KR100273326B1 - 고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법 - Google Patents

고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고주파 스퍼터링(Radio Frequency sputtering)장치 및 이를 이용한 박막 형성방법에 관한 것으로, 이와같은 박막 형성방법은 기판(substrate) 주변의 쉴드(shield)를 부유(floating)하고, 타겟(target) 주변의 쉴드(shield)를 접지한 상태에서 타겟 뿐만 아니라 기판에도 고주파전원(RF power)을 인가하는 공정조건을 추가하여, 상기 타겟과 상기 기판에 셀프바이어스전압(self-bias voltage)이 유기되도록 하고, 공정가스의 이온화에 따른 플라즈마방전영역 또한 상기 타겟 근방으로 제한되도록 하여 웨이퍼 위의 박막이 플라즈마의 양이온과 타겟으로부터의 음이온에 의해 밤바딩(bombarding)되는 것을 감소시킨다.

Description

고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법
본 발명은 물리기상증착(physical vapor deposition)에 관한 것으로, 특히 웨이퍼상에 증착되는 박막의 막질(quality of film)을 향상시키기에 적당하도록 한 고주파 스퍼터링장치 및 이를 이용한 박막 형성방법에 관한 것이다.
웨이퍼상에 박막을 형성하는 방법에는 기체 원료로부터 화학반응을 거쳐 박막이나 입자등이 고체재료를 합성하는 화학적방법과 증착하고자 하는 입자를 여러 가지 물리적인 방법에 의해 웨이퍼 위에 증착시키는 물리적인 방법으로 분류할 수 있고, 화학적인 방법에는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, 이하 CVD라 한다.)과 도금등이 있고, 물리적인 방법에는 스퍼터링(sputtering), 증발(evaporation), 스핀코팅(spin coating)등이 있다.
도 1 은 종래 스퍼터링장치의 개략도로서, 이에 도시된 바와 같이, 이와같은 스퍼터링장치는 웨이퍼(W)가 마운팅되는 기판(16)과, 증착물질인 타겟(캐소드)(18)를 포함하는 외부와 격리된 챔버(14)와, 상기 챔버(14)의 내부로 가스를 공급하기 위한 가스공급부(24)와, 각 부에 고주파전원(이하, "RF파워"라한다.)을 공급하기 위한 전원공급부(22)와, 상기 챔버(14)의 내부를 진공으로 만들기 위한 진공부(30) 등으로 구성된다.
상기 타겟(18)은 세라믹계 물질, 금속화합물, 절연물질 등으로 만들어지며, 상기 가스는 아르곤가스(ArO2)가 사용된다.
상기 고주파전원공급부(22)로부터 제공되는 RF파워는 케이블(26) 및 매칭네트워크(28)를 통해 상기 타겟(18)에 공급된다.
상기 미설명부호 32 는 이온쉬스, 그리고 34 는 베이스플레이트를 각각 나타낸다.
도 1 의 장치를 이용한 종래 박막 형성방법은 진공상태에서 타겟(18)과 기판(16)사이에 가스를 공급한 다음, RF파워를 타겟(18)에 인가하면, 글로우방전(glow discharge)에 의해 상기 가스가 이온화되어 상기 타겟(18)과 상기 기판(16) 사이에 플라즈마방전(plasma discharge)이 발생되고, 상기 방전영역에 존재하는 양이온(positive charge)들이 전기적인 파워(power)에 의해 상기 타겟(18)의 표면을 가격하게 되고, 상기 타겟(18)에서 떨어져 나온 원자나 분자들은 마주보고 배치되어있는 웨이퍼(W) 위에 증착됨으로서 이루어진다.
도 2 는 도 1의 장치를 이용한 박막 형성공정 동안, 기판, 타겟, 그리고 플라즈마의 전위를 도시한 그래프로서, 이들의 상호 전기적인 관계 및 밤바딩(bombarding)현상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 2a 를 참조하면, 공정가스로서 아르곤+산소가스(Ar+O2)를 사용할 때, 타겟전위(Vt)와 플라즈마전위(Vp)의 전위차(Vp〉Vt)에 기인한 전기적인 힘에 의해 플라즈마내의 양이온(Ar+)은 타겟을 향해 가속되고, 타겟의 표면을 가격하게 된다. 상기 양이온의 가격에 의해 상기 타겟으로부터 스퍼터된 원자들은 웨이퍼 위에 증착하지만, 플라즈마전위(Vp)와 기판전위(Vs)의 전위차(Vp〉Vs)에 기인한 전기적인 힘에 의해 플라즈마내의 양이온 중 일부가 증착공정동안 기판을 향해 가속되고, 결국, 웨이퍼 위의 박막을 밤바딩하게 된다.
도 2b 를 참조하면, 공정가스로서 아르곤가스를 사용할 때, 타겟에 음의 직류 셀프바이어스전압(Vdc)이 유기됨에 따라 플라즈마전위가 감소하여 플라즈마내의 양이온에 의한 기판표면으로의 밤바딩이 감소하는 반면에, 타겟으로부터 스퍼터된 음이온(O-)이 상기 타겟에 유기된 Vdc 에 의해 가속되어 웨이퍼 위의 박막을 밤바딩하게 된다.
상기한 바와 같은 종래 박막 형성방법은 기판 위에 스퍼터링방법에 의하여 증착된 박막이 플라즈내의 양이온 및 타겟으로부터 스퍼터된 음이온에 의해 밤바딩되어 상기 박막자체에서 재스퍼터링(resputtering)이 발생하는 문제점이 있었다.
또한, 여러성분들로 이루어진 세라믹계 물질을 타겟으로 하여 기판에 박막을 형성할 때, 세라믹계 물질을 구성하는 각 성분간의 상이한 스퍼터링일드(sputtering yield)로 인해 기판상에 증착된 세라믹 박막의 조성이 소스인 타겟의 조성과 차이가 생겨 기판상에 증착되는 박막의 조성을 조절하기 어렵다.
또한, 플라즈마내의 양이온과 타겟으로부터 스퍼터된 음이온에 의한 밤바딩에 의해 기판상에 증착된 박막의 전기적 결정학적인 막특성이 크게 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기판과 타겟에 동일한 고주파전원을 인가하여 웨이퍼상의 박막에 대한 플라즈마영역내의 양이온과 타겟으로부터의 음이온에 의한 밤바딩을 줄여 박막의 막질을 향상시키는 스퍼터링장치 및 이를 이용한 박막 형성방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 고주파 스퍼터링장치는 박막형성을 위한 스퍼터링공정이 진행되는 챔버와; 상기 챔버 내부의 하방에 위치하며, 그 상면에 웨이퍼를 마운팅하는 기판과; 상기 챔버 내부의 상방에 상기 기판과 마주하며 위치하는 타겟과; 상기 기판 및 타겟 주위에 위치하는 상,하부쉴드와; 상기 챔버의 내부로 반응가스를 공급하는 가스공급부와; 상기 기판 및 타겟에 RF파워를 인가하는 전원공급부와; 상기 챔버의 내부를 진공하는 진공부를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막형성방법은 진공챔버와, 상기 챔버의 내측에 장비된 증착대상체인 타겟과, 상기 타겟의 맞은편에 장비되고, 웨이퍼가 마운팅되는 기판과, 상기 챔버의 내측에 공정가스를 공급하는 가스공급부와, 고주파전원을 공급하는 전원공급부를 포함하는 고주파 스퍼터링장치를 이용한 박막형성방법에 있어서,
기판 주변의 쉴드를 부유(floating)하고, 타겟 주변의 쉴드를 접지한 상태에서 타겟 뿐만 아니라 기판에도 RF파워를 인가하여, 상기 타겟과 상기 기판에 셀프바이어스전압이 유기되도록 하고, 공정가스의 이온화에 따른 플라즈마방전영역 또한 상기 타겟 근방으로 제한시키는 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래 고주파 스퍼터링장치의 개략도.
도 2는 도 1의 장치를 이용한 박막형성 공정동안, 기판, 타겟, 그리고 플라즈마에 유기된 전위를 도시한 그래프로서, 도 2a는 타겟에 직류 셀프바이어스전압이 유기되지 않은 경우이고, 도 2b는 타겟에 직류 셀프바이어스전압이 유기된 경우이다.
도 3은 본 발명에 따른 고주파 스퍼터링장치의 개략도.
도 4는 도 3의 장치를 이용한 박막형성 공정동안, 기판, 타겟, 그리고 플라즈마에 유기된 전위를 도시한 그래프.
*도면의주요부분에대한부호설명**
10 : 고주파 스퍼터링장치
14 : 챔버(chamber) 16 : 기판(substrate)
18 : 타겟(target) 20, 21 : 쉴드(shield)
22 : 고주파전원공급부(RF power supply unit)
24 : 가스공급부(gas supply unit)
26 : 케이블(cable) 28 : 매칭네트워크(matching network)
30 : 진공부(vacuum unit) 32 : 이온쉬스(ion sheath)
34 : 베이스플레이트(baseplate)
이하, 본 발명에 따른 RF 스퍼터링장치 및 이를 이용한 박막 형성방법방법을 설명한다.
도 3 은 본 발명에 따른 고주파 스퍼터링장치의 개략도로서, 이에 도시된 바와 같이, 이와같은 스퍼터링장치는 웨이퍼(W)가 마운팅(mounting)되는 기판(애노드)(16)(substrate)과, 증착대상체인 타겟(캐소드)(18)를 포함하는 외부와 격리된 챔버(14)와, 상기 챔버(14)의 내부로 가스를 공급하기 위한 가스공급부(24)와, 각 부에 RF파워를 공급하기 위한 전원공급부(22)와, 상기 챔버(14)의 내부를 진공으로 만들기 위한 진공부(30) 등으로 구성된다.
상기 타겟(18)은 세라믹계 물질, 금속화합물, 절연물질 등으로 만들어지며, 상기 가스는 아르곤+산소가스(Ar+O2)가 사용된다.
상기 고주파전원공급부(22)로부터 제공되는 RF파워는 케이블(26) 및 매칭네트워크(28)를 통해 타겟(18)과 기판(16)에 동시에 공급된다.
상기 미설명부호 20 과 21 은 쉴드, 그리고 34 는 베이스플레이트를 각각 나타낸다.
도 3 의 장치를 이용한 본 발명에 따른 박막 형성방법은 타겟(18) 주변의 쉴드(20)를 접지하고, 기판(16) 주변의 쉴드(21)를 부유(floating)시킨 다음, 진공상태에서 타겟(18)과 기판(16)사이에 가스를 공급한 다음, RF파워를 타겟(18)과 기판(16)에 인가하면, 글로우방전(glow discharge)에 의해 상기 가스가 이온화되어 상기 타겟(18)주위에 플라즈마방전이 발생되고, 상기 방전영역에 존재하는 양이온들이 전기적인 파워(Vdc1)에 의해 상기 타겟(18)의 표면을 가격하게 되고, 상기 타겟(18)에서 떨어져 나온 원자들은 마주보고 배치되어있는 웨이퍼(W) 위에 증착됨으로서 이루어진다.
도 4 는 도 3의 장치를 이용한 박막 형성공정 동안, 기판, 타겟, 그리고 플라즈마의 전위를 도시한 그래프로서, 이들의 상호 전기적인 관계 및 밤바딩(bombarding)현상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 4 를 참조하면, 타겟으로부터 스퍼터되어 상기 타겟에 유기된 음의 셀프바이어스전압(Vdc1)에 의해 가속된 음이온은 기판쪽을 향하지만, 기판에 유기된 음의 셀프바이어스전압(Vdc2) 에 의해 에너지(energy)를 잃어 웨이퍼 위의 박막을 밤바딩하지 못한다. 그러나, 기판에 Vdc2 가 유기되면 음이온은 전위장벽(Vdc2)에서 반사되지만, 양이온은 끌려오게 된다. 하지만, 플라즈마의 이온들이 플라즈마방전영역으로부터 임의적으로 확산되므로, 기판쪽에서의 플라즈마밀도가 낮다. 따라서, Vdc에 의해서 두꺼운 시스(sheath)가 형성되기 때문에 플라즈마 이온들이 끌려오는 동안 가스들과 충돌하여 에너지를 잃게 되고, 스퍼터링을 일으킬 수 있는 문턱전압(threshold voltage)이상의 에너지를 얻기가 어렵다.
다시 말하면, 상기 타겟쪽의 플라즈마밀도가 상기 기판쪽의 플라즈마밀도보다 매우 높아서 플라즈마방전영역내의 양이온은 기판쪽으로 방향성없이 확산에 의해서만 공급되기 때문에 웨이퍼 위의 박막을 밤바딩하지 못한다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 박막형성방법은 타겟에 고주파전원을 인가시, 타겟에 유기되는 직류바이어스전압을 고주파전원의 피크전압에 비례하도록 유기시키고, 타겟쪽의 쉴드를 접지에 연결하고, 기판쪽의 쉴드를 플로팅시키어 플라즈마방전이 타겟의 근방에 발생하도록 한정하여 플라즈마내의 양이온이 기판쪽으로 확산에 의해서만 이동되어 플라즈마영역내의 양이온이 플라즈마포텐셜과 기판전극의 전위차에 의해 가속되어 공정중인 웨이퍼 위의 박막을 밤바딩하는 것을 방지하는 효과가 있다.
또한, 기판전극에 고주파전원을 인가하여 직류바이어스전압을 유기시킴으로서 타겟으로부터 스퍼터된 음이온이 기판쪽의 전위장벽에 의해 반사되어 웨이퍼 위의 박막을 밤바딩하는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 진공챔버(14)와, 상기 챔버(14)의 내측에 장비된 증착대상체인 타겟(18)과, 상기 타겟(18)의 맞은편에 장비되고, 웨이퍼가 마운팅되는 기판(16)과, 상기 챔버(14)의 내측에 공정가스를 공급하는 가스공급부(24)와, 고주파전원을 공급하는 전원공급부(22)를 포함하는 고주파 스퍼터링장치에 있어서,
    기판(16)주변의 쉴드(21)를 부유하고, 타겟(18)주변의 쉴드(20)를 접지한 상태에서 타겟(18) 뿐만 아니라 기판(16)에도 고주파전원을 인가하는 공정조건을 추가하여, 상기 타겟(18)과 상기 기판(16)에 셀프바이어스전압이 유기되도록 하고, 공정가스의 이온화에 따른 플라즈마방전영역 또한 상기 타겟(18) 근방으로 제한시키는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 타겟(18)은 세라믹계 물질, 절연물질, 금속화합물 또는 그 조합 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 타겟(18)에 유기된 셀프바이어스전압의 절대치는 상기 RF 파워의 피크전압치에 비레하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마의 밀도는 기판(16)쪽 보다 타겟(18)쪽이 높은 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  5. 박막형성을 위한 스퍼터링공정이 진행되는 챔버와;
    상기 챔버 내부의 하방에 위치하며, 그 상면에 웨이퍼를 마운팅하는 기판과;
    상기 챔버 내부의 상방에 상기 기판과 마주하며 위치하는 타겟과;
    상기 기판 및 타겟 주위에 위치하는 상,하부쉴드와;
    상기 챔버의 내부로 반응가스를 공급하는 가스공급부와;
    상기 기판 및 타겟에 RF파워를 인가하는 전원공급부와;
    상기 챔버의 내부를 진공하는 진공부를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파 스퍼터링장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013036953A2 (en) * 2011-09-09 2013-03-14 Applied Materials, Inc. Multiple frequency sputtering for enhancement in deposition rate and growth kinetics dielectric materials
US8568571B2 (en) 2008-05-21 2013-10-29 Applied Materials, Inc. Thin film batteries and methods for manufacturing same
KR20220049366A (ko) 2020-10-14 2022-04-21 부산대학교 산학협력단 박막의 원자층 제어를 위한 rf 스퍼터링 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4902051B2 (ja) * 2001-03-30 2012-03-21 キヤノンアネルバ株式会社 バイアススパッタリング装置
US6884514B2 (en) 2002-01-11 2005-04-26 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Method for forming ceramic layer having garnet crystal structure phase and article made thereby
JP4416569B2 (ja) * 2004-05-24 2010-02-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
KR100724285B1 (ko) * 2005-09-13 2007-06-04 주식회사 아이피에스 균일한 플라즈마 발생을 위한 플라즈마 처리장치
JP4720625B2 (ja) * 2006-06-05 2011-07-13 パナソニック株式会社 スパッタリング装置
US10964590B2 (en) * 2017-11-15 2021-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Contact metallization process

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3767551A (en) * 1971-11-01 1973-10-23 Varian Associates Radio frequency sputter apparatus and method
US4039416A (en) * 1975-04-21 1977-08-02 White Gerald W Gasless ion plating
US4131533A (en) * 1977-12-30 1978-12-26 International Business Machines Corporation RF sputtering apparatus having floating anode shield
USRE30401E (en) * 1978-07-07 1980-09-09 Illinois Tool Works Inc. Gasless ion plating
US4362611A (en) * 1981-07-27 1982-12-07 International Business Machines Corporation Quadrupole R.F. sputtering system having an anode/cathode shield and a floating target shield
US4828668A (en) * 1986-03-10 1989-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering system for deposition on parallel substrates
US5683072A (en) * 1988-11-01 1997-11-04 Tadahiro Ohmi Thin film forming equipment
US5078847A (en) * 1990-08-29 1992-01-07 Jerry Grosman Ion plating method and apparatus
US5667650A (en) * 1995-02-14 1997-09-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company High flow gas manifold for high rate, off-axis sputter deposition
US5653812A (en) * 1995-09-26 1997-08-05 Monsanto Company Method and apparatus for deposition of diamond-like carbon coatings on drills
US5985102A (en) * 1996-01-29 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Kit for electrically isolating collimator of PVD chamber, chamber so modified, and method of using
JPH111770A (ja) * 1997-06-06 1999-01-06 Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法
US5879523A (en) * 1997-09-29 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor
US5976334A (en) * 1997-11-25 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Reliable sustained self-sputtering

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8568571B2 (en) 2008-05-21 2013-10-29 Applied Materials, Inc. Thin film batteries and methods for manufacturing same
WO2013036953A2 (en) * 2011-09-09 2013-03-14 Applied Materials, Inc. Multiple frequency sputtering for enhancement in deposition rate and growth kinetics dielectric materials
WO2013036953A3 (en) * 2011-09-09 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Multiple frequency sputtering for enhancement in deposition rate and growth kinetics dielectric materials
CN103814431A (zh) * 2011-09-09 2014-05-21 应用材料公司 用于介电材料的沉积速率提高和生长动力学增强的多频溅射
KR20220049366A (ko) 2020-10-14 2022-04-21 부산대학교 산학협력단 박막의 원자층 제어를 위한 rf 스퍼터링 장치

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