JP2000150387A - 配管系構造及び配管系ユニット - Google Patents
配管系構造及び配管系ユニットInfo
- Publication number
- JP2000150387A JP2000150387A JP10328125A JP32812598A JP2000150387A JP 2000150387 A JP2000150387 A JP 2000150387A JP 10328125 A JP10328125 A JP 10328125A JP 32812598 A JP32812598 A JP 32812598A JP 2000150387 A JP2000150387 A JP 2000150387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pipes
- piping
- cover
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造装置におけるガス配管系に用いら
れる構造であって、容易に配管作業を行うことができる
ものを提供すること。 【解決手段】 本発明による配管系構造１０は、互いに
並設された、ガスを輸送するための複数本の配管３０，
３２と、前記複数本の配管を取り囲み、内部が密閉空間
とされるカバー手段３４と、前記カバー手段に接続さ
れ、前記カバー手段の内部空気を排気かる排気手段５０
とを備えることを特徴としている。このような構成にお
いては、配管からガスが漏洩しても、排気手段により収
集されるので、ガスの拡散が防止される。また、排気手
段によりカバー手段の内部が減圧されることで、真空断
熱効果が得られる。配管全体をカバー手段で囲む作業も
容易である。
れる構造であって、容易に配管作業を行うことができる
ものを提供すること。 【解決手段】 本発明による配管系構造１０は、互いに
並設された、ガスを輸送するための複数本の配管３０，
３２と、前記複数本の配管を取り囲み、内部が密閉空間
とされるカバー手段３４と、前記カバー手段に接続さ
れ、前記カバー手段の内部空気を排気かる排気手段５０
とを備えることを特徴としている。このような構成にお
いては、配管からガスが漏洩しても、排気手段により収
集されるので、ガスの拡散が防止される。また、排気手
段によりカバー手段の内部が減圧されることで、真空断
熱効果が得られる。配管全体をカバー手段で囲む作業も
容易である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
におけるガス輸送用の配管系に関する。
におけるガス輸送用の配管系に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積デバイスや液晶表示デバイス
等のマイクロ・エレクトロニクス・デバイスを製造する
ためには、その製造プロセスにおいて、基板上に様々な
材料の膜を形成する必要がある。この成膜は半導体製造
装置のうちの成膜装置において行われ、成膜される膜に
応じて様々なプロセスガスが用いられる。従って、成膜
装置の処理チャンバには、複数のガス供給源からそれぞ
れ延びるガス供給用配管が接続されている。
等のマイクロ・エレクトロニクス・デバイスを製造する
ためには、その製造プロセスにおいて、基板上に様々な
材料の膜を形成する必要がある。この成膜は半導体製造
装置のうちの成膜装置において行われ、成膜される膜に
応じて様々なプロセスガスが用いられる。従って、成膜
装置の処理チャンバには、複数のガス供給源からそれぞ
れ延びるガス供給用配管が接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プロセスガ
スには、腐食性等の特性を有するものがある。このよう
なガスを輸送する配管では、その継手部を適当なカバー
で気密に囲み、カバーの内部空間を強制的に排気して継
手部からの万が一のガス漏洩に備える必要がある。
スには、腐食性等の特性を有するものがある。このよう
なガスを輸送する配管では、その継手部を適当なカバー
で気密に囲み、カバーの内部空間を強制的に排気して継
手部からの万が一のガス漏洩に備える必要がある。
【０００４】しかしながら、継手部のそれぞれにカバー
を取り付け、これに排気系を接続することは、極めて煩
雑な作業であり、配管レイアウトの自由度を制限するも
のである。
を取り付け、これに排気系を接続することは、極めて煩
雑な作業であり、配管レイアウトの自由度を制限するも
のである。
【０００５】また、成膜装置がＣＶＤ（化学的気相堆
積）装置等である場合、ガス供給源として液体ソースを
用い、これをバブリング等によりガス化してプロセスガ
スとして供給するものがある。この場合、ガスが配管の
途中で液化しないよう、電気ヒータを配管に巻き付けて
加熱することが一般的である。
積）装置等である場合、ガス供給源として液体ソースを
用い、これをバブリング等によりガス化してプロセスガ
スとして供給するものがある。この場合、ガスが配管の
途中で液化しないよう、電気ヒータを配管に巻き付けて
加熱することが一般的である。
【０００６】しかし、ヒータ付き配管の施工は手間がか
かり、特に継手部に前述の強制排気用カバーを設ける場
合には、極めて困難な作業となる。また、ヒータ付き配
管は隣接の配管に熱的影響を与えるので、これを防止す
るためには配管間の間隔を十分に開ける必要があり、こ
れも配管レイアウトの自由度を制限する原因となる。
かり、特に継手部に前述の強制排気用カバーを設ける場
合には、極めて困難な作業となる。また、ヒータ付き配
管は隣接の配管に熱的影響を与えるので、これを防止す
るためには配管間の間隔を十分に開ける必要があり、こ
れも配管レイアウトの自由度を制限する原因となる。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、容易に配管作業を行うことができ
る配管系構造を提供することにある。
であり、その目的は、容易に配管作業を行うことができ
る配管系構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による配管系構造は、互いに並設された、ガ
スを輸送するための複数本の配管と、前記複数本の配管
を取り囲み、内部が密閉空間とされるカバー手段と、前
記カバー手段に接続され、前記カバー手段の内部空気を
排気かる排気手段とを備えることを特徴としている。
に、本発明による配管系構造は、互いに並設された、ガ
スを輸送するための複数本の配管と、前記複数本の配管
を取り囲み、内部が密閉空間とされるカバー手段と、前
記カバー手段に接続され、前記カバー手段の内部空気を
排気かる排気手段とを備えることを特徴としている。
【０００９】このような構成においては、配管からガス
が漏洩しても、排気手段により収集されるので、ガスの
拡散が防止される。また、排気手段によりカバー手段の
内部が減圧されることで、真空断熱効果が得られる。従
って、複数本の配管のうちの少なくとも１本がヒータ付
き配管である場合でも、配管の間隔を広く開ける必要が
なく、配管設置スペースを小さくすることができる。更
に、カバー手段により複数本の配管の全体を囲むこと
は、継手部ごとにカバーを設けるよりも施工が容易であ
るまた、上記配管系構造をユニット化することも、配管
作業を容易化するものである。そこで、本発明は、互い
に並設された、ガスを輸送するための複数本の配管と、
前記複数本の配管を取り囲み、内部が密閉空間とされる
カバー手段とを備える配管系ユニットをも対象するもの
である。この構成においては、適当なユニットを所定の
場所に配置し、カバー手段同士、配管同士を接続するだ
けで、配管系構造を組み上げることができる。なお、か
かる配管系ユニットのカバー手段は伸縮可能であること
が、寸法誤差を吸収できるので好ましい。
が漏洩しても、排気手段により収集されるので、ガスの
拡散が防止される。また、排気手段によりカバー手段の
内部が減圧されることで、真空断熱効果が得られる。従
って、複数本の配管のうちの少なくとも１本がヒータ付
き配管である場合でも、配管の間隔を広く開ける必要が
なく、配管設置スペースを小さくすることができる。更
に、カバー手段により複数本の配管の全体を囲むこと
は、継手部ごとにカバーを設けるよりも施工が容易であ
るまた、上記配管系構造をユニット化することも、配管
作業を容易化するものである。そこで、本発明は、互い
に並設された、ガスを輸送するための複数本の配管と、
前記複数本の配管を取り囲み、内部が密閉空間とされる
カバー手段とを備える配管系ユニットをも対象するもの
である。この構成においては、適当なユニットを所定の
場所に配置し、カバー手段同士、配管同士を接続するだ
けで、配管系構造を組み上げることができる。なお、か
かる配管系ユニットのカバー手段は伸縮可能であること
が、寸法誤差を吸収できるので好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明の好適な
実施形態について詳細に説明する。
実施形態について詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施形態を示す概略図で
あり、本発明に係る配管系構造１０が適用されたＣＶＤ
装置１２を示している。このＣＶＤ装置１２は、真空ポ
ンプにより内部が減圧される処理チャンバ１４を備えて
いる。処理チャンバ１４内には、シリコンウェハ１６を
水平に支持するためのサセプタ１８が配置されている。
また、処理チャンバ１４内であって、サセプタ１８の上
方には、プロセスガスを処理チャンバ１４内に導入する
ためのディストリビュータ２０が配置されている。この
ディストリビュータ２０は円盤状であり、内部に空洞を
有し、下面にはこの空洞に連通するガス噴出口が多数形
成されている。ディストリビュータ２０の空洞には、ガ
ス供給系から、所定のＣＶＤプロセスを実行するための
プロセスガスが供給されるようになっている。
あり、本発明に係る配管系構造１０が適用されたＣＶＤ
装置１２を示している。このＣＶＤ装置１２は、真空ポ
ンプにより内部が減圧される処理チャンバ１４を備えて
いる。処理チャンバ１４内には、シリコンウェハ１６を
水平に支持するためのサセプタ１８が配置されている。
また、処理チャンバ１４内であって、サセプタ１８の上
方には、プロセスガスを処理チャンバ１４内に導入する
ためのディストリビュータ２０が配置されている。この
ディストリビュータ２０は円盤状であり、内部に空洞を
有し、下面にはこの空洞に連通するガス噴出口が多数形
成されている。ディストリビュータ２０の空洞には、ガ
ス供給系から、所定のＣＶＤプロセスを実行するための
プロセスガスが供給されるようになっている。
【００１２】ガス供給系は、プロセスガスやキャリアガ
ス、クリーニング用ガス等の各種ガスの供給源２２〜２
５と、これらのガス供給源２２〜２５から供給されるガ
スの供給・停止や流量の調整を行うべく開閉バルブや質
量流量コントローラ（図示せず）を含むガスパネル２６
と、ガスパネル２６からのガスを混合しディストリビュ
ータ２０の空洞に供給する混合装置２８とを備えてい
る。なお、図示実施形態では、ガス供給源の一つが液体
ソースとなっており、バブリングによりガス化されてプ
ロセスガスとして供給することができるようになってい
る。
ス、クリーニング用ガス等の各種ガスの供給源２２〜２
５と、これらのガス供給源２２〜２５から供給されるガ
スの供給・停止や流量の調整を行うべく開閉バルブや質
量流量コントローラ（図示せず）を含むガスパネル２６
と、ガスパネル２６からのガスを混合しディストリビュ
ータ２０の空洞に供給する混合装置２８とを備えてい
る。なお、図示実施形態では、ガス供給源の一つが液体
ソースとなっており、バブリングによりガス化されてプ
ロセスガスとして供給することができるようになってい
る。
【００１３】このような構成のＣＶＤ装置１２におい
て、本実施形態では、ガスパネル２６と混合装置２８と
の間に本発明による配管系構造１０が適用されている。
この配管系構造１０は、ガスパネル２６から混合装置２
８まで互いにほぼ平行に延び各種ガスをそれぞれ輸送す
る複数本の配管３０，３２と、これらの配管全体を囲む
カバーアセンブリ（カバー手段）３４とから構成されて
いる。なお、図１に描かれている配管は２本のみである
が、輸送するガスと同数本設けられている。
て、本実施形態では、ガスパネル２６と混合装置２８と
の間に本発明による配管系構造１０が適用されている。
この配管系構造１０は、ガスパネル２６から混合装置２
８まで互いにほぼ平行に延び各種ガスをそれぞれ輸送す
る複数本の配管３０，３２と、これらの配管全体を囲む
カバーアセンブリ（カバー手段）３４とから構成されて
いる。なお、図１に描かれている配管は２本のみである
が、輸送するガスと同数本設けられている。
【００１４】各配管３０，３２は輸送するガスに応じた
材料、管径で作られている。特に、液体ソースからのガ
スについての配管３２には電気ヒータ３６が巻き付けら
れたものが使用されている。
材料、管径で作られている。特に、液体ソースからのガ
スについての配管３２には電気ヒータ３６が巻き付けら
れたものが使用されている。
【００１５】カバーアセンブリ３４はその内部を密閉空
間とする管状構造体であり、その一端はガスケット等の
シール材３８を介してガスパネル２６の外面に気密に固
定され、他端はシール材４０を介して混合装置２８の外
面に気密に固定されている。カバーアセンブリ３４の壁
面には、ヒータ付き配管３２の電気ヒータ３６に電気を
供給するためのヒータ接続端子４２が設けられている。
ヒータ接続端子４２には電源４４を接続することができ
る。なお、符号４６は、配管３２の内部温度を測定する
ための熱電対（図示せず）に電気的に接続された出力端
子である。従って、電源４４を制御する制御装置４８を
この出力端子４６に接続することで、熱電対の出力信号
に基づいて電源４４の供給電力を制御し、配管３２内の
ガスの温度を制御することが可能となる。
間とする管状構造体であり、その一端はガスケット等の
シール材３８を介してガスパネル２６の外面に気密に固
定され、他端はシール材４０を介して混合装置２８の外
面に気密に固定されている。カバーアセンブリ３４の壁
面には、ヒータ付き配管３２の電気ヒータ３６に電気を
供給するためのヒータ接続端子４２が設けられている。
ヒータ接続端子４２には電源４４を接続することができ
る。なお、符号４６は、配管３２の内部温度を測定する
ための熱電対（図示せず）に電気的に接続された出力端
子である。従って、電源４４を制御する制御装置４８を
この出力端子４６に接続することで、熱電対の出力信号
に基づいて電源４４の供給電力を制御し、配管３２内の
ガスの温度を制御することが可能となる。
【００１６】また、カバーアセンブリ３４の適所には排
気系５０が接続されるノズル５２が設けられている。排
気系５０は、カバーアセンブリ３４の内部空気を強制的
に排出するための真空ポンプ５４を備えている。排出さ
れた空気は大気に放出されるが、ガス漏洩センサ５６
と、希釈装置や熱分解装置等の処理装置５８とを排気ラ
インに設け、万が一、配管３０，３２から漏洩したガス
を検知、無害化した上で大気中に放出できるようにする
ことが好ましい。
気系５０が接続されるノズル５２が設けられている。排
気系５０は、カバーアセンブリ３４の内部空気を強制的
に排出するための真空ポンプ５４を備えている。排出さ
れた空気は大気に放出されるが、ガス漏洩センサ５６
と、希釈装置や熱分解装置等の処理装置５８とを排気ラ
インに設け、万が一、配管３０，３２から漏洩したガス
を検知、無害化した上で大気中に放出できるようにする
ことが好ましい。
【００１７】このような構成においては、真空ポンプ５
４を作動させてカバーアセンブリ３４の内部を減圧する
と、ヒータ付き配管３２からの熱が他の配管３０に伝わ
らず、他の配管３０に熱的影響を及ぼすことがない。従
って、配管３０，３２の間隔を狭くすることができるた
め、配管系の占めるスペースは、カバーアセンブリ３４
を含めても非常に小さなものとなる。また、この真空断
熱効果により電気ヒータ３６の熱が配管３２の外部に放
散されることはなく、効率よく配管３２の内部を加熱す
ることができ、省電力化にも寄与することになる。
４を作動させてカバーアセンブリ３４の内部を減圧する
と、ヒータ付き配管３２からの熱が他の配管３０に伝わ
らず、他の配管３０に熱的影響を及ぼすことがない。従
って、配管３０，３２の間隔を狭くすることができるた
め、配管系の占めるスペースは、カバーアセンブリ３４
を含めても非常に小さなものとなる。また、この真空断
熱効果により電気ヒータ３６の熱が配管３２の外部に放
散されることはなく、効率よく配管３２の内部を加熱す
ることができ、省電力化にも寄与することになる。
【００１８】更に、前述したように、配管３０，３２の
継手部等からガスが万一漏洩したとしても、そのガスは
処理装置５８を含む排気系５０に送られるので、そのま
まの状態でのガスの大気拡散を防止することができる。
継手部等からガスが万一漏洩したとしても、そのガスは
処理装置５８を含む排気系５０に送られるので、そのま
まの状態でのガスの大気拡散を防止することができる。
【００１９】上記の配管系構造１０は、まず配管３０，
３２を従来と同様に配設した後、その周りにカバーアセ
ンブリ３４を組み立てていくことで造ることができる。
この方法によっても、配管継手部ごとに排気用のカバー
を設ける必要もなく、また、配管間の間隔を十分に開け
る必要もないため、施工は容易に行うことができる。
３２を従来と同様に配設した後、その周りにカバーアセ
ンブリ３４を組み立てていくことで造ることができる。
この方法によっても、配管継手部ごとに排気用のカバー
を設ける必要もなく、また、配管間の間隔を十分に開け
る必要もないため、施工は容易に行うことができる。
【００２０】しかしながら、上記構成の配管系構造１０
は、予めユニット化しておき、かかる配管系ユニットを
用いて組み立てていくことが有効である。
は、予めユニット化しておき、かかる配管系ユニットを
用いて組み立てていくことが有効である。
【００２１】図１からも理解されるように、符号１０Ａ
は、配管系構造１０のためのメインユニットを示すもの
であり、カバーアセンブリ３４の主要部を構成するカバ
ーチューブ３４ａと、その内部に並設された複数本の配
管３２ａ，３２ａとから構成されている。これらの配管
３０ａ，３２ａは前述の配管３０，３２の一部をなすも
のである。ヒータ付き配管３２ａの電気ヒータ３６はカ
バーチューブ３４ａに設けられた接続端子４２に接続さ
れており、また、配管３２ａ内の熱電対（図示せず）は
出力端子４６に接続されている。
は、配管系構造１０のためのメインユニットを示すもの
であり、カバーアセンブリ３４の主要部を構成するカバ
ーチューブ３４ａと、その内部に並設された複数本の配
管３２ａ，３２ａとから構成されている。これらの配管
３０ａ，３２ａは前述の配管３０，３２の一部をなすも
のである。ヒータ付き配管３２ａの電気ヒータ３６はカ
バーチューブ３４ａに設けられた接続端子４２に接続さ
れており、また、配管３２ａ内の熱電対（図示せず）は
出力端子４６に接続されている。
【００２２】図示しないが、カバーチューブ３４ａの内
部には各配管３０ａ，３２ａを支持するためのサポート
が設けられている。これらのサポートは、ヒータ付き配
管３２ａからの伝熱を抑制するために、熱伝導性の低い
材料から作られていることが好ましい。カバーチューブ
３４ａの全長は配管３０ａ，３２ａの全長よりも短く、
従って、組付け前においては、カバーチューブ３４ａの
両端からは配管３０ａ，３２ａの端部が露出した状態と
なる。また、カバーチューブ３４ａは、他のユニットや
装置との接続を目的として、その端部にフランジ６０，
６１を有している。なお、寸法誤差や組付誤差を吸収す
べく、カバーチューブ３４ａの中間部はベローズ（蛇
腹）構造とされ、伸縮可能となっている。更に、カバー
チューブ３４ａには、排気系が接続されるノズル５２が
形成されている。
部には各配管３０ａ，３２ａを支持するためのサポート
が設けられている。これらのサポートは、ヒータ付き配
管３２ａからの伝熱を抑制するために、熱伝導性の低い
材料から作られていることが好ましい。カバーチューブ
３４ａの全長は配管３０ａ，３２ａの全長よりも短く、
従って、組付け前においては、カバーチューブ３４ａの
両端からは配管３０ａ，３２ａの端部が露出した状態と
なる。また、カバーチューブ３４ａは、他のユニットや
装置との接続を目的として、その端部にフランジ６０，
６１を有している。なお、寸法誤差や組付誤差を吸収す
べく、カバーチューブ３４ａの中間部はベローズ（蛇
腹）構造とされ、伸縮可能となっている。更に、カバー
チューブ３４ａには、排気系が接続されるノズル５２が
形成されている。
【００２３】図１において、符号１０Ｂ，１０Ｃは、配
管系構造１０の屈曲部を構成するサブユニットを示して
いる。本実施形態では、サブユニット１０Ｂ，１０Ｃは
それぞれ、ガスパネル２６とメインユニット１０Ａとの
間、及び、混合装置２８とメインユニット１０Ａとの間
に設置されるものであるが、配管系構造の形態によって
はメインユニットとメインユニットとの間に設置される
場合や、このサブユニットを用いずにメインユニットが
混合装置等に直接接続される場合等、様々な態様が考え
られる。
管系構造１０の屈曲部を構成するサブユニットを示して
いる。本実施形態では、サブユニット１０Ｂ，１０Ｃは
それぞれ、ガスパネル２６とメインユニット１０Ａとの
間、及び、混合装置２８とメインユニット１０Ａとの間
に設置されるものであるが、配管系構造の形態によって
はメインユニットとメインユニットとの間に設置される
場合や、このサブユニットを用いずにメインユニットが
混合装置等に直接接続される場合等、様々な態様が考え
られる。
【００２４】サブユニット１０Ｂ，１０Ｃは、２つの接
続端部６２，６３；６４，６５の中心軸線が互いに直交
するように構成されたカバーボックス３４ｂ，３４ｃを
備えており、このカバーボックス３４ｂ，３４ｃは前記
カバーアセンブリ３４の一部をなす。カバーボックス３
４ｂ，３４ｃには、内部の配管継手部の接続やメンテナ
ンスを行うため、メンテナンスホール６６が形成されて
いる。このメンテナンスホール６６は、通常時は、適当
なプレート６８により開閉可能に密閉されている。ま
た、接続端部６２，６３；６４，６５はフランジ構造と
なっており、接続対象物との接続を容易としている。
続端部６２，６３；６４，６５の中心軸線が互いに直交
するように構成されたカバーボックス３４ｂ，３４ｃを
備えており、このカバーボックス３４ｂ，３４ｃは前記
カバーアセンブリ３４の一部をなす。カバーボックス３
４ｂ，３４ｃには、内部の配管継手部の接続やメンテナ
ンスを行うため、メンテナンスホール６６が形成されて
いる。このメンテナンスホール６６は、通常時は、適当
なプレート６８により開閉可能に密閉されている。ま
た、接続端部６２，６３；６４，６５はフランジ構造と
なっており、接続対象物との接続を容易としている。
【００２５】次に、このような構成のユニット１０Ａ，
１０Ｂ，１０Ｃを用いて配管系構造１０を組み立てる場
合について説明する。
１０Ｂ，１０Ｃを用いて配管系構造１０を組み立てる場
合について説明する。
【００２６】まず、サブユニット１０Ｂをガスパネル２
６に取り付ける。この際、ガスパネル２６から延びる配
管の先端部を接続端部６２からカバーボックス３４ｂ内
に挿入し、接続端部６２をガスケット等のシール材３８
を介してガスパネル２６にボルト等により固定する。同
様にして、サブユニット１０Ｃの接続端部６４を混合装
置２８に固定する。
６に取り付ける。この際、ガスパネル２６から延びる配
管の先端部を接続端部６２からカバーボックス３４ｂ内
に挿入し、接続端部６２をガスケット等のシール材３８
を介してガスパネル２６にボルト等により固定する。同
様にして、サブユニット１０Ｃの接続端部６４を混合装
置２８に固定する。
【００２７】次いで、サブユニット１０Ｂとサブユニッ
ト１０Ｃとの間にメインユニット１０Ａを配置する。こ
の際、メインユニット１０Ａのカバーチューブ３４ａを
収縮させておくことで、配管３０ａ，３２ａの端部を対
応のサブユニット１０Ｂ，１０Ｃのカバーボックス３４
ｂ，３４ｃ内に容易に配置することができる。そして、
カバーチューブ３４ａを伸ばし、接続端部６０，６３；
６１，６５同士をシール材７０を介して接続する。
ト１０Ｃとの間にメインユニット１０Ａを配置する。こ
の際、メインユニット１０Ａのカバーチューブ３４ａを
収縮させておくことで、配管３０ａ，３２ａの端部を対
応のサブユニット１０Ｂ，１０Ｃのカバーボックス３４
ｂ，３４ｃ内に容易に配置することができる。そして、
カバーチューブ３４ａを伸ばし、接続端部６０，６３；
６１，６５同士をシール材７０を介して接続する。
【００２８】この後、メンテナンスホール６６を開け、
そこからベント管等の接続用配管３０ｂ，３２ｂ；３０
ｃ，３２ｃをカバーチューブ３４ｂ，３４ｃ内に入れ、
配管の接続を行う。
そこからベント管等の接続用配管３０ｂ，３２ｂ；３０
ｃ，３２ｃをカバーチューブ３４ｂ，３４ｃ内に入れ、
配管の接続を行う。
【００２９】最後に、メンテナンスホール６６を閉じ、
ノズル５２に排気系５０を接続し、端子４２，４６に電
源４４、制御装置４８を接続することで、配管系構造１
０が完成する。
ノズル５２に排気系５０を接続し、端子４２，４６に電
源４４、制御装置４８を接続することで、配管系構造１
０が完成する。
【００３０】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない
ことは言うまでもない。例えば、上記実施形態における
配管系構造はＣＶＤ装置のガス供給系に用いられるもの
であるが、その他のマイクロ・エレクトロニクス・デバ
イス製造装置のガス供給系や排気系にも適用可能であ
る。その場合、輸送するガスの種類等に応じて、配管の
本数やカバー手段の形態も種々変更される。
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない
ことは言うまでもない。例えば、上記実施形態における
配管系構造はＣＶＤ装置のガス供給系に用いられるもの
であるが、その他のマイクロ・エレクトロニクス・デバ
イス製造装置のガス供給系や排気系にも適用可能であ
る。その場合、輸送するガスの種類等に応じて、配管の
本数やカバー手段の形態も種々変更される。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ガ
ス配管全体を適当なカバー手段で覆い、その内部を排気
することで、配管から万が一、ガス漏洩が生じても、ガ
スが大気に拡散することを防止することができる。ま
た、これは、配管の継手部ごとにカバーを設ける場合に
比して、作業を容易化するものである。
ス配管全体を適当なカバー手段で覆い、その内部を排気
することで、配管から万が一、ガス漏洩が生じても、ガ
スが大気に拡散することを防止することができる。ま
た、これは、配管の継手部ごとにカバーを設ける場合に
比して、作業を容易化するものである。
【００３２】更に、カバー手段の内部を減圧することで
真空断熱効果が得られるので、ヒータ付き配管と他の配
管との間の間隔を狭めることができ、配管系の占めるス
ペースを縮小することができ、配管レイアウトの自由度
が増す。これもまた、配管作業を容易にするものであ
る。更にまた、真空断熱により省エネルギにも貢献す
る。
真空断熱効果が得られるので、ヒータ付き配管と他の配
管との間の間隔を狭めることができ、配管系の占めるス
ペースを縮小することができ、配管レイアウトの自由度
が増す。これもまた、配管作業を容易にするものであ
る。更にまた、真空断熱により省エネルギにも貢献す
る。
【図１】本発明の配管系構造の一実施形態を示す概略説
明図である。
明図である。
１０…配管系構造、１２…ＣＶＤ装置、１４…処理チャ
ンバ、２２〜２５…ガス供給源、２６…ガスパネル、２
８…混合装置、３０…配管、３２…ヒータ付き配管、３
４…カバーアセンブリ（カバー手段）、５０…排気系
（排気手段）、１０Ａ…メインユニット（配管系ユニッ
ト）、１０Ｂ，１０Ｃ…サブユニット（配管系ユニッ
ト）、３４ａ…カバーチューブ（カバー手段）、３４
ｂ，３４ｃ…カバーボックス。
ンバ、２２〜２５…ガス供給源、２６…ガスパネル、２
８…混合装置、３０…配管、３２…ヒータ付き配管、３
４…カバーアセンブリ（カバー手段）、５０…排気系
（排気手段）、１０Ａ…メインユニット（配管系ユニッ
ト）、１０Ｂ，１０Ｃ…サブユニット（配管系ユニッ
ト）、３４ａ…カバーチューブ（カバー手段）、３４
ｂ，３４ｃ…カバーボックス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 優一 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA06 BB20 DP03 EC07 EC08 EC09 EE02 EE05 EG01 EG07
Claims (4)
- 【請求項１】 互いに並設された、ガスを輸送するため
の複数本の配管と、前記複数本の配管を取り囲み、内部
が密閉空間とされるカバー手段と、前記カバー手段に接
続され、前記カバー手段の内部空気を排気する排気手段
とを備える配管系構造。 - 【請求項２】 前記複数本の配管のうちの少なくとも１
本がヒータ付き配管である請求項１に記載の配管系構
造。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の配管系構造を構
成する配管系ユニットであって、互いに並設された、ガ
スを輸送するための複数本の配管と、前記複数本の配管
を取り囲み、内部が密閉空間とされるカバー手段とを備
える配管系ユニット。 - 【請求項４】 前記カバー手段が伸縮可能であることを
特徴とする請求項３に記載の配管系ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10328125A JP2000150387A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | 配管系構造及び配管系ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10328125A JP2000150387A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | 配管系構造及び配管系ユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150387A true JP2000150387A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18206775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10328125A Pending JP2000150387A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | 配管系構造及び配管系ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150387A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7357144B2 (en) | 2004-01-05 | 2008-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Contamination control apparatus, management system and related methods |
| JP2020519035A (ja) * | 2017-06-27 | 2020-06-25 | ジェイ−ソリューション カンパニー リミテッド | 設置容易な半導体及びｌｃｄ製造工程の排気ガス加熱用三重配管加熱装置 |
| JP2022083412A (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-03 | ユ－ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理システム |
| JPWO2022249398A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | ||
| US11742214B2 (en) | 2016-09-16 | 2023-08-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
| WO2023228763A1 (ja) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び酸素混入抑制方法 |
| US11961719B2 (en) | 2020-06-25 | 2024-04-16 | Hitachi High-Tech Corporation | Vacuum processing method |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289633A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブルチユ−ブ |
| JPH01183868A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ発振器 |
| JPH03285376A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エキシマレーザ装置 |
| JPH03284890A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Shimadzu Corp | エキシマレーザ装置 |
| JPH06256953A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-13 | Anelva Corp | ＴｉＮ−ＣＶＤ用ガス導入法およびガス導入機構 |
| JPH07321057A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用成膜装置 |
| JPH10199873A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-07-31 | Applied Materials Inc | フッ化ケイ酸ガラス膜の膜安定性向上のための方法及び装置 |
-
1998
- 1998-11-18 JP JP10328125A patent/JP2000150387A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289633A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブルチユ−ブ |
| JPH01183868A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ発振器 |
| JPH03284890A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Shimadzu Corp | エキシマレーザ装置 |
| JPH03285376A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エキシマレーザ装置 |
| JPH06256953A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-13 | Anelva Corp | ＴｉＮ−ＣＶＤ用ガス導入法およびガス導入機構 |
| JPH07321057A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用成膜装置 |
| JPH10199873A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-07-31 | Applied Materials Inc | フッ化ケイ酸ガラス膜の膜安定性向上のための方法及び装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7357144B2 (en) | 2004-01-05 | 2008-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Contamination control apparatus, management system and related methods |
| US11742214B2 (en) | 2016-09-16 | 2023-08-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
| JP2020519035A (ja) * | 2017-06-27 | 2020-06-25 | ジェイ−ソリューション カンパニー リミテッド | 設置容易な半導体及びｌｃｄ製造工程の排気ガス加熱用三重配管加熱装置 |
| US11961719B2 (en) | 2020-06-25 | 2024-04-16 | Hitachi High-Tech Corporation | Vacuum processing method |
| JP2022083412A (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-03 | ユ－ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理システム |
| JP7304395B2 (ja) | 2020-11-24 | 2023-07-06 | ユ－ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理システム |
| JPWO2022249398A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | ||
| WO2022249398A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
| JP7329130B2 (ja) | 2021-05-27 | 2023-08-17 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
| WO2023228763A1 (ja) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び酸素混入抑制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6142773A (en) | Enveloping device and vertical heat-treating apparatus for semiconductor process system | |
| US20080163818A1 (en) | Substrate heating apparatus and purging method thereof | |
| JP5960692B2 (ja) | 断熱流体ダクト | |
| TW200847267A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2000150387A (ja) | 配管系構造及び配管系ユニット | |
| CN110800094B (zh) | 易于设置的半导体及液晶显示器制造工序的废气加热用三重管加热装置 | |
| JP2000070664A (ja) | 加熱型トラップ装置および成膜装置 | |
| JP4690368B2 (ja) | 基板加熱装置および基板加熱方法 | |
| TW201138978A (en) | Shower head and apparatus for manufacturing semiconductor substrate having the same | |
| JP2000172343A (ja) | ガス供給装置と成膜装置 | |
| EP1039502A3 (en) | Heat protection of sealing o-rings in a microwave plasma generating apparatus | |
| US20030015142A1 (en) | Apparatus for fabricating a semiconductor device | |
| JP2004214283A (ja) | 半導体製造装置 | |
| TW202338922A (zh) | 用於半導體製造設備的加熱套組 | |
| JPS62262420A (ja) | 半導体加熱用耐熱管のシ−ル方法 | |
| JP2021009977A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
| JPH1080623A (ja) | 脱硝装置 | |
| KR20010046221A (ko) | 저압 화학 기상 증착용 수평로의 플랜지 냉각 장치 | |
| JP2008286496A (ja) | ファンフィルターユニット | |
| JP2002212736A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2001210702A (ja) | 基板保持装置及び基板処理装置 | |
| JPH08285147A (ja) | ２重構造管 | |
| JP2003332245A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR19980051968A (ko) | 내튜브와 외튜브를 일체로 고정시키는 고정판을 갖는 화학기상증착장치용 이중튜브 | |
| JPH03188624A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100427 |