JP6275373B2 - シリコン膜形成方法、およびシリコン膜形成装置 - Google Patents
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加えて、シクロヘキサシランは、粘度が低く、無色透明な液体であるが、熱重合、光重合しやすく、重合化すると粘度が高くなると共に、分子量も大きくなる傾向があり、CVD法を行う反応室に均一な量の気化シクロヘキサシランを安定的に供給することができないといった問題があった。
本発明の他の課題は、高純度なシリコン膜を形成できるシリコン膜形成技術を提供する点にある。
またこの様な方法によれば、高ステップカバレージを達成でき、高純度なシリコン膜を形成できる。
以下、図1を参照して本発明のシリコン膜形成方法の一態様を説明するが、本発明は該一態様に限定されるものではない。
液体流量制御器7が絞り弁の場合、該絞り弁も流量に応じて適宜制御されるのが好ましい。例えば液体流量を測定するセンサーを、送出ライン6上、気化器8内などの適当な場所に設け、このセンサーからの信号によって絞り弁の開度を調節してもよい。
液体材料を気化器8、24で気化させる手段としては、液体状態で気化器8、24内に導入し、その後に気化器8、24を加熱、減圧にして気化させるという導入と気化を順次行う方法で行っても問題はない。但し安定的に気化させるという観点から、前述したように加熱、減圧された気化器8、24内に、液体材料単体で、もしくはキャリアガスと混合して噴出口9、20から霧状に噴霧し気化させる方法が望ましい。
Re=duρ/η(d:管径(m)、u:流速(m/s)、ρ:密度(kg/cm3)、η:ニュートン流体の粘度(kg/m・s))
この値が低いほど、乱流が発生しにくく、そのために例えばガス導入管を複数設置してもよい。
本発明には、前記シリコン膜形成方法に使用され、原料タンクに充填されるためのシクロヘキサシラン梱包体が包含される。
本発明は、前記シリコン膜形成方法により形成されるシリコン膜も包含する。前記シリコン膜形成方法に形成されるシリコン膜は、高速成膜および低温成膜可能であり、高ステップカバレージを達成でき、高純度な膜であるために、薄膜トランジスタや集積回路など半導体や電子デバイス等にアモルファスシリコン、ポリシリコン膜を問わず、これらを必要としている場所に好適に利用することができる。また高ステップカバレージを達成できるため、特に凹凸を有している基板への成膜、トレンチ構造への埋め込み成膜の際にも、好適に利用することができる。
図1の装置を使ってシリコン膜を形成した。具体的には、まず、シクロヘキサシランを従来公知の方法により製造し、得られたシクロヘキサシラン700mLを、容積1Lの原料タンク1(0.05MPa以上の耐圧性、SUS製)に入れ、原料タンク1の温度を25℃とした。原料タンク1には、原料タンク1のシクロヘキサシラン液面よりも上方に設置された不活性ガス導入ライン3と、原料タンク1の液面下部に入口を有し、原料タンク上部を通じて原料タンク外部の気化器8へ伸びる送出ライン5が設置されていた。バルブ4を開けて不活性ガスの窒素を原料タンク1に導入し、原料タンクをわずかに加圧しつつ、シクロヘキサシランを液体のまま原料タンク外へと圧送した。
原料タンク1の温度を25℃、気化室8aの温度を60℃とした以外は、実施例1と同様にして、プラズマCVD法によりアモルファスシリコン膜を形成した。その結果、アモルファスシリコン膜形成速度は、90〜100nm/minであったが、得られたシリコン膜は、高速成膜および低温成膜が可能であり、また、アモルファスシリコン膜は高い純度で、凹凸の有る基板上でも高いステップカバレージを示した。
原料タンク1の不活性ガス導入ライン3が送出ライン5のように液面下または原料タンク底面まで設置され、一方送出ライン5が不活性ガス導入ライン3のように液面よりも上に設置された原料タンク1において、不活性ガス導入ライン3から不活性ガスを導入し、送出ライン5から不活性ガスと気化したシクロヘキサシランガスを反応室に向けて送出できるように、気化方式をバブリング方式に変更した。原料タンク1の温度を25℃とし、気化器8を設置しないこと以外は、実施例1と同様にしてプラズマCVD法によりアモルファスシリコン膜を形成した。その結果、シクロヘキサシランは、十分に気化されていないために、十分かつ安定な気化シクロヘキサシランを反応室に供給できず、アモルファスシリコン膜を成膜することができなかった。
原料タンク1をバブリング方式に変更し、原料タンク1の温度を70℃とした以外は、実施例1と同様にしてプラズマCVD法によりアモルファスシリコン膜を形成した。その結果、原料タンク1内でバブリングした際に送出ライン5、6上でシクロヘキサシランの熱重合により固形物が生成して、配管の詰まりを引き起こした。
気化室8aの温度を130℃とした以外は、実施例1と同様にしてプラズマCVD法によりアモルファスシリコン膜を形成した。その結果、気化器8の噴出口9にシクロヘキサシランの固形物が付着し、得られたアモルファスシリコン膜にも異物が含まれていた。
得られたシリコン膜は、半導体の薄膜トランジスタの部材として広く用いることができ、また3次元実装のポリシリコン電極など多様な用途が想定される。また電子デバイスとしても太陽電池やディスプレイ部材など幅広い分野で用いることができる。
2:シクロヘキサシラン
3:不活性ガス導入ライン
4:バルブ
5、6:送出ライン
7:液体流量制御器
8、24:気化器
8a:気化室
9、20:噴出口
10、21:ヒーター
11、23:気化ガス排出口
12:送出ライン
13:反応室
14:第一電極
15:基板
16:第二電極
17:真空ポンプ
18:第一気化室
19:第二気化室
22:キャリアガス導入ライン
Claims (8)
- 原料タンクに収容したシクロヘキサシランを送出ラインを通じて気化器に向けて送出し、気化器でシクロヘキサシランを気化させ、反応室で気化したシクロヘキサシランを化学蒸着によりシリコン膜にするシリコン膜形成方法であって、前記送出ラインにおいて、加圧不活性ガスでシクロヘキサシランを圧送または吸引により、シクロヘキサシランが原料タンクから気化器へ送り出され、
前記気化器において、送出ラインからのシクロヘキサシランは、気化室内に設けられた噴出口、温度および/または圧力調節可能な気化室、および気化ガス排出口を通過して気化され、前記噴出口の温度が、100℃以下に維持され、前記気化室の圧力が、5kPa未満に維持されることを特徴とする、シリコン膜形成方法。 - 前記原料タンクの温度が、50℃以下に維持される請求項1に記載の方法。
- 前記原料タンクの材質が、光不透過性の高強度安定材料であり、耐圧性0.05MPa以上を有する請求項1または2に記載の方法。
- 前記送出ラインに介挿される液体流量制御器により、シクロヘキサシランの送出量が制御される請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記噴出口によって、シクロヘキサシランが微粒子状または霧状に噴出される請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記化学蒸着が、低圧CVD法またはプラズマCVD法である請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- モノシランガスとシクロヘキサシランガスとを反応室に供給してシリコン膜が形成される請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- シクロヘキサシランを収容するための原料タンクと、前記原料タンクに連結し前記シクロヘキサシランを液体のまま前記原料タンクから送り出すための送出ラインと、前記送出ラインに接続し、シクロヘキサシランを気化するための気化器と、気化したシクロヘキサシランを化学蒸着によりシリコン膜にするための反応室とを有し、前記送出ラインにおいて、加圧不活性ガスでシクロヘキサシランを圧送または吸引により、シクロヘキサシランが原料タンクから気化器へ送り出され、
前記気化器において、送出ラインからのシクロヘキサシランは、気化室内に設けられた噴出口、温度および/または圧力調節可能な気化室、および気化ガス排出口を通過して気化され、前記噴出口の温度が、100℃以下に維持され、前記気化室の圧力が、5kPa未満に維持されることを特徴とする、シリコン膜形成装置。
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