JP2001521293A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2001521293A5 JP2001521293A5 JP2000518129A JP2000518129A JP2001521293A5 JP 2001521293 A5 JP2001521293 A5 JP 2001521293A5 JP 2000518129 A JP2000518129 A JP 2000518129A JP 2000518129 A JP2000518129 A JP 2000518129A JP 2001521293 A5 JP2001521293 A5 JP 2001521293A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cracker
- chuck
- reactor
- precursor
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 235000012495 crackers Nutrition 0.000 description 27
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 102000014961 Protein Precursors Human genes 0.000 description 5
- 108010078762 Protein Precursors Proteins 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012048 reactive intermediate Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 前駆物質を解離する亀裂器、蒸着領域、ウェファ保持用に適応され前記蒸着領域内に位置されたチャック、および亀裂器とチャック間に位置された移動可能流れパターン調節器を有する、
ことを特徴とする薄膜製作用輸送蒸着システム(反応器)。
【請求項2】 前駆物質を解離する亀裂器、蒸着領域、ウェファ保持用に適応され前記蒸着領域内に位置されたチャック、および亀裂器とチャック間に位置された拡散プレートを有する、
ことを特徴とする薄膜製作用輸送蒸着システム。
【請求項3】 前駆物質を解離する亀裂器、蒸着領域、ウェファ保持用に適応され前記蒸着領域内に位置されたチャック、および流れパターン調節器、および拡散プレートを有し、ここでチャック、流れパターン調節器、および拡散プレートの少なくとも二つは移動可能である、
ことを特徴とする薄膜製作用輸送蒸着システム。
【請求項4】 亀裂器を囲む非金属性の透明な外側シェル、反応性中間物を発生するように前駆物質を解離するため亀裂器に放射エネルギーを与える光源、亀裂器内に前駆物質を導入する入口ポート、および亀裂器から製品を除去する出口ポートを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応チャンバー。
【請求項5】 亀裂器は更に亀裂器を少なくとも部分的に囲む水素膜を有する、
ことを特徴とする請求項4に記載の反応チャンバー。
【請求項6】 亀裂器を囲む外側シェル、反応性中間物を発生するように前駆物質を解離するため亀裂器に放射エネルギーを与えるエネルギー源、亀裂器内に前駆物質を導入する入口ポート、および亀裂器から製品を除去する出口ポートを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応チャンバー。
【請求項7】 前駆物質源、
前駆物質を処理するように適応された亀裂器、
前駆物質を解離するために亀裂器と関連するエネルギー源、ここでエネルギー源は赤外線放射、紫外線放射、真空紫外線放射、無線周波発生器およびマイクロ波発生器の一つを含み、および
ウェファを支持するように適応されたチャックを有する、
ことを特徴とする弗化ポリマー薄膜製作用に使用される反応器。
【請求項8】 流れパターン調節器、および解離された前駆物質のウェファ上への分布を制御する拡散プレートの少なくとも一つを有する、
ことを特徴とする請求項7に記載の反応器。
【請求項9】 赤外線放射、紫外線放射、および真空紫外線放射の一つのソースは前駆物質のフローストリーム内に置かれた透明管の内部に封じ込まれる、
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項10】 更に亀裂器とチャック間に置かれたダイマーフィルターを有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項11】 亀裂器、チャック、および亀裂器とチャック間の粉末フィルターを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応器。
【請求項12】 亀裂器、チャック、および亀裂器とチャック間に置かれた円錐形ガイドを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応器。
【請求項13】 亀裂器、少なくとも亀裂器を部分的に囲む水素膜、チャック、および亀裂器とチャック間に置かれたガイドを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応器。
【請求項14】 ウェファプレクリーナーはチャックと関連する、
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項15】 亀裂器は触媒を包含する、
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項16】 Arは弗化芳香族成分、およびYは脱離基として、弗化ポリマーの合成用前記前駆物質は次の構造の化合物を有する、
F2C-Ar-CF2
| |
Y Y
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項17】 チャンバー、
チャンバーと関連するガス注入器、
チャンバー内に置かれ、ガス注入器から離隔されたチャック、
ガス注入器に隣接して置かれたエネルギー源、および
排出ガスを分解するためにチャンバー壁と関連する放射源を有する、
ことを特徴とする輸送重合または化学気相成長法用反応器。
【請求項1】 前駆物質を解離する亀裂器、蒸着領域、ウェファ保持用に適応され前記蒸着領域内に位置されたチャック、および亀裂器とチャック間に位置された移動可能流れパターン調節器を有する、
ことを特徴とする薄膜製作用輸送蒸着システム(反応器)。
【請求項2】 前駆物質を解離する亀裂器、蒸着領域、ウェファ保持用に適応され前記蒸着領域内に位置されたチャック、および亀裂器とチャック間に位置された拡散プレートを有する、
ことを特徴とする薄膜製作用輸送蒸着システム。
【請求項3】 前駆物質を解離する亀裂器、蒸着領域、ウェファ保持用に適応され前記蒸着領域内に位置されたチャック、および流れパターン調節器、および拡散プレートを有し、ここでチャック、流れパターン調節器、および拡散プレートの少なくとも二つは移動可能である、
ことを特徴とする薄膜製作用輸送蒸着システム。
【請求項4】 亀裂器を囲む非金属性の透明な外側シェル、反応性中間物を発生するように前駆物質を解離するため亀裂器に放射エネルギーを与える光源、亀裂器内に前駆物質を導入する入口ポート、および亀裂器から製品を除去する出口ポートを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応チャンバー。
【請求項5】 亀裂器は更に亀裂器を少なくとも部分的に囲む水素膜を有する、
ことを特徴とする請求項4に記載の反応チャンバー。
【請求項6】 亀裂器を囲む外側シェル、反応性中間物を発生するように前駆物質を解離するため亀裂器に放射エネルギーを与えるエネルギー源、亀裂器内に前駆物質を導入する入口ポート、および亀裂器から製品を除去する出口ポートを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応チャンバー。
【請求項7】 前駆物質源、
前駆物質を処理するように適応された亀裂器、
前駆物質を解離するために亀裂器と関連するエネルギー源、ここでエネルギー源は赤外線放射、紫外線放射、真空紫外線放射、無線周波発生器およびマイクロ波発生器の一つを含み、および
ウェファを支持するように適応されたチャックを有する、
ことを特徴とする弗化ポリマー薄膜製作用に使用される反応器。
【請求項8】 流れパターン調節器、および解離された前駆物質のウェファ上への分布を制御する拡散プレートの少なくとも一つを有する、
ことを特徴とする請求項7に記載の反応器。
【請求項9】 赤外線放射、紫外線放射、および真空紫外線放射の一つのソースは前駆物質のフローストリーム内に置かれた透明管の内部に封じ込まれる、
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項10】 更に亀裂器とチャック間に置かれたダイマーフィルターを有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項11】 亀裂器、チャック、および亀裂器とチャック間の粉末フィルターを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応器。
【請求項12】 亀裂器、チャック、および亀裂器とチャック間に置かれた円錐形ガイドを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応器。
【請求項13】 亀裂器、少なくとも亀裂器を部分的に囲む水素膜、チャック、および亀裂器とチャック間に置かれたガイドを有する、
ことを特徴とする輸送重合用反応器。
【請求項14】 ウェファプレクリーナーはチャックと関連する、
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項15】 亀裂器は触媒を包含する、
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項16】 Arは弗化芳香族成分、およびYは脱離基として、弗化ポリマーの合成用前記前駆物質は次の構造の化合物を有する、
F2C-Ar-CF2
| |
Y Y
ことを特徴とする請求項1に記載の反応器。
【請求項17】 チャンバー、
チャンバーと関連するガス注入器、
チャンバー内に置かれ、ガス注入器から離隔されたチャック、
ガス注入器に隣接して置かれたエネルギー源、および
排出ガスを分解するためにチャンバー壁と関連する放射源を有する、
ことを特徴とする輸送重合または化学気相成長法用反応器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/958,352 US6086679A (en) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition |
US08/958,352 | 1997-10-24 | ||
PCT/US1998/021754 WO1999022043A1 (en) | 1997-10-24 | 1998-10-15 | New deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001521293A JP2001521293A (ja) | 2001-11-06 |
JP2001521293A5 true JP2001521293A5 (ja) | 2006-01-05 |
JP4425461B2 JP4425461B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=25500877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000518129A Expired - Lifetime JP4425461B2 (ja) | 1997-10-24 | 1998-10-15 | 蒸着装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6086679A (ja) |
JP (1) | JP4425461B2 (ja) |
KR (1) | KR100621226B1 (ja) |
AU (1) | AU1188899A (ja) |
WO (1) | WO1999022043A1 (ja) |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3199006B2 (ja) * | 1997-11-18 | 2001-08-13 | 日本電気株式会社 | 層間絶縁膜の形成方法および絶縁膜形成装置 |
WO1999057330A1 (en) * | 1998-05-01 | 1999-11-11 | Desu Seshu B | Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition |
US6316055B1 (en) * | 1998-05-01 | 2001-11-13 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Near-room temperature thermal chemical vapor deposition of oxide films |
JP4212707B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2009-01-21 | スピードファム株式会社 | ウエハ平坦化システム及びウエハ平坦化方法 |
JP3719021B2 (ja) | 1998-12-04 | 2005-11-24 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ |
US6540838B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-04-01 | Genus, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
CN1160186C (zh) | 1999-06-03 | 2004-08-04 | 宾夕法尼亚州研究基金会 | 纳米尺度的组合物、复合结构、其制造和应用 |
US6495208B1 (en) | 1999-09-09 | 2002-12-17 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Near-room temperature CVD synthesis of organic polymer/oxide dielectric nanocomposites |
US6329227B2 (en) * | 2000-02-22 | 2001-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of patterning organic polymer film and method for fabricating semiconductor device |
US6596343B1 (en) * | 2000-04-21 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing semiconductor substrates with hydroxyl radicals |
JP2002009152A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6576564B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Photo-assisted remote plasma apparatus and method |
US20040255862A1 (en) * | 2001-02-26 | 2004-12-23 | Lee Chung J. | Reactor for producing reactive intermediates for low dielectric constant polymer thin films |
US7026052B2 (en) | 2001-02-26 | 2006-04-11 | Dielectric Systems, Inc. | Porous low k(<2.0) thin film derived from homo-transport-polymerization |
US7192645B2 (en) | 2001-02-26 | 2007-03-20 | Dielectric Systems, Inc. | Porous low E (<2.0) thin films by transport co-polymerization |
US6881447B2 (en) | 2002-04-04 | 2005-04-19 | Dielectric Systems, Inc. | Chemically and electrically stabilized polymer films |
US20040055539A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Dielectric Systems, Inc. | Reactive-reactor for generation of gaseous intermediates |
JPWO2003005435A1 (ja) * | 2001-07-05 | 2004-10-28 | 大見 忠弘 | 基板処理装置および基板処理方法、基板平坦化方法 |
US20050121423A1 (en) * | 2002-01-30 | 2005-06-09 | Energy Conversion Devices, Inc. | Heating in a vacuum atmosphere in the presence of a plasma |
US6787185B2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-09-07 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods for improved delivery of metastable species |
US6746970B2 (en) * | 2002-06-24 | 2004-06-08 | Macronix International Co., Ltd. | Method of forming a fluorocarbon polymer film on a substrate using a passivation layer |
US6783598B2 (en) * | 2002-08-15 | 2004-08-31 | Fibersense Technology Corp. | Moisture barrier sealing of fiber optic coils |
US6887521B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
JP4372443B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2009-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
JP4179041B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2008-11-12 | 株式会社島津製作所 | 有機el用保護膜の成膜装置、製造方法および有機el素子 |
JP2007500794A (ja) * | 2003-05-16 | 2007-01-18 | エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド | 薄膜蒸着エバポレーター |
US9257302B1 (en) | 2004-03-25 | 2016-02-09 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
US6962871B2 (en) | 2004-03-31 | 2005-11-08 | Dielectric Systems, Inc. | Composite polymer dielectric film |
US7094661B2 (en) | 2004-03-31 | 2006-08-22 | Dielectric Systems, Inc. | Single and dual damascene techniques utilizing composite polymer dielectric film |
US7309395B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-12-18 | Dielectric Systems, Inc. | System for forming composite polymer dielectric film |
US20060201426A1 (en) * | 2004-05-25 | 2006-09-14 | Lee Chung J | Reactor for Producing Reactive Intermediates for Transport Polymerization |
US20060046044A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Lee Chung J | Porous composite polymer dielectric film |
US8986780B2 (en) | 2004-11-19 | 2015-03-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing LED organic film |
US8128753B2 (en) | 2004-11-19 | 2012-03-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing LED organic film |
US20060274474A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Lee Chung J | Substrate Holder |
JP4690148B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2011-06-01 | 株式会社アルバック | 有機薄膜製造方法および光cvd装置 |
US8039049B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-10-18 | Tokyo Electron Limited | Treatment of low dielectric constant films using a batch processing system |
US7549905B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-06-23 | International Display Systems, Inc. | Method of encapsulating an organic light emitting device |
US7621794B2 (en) | 2005-11-09 | 2009-11-24 | International Display Systems, Inc. | Method of encapsulating an organic light-emitting device |
US7947148B2 (en) * | 2006-06-01 | 2011-05-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Dry adhesion bonding |
US9245739B2 (en) | 2006-11-01 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Low-K oxide deposition by hydrolysis and condensation |
US7799377B2 (en) | 2006-12-07 | 2010-09-21 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic/inorganic thin film deposition method |
US20080156264A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Plasma Generator Apparatus |
US8399047B2 (en) * | 2007-03-22 | 2013-03-19 | The Regents Of The Univeristy Of Michigan | Multifunctional CVD coatings |
US9157152B2 (en) * | 2007-03-29 | 2015-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
US8556389B2 (en) | 2011-02-04 | 2013-10-15 | Kateeva, Inc. | Low-profile MEMS thermal printhead die having backside electrical connections |
EP2155493A4 (en) * | 2007-06-14 | 2010-08-11 | Massachusetts Inst Technology | METHOD AND DEVICE FOR APPLYING FILMS |
US7955840B2 (en) * | 2007-08-23 | 2011-06-07 | Akonni Biosystems | Thermal cycler for PCR including temperature control bladder |
US7955841B2 (en) * | 2007-08-23 | 2011-06-07 | Akonni Biosystems | Temperature control device with a flexible temperature control surface |
TWI364126B (en) * | 2007-11-23 | 2012-05-11 | Ind Tech Res Inst | Plasma assisted apparatus for forming organic film |
US20090226614A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-10 | Tokyo Electron Limited | Porous gas heating device for a vapor deposition system |
US9591738B2 (en) * | 2008-04-03 | 2017-03-07 | Novellus Systems, Inc. | Plasma generator systems and methods of forming plasma |
WO2009146744A1 (de) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur behandlung von oberflächen, strahler für dieses verfahren sowie bestrahlungssystem mit diesem strahler |
US8632145B2 (en) | 2008-06-13 | 2014-01-21 | Kateeva, Inc. | Method and apparatus for printing using a facetted drum |
US9604245B2 (en) | 2008-06-13 | 2017-03-28 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure |
US9048344B2 (en) | 2008-06-13 | 2015-06-02 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US8383202B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-02-26 | Kateeva, Inc. | Method and apparatus for load-locked printing |
US8899171B2 (en) | 2008-06-13 | 2014-12-02 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US11975546B2 (en) | 2008-06-13 | 2024-05-07 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
US10434804B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-10-08 | Kateeva, Inc. | Low particle gas enclosure systems and methods |
US8916022B1 (en) | 2008-09-12 | 2014-12-23 | Novellus Systems, Inc. | Plasma generator systems and methods of forming plasma |
US20100188457A1 (en) * | 2009-01-05 | 2010-07-29 | Madigan Connor F | Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle |
JP5501807B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2012525505A (ja) * | 2009-05-01 | 2012-10-22 | カティーヴァ、インク. | 有機蒸発材料印刷の方法および装置 |
WO2012012376A1 (en) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | First Solar, Inc | Deposition system |
US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
US8728239B2 (en) * | 2011-07-29 | 2014-05-20 | Asm America, Inc. | Methods and apparatus for a gas panel with constant gas flow |
US9120344B2 (en) | 2011-08-09 | 2015-09-01 | Kateeva, Inc. | Apparatus and method for control of print gap |
JP6010621B2 (ja) | 2011-08-09 | 2016-10-19 | カティーバ, インコーポレイテッド | 下向き印刷装置および方法 |
US8846536B2 (en) | 2012-03-05 | 2014-09-30 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide film with tunable wet etch rate |
KR101383255B1 (ko) | 2012-06-01 | 2014-04-10 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 정전식 분말 코팅장치 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터용 유전체 분말 코팅방법 |
JP2014049529A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び金属の酸化膜を洗浄する方法 |
US9656294B2 (en) * | 2012-11-20 | 2017-05-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication and passivation of silicon surfaces |
US8889225B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-11-18 | The Gillette Company | Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymers |
KR102052075B1 (ko) * | 2013-03-28 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
US20140299059A1 (en) * | 2013-04-03 | 2014-10-09 | Ofs Fitel, Llc | Vapor delivery system |
US9847222B2 (en) | 2013-10-25 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Treatment for flowable dielectric deposition on substrate surfaces |
WO2015100375A1 (en) | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Kateeva, Inc. | Thermal treatment of electronic devices |
JP6113923B2 (ja) | 2014-01-21 | 2017-04-12 | カティーバ, インコーポレイテッド | 電子デバイスのカプセル化のための装置および技術 |
WO2015116703A2 (en) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | Hzo, Inc. | Material processing system with conduits configured to prevent heat transfer between a pyrolysis tube and adjacent elements |
SG11201606004PA (en) * | 2014-02-14 | 2016-08-30 | Applied Materials Inc | Upper dome with injection assembly |
EP3138123B1 (en) | 2014-04-30 | 2021-06-02 | Kateeva, Inc. | Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating |
US10049921B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Method for selectively sealing ultra low-k porous dielectric layer using flowable dielectric film formed from vapor phase dielectric precursor |
BR102014026134B1 (pt) * | 2014-10-20 | 2022-09-27 | Universidade Federal De Santa Catarina | Processo e reator de plasma para tratamento termoquímico de superfície de peças metálicas |
JP2016222984A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社フィルテック | ヒートビーム成膜装置 |
US9916977B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-03-13 | Lam Research Corporation | Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization |
US10388546B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
JP6529129B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-06-12 | 株式会社フィルテック | 成膜装置 |
KR102553629B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
WO2020006512A1 (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | Resynergi, Inc. | Microwave methods for converting hydrocarbon-based waste materials into oil and gas fuels |
CN109273339B (zh) | 2018-09-18 | 2021-03-19 | 惠科股份有限公司 | 一种反应室、干法刻蚀设备及刻蚀方法 |
GB201913141D0 (en) * | 2019-09-12 | 2019-10-30 | Ucl Business Plc | Methods and apparatuses for fabricating polymeric conformal coatings, parts coated with polymeric conformal coatings, and optical apparatus |
CN114950900A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-08-30 | 上海酷聚科技有限公司 | 一种有机膜层的制备方法、有机膜层结构及沉积设备 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3274267A (en) * | 1963-09-23 | 1966-09-20 | Union Carbide Corp | Cyclic alpha-perfluoro-di-p-xylylenes |
US3332891A (en) * | 1963-09-23 | 1967-07-25 | Union Carbide Corp | Process for the preparation of alpha-per-fluoro-p-xylylene polymers |
US3440277A (en) * | 1965-12-13 | 1969-04-22 | Us Air Force | Fluoroaromatic compounds |
US3342754A (en) * | 1966-02-18 | 1967-09-19 | Union Carbide Corp | Para-xylylene polymers |
US4291244A (en) * | 1979-09-04 | 1981-09-22 | Union Carbide Corporation | Electrets |
DE3240303C1 (de) * | 1982-10-30 | 1984-01-19 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Verfahren zur Herstellung von [2,2]-Paracyclophan |
JPS5982720A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | Nec Corp | 光気相成長法 |
JPS59135730A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
US5714029A (en) * | 1984-03-12 | 1998-02-03 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd. | Process for working a semiconductor wafer |
JPS60231442A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 撥水処理硝子の製造方法 |
US5178904A (en) * | 1985-02-16 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film from a group II through group VI metal hydrocarbon compound |
US4772486A (en) * | 1985-02-18 | 1988-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a deposited film |
US5139813A (en) * | 1990-09-28 | 1992-08-18 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Method for inducing fluorescence in parylene films by an active plasma |
US5230929A (en) * | 1992-07-20 | 1993-07-27 | Dow Corning Corporation | Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes |
US5210341A (en) * | 1991-12-20 | 1993-05-11 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Processes for the preparation of octafluoro-[2,2]paracyclophane |
US5324813A (en) * | 1992-07-22 | 1994-06-28 | International Business Machines Corporation | Low dielectric constant fluorinated polymers and methods of fabrication thereof |
US5268202A (en) * | 1992-10-09 | 1993-12-07 | Rensselaer Polytechnic Institute | Vapor deposition of parylene-F using 1,4-bis (trifluoromethyl) benzene |
US5424097A (en) * | 1993-09-30 | 1995-06-13 | Specialty Coating Systems, Inc. | Continuous vapor deposition apparatus |
JP3932206B2 (ja) * | 1995-10-18 | 2007-06-20 | スペシャルティ、コーティング、システムズ、インコーポレイテッド | オクタフルオロ−〔2,2〕パラシクロファンの製造方法 |
US5536892A (en) * | 1995-10-18 | 1996-07-16 | Specialty Coating Systems, Inc. | Processes for the preparation of octafluoro-[2,2]paracyclophane |
EP0769788A3 (en) * | 1995-10-20 | 1998-01-14 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Low dielectric constant material for use as an insulation element in an electronic device |
US5536321A (en) * | 1995-10-27 | 1996-07-16 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter |
US5536322A (en) * | 1995-10-27 | 1996-07-16 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including a heated and cooled support platen and an electrostatic clamping device |
US5536317A (en) * | 1995-10-27 | 1996-07-16 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including a quartz crystal thickness/rate controller |
ATE230445T1 (de) * | 1995-10-27 | 2003-01-15 | Specialty Coating Systems Inc | Verfahren und vorrichtung zur ablagerung von parylen af4 auf halbleiterwafern |
US5556473A (en) * | 1995-10-27 | 1996-09-17 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including dry vacuum pump system and downstream cold trap |
US5538758A (en) * | 1995-10-27 | 1996-07-23 | Specialty Coating Systems, Inc. | Method and apparatus for the deposition of parylene AF4 onto semiconductor wafers |
US5534068A (en) * | 1995-10-27 | 1996-07-09 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including a tapered deposition chamber and dual vacuum outlet pumping arrangement |
TW297147B (en) * | 1995-10-27 | 1997-02-01 | Specialty Coating Systems Inc | Multi-level circuit structure including fluorinated parylene polymer dielectric interlayers |
US5536319A (en) * | 1995-10-27 | 1996-07-16 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including an atmospheric shroud and inert gas source |
US5958510A (en) * | 1996-01-08 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a thin polymer layer on an integrated circuit structure |
US6284933B1 (en) * | 1996-10-23 | 2001-09-04 | William R. Dolbier, Jr. | TFPX synthesis |
US5783614A (en) * | 1997-02-21 | 1998-07-21 | Copytele, Inc. | Polymeric-coated dielectric particles and formulation and method for preparing same |
US5841005A (en) * | 1997-03-14 | 1998-11-24 | Dolbier, Jr.; William R. | Parylene AF4 synthesis |
-
1997
- 1997-10-24 US US08/958,352 patent/US6086679A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-15 KR KR1020007004417A patent/KR100621226B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-15 WO PCT/US1998/021754 patent/WO1999022043A1/en active IP Right Grant
- 1998-10-15 AU AU11888/99A patent/AU1188899A/en not_active Abandoned
- 1998-10-15 JP JP2000518129A patent/JP4425461B2/ja not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001521293A5 (ja) | ||
JP2589599B2 (ja) | 吹出型表面処理装置 | |
US5126164A (en) | Method of forming a thin polymeric film by plasma reaction under atmospheric pressure | |
US6444039B1 (en) | Three-dimensional showerhead apparatus | |
EP0283007B1 (en) | Chemical vapour deposition apparatus having a perforated head | |
US6539891B1 (en) | Chemical deposition reactor and method of forming a thin film using the same | |
EP0090586B1 (en) | Gas flow in plasma treatment processes | |
US4985227A (en) | Method for synthesis or diamond | |
JPH0346437B2 (ja) | ||
CN1955111A (zh) | 碳纳米管制备装置 | |
US3206331A (en) | Method for coating articles with pyrolitic graphite | |
JPH0215171A (ja) | 大気圧プラズマ反応方法 | |
JP2010150661A (ja) | 化学気相堆積システム | |
EP1046728A3 (en) | Process chamber with inner support | |
KR101004061B1 (ko) | 대기압 플라즈마 cvd 장치용 반응기와 이를 이용한 박막형성방법 | |
JPS6054996A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
JPH05267182A (ja) | 化学気相成長装置 | |
JPH0555150A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP3648777B2 (ja) | マイクロ波プラズマcvd装置 | |
JPS61248519A (ja) | 化学気相成長装置 | |
JPH02252239A (ja) | 化学気相成長装置 | |
JPS59209643A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
JPS593098A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
JPH01198014A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0818905B2 (ja) | ダイヤモンドの合成方法および合成装置 |