JP3076463B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、磁気記録媒
体、太陽電池、液晶ディスプレイ等の製造における成膜
工程で使用される薄膜形成装置に関する。
体、太陽電池、液晶ディスプレイ等の製造における成膜
工程で使用される薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の薄膜形成装置の一例とし
て、ロール・ツー・ロール型のマグネトロンスパッタ装
置が知られている。図７は、従来のロール・ツー・ロー
ル型のマグネトロンスパッタ装置の概略構成図である。
図７に示すように、真空槽１０１０の内部には、送り出
しロール１００６および巻き取りロール１００７がそれ
ぞれ矢印方向に回転自在に軸支されている。送り出しロ
ール１００６には被薄膜形成部材である試料ウェブ１０
０５が巻回されるとともに、試料ウェブ１００５の一端
は巻き取りロール１００７に結合されており、送り出し
ロール１００６および巻き取りロール１００７を図示矢
印方向に回転させることで、試料ウェブ１００５が図示
左方に搬送される構成となっている。また、真空槽１０
１０内部の、試料ウェブに１００５対向する部位には、
電極であるバッキングプレート１００２上に支持された
ターゲット１００１が配置されている。バッキングプレ
ート１００２には、高電圧印加手段であるプラズマ発生
用電源１００４が接続されており、さらに、バッキング
プレート１００２の背面には磁石ユニット１００３が設
けられている。磁石ユニット１００３は、図７および図
８に示すようにバッキングプレート１００２側にＮ極が
向くように配置されたループ状の第１の磁石１００ａ
と、第１の磁石１００３ａの中心部に、バッキングプレ
ート１００２側にＳ極が向くように配置された第２の磁
石１００３ｂとを有する。
て、ロール・ツー・ロール型のマグネトロンスパッタ装
置が知られている。図７は、従来のロール・ツー・ロー
ル型のマグネトロンスパッタ装置の概略構成図である。
図７に示すように、真空槽１０１０の内部には、送り出
しロール１００６および巻き取りロール１００７がそれ
ぞれ矢印方向に回転自在に軸支されている。送り出しロ
ール１００６には被薄膜形成部材である試料ウェブ１０
０５が巻回されるとともに、試料ウェブ１００５の一端
は巻き取りロール１００７に結合されており、送り出し
ロール１００６および巻き取りロール１００７を図示矢
印方向に回転させることで、試料ウェブ１００５が図示
左方に搬送される構成となっている。また、真空槽１０
１０内部の、試料ウェブに１００５対向する部位には、
電極であるバッキングプレート１００２上に支持された
ターゲット１００１が配置されている。バッキングプレ
ート１００２には、高電圧印加手段であるプラズマ発生
用電源１００４が接続されており、さらに、バッキング
プレート１００２の背面には磁石ユニット１００３が設
けられている。磁石ユニット１００３は、図７および図
８に示すようにバッキングプレート１００２側にＮ極が
向くように配置されたループ状の第１の磁石１００ａ
と、第１の磁石１００３ａの中心部に、バッキングプレ
ート１００２側にＳ極が向くように配置された第２の磁
石１００３ｂとを有する。
【０００３】上述した構成に基づいて、まず真空槽１０
０１内を排気した後、真空槽１００１に不活性ガスを導
入して所定の圧力とする。その後、バッキングプレート
１００２を介してターゲット１００１に直流電圧を印加
すると、試料ウェブ１００５とターゲット１００１間に
放電が起き、不活性ガスがイオン化してプラズマが形成
される。そして、プラズマ中の陽イオンが陰極であるタ
ーゲット１００１に加速衝突することでターゲット１０
０１から原子あるいは分子が放出され、これが試料ウェ
ブ１００５に付着して薄膜が形成される。このとき、各
磁石１００３ａ、１００３ｂの磁界によりプラズマはタ
ーゲット１００１近傍の第１の磁石１００３ａと第２の
磁石１００３ｂとに挟まれた部分に対応する空間に閉じ
込められているので、プラズマ中の電子はターゲット１
００１上のプラズマ内部をサイクロイド運動して不活性
ガスのイオンの発生を増進させるため、プラズマの密度
が高くなり、ターゲット１００１のスパッタ効率が向上
する。
０１内を排気した後、真空槽１００１に不活性ガスを導
入して所定の圧力とする。その後、バッキングプレート
１００２を介してターゲット１００１に直流電圧を印加
すると、試料ウェブ１００５とターゲット１００１間に
放電が起き、不活性ガスがイオン化してプラズマが形成
される。そして、プラズマ中の陽イオンが陰極であるタ
ーゲット１００１に加速衝突することでターゲット１０
０１から原子あるいは分子が放出され、これが試料ウェ
ブ１００５に付着して薄膜が形成される。このとき、各
磁石１００３ａ、１００３ｂの磁界によりプラズマはタ
ーゲット１００１近傍の第１の磁石１００３ａと第２の
磁石１００３ｂとに挟まれた部分に対応する空間に閉じ
込められているので、プラズマ中の電子はターゲット１
００１上のプラズマ内部をサイクロイド運動して不活性
ガスのイオンの発生を増進させるため、プラズマの密度
が高くなり、ターゲット１００１のスパッタ効率が向上
する。
【０００４】また、ターゲットの不必要部のスパッタを
防止する目的で、図９に示すように、ターゲット１０１
１の表面の外周部に枠状のダークスペースシールド１０
１８を配置したスパッタリング装置も知られている。ダ
ークスペースシールド１０１８は、その内側の端部にお
いて全周にわたって形成された凸部１０１８ａを有し、
この凸部１０１８ａがターゲット１０１１の表面の外周
部に対向している。これにより、凸部１０１８ａにはス
パッタされたターゲット物質が付着堆積する。ダークス
ペースシールド１０１８の形状としては、図９に示した
ようなテーパー状の凸部１０１８ａが形成されたもの
や、図１０に示すように、矩形状の凸部１０２８ａが形
成されたのも等がある。そして、図９に示した凸部１０
１８ａおよび図１０に示した凸部１０２８ａの端面は、
いずれも曲率半径が１ｍｍ程度に曲面加工が施されてい
る。
防止する目的で、図９に示すように、ターゲット１０１
１の表面の外周部に枠状のダークスペースシールド１０
１８を配置したスパッタリング装置も知られている。ダ
ークスペースシールド１０１８は、その内側の端部にお
いて全周にわたって形成された凸部１０１８ａを有し、
この凸部１０１８ａがターゲット１０１１の表面の外周
部に対向している。これにより、凸部１０１８ａにはス
パッタされたターゲット物質が付着堆積する。ダークス
ペースシールド１０１８の形状としては、図９に示した
ようなテーパー状の凸部１０１８ａが形成されたもの
や、図１０に示すように、矩形状の凸部１０２８ａが形
成されたのも等がある。そして、図９に示した凸部１０
１８ａおよび図１０に示した凸部１０２８ａの端面は、
いずれも曲率半径が１ｍｍ程度に曲面加工が施されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
述した従来の、ターゲットの表面にダークスペースシー
ルドを配した従来のマグネトロンスパッタ装置では、ダ
ークスペースシールドの凸部の端面の曲率半径が小さい
ので、端面に付着堆積したターゲット物質が端面から剥
離しやすく、放電が不安定になったり、試料に生成され
る膜にピンホールが発生したりして、安定した膜質の薄
膜が形成されにくいという問題点があった。
述した従来の、ターゲットの表面にダークスペースシー
ルドを配した従来のマグネトロンスパッタ装置では、ダ
ークスペースシールドの凸部の端面の曲率半径が小さい
ので、端面に付着堆積したターゲット物質が端面から剥
離しやすく、放電が不安定になったり、試料に生成され
る膜にピンホールが発生したりして、安定した膜質の薄
膜が形成されにくいという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、装置を大型化したり複雑
にすることなく良好な薄膜を安定して形成することがで
きる薄膜形成装置を提供することにある。
にすることなく良好な薄膜を安定して形成することがで
きる薄膜形成装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の薄膜形成装置は、真空槽と、前記真空槽内に配
置される被薄膜形成部材に対向してターゲットを支持す
る電極と、前記被薄膜形成部材と前記ターゲットとの間
にプラズマ発生用の放電を起こさせるための、前記電極
に接続された高電圧印加手段と、前記ターゲットの外周
に配置され、前記ターゲットの前記被薄膜形成部材との
対向面の外周部に突出する凸部が形成されたダークスペ
ースシールドとを有する薄膜形成装置において、前記ダ
ークスペースシールドの凸部は、その端面の曲率半径が
３ｍｍ以上であることを特徴とする。
本発明の薄膜形成装置は、真空槽と、前記真空槽内に配
置される被薄膜形成部材に対向してターゲットを支持す
る電極と、前記被薄膜形成部材と前記ターゲットとの間
にプラズマ発生用の放電を起こさせるための、前記電極
に接続された高電圧印加手段と、前記ターゲットの外周
に配置され、前記ターゲットの前記被薄膜形成部材との
対向面の外周部に突出する凸部が形成されたダークスペ
ースシールドとを有する薄膜形成装置において、前記ダ
ークスペースシールドの凸部は、その端面の曲率半径が
３ｍｍ以上であることを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記のとおり構成された本発明の薄膜形成装置
では、ターゲットの不必要部のスパッタを防止するため
のダークスペースシールドを有するものであるが、ダー
クスペースシールドの凸部の端面を３ｍｍ以上の曲率半
径で加工することにより、ダークスペースシールドに付
着堆積したターゲット物質が、ダークスペースシールド
から剥離しにくくなる。その結果、真空槽内にはゴミが
発生しにくくなりるので、欠陥の少ない良好な薄膜が形
成される。
では、ターゲットの不必要部のスパッタを防止するため
のダークスペースシールドを有するものであるが、ダー
クスペースシールドの凸部の端面を３ｍｍ以上の曲率半
径で加工することにより、ダークスペースシールドに付
着堆積したターゲット物質が、ダークスペースシールド
から剥離しにくくなる。その結果、真空槽内にはゴミが
発生しにくくなりるので、欠陥の少ない良好な薄膜が形
成される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】（第１実施例） 図１は、本発明の薄膜形成装置の第１実施例の、ターゲ
ット近傍の断面図である。図１に示すように、本実施例
も図７に示したものと同様のマグネトロンスパッタ装置
であり、真空槽４０内に被薄膜形成部材としてのウエハ
（不図示）と対向配置されるターゲット４１を表面に支
持する電極としてのバッキングプレート４２には、真空
槽５０内にプラズマを発生させるための高電圧印加手段
としてのプラズマ発生用電源４４が、導電性の部材を介
して接続されている。本実施例では、ターゲット４１と
してＳｉＯ2 を用いたので、プラズマ発生用電源４４は
高周波電源が使用される。また、バッキングプレート４
２の背面には、プラズマ発生用電源４４により発生する
電界と直交する磁界を発生するための、複数個の磁石を
有する磁石ユニット４３が配置されている。
ット近傍の断面図である。図１に示すように、本実施例
も図７に示したものと同様のマグネトロンスパッタ装置
であり、真空槽４０内に被薄膜形成部材としてのウエハ
（不図示）と対向配置されるターゲット４１を表面に支
持する電極としてのバッキングプレート４２には、真空
槽５０内にプラズマを発生させるための高電圧印加手段
としてのプラズマ発生用電源４４が、導電性の部材を介
して接続されている。本実施例では、ターゲット４１と
してＳｉＯ2 を用いたので、プラズマ発生用電源４４は
高周波電源が使用される。また、バッキングプレート４
２の背面には、プラズマ発生用電源４４により発生する
電界と直交する磁界を発生するための、複数個の磁石を
有する磁石ユニット４３が配置されている。
【００１１】また、バッキングプレート４２の表面に
は、ターゲット４１の不必要部のスパッタを防止する目
的でダークスペースシールド４８が固定されている。ダ
ークスペースシールド４８は、図１および図２に示すよ
うに枠状の構造体であり、その内側の端部には、全周に
わたって凸部４８ａが形成され、この凸部４８ａがター
ゲット４１の表面の外周部に対向して突出している。そ
して、この凸部４８ａの端面は、３ｍｍ以上の曲率半径
で曲面に加工されたものである。
は、ターゲット４１の不必要部のスパッタを防止する目
的でダークスペースシールド４８が固定されている。ダ
ークスペースシールド４８は、図１および図２に示すよ
うに枠状の構造体であり、その内側の端部には、全周に
わたって凸部４８ａが形成され、この凸部４８ａがター
ゲット４１の表面の外周部に対向して突出している。そ
して、この凸部４８ａの端面は、３ｍｍ以上の曲率半径
で曲面に加工されたものである。
【００１２】上述したようにダークスペースシールド４
８の凸部４８ａを加工することにより、ターゲット４１
のスパッタの際には、ダークスペースシールド４８の凸
部４８ａにはスパッタされたターゲット物質が付着堆積
するが、凸部４８ａの曲率は大きいものとなっているの
で凸部４８ａに付着したターゲット物質が凸部４８ａか
ら剥離しにくくなる。これにより、真空槽５０の内部に
は凸部４８ａから剥離したターゲット物質のゴミが発生
しにくくなり、ウエハにピンホール等の欠陥の少ない良
好な薄膜を安定して形成することができる。また、通常
は、装置の運転に伴って次第に真空槽５０内のゴミが増
加していくので、所定の時間ごとに装置のメンテナンス
を行なって真空槽５０内のゴミを除去するが、真空槽５
０内にゴミが発生しにくくなるので装置のメンテナンス
をするまでの累積運転時間を延ばすことが可能となる。
その結果、装置のメンテナンスの頻度が減少し、装置の
保守が容易になる。
８の凸部４８ａを加工することにより、ターゲット４１
のスパッタの際には、ダークスペースシールド４８の凸
部４８ａにはスパッタされたターゲット物質が付着堆積
するが、凸部４８ａの曲率は大きいものとなっているの
で凸部４８ａに付着したターゲット物質が凸部４８ａか
ら剥離しにくくなる。これにより、真空槽５０の内部に
は凸部４８ａから剥離したターゲット物質のゴミが発生
しにくくなり、ウエハにピンホール等の欠陥の少ない良
好な薄膜を安定して形成することができる。また、通常
は、装置の運転に伴って次第に真空槽５０内のゴミが増
加していくので、所定の時間ごとに装置のメンテナンス
を行なって真空槽５０内のゴミを除去するが、真空槽５
０内にゴミが発生しにくくなるので装置のメンテナンス
をするまでの累積運転時間を延ばすことが可能となる。
その結果、装置のメンテナンスの頻度が減少し、装置の
保守が容易になる。
【００１３】図３に、凸部４８ａの曲率半径を変えてス
パッタしたときの、積算スパッタ時間とウエハに付着し
たゴミの数との関係のグラフを示す。図３のグラフにお
いて、縦軸は５インチウエハ１枚当りに付着したゴミの
数を示し、横軸は装置のメンテナンス後からの累積スパ
ッタ時間を示す。また、ダークスペースシールドの凸部
の曲率半径は、１ｍｍ、３ｍｍ、および５ｍｍの３種類
のものを用いた。なお、本実験での成膜条件は、真空槽
内の圧力が０．９Ｐａ、Ａｒガスの流量が６０ｃｃ／
分、投入電力が２ｋＷであった。
パッタしたときの、積算スパッタ時間とウエハに付着し
たゴミの数との関係のグラフを示す。図３のグラフにお
いて、縦軸は５インチウエハ１枚当りに付着したゴミの
数を示し、横軸は装置のメンテナンス後からの累積スパ
ッタ時間を示す。また、ダークスペースシールドの凸部
の曲率半径は、１ｍｍ、３ｍｍ、および５ｍｍの３種類
のものを用いた。なお、本実験での成膜条件は、真空槽
内の圧力が０．９Ｐａ、Ａｒガスの流量が６０ｃｃ／
分、投入電力が２ｋＷであった。
【００１４】図３から明らかなように、凸部の曲率半径
が３ｍｍのものおよび５ｍｍのものについては、１ｍｍ
のものに比較して格段にゴミが付着しにくいことがわか
る。また、ゴミの数が１００個に達した時点をメンテナ
ンスが必要な時間とすると、凸部の曲率半径が１ｍｍの
場合には累積スパッタ時間が４０時間であるのに対し、
曲率半径が３ｍｍの場合には４８時間、さらには曲率半
径が５ｍｍでは５０時間と、それぞれメンテナンスまで
のスパッタ時間を２０％以上も延長することができる。
が３ｍｍのものおよび５ｍｍのものについては、１ｍｍ
のものに比較して格段にゴミが付着しにくいことがわか
る。また、ゴミの数が１００個に達した時点をメンテナ
ンスが必要な時間とすると、凸部の曲率半径が１ｍｍの
場合には累積スパッタ時間が４０時間であるのに対し、
曲率半径が３ｍｍの場合には４８時間、さらには曲率半
径が５ｍｍでは５０時間と、それぞれメンテナンスまで
のスパッタ時間を２０％以上も延長することができる。
【００１５】（第２実施例） 図４は、本実施例の薄膜形成装置の第２実施例の、ター
ゲット近傍の断面図であり、図５は、図４に示したダー
クスペースシールドの斜視図である。本実施例の薄膜形
成装置も、第１実施例のマグネトロンスパッタリング装
置と同様にダークスペースシールド５８を有するマグネ
トロンスパッタリング装置であるが、以下の点で第１実
施例のマグネトロンスパッタリング装置と異なる。
ゲット近傍の断面図であり、図５は、図４に示したダー
クスペースシールドの斜視図である。本実施例の薄膜形
成装置も、第１実施例のマグネトロンスパッタリング装
置と同様にダークスペースシールド５８を有するマグネ
トロンスパッタリング装置であるが、以下の点で第１実
施例のマグネトロンスパッタリング装置と異なる。
【００１６】（１）ターゲット５１は、Ｓｉ3Ｎ4からな
るものを使用した。
るものを使用した。
【００１７】（２）ダークスペースシールド５８は円環
状で、その凸部５８ａの端面の曲率半径は５ｍｍとし
た。
状で、その凸部５８ａの端面の曲率半径は５ｍｍとし
た。
【００１８】その他の構成については第１実施例と同様
でよいのでその説明は省略する。
でよいのでその説明は省略する。
【００１９】本実施例においても、第１実施例と同様に
累積スパッタ時間とウエハ１枚当りに付着するゴミの数
との関係についての実験を、ダークスペースシールドの
凸部の曲率半径が１ｍｍの場合と比較して行なったとこ
ろ、装置のメンテナンスまでの時間で約８時間の延長が
可能となった。なお、本実験での成膜条件は、真空槽内
の圧力が０．１Ｐａ、Ａｒガスの流量が１００ｃｃ／
分、投入電力が１ｋＷであった。
累積スパッタ時間とウエハ１枚当りに付着するゴミの数
との関係についての実験を、ダークスペースシールドの
凸部の曲率半径が１ｍｍの場合と比較して行なったとこ
ろ、装置のメンテナンスまでの時間で約８時間の延長が
可能となった。なお、本実験での成膜条件は、真空槽内
の圧力が０．１Ｐａ、Ａｒガスの流量が１００ｃｃ／
分、投入電力が１ｋＷであった。
【００２０】（第３実施例） 図６は、本発明の薄膜形成装置の第３実施例の、ターゲ
ット近傍の断面図である。図６に示すように本実施例の
薄膜形成装置もマグネトロンスパッタ装置であるが、バ
ッキングプレート６２は円筒形のものであり、真空槽の
側壁７０ａに回転自在に軸支されているものである。バ
ッキングプレート６２には高周波電源であるプラズマ発
生用電源６４が接続されているとともに、バッキングプ
レート６２の円筒面には、その全周にわたってＩＴＯか
らなるターゲット６１が設けられている。また、真空槽
内にはターゲット６１の一部位に対向配置されるウエハ
（不図示）が設けられており、バッキングプレート６２
の内部の、ウエハに対向する部位には磁石ユニット６３
が配置されている。このような構成のマグネトロンスパ
ッタ装置は、バッキングプレート６２を回転させながら
ターゲット６１スパッタを行なうことで、ターゲット６
１を有効に使用しようとするものである。さらに、真空
槽７０の側壁には、ターゲット６１を取り囲むダークス
ペースシールド６８が固定されている。ダークスペース
シールド６８は、ウエハと対向する部位に開口を有し、
開口の凸部６８ａの端面はその曲率半径が５ｍｍで加工
されている。
ット近傍の断面図である。図６に示すように本実施例の
薄膜形成装置もマグネトロンスパッタ装置であるが、バ
ッキングプレート６２は円筒形のものであり、真空槽の
側壁７０ａに回転自在に軸支されているものである。バ
ッキングプレート６２には高周波電源であるプラズマ発
生用電源６４が接続されているとともに、バッキングプ
レート６２の円筒面には、その全周にわたってＩＴＯか
らなるターゲット６１が設けられている。また、真空槽
内にはターゲット６１の一部位に対向配置されるウエハ
（不図示）が設けられており、バッキングプレート６２
の内部の、ウエハに対向する部位には磁石ユニット６３
が配置されている。このような構成のマグネトロンスパ
ッタ装置は、バッキングプレート６２を回転させながら
ターゲット６１スパッタを行なうことで、ターゲット６
１を有効に使用しようとするものである。さらに、真空
槽７０の側壁には、ターゲット６１を取り囲むダークス
ペースシールド６８が固定されている。ダークスペース
シールド６８は、ウエハと対向する部位に開口を有し、
開口の凸部６８ａの端面はその曲率半径が５ｍｍで加工
されている。
【００２１】本実施例においても、第１実施例と同様に
累積スパッタ時間とウエハ１枚当りに付着するゴミの数
との関係についての実験を、ダークスペースシールドの
凸部の曲率半径が１ｍｍの場合と比較して行なったとこ
ろ、装置のメンテナンスまでの時間で約８時間の延長が
可能となった。なお、本実験での成膜条件は、真空槽内
の圧力が０．３Ｐａ、Ａｒガスの流量が８０ｃｃ／分、
投入電力が６００Ｗであった。
累積スパッタ時間とウエハ１枚当りに付着するゴミの数
との関係についての実験を、ダークスペースシールドの
凸部の曲率半径が１ｍｍの場合と比較して行なったとこ
ろ、装置のメンテナンスまでの時間で約８時間の延長が
可能となった。なお、本実験での成膜条件は、真空槽内
の圧力が０．３Ｐａ、Ａｒガスの流量が８０ｃｃ／分、
投入電力が６００Ｗであった。
【００２２】
【発明の効果】本発明は以上説明したとおり構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。
いるので、以下に記載する効果を奏する。
【００２３】ターゲットの外周に配置されたダークスペ
ースシールドの凸部の端面の曲率半径を３ｍｍ以上とす
ることで、端面に付着したターゲット物質の膜が剥離し
にくくなるので、真空槽内のゴミの発生も少なくなり、
欠陥の少ない良好な薄膜を安定して形成することができ
る。また、ゴミの発生を抑えることにより装置のメンテ
ナンスの頻度を少なくすることができ、装置の保守が容
易になる。
ースシールドの凸部の端面の曲率半径を３ｍｍ以上とす
ることで、端面に付着したターゲット物質の膜が剥離し
にくくなるので、真空槽内のゴミの発生も少なくなり、
欠陥の少ない良好な薄膜を安定して形成することができ
る。また、ゴミの発生を抑えることにより装置のメンテ
ナンスの頻度を少なくすることができ、装置の保守が容
易になる。
【図１】本発明の薄膜形成装置の第１実施例の、ターゲ
ット近傍の断面図である。
ット近傍の断面図である。
【図２】図１に示したダークスペースシールドの斜視図
である。
である。
【図３】ダークスペースシールドを有するスパッタリン
グ装置でのスパッタにおいて、ダークスペースシールド
の凸部の曲率半径を変えてスパッタしたときの、累積ス
パッタ時間とウエハに付着したゴミの数との関係のグラ
フである。
グ装置でのスパッタにおいて、ダークスペースシールド
の凸部の曲率半径を変えてスパッタしたときの、累積ス
パッタ時間とウエハに付着したゴミの数との関係のグラ
フである。
【図４】本発明の薄膜形成装置の第２実施例の、ターゲ
ット近傍の断面図である。
ット近傍の断面図である。
【図５】図４に示したダークスペースシールドの斜視図
である。
である。
【図６】本発明の薄膜形成装置の第３実施例の、ターゲ
ット近傍の断面図である。
ット近傍の断面図である。
【図７】従来のロール・ツー・ロール型マグネトロンス
パッタ装置の概略構成図である。
パッタ装置の概略構成図である。
【図８】図７に示した磁石ユニットの平面図である。
【図９】ターゲット表面にダークスペースシールドを配
置した従来のマグネトロンスパッタ装置の一例の、ター
ゲット近傍の断面図である。
置した従来のマグネトロンスパッタ装置の一例の、ター
ゲット近傍の断面図である。
【図１０】ターゲット表面にダークスペースシールドを
配置した従来のマグネトロンスパッタ装置の他の例の、
ターゲット近傍の断面図である。
配置した従来のマグネトロンスパッタ装置の他の例の、
ターゲット近傍の断面図である。
４１、５１、６１ ターゲット ４２、６２ バッキングプレート ４３、６３ 磁石ユニット ４４、６４ プラズマ発生用電源 ５０、７０ 真空槽 ４８、６８ ダークスペースシールド ４８ａ、６８ａ 凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 裕人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 高倉 英夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 黒川 岳 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−111561（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−34177（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−121358（ＪＰ，Ａ) 特公 昭63−28988（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (1)
- 【請求項１】 真空槽と、前記真空槽内に配置される被
薄膜形成部材に対向してターゲットを支持する電極と、
前記被薄膜形成部材と前記ターゲットとの間にプラズマ
発生用の放電を起こさせるための、前記電極に接続され
た高電圧印加手段と、前記ターゲットの外周に配置さ
れ、前記ターゲットの前記被薄膜形成部材との対向面の
外周部に突出する凸部が形成されたダークスペースシー
ルドとを有する薄膜形成装置において、 前記ダークスペースシールドの凸部は、その端面の曲率
半径が３ｍｍ以上であることを特徴とする薄膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04301255A JP3076463B2 (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04301255A JP3076463B2 (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145976A JPH06145976A (ja) | 1994-05-27 |
| JP3076463B2 true JP3076463B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=17894626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04301255A Expired - Fee Related JP3076463B2 (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076463B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN104114741B (zh) * | 2011-11-04 | 2016-06-22 | 因特瓦克公司 | 线性扫描溅射系统和方法 |
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-
1992
- 1992-11-11 JP JP04301255A patent/JP3076463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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