TWI390073B - A method of depositing a silicon and germanium-containing thin film and a laminate by discontinuously ejecting a liquid and a dissolving material in a multi-channel ejection unit - Google Patents

A method of depositing a silicon and germanium-containing thin film and a laminate by discontinuously ejecting a liquid and a dissolving material in a multi-channel ejection unit Download PDF

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Description

以多通道噴射單元不連續噴射液態及溶解材料而沉積含矽及鍺之薄膜及疊層之方法
本發明係有關一種沉積含矽及鍺之薄膜的方法。
沉積金屬氧化物薄膜，例如氧化鉿或氧化鋁或氧化鐠，文獻中使用例如分子束磊晶法(MBE)、有機化學氣相沉積法(MOCVD)或原子層沉積法(ALD)。
MBE法之缺點為，薄膜之品質不足以應用於裝置，尤其是SiGe：C。UHV－CVD可藉低壓而達到夠低的污染。其對真空技術而言極為麻煩且成長率低。尤其使用於含Ge之異質結構時會有低成長率及高表面粗糙度之缺點。其他CVD法使用之製程壓力在1至100毫巴之間並以高純度氣體之氣流沖刷而降低污染。使用之材料通常為含矽或鍺之氣體。該氣體在安全技術上有許多問題且極難處理，使得風險高而需要麻煩的安全措施。該製程多數皆在高溫下進行，而不易製出有應力的薄膜。
某些液態材料（前驅物）有利於低溫沉積，故可製出有應力的薄膜。使用液態材料（前驅物）至今皆有困難。一般皆以加熱容器蒸發液態材料。材料藉助一載氣而轉變為氣相。前驅物之加熱經常會導致沉積條件無法重複。此外，使用此種方法很難達到氣相完全飽和及高成長率。故針對CVD法出現不同的液態前驅物輸入系統，其使小量前驅物直接接觸加熱表面而急速蒸發。其缺點為加熱表面會附著及出現顆粒而使蒸發特性隨時間改變。週期性將液態前驅物噴入一加熱體積中並使其無接觸蒸發可克服上述缺點。習知CVD法由於原子精確性差而在沉積例如具梯度化學成分之極薄SiGe緩衝薄膜時，無法達到化學成分及薄膜厚度控制方面的要求。
習知MOCVD法主要使用液態或固態前驅物，其利用加熱前驅物容器並藉助一載氣而使液態前驅物轉變為氣相。大部分的前驅物（或適當稀釋之溶液）皆極難揮發，且化學及熱不穩定，並會在某些條件下改變或解離，使得沉積無法重複。因此，針對MOCVD法出現不同的液態前驅物輸入系統，其使小量前驅物直接接觸加熱表面而急速蒸發。其缺點為加熱表面會附著及出現顆粒而使蒸發特性隨時間改變。過期性將液態前驅物噴入一加熱體積中並使其無接觸蒸發可克服上述缺點。習知MOCVD法由於原子精確性差而在沉積奈米薄膜會有問題。
為確保CMOS電子元件的進一步研發，需要增加矽技術。SiGe可提高速度同時降低能量消耗。其已使用於今日之技術中，對未來的科技發展具深遠意義。使用SiGe於例如HBT（Heterojunction Bipolar Transistor異質接合雙載子電晶體）可使矽技術在高頻範圍成功地與III/V（例如GaAs）結構競爭。SiGe的優點為，其與標準矽製程技術相容且成本低於相應的III/V結構。HBT經常與BiCMOS結構整合。SiGe可藉改變Si/Ge比例而使帶隙能量達到要求。HBT之基極帶隙小於射極。如此不僅可防止電荷載子回流，提高射極射頻，並可達到極高的基極摻雜及較高的頻率。藉不同的Si及Ge晶格常數可得到有應力的晶格，較高的電子及空穴活動力，並提高功率。為確保此種應力，SiGe之沉積需在相當低的溫度下進行。藉摻雜碳可進一步穩定及改善特性，因其防止硼摻質的擴散，而可得到功率更強的薄膜結構。為製出具高裝置品質之有應力薄膜，通常需要具梯度化學成分之SiGe緩衝薄膜。由於未來科技輕薄短小的趨勢，該緩衝層必須更薄，故需要高精確性及靈活性之沉積技術。
本發明有關一種在一反應室中至少一基板上沉積至少一半導體薄膜之方法，該半導體薄膜由多成分組成，數噴射單元各將一液態或溶於一液體之材料不連續噴入一溫控蒸發室中而將其蒸發，該蒸氣被一載氣輸入反應室中。
此種方法及裝置參見DE 100 57 491，其係用於蒸發液態或溶於一液體之材料。噴射單元產生一氣懸體，氣懸體中的液滴吸取蒸發室中氣體的熱能而蒸發，故蒸發無表面接觸。材料可為DE 101 56 932 A1及DE 101 14 956 A1所述之化合物。
本發明之目的在於提供一種沉積矽/鍺薄膜之有效方法。
本目的由申請專利範圍中之本發明達成。依據申請專利範圍第1及16項，一第一材料含矽，一第二材料含鍺。此外，決定每一噴射單元質流時間曲線的質流參數，如噴射預壓、噴射頻率、脈衝/脈衝間隔比例及脈衝/脈衝間隔與其他噴射單元脈衝/脈衝間隔的相位關係，可被個別調整或改變。
本發明方法將一或多含Si、Ge及/或C之液態材料不連續噴入至少一加熱體積中而使其轉變為氣相。該方法被用於製作Si、Ge、SiGe或SiGe：C薄膜，其不僅可使材料源材料無接觸蒸發，而使薄膜之沉積可重複及無顆粒，並可在薄膜成形時經噴射速率、脈衝/脈衝間隔比例及彼此之相位關係可個別調整之液態前驅物噴射單元而精確控制Si、Ge及C的摻雜量。該方法可藉改變材料的輸入量而成形出梯度薄膜，其可藉噴射頻率、脈衝/脈衝間隔比例及噴射預壓力的調整而達成。在一Si表面成形有應力的Si時，使用本發明方法特別有利，因由梯度SiGe緩衝層、無應力SiGe薄膜及有應力Si薄膜構成的整個疊層需在一製程步驟中藉臨場改變氣相組成及製程條件而製出。故此種新方法的優點為產量高、化學計量控制良好、製程條件靈活性高、沉積之原子精確度高、可製作奈米疊層及超結構、晶核層及梯度薄膜之沉積可控制。將此種不連續噴射與一氣體分佈器組合可使輸入反應室之氣態材料均勻分佈於基板表面。如此沉積可得到高均勻度。
反應室較佳為真空室。該處之壓力可小於1000毫巴。反應室可被加熱。在一單一製程步驟中可在基板上沉積多層薄膜。沉積該薄膜時基本上只改變質流參數。可改變噴射預壓、噴射頻率或脈衝/脈衝間隔比例直接先後沉積出不同品質的薄膜，而不需在各薄膜之間有一停頓。此外，本發明方法可沉積出梯度結構，其方法為在沉積至少一薄膜時連續改變質流參數，如此在垂直方向上出現連續改變的薄膜組成。本方法亦可在兩薄膜之間得到連續的過渡。噴射單元材料質流最好被測量，質流亦可藉改變噴射頻率、脈衝/脈衝間隔比例及/或噴射預壓而被調整。材料尤其是矽及鍺的四甲基或四乙基。特佳的是室溫為液態之前驅物：四氯化鍺、四氯化矽、四乙氧基鍺、四乙氧基矽烷。該前驅物可為純的形態，但亦可使用有機溶劑。薄膜亦可含氮化物。基板座可被驅動旋轉。多個噴射單元可歸屬一多通道噴射單元。有利的是使每一多通道噴射單元皆設有一蒸發室。每一蒸發室皆可被控溫。蒸發室與反應室之間的管路亦可被控溫。反應室內可設一蓮蓬頭狀氣體分佈器。該蓮蓬頭狀氣體分佈器位在基板上方，反應氣體由氣體分佈器下方開孔流入反應室中，在基板上反應而生成薄膜。裝置設有一電子控制裝置，其可個別設定及調整質流參數。
本發明方法係用於沉積SiGe薄膜。其可為有應力或無應力SiGe薄膜。該薄膜可含碳。本方法可臨場調整各材料源質流以控制化學組成成分及薄膜厚度而精確設定薄膜組成及梯度薄膜的成形而不中斷製程。故例如可在一矽基板的鍺表面上沉積一過渡薄膜。如此製程開始時只輸入含矽成分。該成分之輸入被連續降低，含鍺成分之輸入則連續提高，至最後只輸入含鍺成分。如此使矽表面與鍺表面間產生晶格匹配之過渡。
以下將依據附圖詳細說明本發明一實施例。
本裝置以一多通道噴射單元6不連續噴射液態或溶解金屬物質而沉積單或多成分材料。每一噴射單元5之噴射頻率、噴射預壓、脈衝間隔/脈衝比例及彼此與質流控制之相位關係可被個別調整。該裝置尤其用於在矽或鍺基板上沉積矽或鍺薄膜或SiGe薄膜。
本裝置設有一反應器，其具有一反應腔14，該反應腔14經未圖示出之元件而連接一未圖示出之真空裝置。反應腔內設有一加熱裝置13，加熱裝置13上方有一基板1。基板1在圖1中被放大，其實際上放置在一基板座上，該基板座可被驅動旋轉。基板1上方為一反應室2，其上方有一蓮蓬頭狀氣體分佈器15，該氣體分佈器15構成反應室2的上邊界。
輸入管12通到氣體分佈器15，其將蒸發材料3與一載氣7一起輸入氣體分佈器15。
輸入管12可被控溫，其連接蒸發室4與氣體分佈器15。
所示實施例中共設有三個蒸發室4，但亦可設得更少或更多。每一蒸發室4具有一多通道噴射單元6。每一多通道噴射單元6包括多個噴射單元5，本實施例中為四個噴射單元5，但亦可為更少或更多。噴射單元5各將一液態或溶於一液體之材料3噴入蒸發室4中。每一噴射單元5具有一噴出閥，其脈衝式開啟及關閉。脈衝寬度可為數秒至數毫秒，脈衝間隔亦可在該範圍內。每一噴射單元5被一控制裝置17個別控制，其可個別控制質流參數，如脈衝寬度、脈衝間隔及脈衝頻率。每一噴射單元5之質流各被一質流計9測量。各噴射單元5之噴射預壓各被一壓力調節器10個別調整。一材料儲槽被給予該壓力調節器10設定的壓力。
每一蒸發室4連接一載氣7輸入管。載氣7質流由質流控制器8設定。
材料尤其可為金屬有機矽及/或金屬有機鍺化合物。該材料化合物與一惰性載氣，如惰性氣體、氫或氮，一起被脈衝式地輸入蒸發室4中。該惰性載氣可被預熱，使得蒸發需要的能量可直接來自蒸發室4中的氣體。因此蒸發無表面接觸。如使用高揮發性液體或固體材料時，本發明方法特別有利。固體材料可溶於適當溶劑中，然後與該溶劑一起被噴入蒸發室中。
所有揭示特徵本身皆具有發明性質。本發明揭示之特徵完全包含於本案之申請專利範圍中。
1．．．基板
2．．．反應室
3．．．材料
4．．．蒸發室
5．．．噴射單元
6．．．多通道噴射單元
7．．．載氣
8．．．質流控制器
9．．．質流計
10．．．壓力調節器
12．．．輸入管
13．．．加熱裝置
14．．．反應腔
15．．．氣體分佈器
17．．．控制裝置
圖1係進行本發明方法之裝置之結構示意圖。
1．．．基板
2．．．反應室
3．．．材料
4．．．蒸發室
5．．．噴射單元
6．．．多通道噴射單元
7．．．載氣
8．．．質流控制器
9．．．質流計
10．．．壓力調節器
12．．．輸入管
13．．．加熱裝置
14．．．反應腔
15．．．氣體分佈器
17．．．控制裝置

Claims (29)

  1. 一種在一反應室(2)中至少一基板上沉積至少一半導體薄膜之方法，該半導體薄膜由多成分組成，藉由一噴射單元(5)各將一液態或溶於一液體之材料(3)不連續噴入一溫控蒸發室(4)中而將其蒸發，該蒸氣被一載氣(7)輸入反應室中，其特徵為，決定一含矽第一材料及一含鍺第二材料(3)之質流時間曲線的噴射單元(5)質流參數，包括噴射預壓、噴射頻率、脈衝/脈衝間隔比例及脈衝/脈衝間隔與其他噴射單元脈衝/脈衝間隔的相位關係，可被個別調整或改變。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，反應室(2)壓力小於1000毫巴。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，反應室(2)壓力小於100毫巴。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，反應室(2)被控溫。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，在一製程步驟中使基板(1)上沉積多層薄膜。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，沉積薄膜疊層時只改變質流參數。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，在沉積至少一薄膜時連續改變質流參數，而在垂直方向上出現連續改變的薄膜組成或先後沉積之薄膜的連續過渡。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，噴射單元(5) 材料質流被質流計(9)測量，質流可藉改變噴射頻率、脈衝/脈衝間隔比例及/或噴射預壓而被調整。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，可沉積奈米薄膜、超結構、晶核層及梯度薄膜之一或多者。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，使用溶於一液體之固體材料。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，梯度薄膜被如下沉積：開始沉積時只噴射第一材料，接著連續降低第一材料的質流並連續提高第二材料之質流，直至第一材料之質流為0為止。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，輸入氫化物。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，欲塗佈表面具垂直圖案，尤其是溝渠，蒸發之材料擴散入其中而沉積在圖案的側壁及底部。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，沉積之薄膜含碳、硼、磷、砷或另一摻質。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，至少一材料為四氯化鍺、四氯化矽、四乙氧基鍺、四乙氧基矽烷或類似之矽或鍺金屬有機化合物。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，製程溫度在300℃至1200℃之間。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，製程溫度在500℃至1000℃之間。
  18. 一種以一多通道噴射單元(6)不連續噴射液態含矽 及/或鍺之化學反應材料之方法，每一噴射單元(5)於質流方向之噴射頻率、噴射預壓、脈衝/脈衝間隔比例及與其他噴射單元(5)的相位關係，可被個別調整，且噴射之材料與至少一惰性載氣被輸入一溫控體積中，材料在其內被蒸發，蒸發之材料沉積於IV族基板上成為一矽、鍺及/或SiGe薄膜。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，晶體表面磊晶沉積至少一Si、SiGe及/或Ge薄膜。
  20. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，至少沉積下述一薄膜：Si、Ge、SiGe、SiGe：C、Si/Ge超結構、SiGe/SiGe超結構、SiGe緩衝層，該SiGe係指Si1-x Gex (0≦x≦1)之不同薄膜。
  21. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，材料同時噴射。
  22. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，材料被交替噴射。
  23. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，轉變為氣態之材料被一氣體分佈器(15)均勻分散在基板面上方。
  24. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，沉積時基板被旋轉。
  25. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，至少一沉積薄膜有應力。
  26. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，至少一沉積薄膜無應力。
  27. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，薄膜化學成分具空間變化。
  28. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，至少兩可獨立調節之噴射單元平行輸入材料而沉積不同的薄膜。
  29. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，輸入反應室之含鍺及矽成分的質流被連續或逐步改變，使得基板上所沉積薄膜之矽與鍺質量比例隨薄膜高度而改變。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101106480B1 (ko) * 2009-06-12 2012-01-20 한국철강 주식회사 광기전력 장치의 제조 방법
US9150961B2 (en) * 2009-11-16 2015-10-06 Fei Company Gas delivery for beam processing systems
US11830734B2 (en) * 2021-05-19 2023-11-28 Applied Materials, Inc. Thermal deposition of silicon-germanium

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8702096A (nl) * 1987-09-04 1989-04-03 Stichting Katholieke Univ Werkwijze en inrichting voor het mengen van gassen en het met behulp van een gasmengsel epitactisch vervaardigen van halfgeleiderproducten.
JP3149223B2 (ja) * 1991-10-07 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US6306211B1 (en) * 1999-03-23 2001-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for growing semiconductor film and method for fabricating semiconductor device
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
EP1266054B1 (en) * 2000-03-07 2006-12-20 Asm International N.V. Graded thin films
DE10057491A1 (de) * 2000-11-20 2002-05-23 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen eines in die Gasform gebrachten flüssigen Ausgangsstoffes in einen CVD-Reaktor
JP2002175987A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Ngk Insulators Ltd 液体原料供給装置
DE10114956C2 (de) * 2001-03-27 2003-06-18 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht als Isolatorschicht für einen Grabenkondensator
JP3985519B2 (ja) * 2001-12-27 2007-10-03 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法
DE10156932A1 (de) * 2001-11-20 2003-05-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abscheidung dünner Praseodymoxid-Schichten mittels ALD/CVD-Verfahren
US20030111013A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Oosterlaken Theodorus Gerardus Maria Method for the deposition of silicon germanium layers
JP3719998B2 (ja) * 2002-04-01 2005-11-24 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
GB0212616D0 (en) * 2002-05-31 2002-07-10 Univ Warwick Formation of lattice-tuning semiconductor substrates
JP2004039735A (ja) * 2002-07-01 2004-02-05 Fujitsu Ltd 半導体基板及びその製造方法
JP4195808B2 (ja) * 2002-11-05 2008-12-17 日本パイオニクス株式会社 気化器
JP2004179649A (ja) * 2002-11-12 2004-06-24 Sony Corp 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置
JP4714422B2 (ja) * 2003-04-05 2011-06-29 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置

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