RU2023744C1 - Катодный узел для ионно-плазменного нанесения - Google Patents
Катодный узел для ионно-плазменного нанесения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2023744C1 RU2023744C1 SU4915452A RU2023744C1 RU 2023744 C1 RU2023744 C1 RU 2023744C1 SU 4915452 A SU4915452 A SU 4915452A RU 2023744 C1 RU2023744 C1 RU 2023744C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- permanent magnets
- magnets
- ion
- cathode
- dielectric films
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к нанесению тонких диэлектрических пленок путем ионного распыления материала в вакууме. Сущность изобретения: магнитная система выполнена в виде основных постоянных магнитов в форме швеллеров, установленных относительно друг друга одноименными полюсами, а внутри швеллеров расположены дополнительные постоянные магниты в форме швеллеров, установленные относительно друг друга также одноименными полюсами, причем магнитные поля основных и дополнительных магнитов пересекаются под углом 90°. 2 ил.
Description
Изобретение относится к нанесению тонких диэлектрических пленок путем ионного распыления материала в вакууме.
Известен катодный узел преимущественно для ионно-плазменного нанесения диэлектрических пленок в вакууме, содержащий катод, мишень, анод, магнитную систему. Такой катодный узел позволяет получить высокие скорости нанесения пленок и, следовательно, значительно снизить время получения толстых слоев [1].
Недостатками известного катодного узла являются низкое качество диэлектрических пленок и высокая неравномерность покрытия ввиду пассивации анода и катода.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является катодный узел преимущественно для ионно-плазменного нанесения диэлектрических пленок в вакууме, содержащий катод, мишень, анод, магнитную систему, нагреватель, расположенный со стороны анода, противолежащей рабочей поверхности катода [2].
Недостатками прототипа являются также низкое качество диэлектрических пленок и высокая неравномерность покрытия за счет того, что магнитное поле, создаваемое постоянным магнитом, имеет непостоянную напряженность от центра к периферии магнита, в центре она больше, а на периферии меньше. Это приводит к неравномерной бомбардировке мишени и неравномерному распределению распыленного материала на подложке.
Цель изобретения - повышение качества диэлектрических пленок при уменьшении неравномерности покрытия.
Цель достигается тем, что магнитная система выполнена в виде постоянных магнитов в форме швеллеров, установленных относительно друг друга одноименными полюсами, а внутри швеллеров расположены другие постоянные магниты с загнутыми краями, установленные относительно друг друга также одноименными полюсами, причем магнитные поля швеллеров и других постоянных магнитов пересекаются под углом 90о.
Введение в катодный узел магнитов в форме швеллеров и с загнутыми краями обеспечивает равномерное распределение напряженности магнитного поля, что и позволяет повысить качество диэлектрических пленок при уменьшении неравномерности покрытия.
На фиг. 1 показан катодный узел; на фиг. 2 - магнитная система.
Катодный узел (фиг. 1) содержит катод 1, мишень 2, анод 3, магнитную систему 4, нагреватель 5, расположенный со стороны 6 анода 3, противолежащей рабочей поверхности 7 катода 1. Магнитная система 4 (фиг. 2) выполнена в виде постоянных магнитов в форме швеллеров 8, установленных относительно друг друга одноименными полюсами. Внутри швеллеров 8 расположены постоянные магниты 9 с загнутыми краями 10, установленные относительно друг друга также одноименными полюсами. Магнитные поля швеллеров 8 и постоянных магнитов 9 пересекаются под углом 90о. Подложкодержатель 11 установлен в камере 12. Источник 13 питания установлен вне камеры 12.
Катодный узел работает следующим образом.
При проведении ионно-плазменного нанесения диэлектрических пленок в вакууме в соответствии с заданным технологическим процессом в откаченную камеру 12 напускается рабочий газ. Подложкодержатель 11 и анод 3 прогреваются. К катоду 1 прикладывается отрицательный потенциал, и в камере 12 зажигается разряд. Ионы рабочего газа бомбардируют и распыляют металлическую мишень 2. Продукты химической реакции распыленного материала и рабочего газа, осаждаясь на подложке, закрепленной на подложкодержателе 11, формируют диэлектрический слой. При этом за счет равномерности распределения магнитного поля над всей поверхностью магнитной системы 4 обеспечивается высокое качество покрытия и уменьшается его неравномерность.
Применение предлагаемого катодного узла позволяет повысить качество диэлектрических пленок и уменьшить неравномерность покрытия.
Claims (1)
- КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ преимущественно диэлектрических пленок, содержащий катод-мишень и магнитную систему, включающую по меньшей мере пару постоянных магнитов, согласно намагниченных, выполненных в форме швеллеров и установленных встык боковыми стенками один относительно другого, отличающийся тем, что магнитная система дополнительно снабжена по меньшей мере двумя парами магнитов, которые выполнены и соединены в паре идентично основным магнитам и установлены попарно в полости каждого из основных магнитов с соблюдением перпендикулярности намагниченности основных и дополнительных магнитов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4915452 RU2023744C1 (ru) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Катодный узел для ионно-плазменного нанесения |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4915452 RU2023744C1 (ru) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Катодный узел для ионно-плазменного нанесения |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2023744C1 true RU2023744C1 (ru) | 1994-11-30 |
Family
ID=21562865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4915452 RU2023744C1 (ru) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Катодный узел для ионно-плазменного нанесения |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2023744C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2528536C1 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-09-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" | Магнитный блок распылительной системы |
RU183113U1 (ru) * | 2017-12-06 | 2018-09-11 | Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-внедренческий центр Плазмаинструмент" | Узел катода магнетронного распылителя |
-
1991
- 1991-02-28 RU SU4915452 patent/RU2023744C1/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1. Авторское свидетельство СССР N 910843, кл. C 23C 15/00, 1982. * |
2. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.:Энергоатомиздат, 1989, с.78. рис.3.8 б. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2528536C1 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-09-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" | Магнитный блок распылительной системы |
RU183113U1 (ru) * | 2017-12-06 | 2018-09-11 | Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-внедренческий центр Плазмаинструмент" | Узел катода магнетронного распылителя |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7411352B2 (en) | Dual plasma beam sources and method | |
US4842703A (en) | Magnetron cathode and method for sputter coating | |
CA1044177A (en) | Method for coating a substrate | |
CA1321772C (en) | Apparatus for the application of thin layers to a substrate by means of cathode sputtering | |
US7327089B2 (en) | Beam plasma source | |
AU746645C (en) | Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings | |
US4179351A (en) | Cylindrical magnetron sputtering source | |
GB2228268A (en) | Facing targets sputtering device | |
EP1016121B1 (en) | Vapour deposition coating apparatus | |
US5753089A (en) | Sputter coating station | |
RU2023744C1 (ru) | Катодный узел для ионно-плазменного нанесения | |
KR100273326B1 (ko) | 고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법 | |
EP0919066B1 (en) | Magnetron | |
RU2242821C2 (ru) | Магнетронная распылительная система | |
KR100274713B1 (ko) | 기판상에 코팅을 하기 위한 스퍼터링 장치 및 방법과 스퍼터건 | |
JPH0645093A (ja) | プラズマ発生装置 | |
RU2074904C1 (ru) | Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме | |
Golan et al. | Ring etching zones on magnetron sputtering targets | |
KR102617710B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
JPH03215664A (ja) | 薄膜形成装置 | |
EP0790328A1 (en) | Thin film deposition | |
RU1818358C (ru) | Магнетронное распылительное устройство | |
JP3186194B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
RU2075539C1 (ru) | Устройство для ионно-плазменного распыления материалов в вакууме | |
JPH0539569A (ja) | 対向ターゲツト式スパツタ装置及びスパツタ方法 |