 얻어지는 두께 프로파일을 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 열처리 설비 3 : 챔버
5 : 히터 7 : 프로브
9 : 기판 11 : 지지 수단
13 : 제어 유닛 15 : 다층 기판 또는 SOI 기판
17 : 소자층 21 : 실리콘 기판
23 : 층 또는 산화물층
25 : 시험 기판 또는 벌크 실리콘 기판 27 : 층
31 : 두께 프로파일 33 : 균일한 두께 프로파일
35 : 두께 프로파일 37 : 두께 프로파일
본 발명은 가열 장치를 포함하며, 다층 기판을 열처리하기 위하여 사용되는 열 처리 장치의 캘리브레이션 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 캘리브레이션 시험 기판 및 그 캘리브레이션 시험 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 열처리 설비는 예를 들면, 산화물층을 형성하거나 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위하여, 수소, 아르곤 또는 산소 분위기에서 웨이퍼를 열처리하기 위해 사용된다. 웨이퍼들 사이에 균일한 온도를 얻기 위해서는, 열처리 설비는 캘리브레이션될 필요가 있다. 통상적으로, 이러한 목적을 위하여, 퍼니스 챔버에 수 평방향으로 배치되는 웨이퍼의 하부에 온도 센서기 배치된다. 이들 센서는 웨이퍼의 국지적 온도를 측정하고, 웨이퍼에 제공되는 열을 국지적으로 조절할 수 있는 제어 시스템에 연결된다.
일반적으로, 벌크 실리콘 웨이퍼를 처리하는 경우에, 이러한 설비를 캘리브레이션하는 방법은, 모든 프로브에 대하여 "0"으로 오프셋을 설정하고 약 100 Å의 SiO2를 형성하기 위하여 급속 열산화법을 수행하는 단계로 이루어진다. 그 후, 산화 두께는 실제로 온도에 의존하기 때문에, 상기 웨이퍼에 걸친 산화물 두께 프로파일을 측정하여 챔버 내부의 온도 불균일을 나타낸다. 이 후, 온도 불균일을 보정하기 위하여 상기 오프셋 값이 조절되고, 상기 웨이퍼 상에 상기 챔버 내부의 균일한 온도에 대응하는 평평하거나 균일한 두께 프로파일을 갖는 산화물층을 형성할 때까지 상기 공정이 반복된다.
그러나, 열처리 설비의 이러한 직접적인 캘리브레이션은, 예를 들면, 실리콘온절연체(SOI)형 웨이퍼와 같은 다층형 기판에 대하여는 적용할 수 없다. 미국 특허 제6,853,802호는 SOI와 같은 기판은 가장자리 상에 불균일한 구조를 제공함으로써, 열 흡수 계수의 국지적 편차를 제공하는 문제점을 갖는다. 따라서, 열처리 설비에서 상기 기판을 처리할 때, 이러한 국소적 편차가 고려되어야만 하며, 이는 일반적으로 벌크 웨이퍼에 적용되는 열처리에 비하여 상기 웨이퍼의 가장자리에 인가되는 온도를 감소시킴으로써 수행된다. 그와 같이 함으로써, 그렇지 않은 경우 발생할 수 있는 슬립 라인 및 웨이퍼 변형을 최소화할 수 있게 된다. 미국 특허 제 6,853,802호는 처리될 상기 구조체의 열흡수 계수를 결정하고 그에 따라 상기 설비의 가열 램프의 전력을 조절함으로써, 상기 열처리를 조절할 것을 제안한다. 그러나, 이 방법은 캘리브레이션이 직접적으로 수행되지 않으며, 사실상 열 흡수 계수와 설비 변수 사이의 상관 관계가 확립되어야 하는 문제점을 갖는다.
열처리 설비를 캘리브레이션하는 두번째 방법은, 연속적으로 가열 전력을 조절하여 슬립 라인과 웨이퍼 변형이 최소화되도록 실제 SOI 웨이퍼에 대하여 캘리브레이션 실험을 수행하는 것이다. 예를 들면, 상기한 바와 같이 벌크 실리콘 웨이퍼에 대하여 캘리브레이션된 열처리 설비로부터 시작하고, SOI 및 벌크 웨이퍼의 다른 거동을 고려하기 위하여 특히 최외각의 센서 오프셋을 조절한다. 센서 오프셋을 조절하기 위하여, 서로 다른 값의 센서 오프셋에 대하여, 동일한 소자층 및 산화물층 두께를 갖는 많은 SOI 웨이퍼를 사용하고, 이후 표준 기술을 사용하여 슬립 라인 및/또는 웨이퍼 변형이 측정된다. 마지막으로, 최적 결과를 제공하는 센서 오프셋을 선택한다.
이 방법은 직접적인 캘리브레이션 방법이지만, 그럼에도 불구하고, 캘리브레이션을 수행하기 위해서, 캘리브레이션이 종료할 때에 파편화될 값 비싼 SOI 웨이퍼가 필요하다는 단점이 있다. 열처리 설비는 지속적인 드리프트(drift)를 겪기 때문에 열처리 설비는 정기적으로 캘리브레이션되어야 하므로, SOI 웨이퍼를 사용하는 캘리브레이션 방법은 너무 값이 비싸 정기적인 관점에서 채택될 수 없다. 마지막으로, 이 두번째 방법은 비교적 부담스러워 정기적 관점에서 수행되기에 적합하지 않은, 슬립 라인 및/또는 웨이퍼 변형을 측정하고 결정하는 능력을 기초로 하 고 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 과도하게 다층 기판을 사용하지 않고서도, 열처리 설비의 변수를 용이하게 확립함으로써, 다층 기판을 열 처리를 위해 사용되는 열처리 설비를 캘리브레이션할 수 있는 캘리브레이션 방법을 제공하는 것이다.
상기 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 청구항 제 1 항에 따른 가열 장치를 포함하고 다층 기판의 열 처리를 위하여 사용되는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법에 의하여 달성된다.
본 발명은 시험 기판 상에서 열처리된 층의 "최적 프로파일"이라고도 지칭되는 소정의 두께 프로파일이 각 유형의 다층 기판과 관련될 수 있다는 괄목할만한 효과에 근거를 둔다. 상기 시험 기판은 상기 다층 기판과 다른 구조를 가지고 있으며, 일반적으로 열처리 설비가 캘리브레이션될 예정인 다층 기판보다 더 싸다. 최적 프로파일은 시험 기판의 직경에 걸쳐 얻어지는 층의 두께 프로파일에 대응된다. 상기 시험 기판은 해당 유형의 다층 기판을 위하여 캘리브레이션되었던 열처리 설비에 의해서 처리된다. 캘리브레이션하는 동안, 상기 설비가 상기 다층 기판 상에 층들을 형성하기 위하여 사용될 경우라면 상기 다층 기판 상에는 균일한 두께 프로파일을 갖는 층이 형성된다. 또는, 상기 열처리 설비가 평탄화 목적으로 사용되는 경우에는 캘리브레이션되지 않은 설비에서 처리된 다층 기판과 비교시 감소된 양의 슬립 라인, 특히 거의 없거나 전혀 찾아 보기 힘든 슬립 라인 및/또는 감소된 웨이퍼 변형을 보이는 다층 기판이 얻어질 것이다.
이하, 최적 프로파일이라고도 지칭되는 소정의 두께 프로파일은 예를 들면 엘립소메트리(ellipsometry)와 같은 임의의 적합한 공지 기술에 의하여 얻을 수 있다.
일단 주어진 다층 기판에 대하여 최적 프로파일이 확립되면, 열처리 설비의 새로운 캘리브레이션이 수행되어야 할 필요가 있는 때에는 언제든지 상기 시험 기판이 사용될 수 있다. 실제로, 열처리 설비를 캘리브레이션하기 위하여, 새로운 시험 기판 상에 층을 형성하고, 얻어진 두께 프로파일을 측정하며, 이를 대응하는 최적 프로파일과 비교하는 것으로 충분하다. 편차가 관측되는 경우에는, 이 후 상기 편차가 고려되도록 상기 공정 변수가 수정될 수 있다. 또한, 수정된 열처리 변수 세트가 시험 기판 상에 최적 프로파일에 대응하는 두께 프로파일을 초래하는 것을 고려하면, 상기 수정된 열처리 변수 세트에 의해 해당 다층 기판 상에 균일한 두께 프로파일 또는 감소된 슬립 라인 및/또는 감소된 웨이퍼 변형을 갖는 다층 기판이 얻어지는 것이 확실하다.
따라서, 종래 기술과 비교하면, 캘리브레이션을 위하여 값 비싼 다층 기판 대신에 더 싼 값의 시험 기판을 사용하는 것이 가능하다. 또한, 가열 장치를 조절하기 위하여, 종래 기술 중 하나에서 사용된 열흡수 계수를 사용하는 경우에 비하여, 상호 연관성을 더 용이하게 확립할 수 있는 두께 프로파일 특성이 이용될 수 있다. 마지막으로, 시험 기판 상의 두께 프로파일 측정은 슬립 라인 및/또는 웨이 퍼 변형 측정 보다 더욱 용이하게 수행될 수 있으며, 그에 따라 정기적인 사용을 위하여 바람직하다.
본 명세서에서, 시험 기판 및 캘리브레이션 시험 기판은 동일한 구조를 갖는 기판을 지칭하지만, 상기 캘리브레이션 시험 기판은, 상기 다층 기판 상에 형성된 층에 대하여 균일한 두께 프로파일이 얻어지거나, 감소된 특히 거의 또는 전혀 슬립 라인 및/또는 웨이퍼 변형이 관측되지 않는 열처리 조건과 동일한 열처리 조건을 사용하여, 상기 캘리브레이션 시험 기판 상에 형성된 상기 캘리브레이션층의 소정의 두께 프로파일(최적 프로파일)을 확립하기 위하여 사용된 시험 기판이다. "열처리 변수"라는 용어는 열처리 설비의 열 프로파일에 영향을 줄 수 있도록 민감한 설비의 임의의 변수를 지칭한다.
바람직하게는, 단계(b)의 열처리 변수 세트는 소정의 열처리 조건 세트에 대응될 수 있다. 통상적으로, 드리프트는 천천히 그리고 꾸준하게 공정 조건을 변경하여, 최적화된 열처리 변수가 소정의 열처리 조건 중 하나에 근접하도록 한다.
바람직한 실시예에 따르면, 상기 소정의 두께 프로파일이 다른 열처리 설비에서 얻어질 수 있다. 어떤 설비에서 다층 기판 상에 추가층을 형성한 후에 최적 프로파일이 상기 다층 기판 상의 평평한 두께 프로파일에 대응되거나 평탄화한 후에 감소된 슬립 라인 및/또는 감소된 웨이퍼 변형을 갖는 다층 기판에 대응된다면, 동일한 다층 기판이 사용되는 한 다른 설비에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다. 이는 본질적으로 한가지 유형의 설비에 대해서 최적 프로파일이 한번만 결정될 필요가 있으며, 그 후 사용되는 다른 모든 설비에 대해서 재사용될 수 있다는 것을 의미하며, 이로부터 상기 설비에 대하여 캘리브레이션을 수행하기 위한 비용은 감소된다.
다른 실시예에 따르면, 단계(d) 후에 상기 캘리브레이션을 검증하기 위하여 수정된 열처리 변수 세트에 따라 제 2 시험 기판이 제공되고 열처리될 수 있다. 다층 기판이 여전히 최적화된 캘리브레이션이 되지 않은 채로 처리되는 것을 방지하기 위하여, 역시 열처리 되는 다른 시험 기판으로 다시 열처리 변수에 대한 수정을 검증하는 것이 바람직하며, 이 후 상기 수정이 바르게 수행되었는지를 검사하기 위하여 얻어진 두께 프로파일을 다시 최적 프로파일과 대조한다. 편차가 여전히 존재하는 경우에는, 이 후 상기 가열 장치의 열처리 변수에 대한 수정이 세밀하게 수행될 수 있다.
바람직하게는, 가열 장치는 상기 시험 기판을 국지적으로 가열하기 위한 복수의 히터 및 상기 시험 기판의 온도를 국지적으로 측정하기 위한 복수의 프로브들을 구비할 수 있으며, 단계(d)에서 각각의 복수의 히터들에 의하여 제공되는 가열 전력은 개별적으로 조절된다. 실제적으로, 히터 또는 히터의 그룹은 각 프로브에 의존할 수 있으며, 상기 두께 프로파일의 어디에서 상기 최적 프로파일에 대한 편차를 관측하는가에 의존하기 때문에, 상기 가열 장치에 대한 수정은 국지적으로 수행될 수 있다.
바람직하게는, 각 히터의 가열 전력은 복수의 프로브의 오프셋 값을 개별적으로 수정함으로써 개별적으로 조절될 수 있다. 이 방법은 상기 기판에 제공되는 가열 전력을 국지적으로 조절할 수 있는 비교적 쉬운 방법이다.
바람직하게는, 상기 다층 기판 및 상기 시험 기판의 표면층은 동일한 재료로 이루어질 수 있다. 이 경우에, 최적 프로파일과 다층 기판 상의 균일한 프로파일 사이의 편차가 상대적으로 작게 유지할 수 있도록, 층 형성을 지배하는 물리 및/또는 화학이 유사할 수 있으며, 이것으로부터 상기 방법은 더욱 정확하고 캘리브레이션 방법을 더욱 개선시킨다.
더욱 바람직하게는, 상기 다층 기판의 표면층 및 시험 기판은 동일한 결정 구조를 가질 수 있다. 상기 결정 구조는 상기 다층 기판 상의 추가층의 성장에 중요한 역할을 하기 때문에, 비교될만한 결정 구조는 다층 기판을 가지고 수행한 캘리브레이션과 시험 기판을 가지고 수행한 캘리브레이션 사이의 편차가 실질적으로 작게 유지될 수 있도록, 최적 프로파일과 균일한 두께 프로파일 사이의 편차가 최소값으로 유지될 수 있다는 사실을 도출한다.
바람직한 실시예에 따르면, 상기 다층 기판은 실리콘온절연체(SOI)형 웨이퍼이고, 상기 시험 기판은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 오늘날 실리콘 웨이퍼는 우수한 품질을 가지며 비교적 저가로서 용이하게 구할 수 있는 표준화된 대량 생산품이지만, SOI 웨이퍼는 여전히 값 비싼 기판이다.
다른 실시예에 따르면, 열처리는 급속 열어닐링 처리 또는 급속 열산화 처리일 수 있다. 매우 작은 온도의 국지적 편차가 처리될 제품 상에 부정적인 영향을 초래할 수 있기 때문에, 이들 열처리에서 사용되는 높은 온도와 짧은 처리 시간으로 인하여 캘리브레이션 처리 설비는 본 적용의 성공을 위해 중요하다. 따라서, 캘리브레이션을 수행하기 위한 값 싸고 용이한 제안으로서, 고생산량을 얻을 수 있 으며, 이것은 평탄화 목적뿐만 아니라 막형성 목적의 경우에도 마찬가지이다.
또한, 새로운 발명은 열처리 설비를 캘리브레이션하기 위하여 사용되는, 특히 청구항 제 1 항 내지 제 10 항 중 하나에 따른 캘리브레이션 방법에서 사용되는 캘리브레이션 두께 프로파일을 형성하는 방법에 관한 것이며, 상기 열처리 설비는 청구항 제 11 항에 따라 다층 기판을 열처리하기 위한 가열 장치를 포함한다.
본 방법은 상기한 바와 같이 열처리 설비의 캘리브레이션시에 유용하게 사용되는 소정의 두께 프로파일(최적 프로파일)을 얻기 위하여 사용된다. 일단 얻어진 두께 프로파일은 엘립소메트리와 같은 표준 종래 기술을 사용하여 측정될 수 있다.
바람직하게는, 상기 캘리브레이션 두께 프로파일은 캘리브레이션 시험 기판의 중심 영역에서 보다는 상기 캘리브레이션 시험 기판의 가장자리에서 고해상도로 결정될 수 있다. 이미 상술한 바와 같이, 다층 기판과 벌크형 시험 기판의 주된 편차는 가장자리 영역에서 발생한다. 그러므로, 후에 열처리 설비에 더 양호한 캘리브레이션을 제공하기 위하여, 이 영역 특히 임계 가장자리 영역에서 얻을 수 있는 데이터를 더 많이 확보하는 것은 바람직하다. 그 결과, 열처리 설비의 변수를 더 미세하게 조절할 수가 있으며, 이것은 상기 최적 프로파일과 대비될 수 있는 더 많은 측청 포인트에 기초를 둔다.
바람직하게는, 복수의 다른 다층 기판에 대하여 상기 캘리브레이션 두께 프로파일이 결정될 수 있다. 다양한 층의 다른 재료와 두께에 기초하여, 최적 프로파일이 모든 종류의 다층 기판에 대하여 결정됨으로써, 각 제품에 대하여 최적화된 최적 프로파일이 열처리 설비의 가열 장치의 캘리브레이션을 위하여 사용될 수 있 다. 또한, 최적 프로파일은 추가층을 형성하기 위하여 사용되는 설비 및/또는 평탄화 공정을 위하여 사용되는 설비를 위하여 결정될 수 있다.
바람직하게는, 캘리브레이션 두께 프로파일(들)은 데이터베이스에 저장될 수 있다. 이 경우에, 주어진 다층 기판에 대하여 열처리 설비가 캘리브레이션될 필요가 있으면, 설비 운영자 또는 설비 그 자체가 언제든지 해당하는 최적 프로파일을 선택하여 캘리브레이션을 수행할 수 있다. 또한, 이것은 언제든지 상기 데이터베이스로부터 필요한 데이터를 독출할 수 있기 때문에 캘리브레이션을 수행하는 시간을 감소시킬 수 있다.
바람직하게는, 상기 다층 기판은 SOI형 웨이퍼이고, 상기 시험 기판은 실리콘 웨이퍼이다. 오늘날, 실리콘 웨이퍼는 우수한 품질을 가지고 상대적으로 값 싸게 얻을 수 있는 표준 대량 생산품이지만, SOI 웨이퍼는 여전히 값 비싼 기판이다.
또한, 본 발명은 청구항 제 16 항에 따라 주요 표면중의 하나 상에 소정의 두께 프로파일을 갖는 열적으로 형성된 층으로 이루어진 캘리브레이션 시험 기판에 관한 것이다. 본 캘리브레이션 시험 기판의 소정의 두께 프로파일을 이용하여, 상기한 바와 같이 바람직한 캘리브레이션 방법이 수행될 수 있다.
바람직하게는, 상기 다층 기판은 SOI형 웨이퍼이고, 상기 시험 기판은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 오늘날 실리콘 웨이퍼는 우수한 품질을 가지고 상대적으로 값 싸게 얻을 수 있는 표준 대량 생산품이지만, SOI 웨이퍼는 여전히 값 비싼 기판이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하 기로 한다.
도 1 은 반도체 산업에서 층을 형성하거나 어닐링을 하기 위하여, 기판, 특히 웨이퍼를 가열하기 위하여 사용되는 일반적인 열처리 설비를 나타낸다. 또한, 다층 기판 제조 공정에서, 이들 공정은 표면을 평탄화하는데 중요한 역할을 한다.
도 1을 참조하면, 열처리 설비(1)는 수직형 또는 수평형 열반응로 타입일 수 있으며, 배치 타입 또는 단일 웨이퍼 타입일 수 있다. 열처리 설비(1)는 가열 장치를 구성하는 복수의 히터들(5), 지지 수단(11) 상에 배치된 기판(9)의 온도를 국지적으로 측정하기 위한 복수의 프로브(7)가 배치되는 퍼니스 챔버(3)를 포함한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 프로브들(7)의 개수는 반드시 개개의 히터들(5)의 개수와 동일해야만 하는 것은 아니다. 여기서는 개개의 히터들(5)보다 더 많은 프로브들(7)이 도시되어 있다. 퍼니스(1)는 프로브(7)에 의해서 측정되는 개별적인 온도에 기초하여 상기 개개의 히터들(5)에 의해 제공되는 열을 제어하는 제어 유닛(13)을 더 포함한다.
열처리 설비(1)를 사용하는데 있어서, 그 설비로 수행되는 층의 성장 또는 어닐링이 균일하거나 최소한 최적화되도록, 히터들(5)은 상기 기판(9)에 걸쳐서 균일한 온도 분포를 제공하는 것이 필수적이다. 이 경우에, 상기 기판(9) 상에 층을 형성하기 위하여 열처리 설비(1)가 사용된다면, 얻어진 층은 균일한 두께 프로파일을 나타낼 것이다. 예를 들면, 산화물층은 상기 챔버에 산소 가스를 제공함으로써 얻어진다. 평탄화를 위하여 열처리 설비(1)가 사용되는 경우에는, 산소 가스를 수소 또는 아르곤으로 전환시킴으로써 평탄화 공정이 수행되며, 기판(9)은 감소된 양 의, 특히 거의 없거나 전혀 없는 슬립 라인 및/또는 감소된 변형을 나타낼 것이다.
도 1에 도시한 바와 같은 열처리 설비는 드리프팅 특성(drifting properties)을 정정하기 위하여 때때로 재 캘리브레이션(recalibration)될 필요가 있다. 양산 조건 하에서, 이러한 캘리브레이션은 일반적으로 적어도 일주일에 한번씩 수행되어야 한다.
도 2a는 예를 들면, 실리콘 기판(21) 상에 제공되는 산화물층(19) 상에 소자층(17)을 갖는 실리콘온절연체(SOI)형 기판과 같은 다층 기판(15)을 도시한다. 그러나, 이 SOI 기판(15)은 예로서 제공된 것이며, 예를 들면 스트레인드 실리콘온절연체 또는 저머늄온절연체 다층 기판과 같은 다른 다층 기판도 관계된다. 도 1을 참조하여 상술한 바와 같이, 다층 기판(15)은 열처리 설비(1) 내의 산소 분위기에서 열처리되어, 층(23), 예를 들면 산화물층이 다층 기판(15) 상, 즉 소자층(17) 상에 형성된다. 올바르게 캘리브레이션된 열처리 설비를 사용하는 경우, 이 층(23)은 실질적으로 다층 기판(15)의 전체 표면에 걸쳐서 균일한 두께 프로파일을 나타낸다.
이제 도 2b는 동일한 열처리 설비(1)를 사용하여 동일한 열처리 변수 하에서 그리고 캘리브레이션된 상태에서 층(27)이 형성된 시험 기판(25), 여기서는 실리콘(Si) 웨이퍼를 도시한다. 균일한 두께 프로파일을 갖는 층(23)과 비교하면, 이 층(25)은 도 2b에서 과장된 방식으로 나타낸 바와 같이 다른 두께 프로파일을 나타낸다. 이것은 벌크 실리콘 기판(25)이 각각의 층들(27, 23)의 성장에 관하여 다층 기판(15)과 다르게 거동한다는 사실에 기인한다. 현재 기술 수준에서, 미국 공개 공보 제6,853,802호와 같이, 이러한 차이점은 열흡수 계수의 국지적 차이에 기인한다.
이미 언급한 바와 같이, 열처리 설비(1)는 처음 사용하기 전에 캘리브레이션되어야 하며, 이후에도 때때로 그러하다. 종래 기술에서, 캘리브레이션은 다층 기판(15)을 사용하고, 그 위에 산화물층을 성장시키고, 이 후 두께 프로파일을 측정하고, 예를 들면 해당 프로브의 오프셋을 변화시킴으로써 히터(5)를 개별적으로 조절하는 것에 의하여 수행되었다. 다른 방식으로는, 국지적으로 열흡수 계수를 결정하고, 이로부터 국지적으로 제공되는 열을 조절하는 것이다. 이제, 본 발명에 따르면, 열처리 설비(1)를 캘리브레이션하기 위하여 다층 기판과 다른 시험 기판(25)이 이용된다. 그 결과, 캘리브레이션 목적으로 더 이상 비싼 다층 기판(15)을 사용할 필요가 없다.
이하, 도 2a의 층(23)과 같은 층이 다층 기판 상에 형성되는 경우에 대하여 상술한다. 본 발명의 캘리브레이션 방법은, 열처리 설비(1)를 캘리브레이션하기 위하여 층(27)의 두께 프로파일이 사용될 수 있다는 생각에 근거를 두고 있으며, 이는 시험 기판(25)을 가지고 두께 프로파일을 얻은 경우 다층 기판(15) 상에서 균일한 두께 프로파일을 얻게 될 것이 보장되기 때문이다.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 따라 열처리 설비를 캘리브레이션하기 위해 사용되는 캘리브레이션 두께 프로파일을 생성하는 방법을 나타내는 도면이다. 도 1, 2a 및 2b에서 나타낸 설비와 기판을 참조할 수 있다. 그 특성은 다시 반복되지 않으며, 참조에 의하여 포함된다. 그러나, 예를 들면 에피택셜 증착수단과 같은 다른 열처리 설비 및 기판도 물론 사용될 수 있다.
단계(S1)에서, 캘리브레이션될 열처리 설비(1)에 다층 기판(15)이 제공되어 지지 수단(11) 상에 배치된다. 그 후, 단계(S2)에서, 제어유닛(13)에 열처리 변수 세트가 제공된다. 그 후, 단계(S3)에서, 다층 기판(15) 상에 산화물층, 예를 들면 100 Å 의 두께를 갖는 층이 열적으로 형성된다. 이것은 챔버(3)에 산소를 제공함으로써 수행된다.
그 후, 단계(S4)에서, 열적으로 형성된 층(23)의 두께 프로파일을 결정한다. 이것은 예를 들면 엘립소메트리와 같은 표준 두께 측정방법을 이용하여 수행된다. 도 3b는 캘리브레이션되지 않은 상태의 두께 프로파일(31)을 점선으로 도시한다. 도 3b에서, 두께(d, Å 단위로 측정됨)가 y-축 상에 표시되며, x-축 상에는 다층 기판(15)의 중심까지의 거리가 표시된다. 실제, 다층 기판(15)의 직경에 걸쳐 두께를 나타내었지만, 물론 2차원의 두께 프로파일을 확립할 수도 있다. 도 3b에 나타낸 바와 같이, 캘리브레이션되지 않은 상태(non-calibrated state)에서 두께는 약 100 Å 의 폭 값 근처에서 변화하며, 이것은 열 분포가 균일하지 않다는 것을 가리킨다.
단계(S5)에서, 평평한 프로파일이 얻어졌는지 여부를 판정한다. (도 3b에 도시된 점선인) 균일하지 못한 두께 프로파일(31)을 얻은 경우에는 "아니오"가 판정되고, 그에 따라 프로세스는 단계(S6)가 계속되고, 제어 유닛(13)의 열공정 변수 세트는 수정된다. 두께가 100 Å 보다 더 큰 위치에 대해서, 해당 히터(5)는 더 작은 가열 전력을 제공하여야 하며, 두께가 100 Å 보다 작은 위치에서는 해당 히 터(5)에 의해 제공되어야 하는 전력은 더 커야 한다.
단계(S7)에서는, 열 처리 설비(1)에 새로운 다층 기판(15)이 제공되며, 수정된 열처리 변수의 세트로 단계(S3 및 S4)가 반복된다. 실제로, 단계(S5)에서 평평한 두께 프로파일(33)이 관측될 때까지, 단계(S3 내지 S7)이 반복된다. 도 3b의 실선은 이러한 다층 기판(15) 상의 평평하거나 균일한 두께 프로파일(33)을 도시한다. 이 경우에 열처리 설비(1)는 캘리브레이션 상태에 있다.
단계(S8)에서 캘리브레이션된 열처리 설비(1)에 시험 기판(이하 캘리브레이션 시험 기판이라 함; 25)이 제공되고 배치된다. 그 후, 단계(S9)에서, 도 3b에서 실선으로 도시한 바와 같이 다층 기판(15) 상에 균일한 두께 프로파일(33)이 얻어지는 열처리 변수 세트를 이용하여 캘리브레이션 시험 기판(25) 상에 층(27)이 형성된다.
그 후, 단계(S10)에서, 캘리브레이션 시험 기판(25) 상에 형성된 층(27)의 두께 프로파일을 다층 기판(15) 상에 형성된 층과 동일한 방식으로 결정한다. 해당 두께 프로파일(35)은 도 3c에 도시되며, 측정된 두께는 y-축 상에 표시되고 캘리브레이션 시험 기판(25)의 중심까지의 거리는 x-축 상에 표시된다. 다층 기판(15) 상에서 균일한 두께 프로파일(33)이 얻어지는 열처리 변수와 동일한 열처리 변수에 대하여 도 3c에 나타낸 바와 같이, 캘리브레이션 시험 기판(25) 상에서 다른 두께 프로파일(35)이 얻어진다. 이것은 시험 기판(25)과 다층 기판(15) 사이의 다른 구조에 기인하는 두 기판 사이의 열흡수 계수의 차이에 기인한다.
이하, 열처리 설비를 재 캘리브레이션하는 경우에는, 캘리브레이션 두께 프 로파일로서 본 명세서에서 최적 프로파일 또는 소정의 두께 프로파일로 지칭되는 이 프로파일(35)을 사용한다. (도 3c의 음영부분인) 가장자리 영역에서 도 3c에 도시된 두께 프로파일(35)과 도 3b에 도시한 균일한 두께 분포(33) 사이의 주요 차이점이 발견되기 때문에, 상기 캘리브레이션 시험 기판의 이 가장자리 영역의 두께 프로파일을 고해상도로 측정하는 것은 바람직하다.
그 후, 하나의 열처리 설비로부터 다른 열처리 설비로 용이하게 이전할 수 있도록 측정된 최적 프로파일(35)은 데이터베이스에 저장될 수 있다. 또한, 이 데이터베이스는 다른 유형의 다층 기판에 대한 최적 프로파일을 포함할 수 있다. 특히, 다른 재료 및 두께를 갖는 소자층(17), 예를 들면 다른 두께의 산화물층 및 다른 기저 기판(21)에 대한 최적 프로파일을 포함할 수 있다.
도 3d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 열처리 설비의 캘리브레이션을 위하여 사용되는 캘리브레이션 두께 프로파일을 생성하는 방법을 도시한다. 실제로, 평탄화의 목적으로 열처리 설비를 사용하는 경우, 제 1 실시예의 해당 공정 단계에 대하여 공정 단계(S3, S4, S5 및 S9)가 수정된다. 다른 단계들은 제 1 실시예와 동일하며, 이를 다시 반복하지 않지만 참조에 의하여 포함한다.
본 실시예의 단계(S3')에서는 퍼니스 챔버(3)에 산소를 제공하는 것 대신에, 수소(H2) 또는 아르곤(Ar)을 제공하여 표면 평판화 단계가 수행된다. SOI 기판 제조시, 예를 들면 이 단계는 제품의 표면 품질을 개선시키기 위하여 수행될 수 있다. 그러나, 캘리브레이션되지 않은 설비에 존재하는 열불균일성은 슬립 라인의 형성 및/또는 웨이퍼 변형을 초래하기 때문에, 캘리브레이션이 또한 필요하다. 그러므로, 단계(S4')에서 웨이퍼 변형 및 슬립 라인 형성을 측정하기 위하여 다층 기판이 분석된다. 이것은 표준 방법을 이용하여 수행된다. 그 후, 단계(S5')에서는, 열 불균일에 의하여 슬립 라인 및 또는 웨이퍼 변형이 일어나는 캘리브레이션되지 않은 설비에서 얻어지는 것과 비교하여, 그 결과가 요구되는 품질을 보증할 정도로 충분히 양호한지, 특히 슬립 라인의 수가 감소되었는지 및/또는 감소된 웨이퍼 변형이 관측되는지 여부를 판정한다. 품질이 양호하다면, 공정은 단계(S8)로 계속되며, 단계(S9')동안 상기 시험 기판 상에 산화물층을 형성하기 위하여 가스 공급은 산소(O2)로 전환된다. 그렇지 않은 경우에는, 공정은 상기한 바와 같이 단계(S6)로 계속된다.
일반적으로, 슬립 라인은 검사 수단을 사용하여 측정된다. 측정은 기판(웨이퍼)에 걸쳐 전체 밀리미터 단위로 표현된다. 최소화된 양의 슬립 라인, 특히 제로 슬립 라인을 얻는 것이 본 실시예에 따른 캘리브레이션의 목적이다.
일반적으로, 웨이퍼 변형은 워프(warp) 및 보우(bow) 측정에 의하여 측정되며, 캘리브레이션 동안 웨이퍼 변형이 고려된다면, 상기 변형(㎛ 단위로 표시됨)을 최소화함으로써 캘리브레이션을 최적화거나 제로 변형을 얻는 것이 본 실시예의 목적이다.
도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 열처리 설비를 캘리브레이션하는 방법을 도시한다. 다시, 도 1, 2a 및 2b에 나타낸 바와 같은 열처리 설비(1), 다층 기판 (15) 및 시험 기판(25)을 참조한다. 이들의 특성은 다시 반복되지 않지만, 참조로서 포함된다. 그러나, 다른 열처리 설비 및 기판이 물론 사용될 수 있다.
본 발명의 캘리브레이션 방법은 상술한 공정(도 3a 내지 3b 참조)에 의해 얻어지는 것과 같은 최적 프로파일(35)을 사용한다. 단계(S20)에서는, 캘리브레이션 시험 기판 상에서 최적 프로파일(35)이 얻어지는 것과 동일하거나 다른 열처리 설비일 수 있는 열처리 설비(1)에 시험 기판(25)이 제공된다. 그 후, 단계(S21)에서, 복수의 히터(5)를 구비하는 가열 장치를 제어하기 위하여 사용되는 열처리 설비(1)의 제어 유닛(13)에 열처리 변수 세트가 제공된다. 다른 실시예에서, 상기 열처리 변수 세트는 도 3a에 관하여 상술한 바와 같이 캘리브레이션 두께 프로파일을 생성하는 방법으로 최적 프로파일이 얻어지는 열처리 변수 세트일 수 있다. 물론, 이것은 캘리브레이션될 열처리 설비가 최적 프로파일이 얻어지는 것과 동일한 유형인 경우에만 가능하다.
그 후, 단계(S22)에서, 시험 기판(15)은 상부에 층을 형성하기 위하여 열처리된다. 그 후, 단계(S23)에서 엘립소메트리와 같은 표준 두께 측정을 사용하여 상기 층의 두께 프로파일을 결정한다. 도 4b에는 해당 두께 프로파일(37)이 도시되며, 상기 층의 두께는 y-축 상에 표시되고, 시험 기판(15)의 중심부에 대한 거리는 x-축 상에 표시된다. 결정된 두께 프로파일(37)은 도 4b 상의 점선으로 표시된다. 해당 최적 프로파일은 실선으로 표시되고, 도 3c에서 이미 표시된 것에 대응된다. 양 프로파일의 차이로부터, 열처리 설비는 재 캘리브레이션이 필요하다는 결론을 얻을 수 있다. 실제로, 상기 시험 기판 상의 층의 점선으로 된 두께 프로 파일(37)과 캘리브레이션 시험 기판 상의 캘리브레이션 층의 실선으로 된 소정의 두께 프로파일(35)이 서로 대응되는 경우에만, 상기 열처리 설비로 다층 기판 상에서 균일한 두께 프로파일(33)을 얻을 수 있거나, 다른 실시예에 따라서 감소된 특히 거의 없거나 전혀 없는 감소된 양의 슬립 라인 및/또는 감소된 웨이퍼 변형을 가진 다층 기판을 얻을 수 있다.
단계(S25)에서, 두께 프로파일이 서로 대응되는지 여부를 판정한다. 차이가 발견되는 경우에는, 열처리 설비를 캘리브레이션하는 방법은 단계(S26)로 계속된다. 이 단계는 가열 장치가 상기 캘리브레이션층의 두께 프로파일(37)과 소정의 두께 프로파일(35) 사이에서 관측되는 차이를 보상하기 위하여 가열 장치가 조절되도록, 열처리 변수 세트를 수정하는 것으로 이루어져 있다. 일단 이 단계가 수행되면, 캘리브레이션은 준비되고(단계(S27)), 캘리브레이션을 위한 공정은 종료된다. 그러나, 양 프로파일(35, 37)이 서로 대응한다면, 재 캘리브레이션이 필요하지 않으므로 캘리브레이션은 즉각적으로 종료된다.
또한, 다른 실시예에 따르면, 열처리 변수 세트를 수정하고(단계(S28)), 실제로 수정된 열처리 변수가 추가된 시험 기판 상에서 최적 프로파일에 대응하는 두께 프로파일이 얻어지도록 하는지를 검증하기 위하여, 단계(S22 내지 S24)가 다시 수행된다.
열처리 변수의 조절은 열처리 설비(1)의 가열 장치의 히터(5)에 의해서 제공되는 가열 전력을 변화시킴으로써 수행된다. 실제로, 각각의 히터(5)는 국지적 조절이 실현될 수 있도록 개별적으로 제어될 수 있다. 상기 가열 전력을 변화시키는 것은 직접적으로 상기 히터에 영향을 미침으로써 수행되거나, 기판 상의 온도를 측정하는 해당 프로브(7)의 오프셋을 변화시킴으로써 수행된다.
도면들에서, 시험 기판(25)으로서 SOI 다층 기판 및 Si 웨이퍼를 사용하여 열처리 설비(1)를 캘리브레이션하는 방법 및 캘리브레이션 두께 프로파일을 생성하는 방법을 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상기 선택된 재료에 한정되지 않으며, 다른 다층 기판 또는 시험 기판이 동일한 방식으로 사용될 수 있다. 또한, 이 경우에 다층 기판의 표면층과 동일한 재료를 구비하는 시험 기판 또는 다층 기판의 표면층과 동일한 결정 구조를 가진 시험 기판으로 캘리브레이션을 수행하는 것은 바람직하다. 벌크 기판을 구할 수 없거나 비교적 값 비싼 경우에는 여전히 값 싼 Si 웨이퍼가 시험 기판으로서 사용될 수 있다.
개시된 열처리 설비를 캘리브레이션하는 방법 및 두께 프로파일을 생성하는 방법은 특히 열처리 설비가 예를 들면 수소 또는 아르곤 또는 수소와 아르곤의 혼합 가스 분위기에서 급속 열처리 또는 급속 열산화 처리를 위하여 사용되는 경우에 유용하다. 이러한 처리를 하기 위해서는 고온이 관련되고 균일한 온도 분포의 작은 편차도 형성되거나 어닐링된 층의 품질에 영향을 줄 수 있기 때문에, 양호하게 캘리브레이션된 설비가 필요하다.
마지막으로, 도 2a에 도시된 다층 기판(15) 상에서 균일한 두께 프로파일을 갖는 층(23)이 얻어지는 열처리 변수 세트로 열적으로 형성된 층이 얻어지기 때문에, 도 2b에 나타낸 바와 같은 최적 프로파일을 갖는 층(27)을 구비하는 시험 기판(25)은 본 발명의 일실시예에 따른 캘리브레이션 시험 기판을 대표한다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 열처리 설비의 캘리브레이션 방법은, 값 비싼 다층 기판과 대조되는 다른 구조를 갖는 시험 기판을 사용하여 최적 두께 프로파일과 시험 기판 상의 두께 프로파일을 비교함으로써 열처리 설비에 최적화되고 경제적인 캘리브레이션을 제공한다.
Claims (17)
- 가열 장치를 포함하고 다층 기판의 열처리를 위하여 사용되는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법에 있어서,a) 상기 다층 기판(15)과 대비되는 다른 구조를 갖는 시험 기판(25)을 제공하는 단계;b) 상기 시험 기판(25)을 열처리 변수 세트를 사용하여 열처리함으로써 상기 시험 기판(25) 상에 두께 프로파일(37)을 갖는 층(27)을 형성하는 단계;c) 캘리브레이션 시험 기판 상의 캘리브레이션층의 소정의 두께 프로파일(35)과 상기 두께 프로파일(37)을 비교하는 단계; 및d) 상기 가열 장치(5)가 상기 두께 프로파일(37)과 상기 소정의 두께 프로파일(35) 사이의 차이를 보상하도록 조절되기 위하여, 상기 열처리 변수 세트를 수정하는 단계를 포함하며,상기 캘리브레이션 시험 기판 상의 캘리브레이션층의 소정의 두께 프로파일은 다층 기판 상의 층의 균일한 두께 프로파일 또는 동일한 소정의 열처리 조건 세트로 처리될 때 감소된 슬립 라인 및/또는 감소된 변형이 관측되는 다층 기판에 대응되는 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법
- 제 1 항에 있어서,상기 단계 b)의 상기 열처리 변수 세트는 소정의 열처리 조건 세트에 대응되 는 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 소정의 두께 프로파일(35)은 다른 열처리 설비(1)에서 얻어진 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 단계 d) 이후에, 상기 캘리브레이션을 검증하기 위하여, 제 2 시험 기판이 제공되고, 수정된 열처리 변수 세트에 따라 열처리 되는 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 가열 장치는 상기 시험 기판(25)을 국지적으로 가열하기 위한 복수의 히터들(5) 및 상기 시험 기판(25)의 온도를 국지적으로 측정하기 위한 복수의 프로브(7)들을 포함하며,상기 단계 d)에서, 상기 복수의 히터들(5)로부터 각각 제공되는 가열 전력은 개별적으로 조절되는 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 각각의 히터(5)의 상기 가열 전력은 상기 각각의 복수의 프로브들(7)의 오프셋 값을 개별적으로 수정함으로써 개별로 조절되는 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 다층 기판(15)의 표면층(17) 및 상기 시험 기판(25)은 동일한 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 다층 기판(15)의 표면층(17) 및 상기 시험 기판(25)은 동일한 결정 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 다층 기판(15)은 실리콘온절연체(SOI)형 웨이퍼이고, 상기 시험 기판(25)은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 열처리는 급속 열어닐링 처리 또는 급속 열산화 처리인 것을 특징으로 하는 열처리 설비의 캘리브레이션 방법.
- 다층 기판(15)을 열처리하기 위한 가열 장치(5)를 포함하는 열처리 설비(1) 를 캘리브레이션하기 위하여 사용되며, 특히 청구항 1항 내지 제 10 항에 기재된 캘리브레이션 방법에서 사용되는 캘리브레이션 두께 프로파일의 생성 방법에 있어서,a) 열처리하는 동안 다층 기판(15) 상에 균일한 두께 프로파일(33)을 갖는 층(23)이 형성되거나, 감소된 슬립 라인 및/또는 감소된 변형을 갖는 다층 기판(15)을 얻도록, 가열 장치(5)를 캘리브레이션하는 단계;b) 상기 해당하는 열처리 변수 세트를 분석하는 단계;c) 상기 다층 기판(15)과 비교시, 다른 구조를 갖는 캘리브레이션 시험 기판(25)을 제공하는 단계;d) 상기 해당하는 열처리 변수 세트를 사용하여 상기 캘리브레이션 시험 기판(25)을 열처리함으로써, 상기 캘리브레이션 시험 기판(25) 상에 캘리브레이션 두께 프로파일을 갖는 층(27)을 형성하는 단계; 및e) 상기 캘리브레이션 두께 프로파일(35)을 결정하는 단계를 포함하는 캘리브레이션 두께 프로파일의 생성 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 단계 e)에서, 상기 캘리브레이션 두께 프로파일(35)은 상기 캘리브레이션 시험 기판(25)의 중심 영역에서보다 상기 캘리브레이션 시험 기판(25)의 가장자리에서 고해상도로 결정되는 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 두께 프로파일의 생성 방법.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 캘리브레이션 두께 프로파일(35)은 복수의 다른 다층 기판(15)에 대하여 결정되는 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 두께 프로파일의 생성 방법.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 캘리브레이션 두께 프로파일(35)을 데이터 베이스에 저장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 두께 프로파일의 생성 방법.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 다층 기판(15)은 실리콘온절연체(SOI)형 웨이퍼이고, 상기 시험 기판(25)은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 두께 프로파일의 생성 방법.
- 어느 하나의 주요 표면 상에서 열적으로 형성된 소정의 두께 프로파일(35)을 갖는 층(27)을 포함하며,상기 열적으로 형성된 층(27)은 다층 기판(15) 상에 균일한 두께 프로파일(33)을 갖는 층(23)이 얻어지거나 감소된 슬립 라인 및/또는 감소된 변형을 갖는 다층 기판이 얻어지는 열처리 변수 세트로 얻어지는 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 시험 기판.
- 제 16 항에 있어서,상기 다층 기판(15)은 실리콘온절연체(SOI)형 웨이퍼이고, 상기 시험 기판(25)은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 시험 기판.
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