JP2000068208A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JP2000068208A JP2000068208A JP23302998A JP23302998A JP2000068208A JP 2000068208 A JP2000068208 A JP 2000068208A JP 23302998 A JP23302998 A JP 23302998A JP 23302998 A JP23302998 A JP 23302998A JP 2000068208 A JP2000068208 A JP 2000068208A
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- Japan
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- film
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- container
- reaction vessel
- deposited film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、反応容器内の
堆積膜の膜厚増加に伴う剥離を抑制する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置の反応容器内の部品
１１の表面あらさを１０μｍ〜１００μｍの範囲に設定
し、膜厚増加に伴う膜剥離を抑制する。
堆積膜の膜厚増加に伴う剥離を抑制する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置の反応容器内の部品
１１の表面あらさを１０μｍ〜１００μｍの範囲に設定
し、膜厚増加に伴う膜剥離を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ法
により成膜、エッチングを行うプラズマＣＶＤ装置に関
する。
により成膜、エッチングを行うプラズマＣＶＤ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のプラズマＣＶＤ装置の反応
容器の構成の一例を示している。この例では、基本的に
は、反応ガス供給経路及び排気経路を持つ反応容器内
に、高周波電圧を印加するための電極（例えば平行平板
電極）を配している。
容器の構成の一例を示している。この例では、基本的に
は、反応ガス供給経路及び排気経路を持つ反応容器内
に、高周波電圧を印加するための電極（例えば平行平板
電極）を配している。
【０００３】図３において、１は反応容器で、その内部
には、高周波電圧を印加するためのアノード２とカソー
ド３が上下に対向して配されている。カソード３は多数
の通気孔を有するシャワープレートにより構成され、絶
縁物４を介して反応容器１内の上段に、アノード２の上
方に位置して支持されている。５はカソードヒータであ
る。反応容器１の上端には反応ガス導入口６が設けら
れ、ここから導入され反応ガスは、カソード３を通過し
て、アノード２の上に載置された基板Ｋの全面に行き渡
る。反応容器１の下部には、反応容器１内の圧力を一定
に保つための可変式の排気口７が設けられている。８は
高周波電源である。
には、高周波電圧を印加するためのアノード２とカソー
ド３が上下に対向して配されている。カソード３は多数
の通気孔を有するシャワープレートにより構成され、絶
縁物４を介して反応容器１内の上段に、アノード２の上
方に位置して支持されている。５はカソードヒータであ
る。反応容器１の上端には反応ガス導入口６が設けら
れ、ここから導入され反応ガスは、カソード３を通過し
て、アノード２の上に載置された基板Ｋの全面に行き渡
る。反応容器１の下部には、反応容器１内の圧力を一定
に保つための可変式の排気口７が設けられている。８は
高周波電源である。
【０００４】この反応容器１を利用して基板Ｋの上に膜
を堆積させる処理を行う場合は、まず、真空に保たれた
反応容器１内のアノード２上に基板Ｋを載置する。次い
で、ガス供給源よりＳｉＨ４、Ｈ２ガス等の反応ガスを
一定流量で供給し、反応容器１の反応ガス導入口６か
ら、カソード３により基板Ｋの全面に行きわたるよう供
給する。
を堆積させる処理を行う場合は、まず、真空に保たれた
反応容器１内のアノード２上に基板Ｋを載置する。次い
で、ガス供給源よりＳｉＨ４、Ｈ２ガス等の反応ガスを
一定流量で供給し、反応容器１の反応ガス導入口６か
ら、カソード３により基板Ｋの全面に行きわたるよう供
給する。
【０００５】次いで、可変排気口７により反応容器１内
の圧力を一定に保つよう調整し、反応容器１内の圧力が
所定値に安定したら、その状態でカソ−ド３に高周波電
圧を供給し、カソ−ド３及びアノ−ド２に挟まれた空間
において、反応ガスによるプラズマを発生させる。そう
することで、このプラズマ中に存在するＳｉＨ３ガス等
のラジカルが、アノ−ド２上に置かれた基板Ｋの上に到
達し、表面反応を経て膜が堆積される。
の圧力を一定に保つよう調整し、反応容器１内の圧力が
所定値に安定したら、その状態でカソ−ド３に高周波電
圧を供給し、カソ−ド３及びアノ−ド２に挟まれた空間
において、反応ガスによるプラズマを発生させる。そう
することで、このプラズマ中に存在するＳｉＨ３ガス等
のラジカルが、アノ−ド２上に置かれた基板Ｋの上に到
達し、表面反応を経て膜が堆積される。
【０００６】現在、例えばＬＣＤ（液晶表示装置）生産
ラインにおいて、アモルファス薄膜の形成を目的とし
て、上記のような平行平板構造の電極を有するプラズマ
ＣＶＤ装置が使われているが、この電極方式では、製品
となる基板Ｋの表面への膜形成以外に、電極表面及び電
極周辺部表面へも膜が堆積する。従来では、電極表面及
び電極周辺部表面は、図４のＳで示すように、比較的平
滑な平面で形成されており、膜が堆積した場合、容易に
剥離しやすくなっている。
ラインにおいて、アモルファス薄膜の形成を目的とし
て、上記のような平行平板構造の電極を有するプラズマ
ＣＶＤ装置が使われているが、この電極方式では、製品
となる基板Ｋの表面への膜形成以外に、電極表面及び電
極周辺部表面へも膜が堆積する。従来では、電極表面及
び電極周辺部表面は、図４のＳで示すように、比較的平
滑な平面で形成されており、膜が堆積した場合、容易に
剥離しやすくなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、基板Ｋ以外へ
の堆積膜の膜厚が増大した状態で、膜剥離が起こった場
合には、異物が発生して、基板Ｋ上に付着し、製品の欠
陥となって、良品率を著しく低下させてしまう問題があ
った。また、堆積膜の膜厚が薄いうちにクリーニング等
のメンテナンスを実施することも可能であるが、そうす
ると、装置としてのメンテナンス頻度が増えるため、装
置の稼働率が低下してしまうという問題があった。
の堆積膜の膜厚が増大した状態で、膜剥離が起こった場
合には、異物が発生して、基板Ｋ上に付着し、製品の欠
陥となって、良品率を著しく低下させてしまう問題があ
った。また、堆積膜の膜厚が薄いうちにクリーニング等
のメンテナンスを実施することも可能であるが、そうす
ると、装置としてのメンテナンス頻度が増えるため、装
置の稼働率が低下してしまうという問題があった。
【０００８】本発明は、上記事情を考慮し、反応容器内
の堆積膜の膜厚増加に伴う剥離を抑制することができ
て、良品率を向上させることができると共に、装置の稼
働率を向上させることができ、その結果、製品の価格低
減に寄与することのできるプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
の堆積膜の膜厚増加に伴う剥離を抑制することができ
て、良品率を向上させることができると共に、装置の稼
働率を向上させることができ、その結果、製品の価格低
減に寄与することのできるプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、反応
容器内の部品の表面あらさを１０μｍ〜１００μｍの範
囲に設定したことを特徴とする。
容器内の部品の表面あらさを１０μｍ〜１００μｍの範
囲に設定したことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施の形態の
要部の構成を示すもので、特に、反応容器内の電極１１
の表面性状を示す。この電極１１は、基板に対向するカ
ソ−ド（基板に対向しているため、膜剥離による基板へ
の影響を一番大きく与える可能性のある部品）であり、
この表面には、ブラスト法により、粗さＬが１０μｍ〜
１００μｍ程度の粗面処理が施されている。
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施の形態の
要部の構成を示すもので、特に、反応容器内の電極１１
の表面性状を示す。この電極１１は、基板に対向するカ
ソ−ド（基板に対向しているため、膜剥離による基板へ
の影響を一番大きく与える可能性のある部品）であり、
この表面には、ブラスト法により、粗さＬが１０μｍ〜
１００μｍ程度の粗面処理が施されている。
【００１１】図２は、本発明の一実施の形態の要部の構
成を示すもので、特に、反応容器内の電極以外の部品の
表面性状を示す。この部品１２の表面には、爆発溶射加
工により、膜厚５０μｍ以上のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）
皮膜１３が形成されている。この場合は、爆発溶射加工
により、適度に表面が荒れた状態の多孔質のアルミナ皮
膜１３が形成されており、表面粗さＬが１０μｍ〜１０
０μｍ程度になっている。
成を示すもので、特に、反応容器内の電極以外の部品の
表面性状を示す。この部品１２の表面には、爆発溶射加
工により、膜厚５０μｍ以上のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）
皮膜１３が形成されている。この場合は、爆発溶射加工
により、適度に表面が荒れた状態の多孔質のアルミナ皮
膜１３が形成されており、表面粗さＬが１０μｍ〜１０
０μｍ程度になっている。
【００１２】なお、単なる溶射加工で表面皮膜を形成し
た場合には、構成部品の熱膨張及び収縮により、皮膜自
体が剥離し、異物の発生要因となる可能性があるが、爆
発溶射加工で表面皮膜を形成した場合には、母材への皮
膜接着力が極めて強くなるから、異物の発生を大幅に抑
制することができる。
た場合には、構成部品の熱膨張及び収縮により、皮膜自
体が剥離し、異物の発生要因となる可能性があるが、爆
発溶射加工で表面皮膜を形成した場合には、母材への皮
膜接着力が極めて強くなるから、異物の発生を大幅に抑
制することができる。
【００１３】いずれにしろ、このように反応容器内の電
極の表面やその他の部品の表面を適度な粗面となしたの
で、膜が堆積して膜厚が増大しても、部品表面の凹凸に
堆積膜が強く付着することになり、堆積膜の剥離を抑制
することができる。従って、膜剥離の発生が極めて少な
いことから、処理中における異物の発生が要因の製品欠
陥等を極力減らすことができる。また、堆積膜の剥離の
心配が少ないので、ある程度、堆積膜の膜厚が大きくな
って初めて、クリーニングを実施すればよくなり、メン
テナンスの頻度を減らすことができる。
極の表面やその他の部品の表面を適度な粗面となしたの
で、膜が堆積して膜厚が増大しても、部品表面の凹凸に
堆積膜が強く付着することになり、堆積膜の剥離を抑制
することができる。従って、膜剥離の発生が極めて少な
いことから、処理中における異物の発生が要因の製品欠
陥等を極力減らすことができる。また、堆積膜の剥離の
心配が少ないので、ある程度、堆積膜の膜厚が大きくな
って初めて、クリーニングを実施すればよくなり、メン
テナンスの頻度を減らすことができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反応容器内の部品の表面を所定の表面粗さの範囲に荒ら
したので、稼働時における堆積膜の剥離を抑制すること
ができる。従って、膜剥離による異物の発生を防止し
て、製品欠陥をなくし、良品率を向上させることができ
る。また、堆積膜の膜厚がある程度大きくなるまで、ク
リーニング等のメンテナンスが不要であるから、装置の
稼働率も向上させることができ、結果的に製品価格の低
減に寄与することができる。
反応容器内の部品の表面を所定の表面粗さの範囲に荒ら
したので、稼働時における堆積膜の剥離を抑制すること
ができる。従って、膜剥離による異物の発生を防止し
て、製品欠陥をなくし、良品率を向上させることができ
る。また、堆積膜の膜厚がある程度大きくなるまで、ク
リーニング等のメンテナンスが不要であるから、装置の
稼働率も向上させることができ、結果的に製品価格の低
減に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の要部の構成を示すもの
で、特に、反応容器内の電極の表面性状を表す断面図で
ある。
で、特に、反応容器内の電極の表面性状を表す断面図で
ある。
【図２】本発明の一実施の形態の要部の構成を示すもの
で、特に、反応容器内の電極以外の部品の表面性状を表
す断面図である。
で、特に、反応容器内の電極以外の部品の表面性状を表
す断面図である。
【図３】一般的なプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図４】従来の部品の表面性状を表す断面図である。
１…反応容器、２…アノード、３…カソード、４…絶縁
物、５…カソードヒータ、６…反応ガス導入口、７…可
変排気口、８…高周波電源、１１…電極、１２…他の構
成部品、１３…アルミナ被膜。
物、５…カソードヒータ、６…反応ガス導入口、７…可
変排気口、８…高周波電源、１１…電極、１２…他の構
成部品、１３…アルミナ被膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器内の部品の表面あらさを１０μ
ｍ〜１００μｍの範囲に設定したことを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23302998A JP2000068208A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23302998A JP2000068208A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068208A true JP2000068208A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16948700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23302998A Pending JP2000068208A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068208A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002249864A (ja) * | 2000-04-18 | 2002-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 耐ハロゲンガスプラズマ用部材およびその製造方法 |
| WO2013021947A1 (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-14 | 昭和電工株式会社 | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
| US9607832B2 (en) | 2011-08-05 | 2017-03-28 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer manufacturing device and manufacturing method |
-
1998
- 1998-08-19 JP JP23302998A patent/JP2000068208A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002249864A (ja) * | 2000-04-18 | 2002-09-06 | Ngk Insulators Ltd | 耐ハロゲンガスプラズマ用部材およびその製造方法 |
| WO2013021947A1 (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-14 | 昭和電工株式会社 | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
| JP2013038153A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Showa Denko Kk | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
| US9607832B2 (en) | 2011-08-05 | 2017-03-28 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer manufacturing device and manufacturing method |
| US9624602B2 (en) | 2011-08-05 | 2017-04-18 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer manufacturing device and manufacturing method |
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