JPH03122293A - 反応性イオンエッチング装置 - Google Patents
反応性イオンエッチング装置Info
- Publication number
- JPH03122293A JPH03122293A JP26046689A JP26046689A JPH03122293A JP H03122293 A JPH03122293 A JP H03122293A JP 26046689 A JP26046689 A JP 26046689A JP 26046689 A JP26046689 A JP 26046689A JP H03122293 A JPH03122293 A JP H03122293A
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- JP
- Japan
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- upper electrode
- semiconductor substrate
- holder
- side wall
- ion etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に反応性イオンエツ
チング装置に関するものである。
チング装置に関するものである。
従来の陰極結合平行平板型反応性イオンエツチング装置
は、第３図に示すようにエツチング室１に上部電極５（
陰極）と下部電極である半導体基板支持台４（陽極）を
有している。上部電極５の側壁（垂直方向）も金属面が
露出している。
は、第３図に示すようにエツチング室１に上部電極５（
陰極）と下部電極である半導体基板支持台４（陽極）を
有している。上部電極５の側壁（垂直方向）も金属面が
露出している。
上述した従来の陰極結合平行平板型反応性イオンエツチ
ング装置はエツチング室１に上部電極５と半導体支持台
（陽極）４を有するのみであるので、エツチング処理時
に飛散した感光性樹脂の一部が上部電極の金属部に付着
、堆積し、次の半導体基板をエツチング加工する際、特
に上部電極の側壁に付着した感光性樹脂が剥離し、半導
体基板上に落下しパターニング異常を起こすという欠点
があり、歩留低下を招いていた。
ング装置はエツチング室１に上部電極５と半導体支持台
（陽極）４を有するのみであるので、エツチング処理時
に飛散した感光性樹脂の一部が上部電極の金属部に付着
、堆積し、次の半導体基板をエツチング加工する際、特
に上部電極の側壁に付着した感光性樹脂が剥離し、半導
体基板上に落下しパターニング異常を起こすという欠点
があり、歩留低下を招いていた。
本発明の目的は半導体基板表面のパターニング異常をお
さえることができる反応性イオンエツチイング装置を提
供することにある。
さえることができる反応性イオンエツチイング装置を提
供することにある。
本発明は、エツチング室内に上部電極と下部電極とを備
えた反応性イオンエツチング装置において、前記上部電
極の側壁が樹脂膜で被覆されているというものである。
えた反応性イオンエツチング装置において、前記上部電
極の側壁が樹脂膜で被覆されているというものである。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面模式エツチン
グ室１には上部電極５（陰極）と下部電極である半導体
基板支持台４（陽極）とを向き合わせて設置し、またエ
ツチング室１に真空ポンプ３とガス流量Ｍｍ部２とを接
続し、また半導体基板支持台４に高周波電源７を接続し
である。この構成は従来と同一である。本実施例では上
部電極５の周辺部の側壁が厚さ１ｍｍ前後のテフロン等
の樹脂膜８で被覆されている。
グ室１には上部電極５（陰極）と下部電極である半導体
基板支持台４（陽極）とを向き合わせて設置し、またエ
ツチング室１に真空ポンプ３とガス流量Ｍｍ部２とを接
続し、また半導体基板支持台４に高周波電源７を接続し
である。この構成は従来と同一である。本実施例では上
部電極５の周辺部の側壁が厚さ１ｍｍ前後のテフロン等
の樹脂膜８で被覆されている。
エツチング室１内にガス流量制御部２によりガスを供給
しながら真空ポンプ３でエツチング室１内を真空に保ち
高周波電源７により高周波電圧を半導体基板支持台４と
上部電極５間に印加しこの間のガスをプラズマ化し、半
導体基板６をエツチング加工する。この時上部電極５の
側壁に樹脂膜８を有することにより、感光性樹脂の付着
及び剥落が少なくなり、パターニング異常をおさえるこ
とができることが実験により確認された。
しながら真空ポンプ３でエツチング室１内を真空に保ち
高周波電源７により高周波電圧を半導体基板支持台４と
上部電極５間に印加しこの間のガスをプラズマ化し、半
導体基板６をエツチング加工する。この時上部電極５の
側壁に樹脂膜８を有することにより、感光性樹脂の付着
及び剥落が少なくなり、パターニング異常をおさえるこ
とができることが実験により確認された。
第２図は第２の実施例を示す断面模式図である。
この実施例では、上部型［５の周辺部の樹脂膜８−１の
みでなく、ガス供給穴９周辺の金属露出部の側壁にも樹
脂膜８−１．８−２を有しているので、感光性樹脂の付
着・剥落が少なくなる利点がある。
みでなく、ガス供給穴９周辺の金属露出部の側壁にも樹
脂膜８−１．８−２を有しているので、感光性樹脂の付
着・剥落が少なくなる利点がある。
以上、陰極結合平行平板型反応性イオンエツチング装置
を例にあげて説明したが、平行平板電極を有する反応性
イオンエッチイング装置一般に本発明を適用することが
できる。
を例にあげて説明したが、平行平板電極を有する反応性
イオンエッチイング装置一般に本発明を適用することが
できる。
以上説明したように本発明は、上部電極側壁に樹脂膜を
有することにより、上部電極側壁へ付着した感光性樹脂
の付着・剥落が抑えられ半導体基板表面の汚染を防ぎパ
ターニング以上をなくす効果がある。
有することにより、上部電極側壁へ付着した感光性樹脂
の付着・剥落が抑えられ半導体基板表面の汚染を防ぎパ
ターニング以上をなくす効果がある。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１の実施例及び
第２の実施例を示す断面模式図、第３図は従来例を示す
断面模式図である。 １・・・エツチング室、２・・・ガス流量制御部、３・
・・真空ポンプ、４・・・半導体支持台、５・・・上部
電極、６・・・半導体基板、７・・・高周波電源、８．
８−１゜８−２．８−３・・・樹脂膜、９・・・ガス供
給穴。
第２の実施例を示す断面模式図、第３図は従来例を示す
断面模式図である。 １・・・エツチング室、２・・・ガス流量制御部、３・
・・真空ポンプ、４・・・半導体支持台、５・・・上部
電極、６・・・半導体基板、７・・・高周波電源、８．
８−１゜８−２．８−３・・・樹脂膜、９・・・ガス供
給穴。
Claims (1)
- エッチング室内に上部電極と下部電極とを備えた反応
性イオンエッチング装置において、前記上部電極の側壁
が樹脂膜で被覆されていることを特徴とする反応性イオ
ンエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26046689A JPH03122293A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 反応性イオンエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26046689A JPH03122293A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 反応性イオンエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122293A true JPH03122293A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17348342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26046689A Pending JPH03122293A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 反応性イオンエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03122293A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100761680B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2007-09-28 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
| JP2014523144A (ja) * | 2011-07-29 | 2014-09-08 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | スパッタエッチングツール及びライナー |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP26046689A patent/JPH03122293A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100761680B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2007-09-28 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
| JP2014523144A (ja) * | 2011-07-29 | 2014-09-08 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | スパッタエッチングツール及びライナー |
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