JP2589599B2 - 吹出型表面処理装置 - Google Patents
吹出型表面処理装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、大気圧下で有機及び無機化合物気体のプ
ラズマ化により薄膜を形成できる表面処理装置に係り、
誘電体を被覆した高圧電極と接地電極とを対向させ放電
空間を形成した放電部に反応ガスが圧送され、プラズマ
励起して放電部外に噴射して反応ガス種に応じた薄膜を
形成あるいは表面改質できる、インラインプロセス、フ
ィールド用表面処理を可能にした吹出型表面処理装置に
関する。
ラズマ化により薄膜を形成できる表面処理装置に係り、
誘電体を被覆した高圧電極と接地電極とを対向させ放電
空間を形成した放電部に反応ガスが圧送され、プラズマ
励起して放電部外に噴射して反応ガス種に応じた薄膜を
形成あるいは表面改質できる、インラインプロセス、フ
ィールド用表面処理を可能にした吹出型表面処理装置に
関する。
従来の技術 今日、ドライプレーティングとして、真空蒸着、イオ
ンプレーティング、スパッタリング、CVD（化学気相成
長）等の手段があり、種々材料表面に用途や目的に応じ
た組成の薄膜が形成あるいは表面処理されている。
ンプレーティング、スパッタリング、CVD（化学気相成
長）等の手段があり、種々材料表面に用途や目的に応じ
た組成の薄膜が形成あるいは表面処理されている。
また、気体プラズマを利用して薄膜成長を行う技術と
して、プラズマCVDがあり、印加電界の周波数帯域によ
って反応が、容量結合型、誘導結合型、ECR型などの各
放電プラズマにより成膜方法が多用されている。
して、プラズマCVDがあり、印加電界の周波数帯域によ
って反応が、容量結合型、誘導結合型、ECR型などの各
放電プラズマにより成膜方法が多用されている。
これは有機及び無機化合物気体のプラズマ化による薄
膜形成方法である。例えば、真空容器内で炭化水素ガス
をプラズマ励起して、シリコン基板あるいはガラス基板
表面にアモルファス炭素膜を析出形成する方法や、エチ
レンなどの不飽和炭化水素のプラズマ重合膜を形成する
方法である。
膜形成方法である。例えば、真空容器内で炭化水素ガス
をプラズマ励起して、シリコン基板あるいはガラス基板
表面にアモルファス炭素膜を析出形成する方法や、エチ
レンなどの不飽和炭化水素のプラズマ重合膜を形成する
方法である。
発明が解決しようとする課題 上述の各種薄膜形成方法及び放電プラズマによる成膜
方法や表面処理は、いずれも所要真空雰囲気下での反応
であり、各方法に応じた真空装置や反応室設備が不可欠
である。
方法や表面処理は、いずれも所要真空雰囲気下での反応
であり、各方法に応じた真空装置や反応室設備が不可欠
である。
大型装置部品は所要の真空反応室に入れることができ
ず、あるいは複雑な形状をした装置部品などは成膜が困
難であるなどの問題があった。
ず、あるいは複雑な形状をした装置部品などは成膜が困
難であるなどの問題があった。
また、真空雰囲気下での低圧放電プラズマにて、シー
ト材の如き面積の広い素材に所要の成膜を行うのは一般
に困難であり、さらに連続してシート材に成膜すること
ができなかった。
ト材の如き面積の広い素材に所要の成膜を行うのは一般
に困難であり、さらに連続してシート材に成膜すること
ができなかった。
従って、大気圧下で、例えば、鋼板、ペーパ、ガラ
ス、プラスチックス等シート材の表面処理、成膜を行う
ための所謂インラインプロセス用、フィールド用表面処
理装置が要望されていた。
ス、プラスチックス等シート材の表面処理、成膜を行う
ための所謂インラインプロセス用、フィールド用表面処
理装置が要望されていた。
この発明は、かかる現状に鑑み、気体プラズマを利用
して大気圧下でシート材等の広範囲の平面に薄膜形成、
表面改質などの表面処理、複雑形状の表面処理が容易に
実施でき、また、小型で構成の簡単なインラインプロセ
ス用表面処理装置の提供を目的としている。
して大気圧下でシート材等の広範囲の平面に薄膜形成、
表面改質などの表面処理、複雑形状の表面処理が容易に
実施でき、また、小型で構成の簡単なインラインプロセ
ス用表面処理装置の提供を目的としている。
課題を解決するための手段 この発明は、上記の目的を実現するために、気体プラ
ズマを利用して大気圧下で薄膜形成、表面改質できる方
法について種々検討した結果、誘電体を被覆した高圧電
極と接地電極とを対向させ放電空間を形成した放電部に
反応ガスを圧送し、プラズマ励起して放電部外に噴射し
て反応ガス種に応じた薄膜を形成、あるいは基板の表面
改質ができることを知見し、この発明を完成したもので
ある。
ズマを利用して大気圧下で薄膜形成、表面改質できる方
法について種々検討した結果、誘電体を被覆した高圧電
極と接地電極とを対向させ放電空間を形成した放電部に
反応ガスを圧送し、プラズマ励起して放電部外に噴射し
て反応ガス種に応じた薄膜を形成、あるいは基板の表面
改質ができることを知見し、この発明を完成したもので
ある。
すなわち、この発明は、 電極表面に誘電体を披着あるいは対向させた高圧電極
と接地電極間に形成される放電空間を単数または複数配
置された放電部を有し、 成膜種に応じたモノマー気体あるいは処理に応じたプ
ラズマ用気体と不活性ガスからなる反応ガスが、放電部
上流側のガス導入部から流入し、前記放電空間を通過し
て放電部の下流側に設けた吹出口より、対向する被処理
材表面に噴出する構成からなり、 反応ガスが前記電極間に高電圧を印加して大気圧近傍
でグロー放電する放電空間を通過したプラズマ励起し
て、被処理材表面に成膜あるいは表面改質することを特
徴とする吹出型表面処理装置である。
と接地電極間に形成される放電空間を単数または複数配
置された放電部を有し、 成膜種に応じたモノマー気体あるいは処理に応じたプ
ラズマ用気体と不活性ガスからなる反応ガスが、放電部
上流側のガス導入部から流入し、前記放電空間を通過し
て放電部の下流側に設けた吹出口より、対向する被処理
材表面に噴出する構成からなり、 反応ガスが前記電極間に高電圧を印加して大気圧近傍
でグロー放電する放電空間を通過したプラズマ励起し
て、被処理材表面に成膜あるいは表面改質することを特
徴とする吹出型表面処理装置である。
作用 この発明による表面処理装置は、第３図に示す如く、 例えば、1000Hz以上の商用周波数からR.F、さらにGHz
レベルのマイクロ波までの高電圧電源、 所要ガス源から必要に応じて流量制御して混合し、あ
るいは個別に搬送供給できる反応ガス供給装置、 反応ガスの導入部と被成膜材に対向させた気体プラズ
マガス噴出部を有し、必要に応じて設ける排ガス回収部
を付設した放電部、 必要に応じて設ける排ガスの回収再生装置から構成さ
れる。
レベルのマイクロ波までの高電圧電源、 所要ガス源から必要に応じて流量制御して混合し、あ
るいは個別に搬送供給できる反応ガス供給装置、 反応ガスの導入部と被成膜材に対向させた気体プラズ
マガス噴出部を有し、必要に応じて設ける排ガス回収部
を付設した放電部、 必要に応じて設ける排ガスの回収再生装置から構成さ
れる。
この発明において、放電部は、電極表面に誘電体を被
着あるいは対向させた高圧電極と接地電極間に形成され
る放電空間を単数または複数配置された構成であれば、
公知のいずれの構成からなる放電装置にも適用できる。
着あるいは対向させた高圧電極と接地電極間に形成され
る放電空間を単数または複数配置された構成であれば、
公知のいずれの構成からなる放電装置にも適用できる。
例えば、実施例に示す如く、電極形状は平行対向、円
周対向等、等間隔対向であればよく、誘電体材料にはセ
ラミックス、ホーロー、ガラス、雲母等が利用でき、放
電空間ギャップは0.5mm〜15mmが望ましく、ガス量増大
には、対向電極の積層により対処してもよい。
周対向等、等間隔対向であればよく、誘電体材料にはセ
ラミックス、ホーロー、ガラス、雲母等が利用でき、放
電空間ギャップは0.5mm〜15mmが望ましく、ガス量増大
には、対向電極の積層により対処してもよい。
電極に誘電体を被着するには、個別組立、容射、同時
焼成などの手段が採用できる。また、放電による誘電体
及び電極の磨耗、イオン、分子の流出を防止するための
耐磨耗性膜も、成膜種に応じて選定したモノマー気体と
不活性ガスからなる反応ガスを導入し、例えば、1500V
〜10kVの交流電圧を印加し、放電させることにより、大
気圧近傍で容易に誘電体及び電極に成膜できる。
焼成などの手段が採用できる。また、放電による誘電体
及び電極の磨耗、イオン、分子の流出を防止するための
耐磨耗性膜も、成膜種に応じて選定したモノマー気体と
不活性ガスからなる反応ガスを導入し、例えば、1500V
〜10kVの交流電圧を印加し、放電させることにより、大
気圧近傍で容易に誘電体及び電極に成膜できる。
また、この発明において、大気圧近傍とは、大気圧
下、弱減圧下、あるいは加圧下の雰囲気であり、グロー
放電可能な雰囲気をいい、例えば、400Torr前後の弱減
圧下でも成膜でき、また数気圧下でも成膜できる。
下、弱減圧下、あるいは加圧下の雰囲気であり、グロー
放電可能な雰囲気をいい、例えば、400Torr前後の弱減
圧下でも成膜でき、また数気圧下でも成膜できる。
この発明において、不活性ガスには、He、Ne、Ar等の
単体または混合物を適宜用いることができるが、大気圧
近傍で安定したグロー放電を維持するためには、Heを主
とした希ガスを希釈気体として用いるのが好ましい。
単体または混合物を適宜用いることができるが、大気圧
近傍で安定したグロー放電を維持するためには、Heを主
とした希ガスを希釈気体として用いるのが好ましい。
また、不活性ガスに混合して導入するモノマー気体
は、被成膜素材の要求される成膜種に応じて選定される
が、例えば、SiO2を成膜する場合、モノシランSiH4、シ
ジランSi2H6、四塩化珪素SiCl4、酸素O2など、SiNXの場
合、モノシランSiH4、シジランSi2H6、四塩化珪素SiC
l4、窒素N2、水素H2、アンモニアNH3などを用いること
ができる。
は、被成膜素材の要求される成膜種に応じて選定される
が、例えば、SiO2を成膜する場合、モノシランSiH4、シ
ジランSi2H6、四塩化珪素SiCl4、酸素O2など、SiNXの場
合、モノシランSiH4、シジランSi2H6、四塩化珪素SiC
l4、窒素N2、水素H2、アンモニアNH3などを用いること
ができる。
他に、有機化合物の成膜として、ポリエチレン成膜の
場合は、C2H4、C3H6等のエチレン系炭化水素、PTFE成膜
の場合は、C2H4、C3H6等のフッソ化エチレン系化合物あ
るいはCF3＋H2、C3F6＋H2などのメタン系と水素との混
合物などを用いることができる。なかでもC2F4を使用し
た成膜は低圧法に比べて極めて高速の成膜が可能となっ
た。
場合は、C2H4、C3H6等のエチレン系炭化水素、PTFE成膜
の場合は、C2H4、C3H6等のフッソ化エチレン系化合物あ
るいはCF3＋H2、C3F6＋H2などのメタン系と水素との混
合物などを用いることができる。なかでもC2F4を使用し
た成膜は低圧法に比べて極めて高速の成膜が可能となっ
た。
さらに、不活性ガスにプラズマ用気体を混合して導入
することにより、基板の表面改質を行うことができる。
例えば、グラファイト、ポリイミドからなる基板に、フ
ロリンを含むガス（例えばCF4＋He）を用いてプラズマ
処理を行うと、PTFEと同様に撥水性を有する表面に表面
改質を行うことができる。他に、ポリエチレンスルフォ
ンのプラスチック表面に酸素のプラズマ処理を行うと表
面に濡れ性を付与できる。
することにより、基板の表面改質を行うことができる。
例えば、グラファイト、ポリイミドからなる基板に、フ
ロリンを含むガス（例えばCF4＋He）を用いてプラズマ
処理を行うと、PTFEと同様に撥水性を有する表面に表面
改質を行うことができる。他に、ポリエチレンスルフォ
ンのプラスチック表面に酸素のプラズマ処理を行うと表
面に濡れ性を付与できる。
モノマー気体あるいはプラズマ用気体と不活性ガスと
の混合比は、大気圧近傍で安定したグロー放電を維持で
きる範囲で任意であるが、不活性ガス濃度を約65％以
上、特に約90％以上とすることが好ましい。また、導入
する反応ガスは、複数種の気体を用いることもできる。
の混合比は、大気圧近傍で安定したグロー放電を維持で
きる範囲で任意であるが、不活性ガス濃度を約65％以
上、特に約90％以上とすることが好ましい。また、導入
する反応ガスは、複数種の気体を用いることもできる。
さらに、ガス種に応じて搬送ラインを混合用単管、あ
るいはガス同志が常温で反応する場合には個別用の複数
管とする必要がある。
るいはガス同志が常温で反応する場合には個別用の複数
管とする必要がある。
一般的には、大気圧下のグロー放電は容易に生じない
が、この発明では、放電部において、例えば高圧電極を
被包する如くガラス誘電体を被着してあり、かつ前記不
活性ガスを導入しているため、大気圧下及びその近傍雰
囲気での安定なグロー放電が可能となる。
が、この発明では、放電部において、例えば高圧電極を
被包する如くガラス誘電体を被着してあり、かつ前記不
活性ガスを導入しているため、大気圧下及びその近傍雰
囲気での安定なグロー放電が可能となる。
反応ガスのプラズマ励起については、このグロー放電
により、希釈ガスとしての不活性ガスを励起し、高エネ
ルギー励起状態のプラズマを形成する。さらに、反応ガ
スがプラズマ中で解離イオン化されて化学反応を起こ
し、固体表面で生成物を析出する。
により、希釈ガスとしての不活性ガスを励起し、高エネ
ルギー励起状態のプラズマを形成する。さらに、反応ガ
スがプラズマ中で解離イオン化されて化学反応を起こ
し、固体表面で生成物を析出する。
このプラズマの形成は、高電圧の印加により行うが、
印加する交流電圧は、誘電体上に交番電圧を誘起させる
ためであり、数十HzからGHzレベルの高周波電圧を用い
ることができ、セラミックス保護膜種類、被処理表面の
性状や表面処理の時間に応じて適宜選定でき、また、放
電空間、モノマー気体あるいはプラズマ用気体と不活性
ガスによって、適宜選定されるが、１〜10kV、商用周波
数〜30GHz、10W〜数kWの範囲が好ましい。
印加する交流電圧は、誘電体上に交番電圧を誘起させる
ためであり、数十HzからGHzレベルの高周波電圧を用い
ることができ、セラミックス保護膜種類、被処理表面の
性状や表面処理の時間に応じて適宜選定でき、また、放
電空間、モノマー気体あるいはプラズマ用気体と不活性
ガスによって、適宜選定されるが、１〜10kV、商用周波
数〜30GHz、10W〜数kWの範囲が好ましい。
また、この発明による表面処理において、反応ガスを
替えて複数回成膜を行うことにより、多層膜を形成する
ことができる。さらに、成膜の密着度を高めるため、被
成膜表面を加熱することもでき、加熱温度は200〜800℃
が好ましい。
替えて複数回成膜を行うことにより、多層膜を形成する
ことができる。さらに、成膜の密着度を高めるため、被
成膜表面を加熱することもでき、加熱温度は200〜800℃
が好ましい。
図面に基づく発明の開示 第１図a,bはこの発明による表面処理装置の一実施例
を示す斜視説明図、第２図a,bは他の実施例を示す縦断
説明図、第４図は他の実施例を示す斜視説明図であり、
ここでは第１図a,b及び第４図はトーチ型成膜装置、第
２図a,bは直線吹き出し型成膜装置にそれぞれ構成した
例を説明する。
を示す斜視説明図、第２図a,bは他の実施例を示す縦断
説明図、第４図は他の実施例を示す斜視説明図であり、
ここでは第１図a,b及び第４図はトーチ型成膜装置、第
２図a,bは直線吹き出し型成膜装置にそれぞれ構成した
例を説明する。
構成１ トーチ型成膜装置（１）は、円筒状の放電部（２）に
ガス導入管（７）を同軸配置してあり、放電部（２）
は、高圧電極（３）を中心に接地電極（４）を円筒状に
対向配置して電極間に放電空間（６）を設け、各電極に
は誘電体（５）を被覆してある。
ガス導入管（７）を同軸配置してあり、放電部（２）
は、高圧電極（３）を中心に接地電極（４）を円筒状に
対向配置して電極間に放電空間（６）を設け、各電極に
は誘電体（５）を被覆してある。
ガス導入管（７）は、常温で相互に反応するＡガスと
Ｂガスを個別に供給できるように二重管構造の一端を放
電部（２）に接続し、他端にガス供給管（８）（９）を
接続してあり、放電空間（６）で混合された所要の反応
ガスとなる。
Ｂガスを個別に供給できるように二重管構造の一端を放
電部（２）に接続し、他端にガス供給管（８）（９）を
接続してあり、放電空間（６）で混合された所要の反応
ガスとなる。
この大気に保たれている放電空間（６）内に、不活性
ガスとモノマー気体類を圧送し混合して反応ガスとなし
たのち、高圧電極（３）と接地電極（４）間に所要の電
圧を印加することにより、グロー放電し反応ガスのプラ
ズマ励起が発生して、気体プラズマとなって放電部
（２）先端より噴出する。
ガスとモノマー気体類を圧送し混合して反応ガスとなし
たのち、高圧電極（３）と接地電極（４）間に所要の電
圧を印加することにより、グロー放電し反応ガスのプラ
ズマ励起が発生して、気体プラズマとなって放電部
（２）先端より噴出する。
この放電部（２）の噴出先端に被成膜材を対向させる
ことにより、該表面に反応ガス種類に応じた薄膜を成膜
することができる。
ことにより、該表面に反応ガス種類に応じた薄膜を成膜
することができる。
構成２ 直線吹き出し型成膜装置（10）は、箱状の放電部（1
1）の閉塞上部一端に二重管構造のガス供給管（15）
を、上部他端に排気管（18）を接続し、開放下端側に、
細板状の電極平面にガラス等の誘電体を積層した一対の
高圧電極（12）及び接地電極（13）を、図示しない絶縁
材セパレータを介して複数対向配置して放電空間（14）
を形成している。
1）の閉塞上部一端に二重管構造のガス供給管（15）
を、上部他端に排気管（18）を接続し、開放下端側に、
細板状の電極平面にガラス等の誘電体を積層した一対の
高圧電極（12）及び接地電極（13）を、図示しない絶縁
材セパレータを介して複数対向配置して放電空間（14）
を形成している。
放電部（11）内は、ガス供給管（15）からのＡガスと
Ｂガスを個別に供給できるようＡガス用ダクト（16）及
びＢガス用ダクト（17）の二重ダクト構成となり、放電
空間（14）で混合され所要の反応ガスとなる。
Ｂガスを個別に供給できるようＡガス用ダクト（16）及
びＢガス用ダクト（17）の二重ダクト構成となり、放電
空間（14）で混合され所要の反応ガスとなる。
この大気圧に保たれている放電空間（14）内に反応ガ
スが導入され、高圧電極（12）と接地電極（13）間に所
要の電圧を印加することにより、グロー放電し反応ガス
のプラズマ励起が発生して、高圧電極（12）と接地電極
（13）に対向させて配置したシート材（20）表面に反応
ガス種類に応じた薄膜を成膜することができる。
スが導入され、高圧電極（12）と接地電極（13）間に所
要の電圧を印加することにより、グロー放電し反応ガス
のプラズマ励起が発生して、高圧電極（12）と接地電極
（13）に対向させて配置したシート材（20）表面に反応
ガス種類に応じた薄膜を成膜することができる。
また、放電空間（14）より噴出した反応後の排ガス
は、放電部（11）開放下端に設けたスカート（19）で反
転し放電部（11）内壁とＢガス用ダクト（17）間を上昇
し、放電部（11）上部端の排気管（18）より導出され
て、回収、不活性ガスが再生される。
は、放電部（11）開放下端に設けたスカート（19）で反
転し放電部（11）内壁とＢガス用ダクト（17）間を上昇
し、放電部（11）上部端の排気管（18）より導出され
て、回収、不活性ガスが再生される。
構成３ 第４図に示す吹き出し型成膜装置（30）は、第１図a,
bの例と同様構成のトーチ型成膜装置（31）をシート材
（20）の幅に応じて所要数を直接的に配列して、Ａガス
とＢガスを個別に供給できる二重管構成のガス供給管
（32）に接続してあり、さらにこれら複数のトーチ型成
膜装置（31）とガス供給管（32）を覆いシート材（20）
表面にスカート（33）が接触するように配置した箱型の
排ガスダクト（34）が付設され、各トーチ型成膜装置
（31）からシート材（20）表面に噴射されて反応した後
の排ガスが回収される構成からなる。
bの例と同様構成のトーチ型成膜装置（31）をシート材
（20）の幅に応じて所要数を直接的に配列して、Ａガス
とＢガスを個別に供給できる二重管構成のガス供給管
（32）に接続してあり、さらにこれら複数のトーチ型成
膜装置（31）とガス供給管（32）を覆いシート材（20）
表面にスカート（33）が接触するように配置した箱型の
排ガスダクト（34）が付設され、各トーチ型成膜装置
（31）からシート材（20）表面に噴射されて反応した後
の排ガスが回収される構成からなる。
この吹き出し型成膜装置（30）のシート材（20）に対
する成膜あるいは表面改質作用は上述のトーチ型成膜装
置（１）及び直線吹き出し型成膜装置（10）と同様であ
る。
する成膜あるいは表面改質作用は上述のトーチ型成膜装
置（１）及び直線吹き出し型成膜装置（10）と同様であ
る。
実 施 例 実施例１ 高圧電極、設置電極に石英誘電体を被着した第２図a,
bの成膜装置において、次の条件により、シリコンウエ
ーハ表面にSiNX膜を形成した。
bの成膜装置において、次の条件により、シリコンウエ
ーハ表面にSiNX膜を形成した。
反応ガス 成分 He−SiCl4−N2−H2 流量 He 5000cm3/min SiCl4 0.48cm3/min N2 20cm3/min H2 20cm3/min 放電 大気圧、常温 13.75MHz（RF） 200W、 誘電体 石英板 この発明による成膜装置により、成膜速度５μm/hrの
SiNX膜を得た。被着強度も良好であり、膜厚も均一であ
った。
SiNX膜を得た。被着強度も良好であり、膜厚も均一であ
った。
実施例２ 高圧電極、設置電極にホーロー誘電体を被着した第４
図の成膜装置において、次の条件により、合成樹脂表面
にPTFE膜を形成した。
図の成膜装置において、次の条件により、合成樹脂表面
にPTFE膜を形成した。
反応ガス 成分 He−TFE（テトラフルオロエチレン） 流量 He 4500cm3/min TFE 4cm3/min 放電 大気圧、常温 200kHz 100W、 誘電体 カプトン（ポリイミドフィルム） この発明による成膜装置により、成膜速度10μm/hrの
PTFE膜を得た。被着強度も良好であり、膜厚も均一であ
った。
PTFE膜を得た。被着強度も良好であり、膜厚も均一であ
った。
実施例３ 高圧電極、設置電極にホーロー誘電体を被着して作成
した外径7mmからなる第１図a,bと同様構成からなるトー
チ型成膜装置を用い、第５図に示す如く、トーチ型成膜
装置（40）外周部に摺動スペーサー（41）を介して、原
子力用熱交換器または半導体製造装置用ガスキャリアに
用いる内径9mmの細管（42）内を移動可能にし、実施例
１と同様の反応ガス、放電条件により、細管（42）を移
動させながら細管内表面にSiNX膜を形成した。
した外径7mmからなる第１図a,bと同様構成からなるトー
チ型成膜装置を用い、第５図に示す如く、トーチ型成膜
装置（40）外周部に摺動スペーサー（41）を介して、原
子力用熱交換器または半導体製造装置用ガスキャリアに
用いる内径9mmの細管（42）内を移動可能にし、実施例
１と同様の反応ガス、放電条件により、細管（42）を移
動させながら細管内表面にSiNX膜を形成した。
この発明による成膜装置により、成膜速度５μm/hrの
SiNX膜を得た。被着強度も良好であり、膜厚も均一であ
った。
SiNX膜を得た。被着強度も良好であり、膜厚も均一であ
った。
発明の効果 この発明による表面処理装置は、被処理材が電極上に
設置される必要がないため、構成が簡単で鋼板、ペー
パ、ガラス、プラスチックス等のシート表面に、あるい
は複雑形状への薄膜形成および表面改質等の表面処理が
可能で、大気圧下で薄膜形成できるため、生産プロセス
のインラインへ組み込むことができ、また、実施場所を
選ばない利点がある。
設置される必要がないため、構成が簡単で鋼板、ペー
パ、ガラス、プラスチックス等のシート表面に、あるい
は複雑形状への薄膜形成および表面改質等の表面処理が
可能で、大気圧下で薄膜形成できるため、生産プロセス
のインラインへ組み込むことができ、また、実施場所を
選ばない利点がある。
第１図a,bはこの発明による表面処理装置の一実施例を
示す斜視説明図、第２図a,bは他の実施例を示す縦断説
明面図、第４図は他の実施例を示す斜視説明図である。 第３図はこの発明による表面処理装置の付帯設備を示す
ブロック図である。 第５図はこの発明による表面処理装置の適用例を示す縦
断説明面図である。 1,31……トーチ型成膜装置、2,11……放電部、 3,12……高圧電極、4,13……接地電極、５……誘電体、 6,14……放電空間、７……ガス導入管、 8,9,15,32……ガス供給管、 10……直線吹き出し型成膜装置、 16……Ａガス用ダクト、17……Ｂガス用ダクト、 19,33……スカート、20……シート材、 30……成膜装置、34……排ガスダクト、 41……摺動スペーサ、42……細管。
示す斜視説明図、第２図a,bは他の実施例を示す縦断説
明面図、第４図は他の実施例を示す斜視説明図である。 第３図はこの発明による表面処理装置の付帯設備を示す
ブロック図である。 第５図はこの発明による表面処理装置の適用例を示す縦
断説明面図である。 1,31……トーチ型成膜装置、2,11……放電部、 3,12……高圧電極、4,13……接地電極、５……誘電体、 6,14……放電空間、７……ガス導入管、 8,9,15,32……ガス供給管、 10……直線吹き出し型成膜装置、 16……Ａガス用ダクト、17……Ｂガス用ダクト、 19,33……スカート、20……シート材、 30……成膜装置、34……排ガスダクト、 41……摺動スペーサ、42……細管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平川 雅弘 兵庫県尼崎市西長洲本通２丁目６番地 住友精密工業株式会社内 (72)発明者 堀池 靖浩 広島県広島市東区光が丘10番７―607 シャトーブラン (56)参考文献 特開 平１−138242（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】電極表面に誘電体を被着あるいは対向させ
た高圧電極と接地電極間に形成される筒状放電空間を単
数または複数配置された筒状放電部を有し、 成膜種に応じたモノマー気体あるいは処理に応じたプラ
ズマ用気体と不活性ガスからなる反応ガスが、筒状放電
部上流側のガス導入部から流入し、前記筒状放電空間を
通過して放電部の下流側に設けた吹出口より、対向する
被処理材表面に噴出する構成からなり、 反応ガスが前記電極間に高電圧を印加して大気圧近傍で
グロー放電あるいは無声放電する筒状放電空間を通過し
たプラズマ励起して、被処理材表面に成膜あるいは表面
改質することを特徴とする吹出型表面処理装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338568A JP2589599B2 (ja) | 1989-11-30 | 1990-11-30 | 吹出型表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-312812 | 1989-11-30 | ||
| JP31281289 | 1989-11-30 | ||
| JP2338568A JP2589599B2 (ja) | 1989-11-30 | 1990-11-30 | 吹出型表面処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219082A JPH03219082A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2589599B2 true JP2589599B2 (ja) | 1997-03-12 |
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ID=26567332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2338568A Expired - Lifetime JP2589599B2 (ja) | 1989-11-30 | 1990-11-30 | 吹出型表面処理装置 |
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