JP2011096986A - 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回転テーブル2を回転させてウエハW上にBTBASガスを吸着させ、次いでウエハWの表面にO3ガスを供給してウエハWの表面に吸着したBTBASガスを酸化させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、ウエハWを加熱してシリコン酸化膜を生成させるための加熱手段として、回転テーブル2の内周側から外周側に亘って帯状にレーザ光を照射するレーザ照射部201を用いる。
【選択図】図2
Description
例えば特許文献1及び特許文献4には、ウエハを加熱する方法としてレーザ光を用いる技術が記載されているが、具体的な装置構成については触れられていない。
真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられ、基板を載置するための基板載置領域を有するテーブルと、
このテーブル上の前記基板に第1の反応ガスを供給するための第1の反応ガス供給手段と、
前記テーブル上の前記基板に第2の反応ガスを供給するための第2の反応ガス供給手段と、
前記基板載置領域に対向するようにかつ前記基板載置領域上の基板における前記テーブルの中心側の端部と前記テーブルの外周側の端部との間に亘って帯状にレーザ光を照射するように設けられ、前記基板上にて第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させて反応生成物を生成させるためのレーザ照射部と、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記レーザ照射部と前記テーブルとを相対的に回転させるための回転機構と、
前記真空容器内を排気するための真空排気手段と、を備え、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記レーザ照射部は、前記相対的な回転時に前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域、前記第2の反応ガスが供給される第2の処理領域及び前記レーザ光が照射される照射領域の順に基板が位置するように配置されていることを特徴とする。
前記レーザ照射部は、第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させる代わりに、前記基板上の前記反応生成物を改質するためのものであっても良い。
前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との雰囲気を分離するために、前記テーブルの相対的回転方向においてこれら処理領域の間に各々設けられ、分離ガス供給手段から分離ガスが供給される分離領域を備え、
前記照射領域は、前記第2の処理領域と、当該第2の処理領域の前記相対的回転方向下流側に位置する分離領域と、の間に配置されていることが好ましい。
真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜方法において、
真空容器内に設けられたテーブルの基板載置領域に基板を載置する工程と、
前記真空容器内を真空排気する工程と、
第1の反応ガス供給手段、第2の反応ガス供給手段及びレーザ照射部と前記テーブルとを相対的に回転させる工程と、
前記テーブル上の基板に前記第1の反応ガス供給手段から第1の反応ガスを供給する工程と、
前記テーブル上の基板に前記第2の反応ガス供給手段から第2の反応ガスを供給する工程と、
次いで、前記レーザ照射部から、前記基板における前記テーブルの中心側の端部と前記テーブルの外周側の端部との間に亘って帯状にレーザ光を照射することにより、前記基板上にて第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させて反応生成物を生成させる工程と、を含むことを特徴とする。
前記反応生成物を生成させる工程は、第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させて反応生成物を生成させる代わりに、前記基板上の前記反応生成物を改質する工程であっても良い。
前記基板を載置する工程の後に、前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と前記第2の反応ガスが供給される第2の処理領域との雰囲気を分離するために、前記テーブルの相対的回転方向においてこれら処理領域の間に各々設けられた分離領域に対して分離ガス供給手段から分離ガスを供給する工程を行うことが好ましい。
真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、上記いずれか一つに記載の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
この光源202から照射されるレーザ光の照射エネルギー密度について説明すると、レーザ照射エネルギー密度[J/cm2]は、電力密度[W/cm2]と照射時間[sec]との積で表される。電力密度は、レーザ光の電力をP[W]、レーザ光の照射エリア(後述の照射領域P3)の面積をS[cm2]とすると、P/Sとなる。また、照射時間は、照射エリアの弧の長さと回転テーブル2の周速度(回転テーブル2の回転数に比例する値)とで表され、当該弧の長さをl[cm]、回転テーブル2の半径をr(cm)、回転テーブル2の回転数をN[rpm]とすると、60l/(2πrN)となる。従って、上記の照射エネルギー密度は、実際にはレシピや装置の寸法を考慮に入れて設定されることになる。また、この照射エネルギー密度は、図6に示すように、例えばウエハW表面の測定結果により、ウエハWの温度に対してほぼリニアな比例関係となっていると予測されるため、既述の範囲に設定されている。
こうしてウエハWが帯状に形成された照射領域P3を通過することにより、面内に亘ってシリコン酸化膜の成膜処理と改質処理とが行われることになる。そして、回転テーブル2の回転によりBTBASガスの吸着と、BTBASガスの酸化と、成膜処理及び改質処理と、が行われてシリコン酸化膜が順次積層されていき、ウエハWの面内に亘って、更には膜厚方向において、緻密で且つウェットエッチングに対する耐性が高い薄膜が形成されることになる。
なお、回転テーブル2の下方側をN2ガスによりパージしているため、排気領域Eに流入したガスが回転テーブル2の下方側を潜り抜けて、例えばBTBASガスがO3ガスの供給領域に流れ込むといったおそれは全くない。
更に、例えばウエハWの表面にパターンが形成されている場合には、ウエハWを加熱するための加熱手段としてレーザ光を用いることにより、パターン内部までレーザ光を到達させて面内に亘って均質な成膜処理及び改質処理を行うことができる。
1 真空容器
2 回転テーブル
31 第1の反応ガスノズル
32 第2の反応ガスノズル
41、42 分離ガスノズル
61、62 排気口
P1 第1の処理領域
P2 第2の処理領域
P3 照射領域
201 レーザ照射部
202 光源
203 光学部材
204 電源
206 透明窓
Claims (9)
- 真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられ、基板を載置するための基板載置領域を有するテーブルと、
このテーブル上の前記基板に第1の反応ガスを供給するための第1の反応ガス供給手段と、
前記テーブル上の前記基板に第2の反応ガスを供給するための第2の反応ガス供給手段と、
前記基板載置領域に対向するようにかつ前記基板載置領域上の基板における前記テーブルの中心側の端部と前記テーブルの外周側の端部との間に亘って帯状にレーザ光を照射するように設けられ、前記基板上にて第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させて反応生成物を生成させるためのレーザ照射部と、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記レーザ照射部と前記テーブルとを相対的に回転させるための回転機構と、
前記真空容器内を排気するための真空排気手段と、を備え、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記レーザ照射部は、前記相対的な回転時に前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域、前記第2の反応ガスが供給される第2の処理領域及び前記レーザ光が照射される照射領域の順に基板が位置するように配置されていることを特徴とする成膜装置。 - 前記レーザ照射部は、前記基板上に反応生成物を生成させることに加えて、当該反応生成物の改質を行うためのものであることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記レーザ照射部は、第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させる代わりに、前記基板上の前記反応生成物を改質するためのものであることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との雰囲気を分離するために、前記テーブルの相対的回転方向においてこれら処理領域の間に各々設けられ、分離ガス供給手段から分離ガスが供給される分離領域を備え、
前記照射領域は、前記第2の処理領域と、当該第2の処理領域の前記相対的回転方向下流側に位置する分離領域と、の間に配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜方法において、
真空容器内に設けられたテーブルの基板載置領域に基板を載置する工程と、
前記真空容器内を真空排気する工程と、
第1の反応ガス供給手段、第2の反応ガス供給手段及びレーザ照射部と前記テーブルとを相対的に回転させる工程と、
前記テーブル上の基板に前記第1の反応ガス供給手段から第1の反応ガスを供給する工程と、
前記テーブル上の基板に前記第2の反応ガス供給手段から第2の反応ガスを供給する工程と、
次いで、前記レーザ照射部から、前記基板における前記テーブルの中心側の端部と前記テーブルの外周側の端部との間に亘って帯状にレーザ光を照射することにより、前記基板上にて第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させて反応生成物を生成させる工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記反応生成物を生成させる工程は、反応生成物の生成に加えて、当該反応生成物の改質を行う工程であることを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 前記反応生成物を生成させる工程は、第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させて反応生成物を生成させる代わりに、前記基板上の前記反応生成物を改質する工程であることを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 前記基板を載置する工程の後に、前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と前記第2の反応ガスが供給される第2の処理領域との雰囲気を分離するために、前記テーブルの相対的回転方向においてこれら処理領域の間に各々設けられた分離領域に対して分離ガス供給手段から分離ガスを供給する工程を行うことを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、請求項5ないし8のいずれか一つに記載の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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