JPS6215244Y2 - - Google Patents
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- JPS6215244Y2 JPS6215244Y2 JP8454682U JP8454682U JPS6215244Y2 JP S6215244 Y2 JPS6215244 Y2 JP S6215244Y2 JP 8454682 U JP8454682 U JP 8454682U JP 8454682 U JP8454682 U JP 8454682U JP S6215244 Y2 JPS6215244 Y2 JP S6215244Y2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はフイルムの連続処理装置に関し、詳し
くは、フイルムの連続スパツタエツチング装置を
スパツタリング処理にも使用できるように改良し
たものである。
くは、フイルムの連続スパツタエツチング装置を
スパツタリング処理にも使用できるように改良し
たものである。
フイルムの連続スパツタエツチング装置として
第１図Ａ並びに第１図Ｂ（第１図ＡのＢ−Ｂ断面
図）に示すように耐真空ケース１′内にロール電
極２′と対向電極３′とを設けたものが公知であ
る。４′はフイルム供給ボビンを、５′はフイルム
巻取ボビンをそれぞれ示しており、供給ボビン
４′からのフイルムf′がロール電極面を経て巻取
ボビン５′に巻取られて行く。対向電極３′はアー
ス電位に、ロール電極２′は高圧負電位にそれぞ
れ保持され、耐真空ケース１′内は、例えば空気
等のガス雰囲気下、10-1〜10-4Torrの真空に保持
される。而して、ロール電極２′と対向電極３′間
の電界による電離で発生した陽イオンがロール電
極面を走行しつつあるフイルムf′に衝突して、そ
のフイルム面をスパツタエツチングする。
第１図Ａ並びに第１図Ｂ（第１図ＡのＢ−Ｂ断面
図）に示すように耐真空ケース１′内にロール電
極２′と対向電極３′とを設けたものが公知であ
る。４′はフイルム供給ボビンを、５′はフイルム
巻取ボビンをそれぞれ示しており、供給ボビン
４′からのフイルムf′がロール電極面を経て巻取
ボビン５′に巻取られて行く。対向電極３′はアー
ス電位に、ロール電極２′は高圧負電位にそれぞ
れ保持され、耐真空ケース１′内は、例えば空気
等のガス雰囲気下、10-1〜10-4Torrの真空に保持
される。而して、ロール電極２′と対向電極３′間
の電界による電離で発生した陽イオンがロール電
極面を走行しつつあるフイルムf′に衝突して、そ
のフイルム面をスパツタエツチングする。
上記において、ロール電極２′におけるフイル
ム接触面以外の部分は、それらの部分での不必要
な放電がスパツタエツチング条件を不安定化する
ので静電的にシールドする必要があり、従つて、
ロール電極の側面２１′並びにロール軸２２′をシ
ールド電極６′で、ロール電極２′のフイルム非接
触のロール面２３′をシールド電極７′でそれぞれ
シールドし、そのシールド間隔を上記の真空下、
パツシエンの法則に基づき放電を阻止できる間隙
（通常３〜６mm）とすることが必要である。
ム接触面以外の部分は、それらの部分での不必要
な放電がスパツタエツチング条件を不安定化する
ので静電的にシールドする必要があり、従つて、
ロール電極の側面２１′並びにロール軸２２′をシ
ールド電極６′で、ロール電極２′のフイルム非接
触のロール面２３′をシールド電極７′でそれぞれ
シールドし、そのシールド間隔を上記の真空下、
パツシエンの法則に基づき放電を阻止できる間隙
（通常３〜６mm）とすることが必要である。
上記スパツタエツチング装置において、対向電
極３′の表面にターゲツト材を添着し、その対向
電極３′を負の高電位に、ロール電極２′をアース
電位にそれぞれ保持すれば、電離陽イオンをター
ゲツト材に衝突させて、このターゲツト材からス
パツタ物質を放出させることが可能である。しか
しながら、放出スパツタ物質が第１図Ａにおける
ロール電極側面２１′とシールド電極６′との間に
侵入し、ロール電極側面やシールド電極内面に付
着して、シールド間隙g′が減少するに至る結果、
スパツタエツチング時での上記不必要な放電の阻
止が困難となつて、スパツタリング処理に使用し
たのちは、スパツタエツチング処理に使用し難
い。
極３′の表面にターゲツト材を添着し、その対向
電極３′を負の高電位に、ロール電極２′をアース
電位にそれぞれ保持すれば、電離陽イオンをター
ゲツト材に衝突させて、このターゲツト材からス
パツタ物質を放出させることが可能である。しか
しながら、放出スパツタ物質が第１図Ａにおける
ロール電極側面２１′とシールド電極６′との間に
侵入し、ロール電極側面やシールド電極内面に付
着して、シールド間隙g′が減少するに至る結果、
スパツタエツチング時での上記不必要な放電の阻
止が困難となつて、スパツタリング処理に使用し
たのちは、スパツタエツチング処理に使用し難
い。
本考案に係るフイルムの連続処理装置は、上記
したスパツタエツチング装置を何らの支障なくス
パツタリングに使用できるように改良したもので
あり、耐真空ケース内にロール電極と該ロール電
極に対する対向電極とを設け、ロール電極の各側
面並びにロール軸をそれぞれのアースシールドで
遮蔽し、対向電極に面するロール電極面において
フイルムをスパツタエツチング、スパツタリング
の何れでも処理する装置において、上記対向電極
に面するロール電極面の両端でのロール電極とア
ースシールドとの間をシールド電極で覆つたこと
を特徴とする構成である。
したスパツタエツチング装置を何らの支障なくス
パツタリングに使用できるように改良したもので
あり、耐真空ケース内にロール電極と該ロール電
極に対する対向電極とを設け、ロール電極の各側
面並びにロール軸をそれぞれのアースシールドで
遮蔽し、対向電極に面するロール電極面において
フイルムをスパツタエツチング、スパツタリング
の何れでも処理する装置において、上記対向電極
に面するロール電極面の両端でのロール電極とア
ースシールドとの間をシールド電極で覆つたこと
を特徴とする構成である。
以下、図面により本考案を説明する。
第２図Ａは本考案装置の横断面説明図を、第２
図Ｂは第２図ＡにおけるＢ−Ｂ断面説明図をそれ
ぞれ示している。
図Ｂは第２図ＡにおけるＢ−Ｂ断面説明図をそれ
ぞれ示している。
第２図Ａ並びに第２図Ｂにおいて、１は耐真空
金属ケースであり、排気口１１とガス供給口１２
とを備えている。２はロール電極、２１はロール
軸である。３はロール電極２の側面２２並びにロ
ール軸２１をシールドせるアースシールドであ
り、ロール電極側面２２並びにロール軸２１に電
気絶縁物３０により一体化されている。４は耐真
空軸受、４１はベルトプーリである。アースシー
ルド３を第１図Ａに示す従来装置のように、ケー
スに固定し、アースシールド内の軸受によりロー
ル軸を支持することも可能である。５はカツプリ
ングコンデンサ、６はインピーダンス整合器、７
は高周波電源である。
金属ケースであり、排気口１１とガス供給口１２
とを備えている。２はロール電極、２１はロール
軸である。３はロール電極２の側面２２並びにロ
ール軸２１をシールドせるアースシールドであ
り、ロール電極側面２２並びにロール軸２１に電
気絶縁物３０により一体化されている。４は耐真
空軸受、４１はベルトプーリである。アースシー
ルド３を第１図Ａに示す従来装置のように、ケー
スに固定し、アースシールド内の軸受によりロー
ル軸を支持することも可能である。５はカツプリ
ングコンデンサ、６はインピーダンス整合器、７
は高周波電源である。
８は上記ロール電極２に対する対向電極、８１
は絶縁スペーサ、９は高周波電源である。対向電
極は複数箇使用することもできる。１３はフイル
ム供給ボビン、１４はフイルム巻取ボビンであ
り、フイルムｆは供給ボビン１３からロール電極
２のロール面２０（対向電極に面するロール面）
を経て巻取ボビン１４で巻取られていく。１５は
ロール電極２におけるフイルムが非接触のロール
面２０１をシールドせるアースシールドである。
は絶縁スペーサ、９は高周波電源である。対向電
極は複数箇使用することもできる。１３はフイル
ム供給ボビン、１４はフイルム巻取ボビンであ
り、フイルムｆは供給ボビン１３からロール電極
２のロール面２０（対向電極に面するロール面）
を経て巻取ボビン１４で巻取られていく。１５は
ロール電極２におけるフイルムが非接触のロール
面２０１をシールドせるアースシールドである。
３０１は対向電極８に面するロール電極面の両
端でのロール電極２とアースシールド３との間の
絶縁物端面である。１６はシールド電極であり、
上記絶縁物端面３０１を覆つている。このシール
ド電極１６はケース１に固定支持されており、ア
ース電位である。
端でのロール電極２とアースシールド３との間の
絶縁物端面である。１６はシールド電極であり、
上記絶縁物端面３０１を覆つている。このシール
ド電極１６はケース１に固定支持されており、ア
ース電位である。
本考案装置によりフイルムをスパツタリング処
理するには、対向電極８の表面にターゲツト材８
０（例えば、ステンレス、インジウム等）を添着
したものを用い、ケース１内をガスの導入下（ガ
スには、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプト
ン、キセノン、N2等の不活性ガスや酸素、空
気、水蒸気、その他モノマーガス等を使用でき
る）、10-1〜10-4Torr、好ましくは10-2〜
10-3Torrに保持し、上記ロール電極２をアース
電位に、対向電極８を負の高電位にそれぞれ保持
すればよい。
理するには、対向電極８の表面にターゲツト材８
０（例えば、ステンレス、インジウム等）を添着
したものを用い、ケース１内をガスの導入下（ガ
スには、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプト
ン、キセノン、N2等の不活性ガスや酸素、空
気、水蒸気、その他モノマーガス等を使用でき
る）、10-1〜10-4Torr、好ましくは10-2〜
10-3Torrに保持し、上記ロール電極２をアース
電位に、対向電極８を負の高電位にそれぞれ保持
すればよい。
この場合、電離陽イオンの衝突によりターゲツ
ト材８０から放出されたスパツタ物質（例えば、
ステンレス、インジウムの粒子）がロール電極２
に向つて直進し、フイルムｆに付着する。シール
ド電極１６の表面もターゲツト材８０に面してい
るので、その表面にもスパツタ物質の付着がある
が、その裏のロール電極２とアースシールド３と
の間の絶縁物端面３０１においては、その面３０
１がシールド電極１６で覆われているから、スパ
ツタ物質の付着を充分に防止できる。而して、ロ
ール電極２とアースシールド３との導通短絡は回
避できる。従つて、上記したスパツタリング処理
後、ロール電極２を負の高電位に課電しても何ら
不都合はなく、而して、ロール電極２を負の高電
位に、対向電極８を接地電位にそれぞれ保持する
ことにより、フイルムｆを良好にスパツタエツチ
ング処理できる。
ト材８０から放出されたスパツタ物質（例えば、
ステンレス、インジウムの粒子）がロール電極２
に向つて直進し、フイルムｆに付着する。シール
ド電極１６の表面もターゲツト材８０に面してい
るので、その表面にもスパツタ物質の付着がある
が、その裏のロール電極２とアースシールド３と
の間の絶縁物端面３０１においては、その面３０
１がシールド電極１６で覆われているから、スパ
ツタ物質の付着を充分に防止できる。而して、ロ
ール電極２とアースシールド３との導通短絡は回
避できる。従つて、上記したスパツタリング処理
後、ロール電極２を負の高電位に課電しても何ら
不都合はなく、而して、ロール電極２を負の高電
位に、対向電極８を接地電位にそれぞれ保持する
ことにより、フイルムｆを良好にスパツタエツチ
ング処理できる。
第２図Ｂにおいて、対向電極８に面するロール
電極面の周囲長のうちスパツタ物質が付着する範
囲は、ターゲツト材８０並びに対向電極８の位置
によつて異なる。従つて、上記シールド電極１６
の円弧長ｌは、ターゲツト材とロール電極との相
対的位置関係から定まるスパツタ物質の付着範囲
に応じて設定すればよい。
電極面の周囲長のうちスパツタ物質が付着する範
囲は、ターゲツト材８０並びに対向電極８の位置
によつて異なる。従つて、上記シールド電極１６
の円弧長ｌは、ターゲツト材とロール電極との相
対的位置関係から定まるスパツタ物質の付着範囲
に応じて設定すればよい。
本考案装置によつて行うフイルムのスパツタエ
ツチング処理並びにスパツタリング処理は、同時
に行うことも可能である。又、スパツタリングに
は、通常のスパツタリングの他、マグネトロンス
パツタリング、反応性スパツタリング等の方法も
使用できる。
ツチング処理並びにスパツタリング処理は、同時
に行うことも可能である。又、スパツタリングに
は、通常のスパツタリングの他、マグネトロンス
パツタリング、反応性スパツタリング等の方法も
使用できる。
上述した通り、本考案に係るフイルムの連続処
理装置は、従来のスパツタエツチング装置におけ
るロール電極とその電極側面のアースシールドと
の間の隙間口を遮蔽電極で覆うだけでスパツタエ
ツチング並びにスパツタリングを交互に、又は同
時に行うことが可能である。従つて、スパツタエ
ツチング処理したフイルム面をスパツタリング処
理してなる、スパツタ物質の付着強度の大なる、
例えば金属薄膜蒸着プラスチツクフイルムを容易
に製造できる。
理装置は、従来のスパツタエツチング装置におけ
るロール電極とその電極側面のアースシールドと
の間の隙間口を遮蔽電極で覆うだけでスパツタエ
ツチング並びにスパツタリングを交互に、又は同
時に行うことが可能である。従つて、スパツタエ
ツチング処理したフイルム面をスパツタリング処
理してなる、スパツタ物質の付着強度の大なる、
例えば金属薄膜蒸着プラスチツクフイルムを容易
に製造できる。
第１図Ａは公知のスパツタエツチング装置を示
す横断面説明図、第１図Ｂは第１図ＡにおけるＢ
−Ｂ断面説明図、第２図Ａは本考案に係るフイル
ムの連続処理装置を示す横断面説明図、第２図Ｂ
は第２図ＡにおけるＢ−Ｂ断面説明図である。 図において、１は耐真空ケース、２はロール電
極、２１はロール軸、２２はロール電極側面、３
はアースシールド、８は対向電極、１６はシール
ド電極である。
す横断面説明図、第１図Ｂは第１図ＡにおけるＢ
−Ｂ断面説明図、第２図Ａは本考案に係るフイル
ムの連続処理装置を示す横断面説明図、第２図Ｂ
は第２図ＡにおけるＢ−Ｂ断面説明図である。 図において、１は耐真空ケース、２はロール電
極、２１はロール軸、２２はロール電極側面、３
はアースシールド、８は対向電極、１６はシール
ド電極である。
Claims (1)
- 耐真空ケース内にロール電極と該ロール電極に
対する対向電極とを設け、ロール電極の各側面並
びにロール軸をそれぞれのアースシールドで遮蔽
し、対向電極に面するロール電極面においてフイ
ルムをスパツタエツチング、スパツタリングの何
れでも処理する装置において、上記対向電極に面
するロール電極面の両端でのロール電極とアース
シールドとの間をシールド電極で覆つたことを特
徴とするフイルムの連続処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8454682U JPS58189162U (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | フイルムの連続処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8454682U JPS58189162U (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | フイルムの連続処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189162U JPS58189162U (ja) | 1983-12-15 |
| JPS6215244Y2 true JPS6215244Y2 (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=30093489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8454682U Granted JPS58189162U (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | フイルムの連続処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189162U (ja) |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP8454682U patent/JPS58189162U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58189162U (ja) | 1983-12-15 |
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