JPH0196924A - 熱ｃｖｄ法による製膜方法 - Google Patents
熱ｃｖｄ法による製膜方法Info
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- JPH0196924A JPH0196924A JP25541987A JP25541987A JPH0196924A JP H0196924 A JPH0196924 A JP H0196924A JP 25541987 A JP25541987 A JP 25541987A JP 25541987 A JP25541987 A JP 25541987A JP H0196924 A JPH0196924 A JP H0196924A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、熱エネルギーを利用して薄膜形成を行う熱Ｃ
ＶＤ法による製膜方法に関する。
ＶＤ法による製膜方法に関する。
従来の技術
熱エネルギーを利用して化学反応をおこし、基板上に薄
膜を形成する方法は従来からしばしば利用されてきた。
膜を形成する方法は従来からしばしば利用されてきた。
この方法は熱ＣＶＤ法と称せられている。熱ＣＶＤ法は
、反応を活性化するエネルギー源が熱エネルギーである
ことから、高真空を保持するための装置が必要なスパッ
タリング法やプラズマＣＶＤ法に比較して装置コストが
かからないという利点がある反面、多くの反応において
、高い反応温度を必要とするという欠点があり、また、
均一な膜質および膜厚に製膜するためには、基板表面お
よび基板直上の反応ガスの温度および流れを、適当に制
御することが必須である。このような技術的要請に対し
、従来は特にきわたった工夫をせず、もっばらノウハウ
的に反応管の形状や基板の加熱法を決定してきた。第２
図は、典型的な従来の熱ＣＶＤ炉を示す縦断面図である
。この炉においては、反応ガスの流れは反応管の入口お
よび出口にもうけたパルプ１０、バルブ１）によってし
か制御されず、また、反応ガスの温度は基板加熱台１２
の温度によって規定されるのみである。従って、この炉
を用いて均一な膜質および膜厚に製膜するためには、反
応管１３の形状に工夫するなどの、装置に応じたノウハ
ウが必要となる。ここに述べたような水平型反応炉以外
にも、垂直型反応炉、円筒型反応炉などの反応炉が従来
から用いられているが、反応ガスの温度および流れの制
御が十分に行われない点では、第２図に示した例と本質
的に変わるところはない。
、反応を活性化するエネルギー源が熱エネルギーである
ことから、高真空を保持するための装置が必要なスパッ
タリング法やプラズマＣＶＤ法に比較して装置コストが
かからないという利点がある反面、多くの反応において
、高い反応温度を必要とするという欠点があり、また、
均一な膜質および膜厚に製膜するためには、基板表面お
よび基板直上の反応ガスの温度および流れを、適当に制
御することが必須である。このような技術的要請に対し
、従来は特にきわたった工夫をせず、もっばらノウハウ
的に反応管の形状や基板の加熱法を決定してきた。第２
図は、典型的な従来の熱ＣＶＤ炉を示す縦断面図である
。この炉においては、反応ガスの流れは反応管の入口お
よび出口にもうけたパルプ１０、バルブ１）によってし
か制御されず、また、反応ガスの温度は基板加熱台１２
の温度によって規定されるのみである。従って、この炉
を用いて均一な膜質および膜厚に製膜するためには、反
応管１３の形状に工夫するなどの、装置に応じたノウハ
ウが必要となる。ここに述べたような水平型反応炉以外
にも、垂直型反応炉、円筒型反応炉などの反応炉が従来
から用いられているが、反応ガスの温度および流れの制
御が十分に行われない点では、第２図に示した例と本質
的に変わるところはない。
発明が解決しようとする問題点
このように、従来の熱ＣＶＤ法においては、基板表面お
よび基板直上の反応ガスの温度および流れを特に制御し
ていなかったために、均一な膜質および膜厚に製膜する
ためにはそれぞれの装置に応じた条件をノウハウ的に把
握することが必要であり、例えば基板の大きさを変えれ
ば製膜条件も変わるといった問題点があった。
よび基板直上の反応ガスの温度および流れを特に制御し
ていなかったために、均一な膜質および膜厚に製膜する
ためにはそれぞれの装置に応じた条件をノウハウ的に把
握することが必要であり、例えば基板の大きさを変えれ
ば製膜条件も変わるといった問題点があった。
本発明は、このような問題点を解決し、装置や基板の大
きさが変わっても均一な膜質および膜厚に製膜すること
ができる熱ＣＶＤ法による製膜方法を提供するものであ
る。
きさが変わっても均一な膜質および膜厚に製膜すること
ができる熱ＣＶＤ法による製膜方法を提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明は熱ＣＶＤ法によ
る製膜方法においては、基板と、反応ガスを噴出するノ
ズルとが、相対的に運動するという特徴を持っている。
る製膜方法においては、基板と、反応ガスを噴出するノ
ズルとが、相対的に運動するという特徴を持っている。
作用
本発明は上記した特徴によって、次のような作用を持つ
。
。
すなわち、基板と、反応ガスを噴出するノズルとが、相
対的に運動することにより、ノズル直下においての製膜
条件がノズルの移動した各部において実現され、ノズル
の移動した各部において同一の条件で製膜できる。これ
により、ノズルの移動した各部において均一な膜質およ
び膜厚に製膜できる。
対的に運動することにより、ノズル直下においての製膜
条件がノズルの移動した各部において実現され、ノズル
の移動した各部において同一の条件で製膜できる。これ
により、ノズルの移動した各部において均一な膜質およ
び膜厚に製膜できる。
実施例
以下本発明の一実施例における熱ＣＶＤ法による製膜方
法について、図面を参照しながら説明する。
法について、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における熱ＣＶＤ法による製
膜方法を示す概略図である０図中１は基板、２は反応管
、３は基板加熱台、４は反応ガスを噴出するノズル、５
は反応カスを排気するノズル、６は反応ガスを供給する
供給口、７は反応ガスを排気する排気口、８は４および
５により構成される反応ガス制御系を基板に対して相対
的に運動させるためのコロ、９は基板上のノズル直下の
製膜部である０反応ガスはａのごとく供給口６を通って
ノズル４により基板１に向けて噴出される。
膜方法を示す概略図である０図中１は基板、２は反応管
、３は基板加熱台、４は反応ガスを噴出するノズル、５
は反応カスを排気するノズル、６は反応ガスを供給する
供給口、７は反応ガスを排気する排気口、８は４および
５により構成される反応ガス制御系を基板に対して相対
的に運動させるためのコロ、９は基板上のノズル直下の
製膜部である０反応ガスはａのごとく供給口６を通って
ノズル４により基板１に向けて噴出される。
基板１は加熱台３によって反応に適当な温度に加熱され
ている。基板１に向けて噴出されたガスは、基板上のノ
ズル直下の部分９で反応を起こし膜を形成する。いった
ん膜に向けて噴出されたガスは、基板上の他の部分に滞
留することのないようにするために排気ノズル５から吸
い込まれ排気ロアからｂのごとく排気される。そのため
、排気ノズル５は噴出ノズル４よりも基板１に接近して
いて、かつ、排気ノズル５によって噴出ノズル４が包囲
された構成になっている０本実施例においては、噴出ノ
ズル４および排気ノズル５により構成される反応ガス制
御系が３組そなわっているが、制御系の数を増やすこと
によりスループットを向上させることは容易である。ま
た１組でも十分に機能をはたすことは容易に考えられる
。噴出ノズル４および排気ノズル５により構成される反
応ガス制御系は、コロ８の回転ｄによって基板ｌに対し
てＣのごとく相対的に運動している。この運動は、基板
面に平行ならば１次元的な走査であってもよいし２次元
的な走査であってもよく、また、走査は単数または複数
の往復であってもよいし片道であってもよい、いずれに
せよこの運動によって反応ガス噴出ノズル４の直下の製
膜部９が、基板１上を余すところなく移動するようにな
っている。
ている。基板１に向けて噴出されたガスは、基板上のノ
ズル直下の部分９で反応を起こし膜を形成する。いった
ん膜に向けて噴出されたガスは、基板上の他の部分に滞
留することのないようにするために排気ノズル５から吸
い込まれ排気ロアからｂのごとく排気される。そのため
、排気ノズル５は噴出ノズル４よりも基板１に接近して
いて、かつ、排気ノズル５によって噴出ノズル４が包囲
された構成になっている０本実施例においては、噴出ノ
ズル４および排気ノズル５により構成される反応ガス制
御系が３組そなわっているが、制御系の数を増やすこと
によりスループットを向上させることは容易である。ま
た１組でも十分に機能をはたすことは容易に考えられる
。噴出ノズル４および排気ノズル５により構成される反
応ガス制御系は、コロ８の回転ｄによって基板ｌに対し
てＣのごとく相対的に運動している。この運動は、基板
面に平行ならば１次元的な走査であってもよいし２次元
的な走査であってもよく、また、走査は単数または複数
の往復であってもよいし片道であってもよい、いずれに
せよこの運動によって反応ガス噴出ノズル４の直下の製
膜部９が、基板１上を余すところなく移動するようにな
っている。
従って、走査の速度や回数、ガスの流量を最適化するこ
とにより、装置や基板の大きさによらずに同一の条件で
基板１の全ての部分で製膜が行われることになり、均一
な膜質および膜厚で製膜することができる。なお、反応
ガス噴出ノズル４の横断面形状をスリット状にすれば、
走査の回数が減りスループットの向上がはかられる。
とにより、装置や基板の大きさによらずに同一の条件で
基板１の全ての部分で製膜が行われることになり、均一
な膜質および膜厚で製膜することができる。なお、反応
ガス噴出ノズル４の横断面形状をスリット状にすれば、
走査の回数が減りスループットの向上がはかられる。
このような特徴を持った熱ＣＶＤ法による製膜方法を用
いた製膜の具体例として、アモルファス・シリコン膜の
製膜について述べる０反応ガスとしては、キャリアガス
には水素ガスを、原料ガスにはジシランガスを用い、両
者の混合ガスを用いた。混合比は、水素ガス２０００ｓ
ｅｃｍに対してジシランガス１０１００５ｃである。第
１図の構成を持った反応炉において、噴出ノズル４の先
端と基板１との距離は１０ｍ、噴出ノズルの横断面形状
は１ｔｓ＊２００ｍｍのスリット状、排気ノズル５と基
板ｌとの距離は０，５龍、反応炉内部の雰囲気ガスは水
素ガスで、その圧力は５００Ｔｏｒｒに保つように排気
ノズル５からガスを排気している。
いた製膜の具体例として、アモルファス・シリコン膜の
製膜について述べる０反応ガスとしては、キャリアガス
には水素ガスを、原料ガスにはジシランガスを用い、両
者の混合ガスを用いた。混合比は、水素ガス２０００ｓ
ｅｃｍに対してジシランガス１０１００５ｃである。第
１図の構成を持った反応炉において、噴出ノズル４の先
端と基板１との距離は１０ｍ、噴出ノズルの横断面形状
は１ｔｓ＊２００ｍｍのスリット状、排気ノズル５と基
板ｌとの距離は０，５龍、反応炉内部の雰囲気ガスは水
素ガスで、その圧力は５００Ｔｏｒｒに保つように排気
ノズル５からガスを排気している。
基板１の大きさは１８０ｍ１３００ｍ、基板温度は４６
０℃に保たれている。噴出ノズル４および排気ノズル５
により構成されるカス制御系は３組そなわっており、走
査の速度は５ｍ／ｍｉｎ、走査は１２０寵の片道である
。このようにして噴出ノズル４の直下の製膜部９が基板
１上を余すところなく移動するようにして製膜したとこ
ろ、基板上には均一な膜厚で約３０００Ａのアモルファ
ス・シリコン膜が堆積した。Ｗｌ！厚の不均一は±１０
０Ａ程度であった。膜質の均一性もさまざまな物理、化
学、電気測定で確認された。
０℃に保たれている。噴出ノズル４および排気ノズル５
により構成されるカス制御系は３組そなわっており、走
査の速度は５ｍ／ｍｉｎ、走査は１２０寵の片道である
。このようにして噴出ノズル４の直下の製膜部９が基板
１上を余すところなく移動するようにして製膜したとこ
ろ、基板上には均一な膜厚で約３０００Ａのアモルファ
ス・シリコン膜が堆積した。Ｗｌ！厚の不均一は±１０
０Ａ程度であった。膜質の均一性もさまざまな物理、化
学、電気測定で確認された。
反応炉の大きさおよび基板の大きさを変えて上記の条件
で製膜した結果は、膜質および膜厚において上記のアモ
ルファス・シリコン膜の特性を良く再現していた。
で製膜した結果は、膜質および膜厚において上記のアモ
ルファス・シリコン膜の特性を良く再現していた。
これに対して、従来から用いられてきた反応炉で製膜し
た膜においては、膜厚において±２０％程度の不均一が
みられ、膜質にもばらつきがみられる。
た膜においては、膜厚において±２０％程度の不均一が
みられ、膜質にもばらつきがみられる。
このように本発明の熱ＣＶＤ法による製膜方法によれば
、均一な膜質および膜厚に製膜することができる。
、均一な膜質および膜厚に製膜することができる。
発明の効果
以上のように、本発明の熱ＣＶＤ法による製膜方法によ
れば、基板と、反応ガスを噴出するノズルとが、相対的
に運動することにより、装置や基板の大きさによらない
製膜条件で均一な膜質および膜厚に製膜することができ
るという効果がある。
れば、基板と、反応ガスを噴出するノズルとが、相対的
に運動することにより、装置や基板の大きさによらない
製膜条件で均一な膜質および膜厚に製膜することができ
るという効果がある。
第１図は本発明の熱ＣＶＤ法による製膜方法の一実施例
における熱ＣＶＤ炉の縦断面図、第２図は従来例におけ
る熱ＣＶＤ炉の縦断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・反応管、３・・・
・・・基板加熱台、４・・・・・・反応ガス噴出ノズル
、５・・・用反応ガス排気ノズル、６・・・・・・反応
ガス供給口、７・・・・・・反応ガス排気口、８・・・
・・・コロ、９・・・・・・製膜部、１ｏ・・・・・・
バルブ、１）・・・・・・バルブ、１２・・・・・・基
板加熱台、１３・・・・・・反応管、１４・・・・・・
基板。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名＋Ｎすψ□
−ト勃ン 第２図 ＋？ １４
における熱ＣＶＤ炉の縦断面図、第２図は従来例におけ
る熱ＣＶＤ炉の縦断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・反応管、３・・・
・・・基板加熱台、４・・・・・・反応ガス噴出ノズル
、５・・・用反応ガス排気ノズル、６・・・・・・反応
ガス供給口、７・・・・・・反応ガス排気口、８・・・
・・・コロ、９・・・・・・製膜部、１ｏ・・・・・・
バルブ、１）・・・・・・バルブ、１２・・・・・・基
板加熱台、１３・・・・・・反応管、１４・・・・・・
基板。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名＋Ｎすψ□
−ト勃ン 第２図 ＋？ １４
Claims (7)
- （１）基板と、反応ガスを噴出するノズルとが、相対的
に運動することを特徴とする熱ＣＶＤ法による製膜方法
。 - （２）反応ガスを噴出するノズルが、少なくとも１本あ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の熱
ＣＶＤ法による製膜方法。 - （３）基板と、反応ガスを噴出するノズルとが、相対的
に運動することにより、反応ガスを噴出するノズルが基
板直上を余すところなく移動することを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の熱ＣＶＤ法による製膜方法
。 - （４）反応ガスを噴出するノズルが、基板に対して垂直
であり、かつ基板に対して間隔をもっていることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の熱ＣＶＤ法によ
る製膜方法。 - （５）反応ガスを噴出するノズルの横断面形状が、スリ
ット状であることを特徴とする特許請求の範囲第（４）
項記載の熱ＣＶＤ法による製膜方法。 - （６）反応ガスを噴出するノズルと、反応ガスを排気す
るノズルが、隣接していて、かつ反応ガスを排気するノ
ズルが、反応ガスを噴出するノズルを包囲していること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の熱ＣＶＤ
法による製膜方法。 - （７）反応ガスを排気するノズルの先端が、反応ガスを
噴出するノズルの先端よりも基板に接近していることを
特徴とする特許請求の範囲第（６）項記載の熱ＣＶＤ法
による製膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25541987A JPH0196924A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 熱ｃｖｄ法による製膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25541987A JPH0196924A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 熱ｃｖｄ法による製膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196924A true JPH0196924A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17278499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25541987A Pending JPH0196924A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 熱ｃｖｄ法による製膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196924A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227158U (ja) * | 1989-08-18 | 1990-02-22 | ||
| JPH0227156U (ja) * | 1989-08-18 | 1990-02-22 | ||
| US7077911B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | MOCVD apparatus and MOCVD method |
| US20100037820A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor Deposition Reactor |
| US8691669B2 (en) | 2008-08-13 | 2014-04-08 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
| US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US8895108B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-11-25 | Veeco Ald Inc. | Method for forming thin film using radicals generated by plasma |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP25541987A patent/JPH0196924A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227158U (ja) * | 1989-08-18 | 1990-02-22 | ||
| JPH0227156U (ja) * | 1989-08-18 | 1990-02-22 | ||
| JPH0535410Y2 (ja) * | 1989-08-18 | 1993-09-08 | ||
| US7077911B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | MOCVD apparatus and MOCVD method |
| US20100037820A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor Deposition Reactor |
| US8691669B2 (en) | 2008-08-13 | 2014-04-08 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| US8895108B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-11-25 | Veeco Ald Inc. | Method for forming thin film using radicals generated by plasma |
| US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
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