JP2023173097A - 基板処理装置及び酸素混入抑制方法 - Google Patents
基板処理装置及び酸素混入抑制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023173097A JP2023173097A JP2022085097A JP2022085097A JP2023173097A JP 2023173097 A JP2023173097 A JP 2023173097A JP 2022085097 A JP2022085097 A JP 2022085097A JP 2022085097 A JP2022085097 A JP 2022085097A JP 2023173097 A JP2023173097 A JP 2023173097A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- enclosure
- processing apparatus
- substrate processing
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 98
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 54
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 38
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 21
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2015—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate the substrate being of crystalline semiconductor material, e.g. lattice adaptation, heteroepitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】基板処理装置のチャンバ内に供給される処理ガスへの酸素混入を抑制する。【解決手段】減圧可能に構成され、基板が収容されるチャンバと、前記チャンバに供給される処理ガスの供給源と、当該供給源と前記チャンバとを接続する接続管とを囲い込むエンクロージャと、を有する基板処理装置である。【選択図】図１
Description
本開示は、基板処理装置及び酸素混入抑制方法に関する。
特許文献１には、被処理体に対して所定の処理を施すために処理容器内に蒸気圧の低い金属化合物材よりなる所定の原料ガスを噴射するガス噴射手段を設けた処理装置と、ガス噴射手段に所定の原料ガスを供給するガス供給系とを有する処理システムが開示されている。この処理システムにおいて、ガス噴射手段はシャワーヘッド部である。また、ガス供給系は、シャワーヘッド部より上方に延びるガス通路と、ガス通路の上端部に取り付けられて内部に上記金属化合物材料を収容する材料貯留槽と、上記ガス通路を開閉する開閉弁と、を備える。
本開示にかかる技術は、基板処理装置のチャンバ内に供給される処理ガスへの酸素混入を抑制する。
本開示の一態様は、減圧可能に構成され、基板が収容されるチャンバと、前記チャンバに供給される処理ガスの供給源と、当該供給源と前記チャンバとを接続する接続管とを囲い込むエンクロージャと、を有する基板処理装置である。
本開示にかかる技術によれば、基板処理装置のチャンバ内に供給される処理ガスへの酸素混入を抑制することができる。
半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板に対して、成膜処理等の各種基板処理が順次行われる。これらの基板処理は、基板処理装置により行われる。基板処理装置は、減圧可能に構成され基板処理時に基板を収容するチャンバを有する。また、基板処理によっては、各種処理ガスが処理時にチャンバに供給される。処理ガスの供給源からチャンバへの処理ガスの供給は接続管を介して行われる。
上述の接続管とチャンバとの接続部分や接続管と処理ガスの供給源との接続部分には、これら接続部分を封止するため、例えばＯリングが用いられる。また、チャンバに供給される処理ガスに意図せず酸素が混入すると、処理結果に影響があることがある。そのため、上記接続部分を介した処理ガスへの酸素の混入をより抑制するため、Ｏリングの代わりにメタルガスケットを用いたり、二重にＯリングを配して内側のＯリングと外側のＯリングの間に不活性ガスを供給する構成すなわち二重Ｏリングを採用したりすることがある。
しかし、メタルガスケットも二重Ｏリングも適用が好まれない場合がある。例えば、処理ガスの供給源が、蒸気圧の低い原料を貯留しその内部で原料が気化し処理ガスとしての原料ガスが生成される気化器である場合、メタルガスケットや二重Ｏリングを適用することが好まれない。以下、その理由を説明する。
蒸気圧の低い原料を貯留する気化器の場合、原料ガスの再固化または再液化を防ぐことを目的として上述の接続管等が加熱されるため、当該接続管等の材料に熱伝導率のよいアルミニウムが用いられることがある。しかし、アルミニウムは剛性が低いため、アルミニウム製の接続管等に対してメタルガスケットを適用するのは難しい。
また、蒸気圧の低い原料を貯留する気化器の場合、気化器をチャンバの近傍に配し、チャンバを減圧することにより、気化器の内部を減圧させ原料を気化させることがある。このとき、接続管での圧損を小さくするため当該接続管は大口径とされる。大口径の接続管に対する二重Ｏリングの適用や、接続管に接続される開閉弁への二重Ｏリングの適用は一般的でなく、適用するとなると別途の開発が必要となり高コストとなる。
また、蒸気圧の低い原料を貯留する気化器の場合、気化器をチャンバの近傍に配し、チャンバを減圧することにより、気化器の内部を減圧させ原料を気化させることがある。このとき、接続管での圧損を小さくするため当該接続管は大口径とされる。大口径の接続管に対する二重Ｏリングの適用や、接続管に接続される開閉弁への二重Ｏリングの適用は一般的でなく、適用するとなると別途の開発が必要となり高コストとなる。
そこで、本開示にかかる技術は、メタルガスケットや二重Ｏリングを採用せずに、基板処理装置のチャンバ内に供給される処理ガスへの酸素混入を抑制する。
以下、本実施形態にかかる基板処理装置及び酸素混入抑制方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１実施形態）
＜成膜装置＞
図１は、第１実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置の一部を断面で示している。
＜成膜装置＞
図１は、第１実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置の一部を断面で示している。
図１の成膜装置１は、基板としてのウェハＷに対し基板処理として成膜処理を行い、当該ウェハＷ上に例えばルテニウム（ＲＵ）膜を形成するように構成されている。
成膜装置１は、減圧可能に構成されウェハＷを収容するチャンバ１０を有する。
成膜装置１は、減圧可能に構成されウェハＷを収容するチャンバ１０を有する。
チャンバ１０は、例えば外形が直方体状となり且つその内部空間が円柱状になるように、形成されている。チャンバ１０の材料には、熱伝導性の良い金属材料、例えばアルミニウムが用いられる。
チャンバ１０の側壁１１には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が設けられており、この搬入出口には、当該搬入出口を開閉するゲートバルブ（図示せず）が設けられている。
また、チャンバ１０の側壁１１には、チャンバ１０の外部に設けられた圧力センサ２０が接続されている。圧力センサ２０は、例えばキャパシタンスマノメータでありチャンバ１０内の圧力を測定する。圧力センサ２０での測定結果は、後述の制御部２００に出力される。
チャンバ１０の側壁１１には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が設けられており、この搬入出口には、当該搬入出口を開閉するゲートバルブ（図示せず）が設けられている。
また、チャンバ１０の側壁１１には、チャンバ１０の外部に設けられた圧力センサ２０が接続されている。圧力センサ２０は、例えばキャパシタンスマノメータでありチャンバ１０内の圧力を測定する。圧力センサ２０での測定結果は、後述の制御部２００に出力される。
チャンバ１０の底壁１２には、排気口１２ａが形成されている。また、底壁１２には、後述のベローズ３３を収容する収容部２１の上部の開口２１ａと排気口１２ａとが連通するように、当該収容部２１が接続されている。収容部２１は、上部と側部に開口２１ａ、２１ｂを有し、開口２１ａと開口２１ｂが互いに連通している。これら開口２１ａ、２１ｂを介してチャンバ１０が排気されるように、収容部２１の側部の開口２１ｂには、排気管２２の一端部が接続されている。排気管２２の他端部は、排気装置（例えば真空ポンプ）２３に接続されている。また、排気管２２の排気装置２３より上流側には、チャンバ１０内の圧力を調整するための圧力調整弁としてのＡＰＣバルブ２４が設けられている。ＡＰＣバルブ２４は、自動圧力調整機能及び遮断機能を備えており、後述の制御部２００からの制御信号に基づいて当該ＡＰＣバルブ２４の開度は制御される。ＡＰＣバルブ２４によって、チャンバ１０内の圧力を予め設定された圧力になるよう調整したり、チャンバ１０と排気装置２３との接続を遮断したりすることができる。
チャンバ１０内には、ウェハＷが水平に載置される平面視円形状の載置台３０が設けられている。載置台３０の内部には、ウェハＷを加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられている。載置台３０の下面側中央部には、チャンバ１０の底壁１２の排気口１２ａを通じて底壁１２を貫通し、さらに、収容部２１の底壁２１ｃを貫通するように、上下方向に延在する支持部材３１の上端部が接続されている。支持部材３１の下端は、昇降機構３２に接続されている。後述の制御部２００に制御される昇降機構３２の駆動によって、載置台３０は、上方の第１の位置と下方の第２の位置との間を上下に移動することができる。
上記第１の位置は、ウェハＷに処理が行われる処理位置である。処理位置に位置する載置台３０と、チャンバ１０の天壁１３から下方に延び出しチャンバ１０内の内外を仕切る隔壁１３ａとにより、処理空間Ｓが形成される。なお、処理位置に位置する載置台３０の上面と隔壁１３ａの下面との間には隙間Ｋが形成されており、この隙間Ｋを介して処理空間Ｓ内は排気可能である。
上記第２の位置は、チャンバ１０の前述の搬出入口(図示せず)からチャンバ１０内に進入するウェハＷの搬送機構（図示せず）と、チャンバ１０内の下方に設けられた受け渡しピン（図示せず）との間で、ウェハＷを受け渡している時に載置台３０が待機する待機位置である。
上記第２の位置は、チャンバ１０の前述の搬出入口(図示せず)からチャンバ１０内に進入するウェハＷの搬送機構（図示せず）と、チャンバ１０内の下方に設けられた受け渡しピン（図示せず）との間で、ウェハＷを受け渡している時に載置台３０が待機する待機位置である。
また、支持部材３１には、フランジ３１ａが設けられている。そして、このフランジ３１ａの下面と、収容部２１の底壁２１ｃの上面との間には、支持部材３１の外周を囲むように、ベローズ３３が設けられている。このベローズ３３が設けられているため、収容部２１の底壁２１ｃにおける支持部材３１の貫通部分によってチャンバ１０の気密性が失われることがない。
また、チャンバ１０内における載置台３０の上方には、処理空間Ｓ内における原料ガスの流れを形成するガス流形成部材として、シャワーヘッド４０が、載置台３０と平行に設けられている。このシャワーヘッド４０により、チャンバ１０の天壁１３の中央に設けられたガス供給口１３ｂを介して供給される原料ガスが、シャワーヘッド４０に設けられた複数の穴部を通過することで整流され、ウェハＷに供給される。
さらに、チャンバ１０の天壁１３には、チャンバ１０に原料ガスを供給する原料ガス供給機構５０が接続されている。
原料ガス供給機構５０は、処理ガスの供給源としての気化器５１を有する。
気化器５１は、処理ガスの原料を貯留し、その内部で原料が気化する。
気化器５１に貯留される原料は、蒸気圧が低く、常温常圧で固体または液体の材料であり、具体的には、例えば、固体原料であるＲｕ３（ＣＯ）１２である。Ｒｕ３（ＣＯ）１２は気化すなわち昇華することにより、Ｒｕ膜を形成するための原料ガスとなる。
気化器５１は、処理ガスの原料を貯留し、その内部で原料が気化する。
気化器５１に貯留される原料は、蒸気圧が低く、常温常圧で固体または液体の材料であり、具体的には、例えば、固体原料であるＲｕ３（ＣＯ）１２である。Ｒｕ３（ＣＯ）１２は気化すなわち昇華することにより、Ｒｕ膜を形成するための原料ガスとなる。
また、気化器５１は、上面視でチャンバ１０と重なるように配置される。具体的には、気化器５１は、上面視において、その全体がチャンバ１０より内側に収まり、チャンバ１０より外側となる部分が存在しないように、配置される。より具体的には、気化器５１は、上面視において、その全体がチャンバ１０の天壁１３の外周端より内側に収まり、チャンバ１０の天壁１３より外側となる部分が存在しないように、配置される。
気化器５１は、チャンバ１０の天壁１３上に、直接載置されていてもよいし、支持部材を介して載置されていてもよい。
気化器５１は、チャンバ１０の天壁１３上に、直接載置されていてもよいし、支持部材を介して載置されていてもよい。
気化器５１には、一酸化炭素（ＣＯ）ガス等のキャリアガスを供給するキャリアガス供給機構６０の供給管６１の一端が接続されている。供給管６１の他端はキャリアガスの供給源６２に接続されている。供給管６１には、マスフローコントローラ等の流量調整弁（図示せず）やキャリアガスの供給を開始または停止する開閉弁を有する流量制御機構６３が設けられている。また、供給管６１には、キャリアガスを加熱するためのキャリアガス加熱部（図示せず）が設けられている。これら流量制御機構６３やキャリアガス加熱部は後述の制御部２００によって制御される。さらに、供給管６１には、当該供給管６１の温度制御のため、温度センサ（図示せず）が設けられている。温度センサによる測定結果は後述の制御部２００に出力される。
キャリアガス供給機構６０から気化器５１に供給されたキャリアガスは、固体原料が昇華して生成された原料ガスと共に、後述の接続管５２を介して、チャンバ１０に供給される。
また、気化器５１には、その全体を覆うように、気化器加熱部（図示せず）が設けられている。気化器加熱部は、気化器５１を加熱するものである。気化器加熱部による加熱によって、気化器５１内の固体原料の気化すなわち昇華を促進させることができる。この気化器加熱部は、後述の制御部２００によって制御される。
さらに、気化器５１には、当該気化器５１内の圧力を測定する圧力センサ（図示せず）が設けられている。さらにまた、気化器５１には、当該気化器５１の温度の温度を測定する温度センサ（図示せず）が設けられている。これら圧力センサや温度センサでの測定結果は、後述の制御部２００に出力される。
また、原料ガス供給機構５０は、気化器５１からの原料ガスを供給するために、気化器５１とチャンバ１０とを接続する接続管５２を有する。接続管５２は、後述のように加熱されるため、その材料には熱伝導性の良いアルミニウムが用いられる。接続管５２の一端は、気化器５１に接続されており、他端は、チャンバ１０の天壁１３に接続されている。この接続管５２を介して、気化器５１内とチャンバ１０内とが連通している。また、接続管５２の上記一端と気化器５１との接続部及び接続管５２の上記他端とチャンバ１０の天壁１３との接続部それぞれにはメタルガスケットではなくＯリングが用いられ、これら接続部分で気密性が損なわれることがないようにしている。なお、接続管５２が複数の部材からなる場合は、これらの部材間の接続部分にもメタルガスケットではなくＯリングが用いられる。さらに、成膜装置１では、接続管５２の上記一端と気化器５１との接続部、接続管５２の上記他端とチャンバ１０の天壁１３との接続部、上記部材間の接続部には、二重Ｏリングは採用されていない。
接続管５２には、当該接続管５２内の管路を開放または閉止する開閉弁５３が設けられている。この開閉弁５３は後述の制御部２００によって制御される。
また、接続管５２における開閉弁５３と気化器５１との間には、気化器５１内の圧力を調整するための圧力調整弁としてのＡＰＣバルブ５４が設けられている。ＡＰＣバルブ５４は、自動圧力調整機能及び遮断機能を備えており、後述の制御部２００からの制御信号に基づいて当該ＡＰＣバルブ５４の開度は制御される。ＡＰＣバルブ５４によって、気化器５１内の圧力を予め設定された圧力になるよう調整したり、接続管５２内の管路を閉止したりすることができる。
また、接続管５２における開閉弁５３と気化器５１との間には、気化器５１内の圧力を調整するための圧力調整弁としてのＡＰＣバルブ５４が設けられている。ＡＰＣバルブ５４は、自動圧力調整機能及び遮断機能を備えており、後述の制御部２００からの制御信号に基づいて当該ＡＰＣバルブ５４の開度は制御される。ＡＰＣバルブ５４によって、気化器５１内の圧力を予め設定された圧力になるよう調整したり、接続管５２内の管路を閉止したりすることができる。
また、接続管５２には、接続管加熱部（図示せず）が設けられている。接続管加熱部は、開閉弁５３及びＡＰＣバルブ５４を含む接続管５２全体を加熱する。これにより、原料ガスが再固化し、開閉弁５３及びＡＰＣバルブ５４を含む接続管５２に付着するのを防ぐことができる。
なお、原料ガスが再固化し、チャンバ１０の内壁に付着することを防止するため、チャンバ１０を加熱するチャンバ加熱部（図示せず）が成膜装置１には設けられている。
接続管加熱部やチャンバ加熱部は後述の制御部２００によって制御される。
また、接続管加熱部による接続管５２の温度制御のため、接続管５２に温度センサ（図示せず）が設けられ、チャンバ加熱部によるチャンバ１０の温度制御のため、チャンバ１０に温度センサ（図示せず）が設けられている。これら温度センサによる測定結果は後述の制御部２００に出力される。
また、接続管加熱部による接続管５２の温度制御のため、接続管５２に温度センサ（図示せず）が設けられ、チャンバ加熱部によるチャンバ１０の温度制御のため、チャンバ１０に温度センサ（図示せず）が設けられている。これら温度センサによる測定結果は後述の制御部２００に出力される。
さらに、成膜装置１は、エンクロージャ７０を有する。
エンクロージャ７０は、気化器５１と接続管５２とを囲い込むものである。具体的には、エンクロージャ７０は、気化器５１全体と接続管５２全体とを囲い込むものであり、気化器５１と接続管５２との接続部分や、チャンバ１０と接続管５２の接続部分も囲い込む。
エンクロージャ７０は、気化器５１と接続管５２とを囲い込むものである。具体的には、エンクロージャ７０は、気化器５１全体と接続管５２全体とを囲い込むものであり、気化器５１と接続管５２との接続部分や、チャンバ１０と接続管５２の接続部分も囲い込む。
エンクロージャ７０は、チャンバ１０の天壁１３と、カバー７１と、により構成される。カバー７１は、チャンバ１０の天壁１３との間で、気化器５１及び接続管５２を収容する収容空間Ｋ１を形成する。カバー７１の材料には例えばアルミニウム等の金属材料が用いられる。カバー７１は、例えば下部が開口した角筒状に形成され、下部の開口が平面視長方形状の天壁１３に塞がれる。カバー７１は、例えば天壁１３に固定される。カバー７１と天壁１３との固定は例えばネジを用いて行われる。
また、カバー７１は、上面視で、その全体がチャンバ１０より内側に収まり、チャンバ１０より外側となる部分が存在しないように、形成され配置される。具体的には、カバー７１は、上面視において、その全体がチャンバ１０の天壁１３の外周端より内側に収まり、チャンバ１０の天壁１３より外側となる部分が存在しないように、形成され配置される。
カバー７１には、供給口７１ａ及び排気口７１ｂが形成されている。
供給口７１ａには、エンクロージャ７０内すなわち収容空間Ｋ１内に窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構８０の供給管８１の一端が接続されている。供給管８１の他端は不活性ガスの供給源（図示せず）に接続されている。供給管８１には、マスフローコントローラ等の流量調整弁（図示せず）や不活性ガスの供給を開始または停止する開閉弁を有する流量制御機構８２が設けられている。流量制御機構８２は後述の制御部２００によって制御される。
供給口７１ａには、エンクロージャ７０内すなわち収容空間Ｋ１内に窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構８０の供給管８１の一端が接続されている。供給管８１の他端は不活性ガスの供給源（図示せず）に接続されている。供給管８１には、マスフローコントローラ等の流量調整弁（図示せず）や不活性ガスの供給を開始または停止する開閉弁を有する流量制御機構８２が設けられている。流量制御機構８２は後述の制御部２００によって制御される。
排気口７１ｂには、エンクロージャ７０すなわち収容空間Ｋ１から排気する排気機構９０の排気管９１の一端が接続されている。排気管９１の他端は、排気装置（例えば真空ポンプ）９２に接続されている。また、排気管９１には、排気量を調整する排気量調整機構９３が接続されている。排気量調整機構９３は、流量調整弁や、排気を開始または停止する開閉弁を有する。排気量調整機構９３は後述の制御部２００によって制御される。
以上のように構成される成膜装置１には、制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリを備えたコンピュータにより構成され、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、成膜装置１によるウェハＷの処理を実現するためのプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部２００にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体は、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。
＜ウェハ処理＞
続いて、成膜装置１によるウェハ処理の一例について説明する。なお、このウェハ処理は、制御部２００の制御により、自動的に行われる。
続いて、成膜装置１によるウェハ処理の一例について説明する。なお、このウェハ処理は、制御部２００の制御により、自動的に行われる。
まず、開閉弁５３、流量制御機構６３の開閉弁及びＡＰＣバルブ５４が閉状態とされている状態において、圧力センサ２０での測定結果に基づいてＡＰＣバルブ２４の開度が調整され、チャンバ１０内が所定の圧力とされる。この状態で、チャンバ１０のウェハＷの搬出入口（図示せず）に設けられたゲートバルブ（図示せず）が開かれ、チャンバ１０に隣接する真空雰囲気の搬送室（図示せず）から、上記搬出入口を介して、ウェハＷを保持した搬送機構（図示せず）がチャンバ１０内に挿入される。そして、ウェハＷが、前述の待機位置に位置する載置台３０の上方に搬送される。次いで上昇した支持ピン（図示せず）の上にウェハＷが受け渡され、その後、上記搬送機構はチャンバ１０から抜き出され、上記ゲートバルブが閉じられる。それと共に、上記支持ピンの下降、載置台３０の上昇が行われ、載置台３０上にウェハＷが載置され、該載置台３０が前述の処理位置へ移動され、処理空間Ｓが形成される。
次いで、載置台３０に設けられたヒータによってウェハＷが所定の温度（例えば１２０～２５０℃）まで加熱される。
ウェハＷの温度が上記所定の温度に到達すると、ＡＰＣバルブ２４の開度が調整され、チャンバ１０内が所定の圧力（例えば５ｍＴｏｒｒ～１００ｍＴｏｒｒ）へ減圧される。
チャンバ１０内の減圧が完了すると、チャンバ１０内の処理空間Ｓへの原料ガスの供給が開始されるよう、開閉弁５３、流量制御機構６３の開閉弁が開状態とされると共に、ＡＰＣバルブ５４の開度が調整される。これによって、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）による、処理空間Ｓ内のウェハＷ上へのＲｕ膜の形成が開始される。ＡＰＣバルブ５４の開度は、例えば、開閉弁５３等が開状態とされてから、気化器５１内の圧力が設定圧力（例えば４０ｍＴｏｒｒ～１５０ｍＴｏｒｒ）に到達するまでの間は、段階的に大きくなるよう調整される。そして、上記設定圧力に到達すると、以後、Ｒｕ膜形成が完了するまで、ＡＰＣバルブ５４の開度は、気化器５１内の圧力が上記設定圧力で一定になるよう調整される。
チャンバ１０内の減圧が完了すると、チャンバ１０内の処理空間Ｓへの原料ガスの供給が開始されるよう、開閉弁５３、流量制御機構６３の開閉弁が開状態とされると共に、ＡＰＣバルブ５４の開度が調整される。これによって、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）による、処理空間Ｓ内のウェハＷ上へのＲｕ膜の形成が開始される。ＡＰＣバルブ５４の開度は、例えば、開閉弁５３等が開状態とされてから、気化器５１内の圧力が設定圧力（例えば４０ｍＴｏｒｒ～１５０ｍＴｏｒｒ）に到達するまでの間は、段階的に大きくなるよう調整される。そして、上記設定圧力に到達すると、以後、Ｒｕ膜形成が完了するまで、ＡＰＣバルブ５４の開度は、気化器５１内の圧力が上記設定圧力で一定になるよう調整される。
Ｒｕ膜形成が完了すると、開閉弁５３、流量制御機構６３の開閉弁が閉状態にされる等して、上記と逆の手順で、ウェハＷがチャンバ１０から搬出される。
なお、Ｒｕ膜の形成処理中、つまり、開閉弁５３、流量制御機構６３の開閉弁が開状態とされてから閉状態とされるまでの間、キャリアガス加熱部（図示せず）により所定の温度（例えば８０℃）に加熱されたキャリアガスが一定流量で供給される。
また、上述のウェハ処理中、気化器５１、接続管５２及びチャンバ１０の温度は、少なくとも原料ガスが再固化しないように、対応する温度センサでの測定結果に基づいて、前述の気化器加熱部、接続管加熱部及びチャンバ加熱部によって所定の温度で一定になるように常時加熱される。例えば、接続管５２及びチャンバ１０は８０℃で一定になるよう加熱制御され、気化器５１は、接続管５２やチャンバ１０より若干低い温度から接続管５２やチャンバ１０より高い温度であって、固体原料の分解温度未満の所定の温度（例えば、上記設定圧力時の分解温度未満の７０℃～１００℃）で一定になるように加熱制御される。
さらに、ウェハ処理中、不活性ガス供給機構８０の流量制御機構８２や排気機構９０の排気量調整機構９３等が制御され、エンクロージャ７０内すなわち収容空間Ｋ１に不活性ガスが供給される。例えば、ウェハ処理中、エンクロージャ７０の外側から収容空間Ｋ１に大気が侵入しないように、当該収容空間Ｋ１はエンクロージャ７０の外側の雰囲気に対して陽圧に調整される。
＜本実施形態の主な効果＞
以上のように、本実施形態では、成膜装置１が、処理ガスの気化器５１と接続管５２とを囲い込むエンクロージャ７０を有する。したがって、エンクロージャ７０内すなわち収容空間Ｋ１内に不活性ガスを供給することにより、当該エンクロージャ７０に囲まれている部材すなわち収容空間Ｋ１内に収容されている部材については、他の部材との接続部分から、チャンバ１０に供給される処理ガスに酸素が混入するのを抑制することができる。例えば、接続管５２と気化器５１との接続部や接続管５２とチャンバ１０の天壁１３との接続部等から、処理ガスに酸素が混入するのを抑制することができる。また、本実施形態では、上述のように酸素混入を抑制するために、メタルガスケットや二重Ｏリングを採用する必要がない。
さらに、上述のように処理ガスに酸素が混入するのを抑制することができるため、成膜装置１で形成される膜が処理ガス中の酸素の影響を受けるのを抑制することができる。
以上のように、本実施形態では、成膜装置１が、処理ガスの気化器５１と接続管５２とを囲い込むエンクロージャ７０を有する。したがって、エンクロージャ７０内すなわち収容空間Ｋ１内に不活性ガスを供給することにより、当該エンクロージャ７０に囲まれている部材すなわち収容空間Ｋ１内に収容されている部材については、他の部材との接続部分から、チャンバ１０に供給される処理ガスに酸素が混入するのを抑制することができる。例えば、接続管５２と気化器５１との接続部や接続管５２とチャンバ１０の天壁１３との接続部等から、処理ガスに酸素が混入するのを抑制することができる。また、本実施形態では、上述のように酸素混入を抑制するために、メタルガスケットや二重Ｏリングを採用する必要がない。
さらに、上述のように処理ガスに酸素が混入するのを抑制することができるため、成膜装置１で形成される膜が処理ガス中の酸素の影響を受けるのを抑制することができる。
また、エンクロージャ７０は、簡単な形状でも気化器５１と接続管５２とを囲い込むことができる。そのため、エンクロージャ７０の開発に必要なコストは多くない。したがって、酸素混入抑制のために高コストとなるのを抑制することができる。
さらにまた、本実施形態では、エンクロージャ７０が、チャンバ１０の天壁１３と、当該天壁１３との間で収容空間Ｋ１を形成するカバー７１とにより構成され、当該カバー７１が、上面視で、チャンバ１０の内側に収まり、チャンバ１０より外側となる部分が存在しない。したがって、本実施形態によれば、エンクロージャ７０を設けても、成膜装置１の占有面積すなわちフットプリントが大きくなることはない。
（第２実施形態）
図２は、第２実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置の一部を断面で示している。
図２の成膜装置１Ａは、図１の成膜装置１の構成に加えて、エンクロージャ１００を有する。
エンクロージャ１００は、エンクロージャ７０を囲い込むものである。具体的には、エンクロージャ１００は、エンクロージャ７０全体を囲い込むものであり、エンクロージャ７０とチャンバ１０の天壁１３との連結部分も囲い込む。
図２は、第２実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置の一部を断面で示している。
図２の成膜装置１Ａは、図１の成膜装置１の構成に加えて、エンクロージャ１００を有する。
エンクロージャ１００は、エンクロージャ７０を囲い込むものである。具体的には、エンクロージャ１００は、エンクロージャ７０全体を囲い込むものであり、エンクロージャ７０とチャンバ１０の天壁１３との連結部分も囲い込む。
エンクロージャ１００は、チャンバ１０の天壁１３と、カバー１０１と、により構成される。カバー１０１は、チャンバ１０の天壁１３との間で、気化器５１及び接続管５２をエンクロージャ７０のカバー７１ごと収容する収容空間Ｋ２を形成する。カバー１０１の材料には例えばアルミニウム等の金属材料が用いられる。カバー１０１は、例えば下部が開口した角筒状に形成され、下部の開口が平面視長方形状の天壁１３に塞がれる。カバー１０１は、例えば天壁１３に固定される。カバー１０１と天壁１３との固定は例えばネジを用いて行われる。
また、カバー１０１は、上面視で、その全体がチャンバ１０より内側に収まり、チャンバ１０より外側となる部分が存在しないように、形成され配置される。具体的には、カバー１０１は、上面視において、その全体がチャンバ１０の天壁１３の外周端より内側に収まり、チャンバ１０の天壁１３より外側となる部分が存在しないように、形成され配置される。
カバー１０１には、排気口１０１ａ及び導入口１０１ｂが形成されている。
排気口１０１ａには、エンクロージャ１００すなわち収容空間Ｋ２から排気する排気機構１１０の排気管１１１の一端が接続されている。排気管１１１の他端は、排気装置（例えば真空ポンプ）１１２に接続されている。また、排気管１１１には、排気量を調整する排気量調整機構１１３が接続されている。排気量調整機構１１３は、流量調整弁や、排気を開始または停止する開閉弁を有する。排気量調整機構１１３は制御部２００によって制御される。
排気口１０１ａには、エンクロージャ１００すなわち収容空間Ｋ２から排気する排気機構１１０の排気管１１１の一端が接続されている。排気管１１１の他端は、排気装置（例えば真空ポンプ）１１２に接続されている。また、排気管１１１には、排気量を調整する排気量調整機構１１３が接続されている。排気量調整機構１１３は、流量調整弁や、排気を開始または停止する開閉弁を有する。排気量調整機構１１３は制御部２００によって制御される。
導入口１０１ｂは、エンクロージャ１００の外側に開口している。そのため、排気口１０１ａを介してエンクロージャ１００内すなわち収容空間Ｋ２を排気することにより、エンクロージャ内に不活性ガス以外のガスが導入され、具体的には大気が導入される。
成膜装置１Ａによるウェハ処理中も、図１の成膜装置１によるウェハ処理中と同様、エンクロージャ７０内すなわち収容空間Ｋ１に不活性ガスが供給されると共にエンクロージャ７０内すなわち収容空間Ｋ１が排気される。
また、成膜装置１Ａによるウェハ処理中は、排気機構１１０の排気量調整機構１１３等が制御され、エンクロージャ１００内すなわち収容空間Ｋ２が排気され、エンクロージャ１００内すなわち収容空間Ｋ２に大気が導入される。例えば、ウェハ処理中、収容空間Ｋ２から収容空間Ｋ１に大気が侵入しないように且つ収容空間Ｋ２内の原料ガス及びキャリアガスを含み得る大気がエンクロージャ１００の外側に漏れないように、収容空間Ｋ２は収容空間Ｋ１及びエンクロージャ１００の外側の雰囲気に対して陰圧に調整される。
本実施形態によれば、原料ガス及びキャリアガスが万が一エンクロージャ７０の外部に漏れ出しても、成膜装置１Ａの外部にまで漏れ出すのを抑制することができる。
また、本実施形態では、エンクロージャ１００が、チャンバ１０の天壁１３と、当該天壁１３との間で収容空間Ｋ２を形成するカバー１０１とにより構成され、当該カバー１０１が、上面視で、チャンバ１０の内側に収まり、チャンバ１０より外側となる部分が存在しない。したがって、本実施形態によれば、エンクロージャ１００を設けても、成膜装置１の占有面積すなわちフットプリントが大きくなることはない。
（変形例）
以上では、本開示にかかる技術を、成膜装置に適用していたが、エッチング装置やクリーニング装置等の他の基板処理装置にも適用してもよい。
また、以上では、エンクロージャ７０内からの排気は、排気機構９０を用いて行っていた。これに代えて、不活性ガスをエンクロージャ７０に供給することにより、当該エンクロージャ７０内を加圧し、これによりエンクロージャ７０内からの排気を行うようにしてもよい。この場合、排気機構９０の排気管９１以外の部材は省略してもよい。
以上では、本開示にかかる技術を、成膜装置に適用していたが、エッチング装置やクリーニング装置等の他の基板処理装置にも適用してもよい。
また、以上では、エンクロージャ７０内からの排気は、排気機構９０を用いて行っていた。これに代えて、不活性ガスをエンクロージャ７０に供給することにより、当該エンクロージャ７０内を加圧し、これによりエンクロージャ７０内からの排気を行うようにしてもよい。この場合、排気機構９０の排気管９１以外の部材は省略してもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲、後述の付記項及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は上記の効果を損なわない範囲で、任意に組み合わせることができる。また、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
［付記項１］
減圧可能に構成され、基板が収容されるチャンバと、
前記チャンバに供給される処理ガスの供給源と、当該供給源と前記チャンバとを接続する接続管とを囲い込むエンクロージャと、を有する、基板処理装置。
［付記項２］
前記エンクロージャは、
当該エンクロージャ内に不活性ガスを供給する供給管と、
当該エンクロージャから排気する排気管と、が接続されている、付記項１に記載の基板処理装置。
［付記項３］
前記供給源は、処理ガスの原料を貯留し、内部で原料が気化する気化器である、付記項１または２に記載の基板処理装置。
［付記項４］
前記原料は、常温常圧で固体または液体である、付記項３に記載の基板処理装置。
［付記項５］
前記原料は、気化することにより、ルテニウム膜を形成するための原料ガスとなる、付記項４に記載の基板処理装置。
［付記項６］
前記供給源は、上面視で前記チャンバと重なるように配置される、付記項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
［付記項７］
前記エンクロージャは、
前記チャンバの天壁と、
前記供給源及び接続管を収容する収容空間を前記天壁との間で形成するカバーとにより構成され、
前記カバーは、上面視で、前記チャンバの内側に収まるように形成されている、付記項６に記載の基板処理装置。
［付記項８］
前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、付記項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
［付記項９］
前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、付記項６に記載の基板処理装置。
［付記項１０］
前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、付記項７に記載の基板処理装置。
［付記項１１］
前記他のエンクロージャは、
前記チャンバの天壁と、
前記供給源及び接続管を前記カバーごと収容する他の収容空間を前記天壁との間で形成する他のカバーとにより構成され、
前記他のカバーは、上面視で、前記チャンバの内側に収まるように形成されている、付記項１０に記載の基板処理装置。
［付記項１２］
前記他のエンクロージャは、当該他のエンクロージャから排気する排気管が接続されている、付記項８～１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
［付記項１３］
減圧可能に構成され基板が収容される基板処理装置のチャンバに対する処理ガスの供給源と、当該供給源と前記チャンバとを接続する接続管と、を、エンクロージャで囲い込むことにより、前記チャンバに供給される前記処理ガスへの酸素混入を抑制する方法。
［付記項１］
減圧可能に構成され、基板が収容されるチャンバと、
前記チャンバに供給される処理ガスの供給源と、当該供給源と前記チャンバとを接続する接続管とを囲い込むエンクロージャと、を有する、基板処理装置。
［付記項２］
前記エンクロージャは、
当該エンクロージャ内に不活性ガスを供給する供給管と、
当該エンクロージャから排気する排気管と、が接続されている、付記項１に記載の基板処理装置。
［付記項３］
前記供給源は、処理ガスの原料を貯留し、内部で原料が気化する気化器である、付記項１または２に記載の基板処理装置。
［付記項４］
前記原料は、常温常圧で固体または液体である、付記項３に記載の基板処理装置。
［付記項５］
前記原料は、気化することにより、ルテニウム膜を形成するための原料ガスとなる、付記項４に記載の基板処理装置。
［付記項６］
前記供給源は、上面視で前記チャンバと重なるように配置される、付記項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
［付記項７］
前記エンクロージャは、
前記チャンバの天壁と、
前記供給源及び接続管を収容する収容空間を前記天壁との間で形成するカバーとにより構成され、
前記カバーは、上面視で、前記チャンバの内側に収まるように形成されている、付記項６に記載の基板処理装置。
［付記項８］
前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、付記項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
［付記項９］
前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、付記項６に記載の基板処理装置。
［付記項１０］
前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、付記項７に記載の基板処理装置。
［付記項１１］
前記他のエンクロージャは、
前記チャンバの天壁と、
前記供給源及び接続管を前記カバーごと収容する他の収容空間を前記天壁との間で形成する他のカバーとにより構成され、
前記他のカバーは、上面視で、前記チャンバの内側に収まるように形成されている、付記項１０に記載の基板処理装置。
［付記項１２］
前記他のエンクロージャは、当該他のエンクロージャから排気する排気管が接続されている、付記項８～１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
［付記項１３］
減圧可能に構成され基板が収容される基板処理装置のチャンバに対する処理ガスの供給源と、当該供給源と前記チャンバとを接続する接続管と、を、エンクロージャで囲い込むことにより、前記チャンバに供給される前記処理ガスへの酸素混入を抑制する方法。
１、１Ａ…成膜装置
１０…チャンバ
５１…気化器
７０…エンクロージャ
１０…チャンバ
５１…気化器
７０…エンクロージャ
Claims (13)
- 減圧可能に構成され、基板が収容されるチャンバと、
前記チャンバに供給される処理ガスの供給源と、当該供給源と前記チャンバとを接続する接続管とを囲い込むエンクロージャと、を有する、基板処理装置。 - 前記エンクロージャは、
当該エンクロージャ内に不活性ガスを供給する供給管と、
当該エンクロージャから排気する排気管と、が接続されている、請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記供給源は、処理ガスの原料を貯留し、内部で原料が気化する気化器である、請求項１または２に記載の基板処理装置。
- 前記原料は、常温常圧で固体または液体である、請求項３に記載の基板処理装置。
- 前記原料は、気化することにより、ルテニウム膜を形成するための原料ガスとなる、請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記供給源は、上面視で前記チャンバと重なるように配置される、請求項１または２に記載の基板処理装置。
- 前記エンクロージャは、
前記チャンバの天壁と、
前記供給源及び接続管を収容する収容空間を前記天壁との間で形成するカバーとにより構成され、
前記カバーは、上面視で、前記チャンバの内側に収まるように形成されている、請求項６に記載の基板処理装置。 - 前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
- 前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、請求項６に記載の基板処理装置。
- 前記エンクロージャを囲い込む他のエンクロージャをさらに有する、請求項７に記載の基板処理装置。
- 前記他のエンクロージャは、
前記チャンバの天壁と、
前記供給源及び接続管を前記カバーごと収容する他の収容空間を前記天壁との間で形成する他のカバーとにより構成され、
前記他のカバーは、上面視で、前記チャンバの内側に収まるように形成されている、請求項１０に記載の基板処理装置。 - 前記他のエンクロージャは、当該他のエンクロージャから排気する排気管が接続されている、請求項８に記載の基板処理装置。
- 減圧可能に構成され基板が収容される基板処理装置のチャンバに対する処理ガスの供給源と、当該供給源と前記チャンバとを接続する接続管と、を、エンクロージャで囲い込むことにより、前記チャンバに供給される前記処理ガスへの酸素混入を抑制する方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022085097A JP2023173097A (ja) | 2022-05-25 | 2022-05-25 | 基板処理装置及び酸素混入抑制方法 |
| PCT/JP2023/017728 WO2023228763A1 (ja) | 2022-05-25 | 2023-05-11 | 基板処理装置及び酸素混入抑制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022085097A JP2023173097A (ja) | 2022-05-25 | 2022-05-25 | 基板処理装置及び酸素混入抑制方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023173097A true JP2023173097A (ja) | 2023-12-07 |
Family
ID=88919128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022085097A Pending JP2023173097A (ja) | 2022-05-25 | 2022-05-25 | 基板処理装置及び酸素混入抑制方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023173097A (ja) |
| WO (1) | WO2023228763A1 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451258A (en) * | 1994-05-11 | 1995-09-19 | Materials Research Corporation | Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber |
| JP2000150387A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-30 | Applied Materials Inc | 配管系構造及び配管系ユニット |
| JP5528374B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2014-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス減圧供給装置、これを備えるシリンダキャビネット、バルブボックス、及び基板処理装置 |
| KR20230144106A (ko) * | 2017-11-11 | 2023-10-13 | 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 | 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템 |
| JP7094172B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2022-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、原料供給装置及び成膜方法 |
| JP7134863B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2022
- 2022-05-25 JP JP2022085097A patent/JP2023173097A/ja active Pending
-
2023
- 2023-05-11 WO PCT/JP2023/017728 patent/WO2023228763A1/ja unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023228763A1 (ja) | 2023-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5484484A (en) | Thermal processing method and apparatus therefor | |
| JP5820731B2 (ja) | 基板処理装置および固体原料補充方法 | |
| KR20180057532A (ko) | 기판 처리 장치, 인젝터, 및 기판 처리 방법 | |
| US20150221529A1 (en) | Gas supply method and thermal treatment method | |
| US20230119730A1 (en) | Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus | |
| JPH0613361A (ja) | 処理装置 | |
| JP2010040695A (ja) | 基板処理装置および原料補充方法 | |
| US11124872B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US8586140B2 (en) | Film formation method for forming hafnium oxide film | |
| KR102358308B1 (ko) | 기판 처리 장치, 인젝터 내의 파티클 제거 방법 및 기판 처리 방법 | |
| WO2017104485A1 (ja) | 貯留装置、気化器、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| US20210017642A1 (en) | METHOD FOR FORMING RuSi FILM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM | |
| KR101156305B1 (ko) | ＳｒＴｉＯ3막의 성막 방법 및 기억 매체 | |
| KR20010039751A (ko) | Ｍｏｃｖｄ 시스템 | |
| WO2023228763A1 (ja) | 基板処理装置及び酸素混入抑制方法 | |
| WO2022004520A1 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| WO2020179575A1 (ja) | 成膜装置及び原料ガス供給方法 | |
| KR102518959B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판의 반입 방법 및 기판 처리 방법 | |
| JP2018186236A (ja) | 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法 | |
| JP2012129232A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6817911B2 (ja) | ウエハボート支持部、熱処理装置及び熱処理装置のクリーニング方法 | |
| US20240183030A1 (en) | Substrate treatment apparatus using supercritical fluid | |
| JP2011114002A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP7281519B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および処理容器 | |
| JP2018145460A (ja) | ガス導入機構及び熱処理装置 |