JP4448582B2 - タンタル−炭素系薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの配線工程において、配線材料と下地層および絶縁層との反応を防ぐバリア層およびその形成方法に関し、特にタンタル−炭素系薄膜からなるバリア層およびその形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
配線用バリア層作製方法として、従来から、有機金属化合物を用いる化学気相堆積法が知られている。この化学気相堆積法でバリア層を作製する場合、得られた層の比抵抗(抵抗率)を低くし、バリア性を向上するようにすることが重要となる。例えば、化学気相堆積法により約400℃でタンタル−窒素(TaN)層を作製する場合、得られた層の比抵抗は数千μΩ・cmとなり、この値は実際に必要とされる数百μΩ・cmよりも高い。そのため、約600℃という高温で成膜して、低い比抵抗(例えば、約1000μΩ・cm)のバリア層を得ているのが現状である。
【0003】
バルク層での比抵抗が低いものとして、スパッタリング法で形成したTaN薄膜(約200μΩ・cm)や、タンタル−炭素(TaC)薄膜(約30μΩ・cm)等が知られている。しかしながら、化学気相堆積法でバリア層を形成する場合、TaN薄膜については、上記したように、ある程度低い比抵抗を有するバリア層が知られているが、TaC薄膜については、低比抵抗のバリア層は未だ開発されていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の化学気相堆積法では、上記したように、高温で成膜して低比抵抗のバリア層(例えば、TaN層)を得ているが、高温で処理するということは、その後の半導体デバイス作製工程において欠陥が発生する要因となる。そのため、低温で低比抵抗のバリア層を形成することが望まれている。
【0005】
本発明は、前記問題点を解決するものであり、低比抵抗のバリア層としてタンタル−炭素系薄膜を低温で形成する方法、および得られた低比抵抗の薄膜を提供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、バルク層での比抵抗が低いTaC薄膜を利用することで、低い比抵抗を有するバリア層を化学気相堆積法で形成することができるのではないかと考え、種々の研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
【0007】
本発明のタンタル−炭素系薄膜の形成方法は、化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上にタンタルを含有する炭素を多く含む層を堆積するステップと、基板にバイアスを印加しつつ前記タンタルを含有する炭素を多く含む層をプラズマに暴露するステップとを1サイクルとして、これを複数回繰り返した後、さらに基板をシラン系のガス雰囲気中において熱アニールすることにより、バリア層として有用な低比抵抗のタンタルと炭素を包含するタンタル−炭素系薄膜を得ることからなる。また、本発明のタンタル−炭素系薄膜は、このようにして形成されたものであって、350〜2000μΩ・cmの比抵抗を有する。
【0008】
前記堆積ステップは、基板温度250〜400℃で行われることが好ましい。基板温度が250℃未満だと低比抵抗の薄膜が得にくく、成膜速度も遅いため実用的でなく、また、400℃を超えると後のデバイス作製工程で欠陥が発生するからである。
【0009】
前記タンタル含有有機金属化合物としては、次式:
RN=Ta[N(R')2]3及びTa[N(R'')2]n
(但し、式中、R、R'、及びR''は、それぞれC1〜C6アルキル基であって、お互いに同じであっても異なっていてもよく、またnは4又は5である。)
から選ばれるアルキル置換アミノタンタル化合物を使用することができる。C1〜C6アルキル基には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、又はそれらの異性体が含まれる。例えば、C2H5N=Ta[N(C2H5)2]3(薄黄色液体、沸点120℃/0.1Torr)、(CH3)3CN=Ta[N(C2H5)2]3、Ta[N(C2H5)2]4(薄黄色液体、沸点120℃/0.1Torr)、Ta[N(CH3)2]5(固体、沸点80℃/0.1Torr)、Ta[N(C2H5)2]5等のアルキル置換アミノタンタル化合物が好ましい。これらは、酸素を含有しない有機金属化合物であり、比較的安定で、入手が容易であるからである。
【0010】
前記堆積ステップとその後のプラズマ暴露ステップとを基板を真空の環境から取り出さずに行うことが好ましく、特に、堆積ステップとプラズマ暴露ステップとを1つの真空処理室内で行うことが好ましい。これは薄膜の酸化防止と共に、作業能率を上げるためである。プラズマは、窒素イオン、窒素含有イオン、アルゴンイオン、クリプトンイオン、キセノンイオンのうち少なくとも1つを含んでいることが好ましく、すでに膜中に含有されている窒素系ガスあるいは上記のような不活性ガスを用いることで、副反応を防ぐことが可能となる。また、堆積ステップとプラズマ曝露ステップとを1サイクルとして、これを複数回繰り返す。これにより、得られる薄膜が緻密化するので、比抵抗が減少しやすく、所望の膜厚を有するバリア層を得ることができる。
【0011】
また、堆積ステップとプラズマ暴露ステップとが終了した後、得られたタンタル−炭素系薄膜をシラン系のガス雰囲気中において熱アニールする。これにより、粒子の直進性のためにプラズマ暴露処理が不充分であった配線孔等の側壁部のバリア性を向上させることができる。
【0012】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
(実施例1)
図1に示すような静電チャック付ホットプレートを備えた反応容器(真空反応槽)1を持った既知の枚葉式熱CVD装置を用い、以下のようにして基板上にバリア層としてのタンタル−炭素系薄膜を形成した。
【0013】
原料容器2内に、タンタル含有有機金属化合物として、C2H5N=Ta[N(C2H5)2]3を入れ、この化合物を、加圧ガスa(He)により、液体マスフローコントローラー(MFC)3を経て気化器4へ導き、そこで150℃の温度に予備加熱した。予備加熱された化合物含有ガス10SCCMを気化器4内でキャリアガスb(N2)1000SCCMと混合した後、その混合物を反応容器1内にノズルを通して(シャワーヘッドを具備したものの場合は、シャワーヘッドを通して)導入し、基板5上にタンタルを含有する炭素を多く含む層を2分間堆積せしめ、50オングストローム厚の膜を形成せしめた。このプロセス中、ホットプレート6上に載置された基板5を400℃に維持し、反応容器1内の圧力を66.5Paに保持した。このキャリアーガスbは、マスフローコントローラー7を経て熱交換器8内に導入され、ここで150℃に予備加熱された後、気化器4に導入された。また、気化器4と容器1との間の経路はヒーターHまたは温媒等の加熱手段により保温・加熱できるようになっている。このようにして、基板5上に、タンタルと炭素との組成比がほぼ1:1であり、窒素よりも炭素を多く含む層が堆積した。この得られた層の比抵抗は高く、数千μΩ・cmのオーダーであった。
【0014】
次いで、マスフローコントローラー9を経てプラズマ形成ガスc(Ar)を100SCCM流し、反応容器内を13.3Paに保持した状態で、基板5にRF源10から500WのRF電力を30秒間印加し、アルゴンによるプラズマへの暴露、すなわちプラズマアニールを30秒間行い、約50オングストロームのタンタル−炭素系薄膜を得た。
【0015】
上記堆積ステップとプラズマアニールステップとを1サイクルとし、このサイクルを4回繰り返し、基板5上に目的とするタンタル−炭素系薄膜を積層した。得られた薄膜の厚さは約200オングストロームであり、その比抵抗は370μΩ・cmであった。
【0016】
上記操作においてホットプレート6上に載置された基板5は、Si基板(又は下層配線層)上に、予め、絶縁層等が形成されたものである。図2に示すように、基板21上に設けられた絶縁層22上に、上記したように、タンタル含有有機金属化合物の熱分解により堆積されたタンタルを含有する炭素を多く含んだ層23が形成され、次いで、この層に対するプラズマアニールによりタンタル−炭素系薄膜が形成された。
【0017】
プラズマ形成ガスとして、アルゴンの代わりに窒素を用いて、上記と同じ操作を繰り返したところ、同様な結果が得られた。
【0018】
上記したように行ったプラズマアニール処理前後の薄膜中の組成変化および比抵抗の変動を以下の表1に示す。この薄膜の組成は、オージェ電子分光法(AES)に基づいて同定した。
(表1)
【0019】
表1から明らかなように、アルゴンによるプラズマアニールでも、窒素によるプラズマアニールでも、得られたタンタル−炭素系薄膜におけるタンタルと炭素との組成比率はほぼ1:1であり、その比率はプラズマアニールの処理前後でほとんど変化することはなく、得られた薄膜の比抵抗はアニール前と比べて1桁低かった。また、プラズマアニールの処理により炭素原子が放出されることもなく、炭素含量は処理前後とも窒素含量よりも高い。このため得られた薄膜をタンタル−炭素系薄膜とした。
(実施例2)
実施例1記載の方法を繰り返した。但し、プラズマアニール処理時間を、0、15、30、および60秒と変化させ、かつ、堆積ステップとプラズマアニールステップとの1サイクルだけの処理によりタンタル−炭素系薄膜を形成せしめ、その比抵抗を測定し、アニール時間と比抵抗との関係を調べた。その結果を表2に示す。
(表2)
【0020】
表2から明らかなように、アニール時間30秒で飽和し、低比抵抗の薄膜を得ることができた。
(実施例3)
実施例1では、同一反応容器内で堆積ステップとプラズマアニールステップとを交互に行ってタンタル−炭素系薄膜を作製したが、本実施例では、堆積ステップとプラズマアニールステップとを別の反応容器内で交互に行った。
【0021】
使用した装置は、図3に模式的に示すように、シリコン基板等の基板の搬送用ロボットを組み込んだコア室31を中心として、このコア室に、基板格納室32、堆積ステップを行うCVD室33、およびプラズマアニールを行うアニール室34がそれぞれ、ゲートバルブ35を介して連結されるように構成されている。なお、CVD室33およびアニール室34は真空ポンプ等の真空排気系(図示せず)に連結されており、また、アニール室34はIRランプ等の加熱手段により基板を加熱することができるように、かつ基板にRF電力が印加できるように構成されている。コア室31に設けられた既知の基板搬送用ロボットは、基板を、コア室を軸にして基板格納室32、CVD室33、アニール室34から、またこれらの各室に搬入・搬出可能なように、かつ基板格納室32からCVD室33へそしてCVD室からアニール室34へ自由に搬送可能なように設計されたものである。
【0022】
まず、基板をコア室31を経由して基板格納室32からCVD室33内に搬送し、そこで実施例1と同じ条件下、炭素を多く含む層を基板上に堆積させた。この炭素を多く含む層が堆積された基板をCVD室33からアニール室34内に搬送し、サセプタ上に載置した。サセプタの温度はCVD室の温度とほぼ同じとした。次いで、アニール室34内にマスフローコントローラーを経てプラズマ形成ガス(Ar)を100SCCM流し、基板をIRランプで加熱しながら、実施例1の場合と同様に、室34内を13.3Paに保持した状態で、基板にRF源から500WのRF電力を30秒間印加し、アルゴンによるプラズマへの暴露、すなわちプラズマアニールを30秒間行い、約50オングストロームのタンタル−炭素系薄膜を得た。
【0023】
上記堆積ステップとプラズマアニールステップとを1サイクルとし、このサイクルを4回繰り返し、基板上に目的とするタンタル−炭素系薄膜を積層した。得られた薄膜は、実施例1の場合と同様の組成比を有しており、厚さは約200オングストロームであり、比抵抗は370μΩ・cmであった。
(実施例4)
実施例1記載の方法を繰り返して、半導体デバイスの配線孔(またはトレンチ)を有する基板上にタンタル−炭素系薄膜を形成した後、得られた薄膜を、SiH4ガスにより、ガス量10SCCM、基板温度400℃、反応容器内圧力0.1Torrの条件下、熱アニールした。これにより、配線孔の側壁部のタンタル−炭素系薄膜の膜品質が改質され、緻密化されており、バリア性が向上したことが明らかであった。
【0024】
【発明の効果】
本発明の薄膜形成方法によれば、バリア層として、低い成膜温度でタンタル−炭素系薄膜を形成することが可能となったので、その後の半導体デバイス作製の工程での高温処理による欠陥の発生などの問題点が解決されるという効果が得られると共に、本発明のタンタル−炭素系薄膜は低い比抵抗を有しており、バリア層として有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で使用する熱CVD装置の構成の一例を模式的に示す構成図。
【図2】本発明に従って基板上に炭素を多く含んだ層を形成した状態を模式的に示す基板の断面図。
【図3】本発明で使用する熱CVD装置の構成の別の一例を模式的に示す構成図。
【符号の説明】
1 反応容器(真空反応槽) 2 原料容器
3、7、9 マスフローコントローラー 4 気化器
5 基板 6 ホットプレート
8 熱交換器 10 RF源
21 Si基板(または下層配線図) 22 絶縁層
23 炭素を多く含んだ層 31 コア室
32 基板格納室 33 CVD室
34 アニール室 35 ゲートバルブ
a 加圧ガス b キャリアガス
c プラズマ形成ガス H ヒーター
Claims (6)
- 化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上にタンタルを含有する炭素を多く含む層を堆積するステップと、基板にバイアスを印加しつつ前記タンタルを含有する炭素を多く含む層をプラズマに暴露するステップとを1サイクルとして、これを複数回繰り返した後、さらに基板をシラン系のガス雰囲気中において熱アニールすることを特徴とするタンタルと炭素を包含するタンタル−炭素系薄膜の形成方法。
- 前記タンタルを含有する炭素を多く含む層を堆積するステップが、基板温度250〜400℃で行われることを特徴とする請求項1記載の形成方法。
- 前記タンタル含有有機金属化合物がアルキル置換アミノタンタル化合物であることを特徴とする請求項1または2記載の形成方法。
- 前記タンタルを含有する炭素を多く含む層を堆積するステップと前記プラズマに暴露するステップとを基板を真空の環境から取り出さずに行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の形成方法。
- 前記タンタルを含有する炭素を多く含む層を堆積するステップと前記プラズマに暴露するステップとを1つの真空処理室内で行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の形成方法。
- 前記プラズマが、窒素イオン、窒素含有イオン、アルゴンイオン、クリプトンイオン、キセノンイオンのうち少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の形成方法。
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