JPS61138243U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61138243U JPS61138243U JP2213485U JP2213485U JPS61138243U JP S61138243 U JPS61138243 U JP S61138243U JP 2213485 U JP2213485 U JP 2213485U JP 2213485 U JP2213485 U JP 2213485U JP S61138243 U JPS61138243 U JP S61138243U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- plasma cvd
- cvd apparatus
- microwave plasma
- reaction gas
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
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Description
第１図は本考案装置の実施例を示す断面図、第
２図は同装置における励磁コイルの中心部からの
距離と磁束密度との関係を示す特性曲線図、第３
図は従来装置の断面図である。 １はプラズマ室、２は反応室、３ａ，３ｂは励
磁コイル、ａ，ｂ，ｃはタツプ、４はマイクロ波
導波管、５，６は反応ガス注入用ガス管、８は試
料。
２図は同装置における励磁コイルの中心部からの
距離と磁束密度との関係を示す特性曲線図、第３
図は従来装置の断面図である。 １はプラズマ室、２は反応室、３ａ，３ｂは励
磁コイル、ａ，ｂ，ｃはタツプ、４はマイクロ波
導波管、５，６は反応ガス注入用ガス管、８は試
料。
Claims (1)
- 反応ガスをイオン化しそのイオンに磁界をかけ
ることにより発生する電子サイクロン共鳴を用い
るマイクロ波プラズマＣＶＤ装置であつて、前記
イオンに磁界をかけるべくプラズマ室の周囲に設
けられた励磁コイルに複数のタツプを設け、この
タツプの選択によつて磁界分布を任意に変化させ
るようにしたことを特徴とするマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213485U JPS61138243U (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213485U JPS61138243U (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61138243U true JPS61138243U (ja) | 1986-08-27 |
Family
ID=30514159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2213485U Pending JPS61138243U (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61138243U (ja) |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP2213485U patent/JPS61138243U/ja active Pending
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