JP5173684B2 - 成膜装置、成膜方法、並びにこの成膜方法を成膜装置に実施させるプログラム及びこれを記憶するコンピュータ可読記憶媒体 - Google Patents
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Description
・真空容器1の圧力: 1067Pa(8Torr)
・ウエハ温度: 約350℃
・BTBASガスの流量: 約100sccm(標準立方センチメートル毎分)
・O3ガスの流量: 約10000sccm
・分離ガス41,42からのN2ガスの流量: 約20000sccm
・ガス供給管51からのN2ガスの流量: 約5000sccm
・サセプタ2の回転数: 600回(膜厚に依存する)
この実施形態による成膜装置によれば、成膜装置が、BTBASガスが供給される第1の処理領域と、O3ガスが供給される第2の処理領域との間に、低い天井面44を含む分離領域Dを有しているため、BTBASガス(O3ガス)が第2の処理領域P2(第1の処理領域P1)へ流れ込むのが防止され、O3ガス(BTBASガス)と混合されるのが防止される。したがって、ウエハWが載置されたサセプタ2を回転させて、ウエハWを第1の処理領域P1、分離領域D、第2の処理領域P2、および分離領域Dを通過させることにより、MLD(ALD)モードでの酸化シリコン膜の成膜が確実に実施される。また、BTBASガス(O3ガス)が第2の処理領域P2(第1の処理領域P1)へ流れ込みO3ガス(BTBASガス)と混合するのを更に確実に防止するため、分離領域Dは、N2ガスを吐出する分離ガスノズル41,42を更に含む。さらに、この実施形態による成膜装置の真空容器1は、N2ガスが吐出される吐出孔を有する中心部領域Cを有しているため、中心部領域Cを通ってBTBASガス(O3ガス)が第2の処理領域P2(第1の処理領域P1)へ流れ込みO3ガス(BTBASガス)と混合されるのを防止することができる。さらにまた、BTBASガスとO3ガスが混合されないため、サセプタ2への酸化シリコンの堆積が殆ど生じず、よって、パーティクルの問題を低減することができる。
2 サセプタ
4、30、400 凸状部
5 突出部
6 排気領域
7 ヒータ
11 天板
12 容器本体
14 底部
14a 隆起部
14b 貫通孔
14c 導入ポート
15 搬送口
21 コア部
22 回転軸
31 第1の反応ガスノズル
32 第2の反応ガスノズル
41,42 分離ガスノズル
51 分離ガス供給管
72,73 パージガス供給管
80 放射温度計
W ウエハ
P1 第1の処理領域
P2 第2の処理領域
C 中心領域
Claims (14)
- 容器内にて、互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを実行して反応生成物の層を当該基板上に生成することにより膜を堆積する成膜装置であって、
前記基板を放射加熱するよう構成される加熱部と、
前記成膜装置の容器内に回転可能に設けられるサセプタと、
前記サセプタの一の面に設けられ、前記基板が載置される基板載置領域と、
前記一の面に第1の反応ガスを供給するよう構成される第1の反応ガス供給部と、
前記サセプタの回転方向に沿って前記第1の反応ガス供給部から離れた、前記一の面に第2の反応ガスを供給するよう構成される第2の反応ガス供給部と、
前記回転方向に沿って、前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と前記第2の反応ガスが供給される第2の処理領域との間に位置し、前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とを分離する分離領域と、
前記第1の処理領域と前記第2の処理領域とを分離するために、前記容器のほぼ中央に位置し、前記一の面に沿って第1の分離ガスを吐出する吐出孔を有する中央領域と、
前記容器内を排気するために前記容器に設けられた排気口と、
を備え、
前記分離領域が、第2の分離ガスを供給する分離ガス供給部と、前記第2の分離ガスが前記回転方向に対し前記分離領域から前記処理領域側へ流れることができる狭隘な空間を、前記サセプタの前記一の面に対して形成する天井面と、を含む成膜装置。 - 前記基板載置領域が前記加熱部からの放射を透過することができる、請求項1に記載の成膜装置。
- 前記サセプタにおいて、前記一の面における前記基板載置領域を除く領域と、前記一の面と反対の面における前記基板載置領域に面しない領域との一方または双方が粗面化されている、請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 前記粗面化がサンドブラストによりなされる、請求項3に記載の成膜装置。
- 前記基板載置領域に載置される前記基板の温度を測定する放射温度計を更に備える、請求項1から4のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記基板載置領域が前記一の面に形成された凹部であり、当該凹部に載置されるウエハの表面と当該凹部の周囲の表面との間の高さの差が5mm以下である、請求項1から5のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 容器内にて、互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを実行して反応生成物の層を当該基板上に生成することにより膜を堆積する成膜方法であって、
前記成膜装置の容器内に回転可能に設けられ、一の面に基板載置領域を有するサセプタに前記基板を載置するステップと、
前記基板が載置されたサセプタを回転するステップと、
前記基板を放射加熱するステップと、
前記第1の反応ガス供給部から前記一の面に第1の反応ガスを供給するステップと、
前記サセプタの回転方向に沿って前記第1の反応ガス供給部から離れた第2の反応ガス供給部から前記一の面に第2の反応ガスを供給するステップと、
前記第1の反応ガス供給部から前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と前記第2の反応ガス供給部から前記第1の反応ガスが供給される第2の処理領域との間に位置する分離領域に設けられた分離ガス供給部から、第2の分離ガスを供給し、前記分離領域の天井面と前記サセプタとの間に形成される狭隘な空間において前記回転方向に対し前記分離領域から前記処理領域側に前記第2の分離ガスを流すステップと、
前記容器の中央部に位置する中央部領域に形成される吐出孔から第1の分離ガスを供給するステップと、
前記容器内を排気するステップと、
を備える成膜方法。 - 前記基板載置領域が前記加熱部からの放射を透過することができる、請求項7に記載の成膜方法。
- 前記サセプタにおいて、前記一の面における前記基板載置領域を除く領域と、前記一の面と反対の面における前記基板載置領域に面しない領域との一方または双方が粗面化されている、請求項7又は8に記載の成膜方法。
- 前記粗面化がサンドブラストによりなされる、請求項9に記載の成膜方法。
- 前記基板載置領域に載置される基板の温度を放射温度計により測定する工程を更に含む、請求項7から10のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記基板載置領域が前記一の面に形成された凹部であり、当該凹部に載置されるウエハの表面と当該凹部の周囲の表面との間の高さの差が5mm以下である、請求項7から11のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載の成膜装置に請求項7から12のいずれか一項に記載の成膜方法を実施させるプログラム。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載の成膜装置に請求項7から12のいずれか一項に記載の成膜方法を実施させるプログラムを格納するコンピュータ可読記憶媒体。
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- 2009-09-04 CN CN200910172124.7A patent/CN101665925B/zh active Active
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