JP2010059497A - 成膜装置、成膜方法、並びにこの成膜方法を成膜装置に実施させるプログラム及びこれを記憶するコンピュータ可読記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜装置は、容器内の回転可能なサセプタ2;サセプタ2の一の面に設けた基板載置領域24;独立に制御可能な複数の加熱部を含み、サセプタを加熱する加熱ユニット7;サセプタにおける複数の加熱部により加熱される部分の温度を独立に測定する放射温度計8O〜8I;一の面に第1反応ガスを供給する第1反応ガス供給部31;第1反応ガス供給部31と離間し、一の面に第2反応ガスを供給する第2反応ガス供給部32;第1反応ガス供給部31と第2反応ガス供給部32の間の分離領域D;一の面に沿って第1分離ガスを吐出する吐出孔を含む中央領域C;排気口62を備える。分離領域Dは、第2分離ガスを供給する分離ガス供給部41と、第2分離ガスが流れる狭隘な空間をサセプタ2上方に形成する天井面とを含む。
【選択図】図4
Description
・真空容器1の圧力: 1067Pa(8Torr)
・ウエハ温度: 約350℃
・BTBASガスの流量: 約100sccm(標準立方センチメートル毎分)
・O3ガスの流量: 約10000sccm
・分離ガス41,42からのN2ガスの流量: 約20000sccm
・ガス供給管51からのN2ガスの流量: 約5000sccm
・サセプタ2の回転数: 600回(膜厚に依存する)
<実験例>
次に、ヒータユニット7による温度制御の効果を検証するために行った実験の結果について説明する。図22(a)(b)は、サセプタ2およびその上に載置されるウエハの温度分布を示すグラフである。両図において、左縦軸はサセプタ2またはウエハの温度を示し、右縦軸はヒータユニット7への供給電力を定格に対する割合(%)を示し、横軸はサセプタ2の中心からの距離を示している。横軸の下には、サセプタ2と、その上に載置されるウエハWと、ヒータユニット7の環状ヒータエレメント7a〜7hとが模式的に図示されている。
2 サセプタ
4、30、400 凸状部
5 突出部
6 排気領域
7 ヒータユニット
7a〜7h 環状ヒータエレメント
7O アウターヒータ
7C センターヒータ
7I インナーヒータ
8O,8C,8I 放射温度計
11 天板
12 容器本体
14 底部
14a 隆起部
14b 貫通孔
14c 導入ポート
14d 貫通孔
15 搬送口
21 コア部
22 回転軸
31 第1の反応ガスノズル
32 第2の反応ガスノズル
41,42 分離ガスノズル
51 分離ガス供給管
72,73 パージガス供給管
81 支柱
82 回転スリーブ
W ウエハ
P1 第1の処理領域
P2 第2の処理領域
C 中心領域
Claims (10)
- 容器内にて、互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを実行して反応生成物の層を当該基板上に生成することにより膜を堆積する成膜装置であって、
前記容器に回転可能に設けられたサセプタと、
前記サセプタの一の面に設けられ、前記基板が載置される基板載置領域と、
独立に制御可能な複数の加熱部を含み、前記サセプタを加熱する加熱ユニットと、
前記複数の加熱部に対応して設けられ、前記サセプタにおける前記複数の加熱部により加熱される部分の温度を独立に測定する複数の放射温度計と、
前記一の面に第1の反応ガスを供給するよう構成された第1の反応ガス供給部と、
前記サセプタの回転方向に沿って前記第1の反応ガス供給部から離れた、前記一の面に第2の反応ガスを供給するよう構成された第2の反応ガス供給部と、
前記回転方向に沿って、前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と前記第2の反応ガスが供給される第2の処理領域との間に位置し、前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とを分離する分離領域と、
前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とを分離するために、前記容器のほぼ中央に位置し、前記一の面に沿って第1の分離ガスを吐出する吐出孔を有する中央領域と、
前記容器を排気するために前記容器に設けられた排気口と、
を備え、
前記分離領域が、第2の分離ガスを供給する分離ガス供給部と、前記第2の分離ガスが前記回転方向に対し前記分離領域から前記処理領域側へ流れることができる狭隘な空間を、前記回転テーブルの前記一の面に対して形成する天井面と、を含む成膜装置。 - 前記複数の放射温度計による、前記複数の加熱部により加熱される部分の温度の測定が、前記サセプタの前記一の面と反対側の他の面において行われる、請求項1に記載の成膜装置。
- 前記複数の放射温度計に対応して設けられ、対応する放射温度計により測定される温度に基づいて、独立して信号を出力する複数の温度調整器と、
前記複数の温度調整器に対応して設けられ、対応する温度調整器からの前記信号に基づいて、当該温度調整器に対応する放射温度計により温度が測定される、前記サセプタの部分を加熱する加熱部に対して独立に電力を供給する複数の電力供給源と、
を更に備える、請求項1または2に記載の成膜装置。 - 前記サセプタの前記他の面に対面して当該他の面との間に空間を形成する板状部材を更に備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記他の面と前記板状部材との間の前記空間にパージガスを供給するパージガス供給管を更に備える、請求項1から4のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記複数の加熱部が抵抗加熱体により構成される、請求項1から5のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 容器内にて、互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを実行して反応生成物の層を当該基板上に生成することにより膜を堆積する成膜方法であって、
前記成膜装置の容器内に回転可能に設けられ、一の面に基板載置領域を有するサセプタに前記基板を載置するステップと、
前記基板が載置されたサセプタを回転するステップと、
独立に制御可能な複数の加熱部を含み、前記サセプタを加熱する加熱ユニットを用いて前記サセプタを加熱するステップと、
前記複数の加熱部に対応して設けられ、前記サセプタにおける前記複数の加熱部により加熱される部分の温度を独立に測定する複数の放射温度計を用いて、当該部分の温度を測定するステップと、
前記第1の反応ガス供給部から前記一の面に第1の反応ガスを供給するステップと、
前記サセプタの回転方向に沿って前記第1の反応ガス供給部から離れた第2の反応ガス供給部から前記一の面に第2の反応ガスを供給するステップと、
前記第1の反応ガス供給部から前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と前記第2の反応ガス供給部から前記第1の反応ガスが供給される第2の処理領域との間に位置する分離領域に設けられた分離ガス供給部から、第1の分離ガスを供給し、前記分離領域の天井面と前記回転テーブルとの間に形成される狭隘な空間において前記回転方向に対し前記分離領域から前記処理領域側に前記第1の分離ガスを流すステップと、
前記容器の中央部に位置する中央部領域に形成される吐出孔から第2の分離ガスを供給するステップと、
前記容器内を排気するステップと、
を備える成膜方法。 - 前記測定するステップにおいて前記複数の放射温度計により測定された複数の測定値に基づいて、前記サセプタの温度を制御するステップを更に備える、請求項7に記載の成膜方法。
- 請求項7又は8に記載の成膜方法を請求項1から6のいずれか一項に記載の成膜装置に実施させるプログラム。
- 請求項7又は8に記載の成膜方法を請求項1から6のいずれか一項に記載の成膜装置に実施させるプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
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