JP2003323998A - 高周波誘導結合プラズマ生成装置 - Google Patents
高周波誘導結合プラズマ生成装置Info
- Publication number
- JP2003323998A JP2003323998A JP2002129714A JP2002129714A JP2003323998A JP 2003323998 A JP2003323998 A JP 2003323998A JP 2002129714 A JP2002129714 A JP 2002129714A JP 2002129714 A JP2002129714 A JP 2002129714A JP 2003323998 A JP2003323998 A JP 2003323998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma generation
- high frequency
- magnetic
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
形成が可能な高周波誘導結合プラズマ生成装置の提供。 【解決手段】 プラズマ室ボディ3および励起コイル6
を囲むように軟磁性体の磁路構造体7を設ける。励起コ
イル6で形成された高周波磁界の磁束線20は、磁路構
造体7のコア部7Aの設けられたプラズマ室ボディ3の
上端面からプラズマ室2に導入され、プラズマ室2を交
差した後に側面リターン部7Bへと導かれる。磁束線2
0は、帰還経路である側面リターン部7Bおよび背面リ
ターン部7Cの内部を通ってコア部7Aへと戻る。その
結果、磁束線20がプラズマ室2内の広い領域に均一に
分布し、均一なプラズマをより広い空間領域に形成する
ことができる。
Description
ラズマ生成装置に関する。
チング、成膜、スパッタリング等の処理を施す基板処理
装置として、プラズマを利用してそれらの処理を行うも
のがある。これらの基板処理装置に利用されるプラズマ
生成装置の一つとして、誘導結合プラズマ励起法により
プラズマを生成する誘導結合型プラズマ生成装置があ
る。誘導結合型プラズマ生成装置では、プラズマ生成室
の近傍に設けられた励起コイルに高周波電流を流してプ
ラズマ生成室内に高周波磁界を生成する。高周波磁界は
プラズマ生成室内に高周波誘導電界を誘起し、この誘導
電界によってプラズマ生成室内のガスをイオン化するこ
とによってプラズマが生成される。
したものであり、図6(a)は励起コイルとしてソレノ
イド型コイル100を用いるものであり、図6(b)は
平面型コイル104を用いるものである。図6(a)の
装置では、ソレノイド型コイル100を、プラズマ生成
室を構成する管状チャンバ103の周囲に巻き付けるよ
うな形態で配置する。ソレノイド型コイル100には整
合器101を介して高周波電源102からの高周波電流
が供給され、コイル100の中心軸に平行な高周波磁界
が管状チャンバ103内に形成される。その結果、管状
チャンバ103内にプラズマPが生成される。
バ105の上端面に高周波導入窓106が設けられ、高
周波導入窓106の外側に平面型コイル104が配設さ
れている。平面型コイル104により形成された高周波
磁界は高周波導入窓106からチャンバ105に侵入
し、チャンバ105内の高周波導入窓106に近接した
空間領域にプラズマPが生成される。
プラズマ生成装置が使用される基板処理装置において
は、基板の大口径化が進展しつつあり、プラズマ生成装
置に対しては、より大きなプラズマ領域の生成が要求さ
れている。そのため、図6(a)のソレノイド型コイル
100を用いる装置の場合は、大口径基板に対応するに
はコイル径を大きくするとともに、それに伴って十分な
磁束密度を確保するためにコイル巻き数を多くする必要
がある。
クタンスの増加と、巻き線の長さの増加による損失抵抗
の増大を伴う。周波数一定であればインダクタンスの増
加は電流阻止リアクタンスとして作用するので、整合器
101で整合をとることによりこれを補正することにな
る。しかしながら、この補正は整合器101に設けられ
たキャパシターのキャパシタンスCを小さくすることに
より行われるので、寄生容量の影響を受けやすくなる。
すなわち、整合条件が安定調整域を逸脱する方向に変化
し、プラズマ生成が不安定となりやすい。
くしてコイル径を大きくしても、コイル中心部分の磁界
強度がより大きくなるだけで、期待したようにプラズマ
領域の拡大を図ることができないばかりか、均一性が低
下するという問題があった。また、平面型コイル104
の場合には、コイル下側のチャンバ空間だけでなくコイ
ル上側の空間にも磁界が形成されるため、プラズマへの
エネルギー伝達効率が劣るという欠点があった。
下を防止しつつプラズマ領域の拡大が図れるとともに、
均一なプラズマを形成することができる高周波誘導結合
プラズマ生成装置を提供することにある。
図1および図2に対応付けて説明する。 (1)請求項1の発明による高周波誘導結合プラズマ生
成装置は、プラズマが形成される筒状のプラズマ生成室
3と、高周波磁界を形成する励起コイル6と、プラズマ
生成室3の端面から側面へと高周波磁界の磁束線20を
導き、前記側面から前記端面へと帰還する磁束線20の
磁路が形成される磁路構造体7とを備えて上述の目的を
達成する。 (2)請求項2の発明は、請求項1に記載の高周波誘導
結合プラズマ生成装置において、磁路構造体7は、
(a)励起コイル6の内側に配設されて高周波磁界の磁
束線20を前記端面を通ってプラズマ生成室3内へと導
く第1の軟磁性体部材7Aと、(b)筒状プラズマ生成
室3の外側部に配設されてプラズマ生成室3内へと導か
れた磁束線20を前記側面へと導く第2の軟磁性体部材
7Bと、(c)第1の軟磁性体部材7Aを挟んで前記端
面と反対側に配設されて前記側面へと導かれた磁束線2
0を第2の軟磁性体部材7Bを通って第1の軟磁性体部
材7Aへと帰還させる第3の軟磁性体部材7Cとを有す
るものである。
では、本発明を分かり易くするために発明の実施の形態
の図を用いたが、これにより本発明が発明の実施の形態
に限定されるものではない。
の形態を説明する。図1は本発明による高周波誘導結合
プラズマ生成装置の一実施の形態を示す図である。図1
はプラズマ生成装置の概略構成を示したものであり、一
点鎖線よりも図示上側の部分Bがプラズマ生成装置1を
構成している。プロセス室である真空チャンバ12の上
部にはプラズマ生成装置1のプラズマ室2を形成するプ
ラズマ室ボディ3が設けられている。プラズマ室ボディ
3は従来装置の高周波導入窓と同様にセラミックスなど
で形成されており、高周波磁界はプラズマ室ボディ3を
通してプラズマ室2内へ侵入する。真空チャンバ12は
排気口12aに接続された真空ポンプ(不図示)により
真空排気される。
マ室ボディ3は円筒形を成しており、プラズマ室ボディ
3の外側には、円筒端面に対向するように励起コイル6
が設けられている。励起コイル6は2ターンのソレノイ
ド型コイルであり、整合器8を介してRF電源9が接続
されている。なお、本実施の形態では、励起コイル6は
ソレノイド型コイルとしたが、例えば、1ターンの平面
型コイルとしても良い。RF電源9の周波数としては、
経済性を考慮して1MHz〜100MHz程度が用いら
れるが、本実施の形態では13.56MHzの高周波電
源が使用される。
パシタが設けられており、このキャパシタのキャパシタ
ンスを調整することにより整合条件の調整を行うことが
できる。プラズマを生成する際には、アルゴンガス等が
プラズマ室2内に導入される。プラズマ室ボディ3の周
囲には、プラズマ室ボディ3を覆うように磁路構造体7
が設けられている。磁路構造体7は、後述するように励
起コイル6で形成された磁束のリターン回路を構成して
おり、高周波特性の良い、すなわち励振周波数域での損
失特性に優れた軟磁性体材料により形成される。例え
ば、鉄、ニッケル、コバルト等が用いられる。
は、導電性のグリッド型アパーチャ4が設けられてい
る。アパーチャ4には電源5により電圧Vaccが印加さ
れている。このアパーチャ4によりプラズマ室2にプラ
ズマが閉じこめられるとともに、プラズマ中から引き出
されたイオンが加速電圧Vaccにより図示下方に加速さ
れる。その結果、プラズマ生成装置1からイオンビーム
が引き出され、様々なプロセスに利用される。本実施の
形態では、真空チャンバ12内には走査式のファラデー
カップ10が設けられており、これを用いてイオンビー
ムの電流密度を計測することができる。イオン電流は微
小電流計11により計測される。
る。図2(a)に示すように、磁路構造体7は機能的に
3つの部分から成る。第1は、励起コイル6の内部に配
置されてコイル中心部分の磁束をまとめるとともに分布
を均一化するコア部7Aである。磁束線20はこのコア
部7Aの下端面からプラズマ室2内に入り込む。第2
は、励起コイル6およびプラズマ室ボディ3の外周部に
設けられて、コア部7Aの端面を出た磁束線20をプラ
ズマ室ボディ3の側面部分へと導く側面リターン部7B
である。プラズマ室ボディ3の側面部分を通過した磁束
線20は円筒状の側面リターン部7Bへと入る。第3
は、側面リターン部7Bに侵入した磁束線20をコア部
7Aに帰還させる背面リターン部7Cである。
導磁界エネルギーとして放射され、プラズマ室2内のプ
ラズマに供給される。なお、図2(a)では磁路構造体
7を機能毎に7A,7B,7Cに分けて示したが、必ず
しも3分割されていることを意味するものではなく、磁
路構造体7は一体に形成されていても良い。
7Bの上端面を背面リターン部7Cの下端面に密着させ
ているが、必ずしも密着させる必要はない。例えば、図
7(b)のように離れていても良い。軟磁性体である磁
路構造体7の透磁率は空気の透磁率よりもはるかに大き
いため、側面リターン部7Bの上端面を出た磁束線20
はほぼ全てが背面リターン部7Cへと入る。
1における高周波磁界の様子を、平面型コイルを用いた
従来の装置と比較して示した図である。図3(a)は図
2(a)と同様の図である。上述したように、本実施の
形態のプラズマ生成装置1では、側面リターン部7Bを
設けてコア部7Aの下端面を出た磁束線20を側面リタ
ーン部7B方向に導くことにより、プラズマ室2の全体
に強度的に一様な磁界を形成することができる。一方、
図3(b)は、従来の平面型コイルを用いた場合の磁束
線の状況を示したものである。コイル21で形成される
高周波磁界は磁束線22で示すように、プラズマ室23
の内部だけでなく、外部空間にも大きく分布している。
態では、コア部7Aの下端面を出た磁束線20はほとん
どが側面リターン部7Bに入り、それらは側面リターン
部7Bおよび背面リターン部7Cの内部を通ってコア部
7Aの他端面に入る。すなわち、磁束線20はプラズマ
空間以外は磁路構造体7の内部にあって、図3(b)に
示す従来の装置のように装置外の空間に磁界は形成され
ない。そのため、プラズマへのエネルギー伝達効率が向
上する。
20をプラズマ室側面方向に導くことにより、プラズマ
室2内の磁束密度が均一となる。その結果、プラズマ室
2内の広い領域にわたって均一なプラズマを形成するこ
とができる。図3(c)はプラズマ密度の分布を定性的
に示したものであり、横軸はプラズマ室の径方向位置を
表している。本実施の形態の場合には、上述した理由か
ら曲線L1で示すように均一な分布が得られる。一方、
図3(b)の平面型コイルを用いた装置では、コイル中
心部分の磁界強度が大きいためにL2で示すように中心
部分の分布が他の部分よりも大きくなり、均一性に劣っ
ている。
イル6で形成された高周波磁界の磁束線20は、プラズ
マ空間を通って磁路構造体7の側面リターン部7B方向
に導かれる。そのため、要求されるプラズマ領域の大き
さに応じて励起コイル6の径を大きくしなくても、磁束
線20をプラズマ領域の全体と交差させることができ
る。励起コイル6の径を変えなくても良いということ
は、コイルの巻き線の長さに起因するリアクタンスの変
化や、抵抗損失を避けることができ、インピーダンス整
合が不安定となるのを防止することができる。
をまとめると以下のようになる。 (a)磁路構造体7を設けたことにより、プラズマ領域
に誘導される磁界強度を高めることができる。すなわ
ち、プラズマに対する高周波エネルギーの誘導結合効率
が向上し、単位投入電力当たりのプラズマ活性度が増大
する。 (b)平面型コイルだけで形成される誘導磁界はコイル
面に対して対称であるが、磁路構造体7を設けることに
より、図3(a)に示すようなコイル6だけでは作るこ
とができない非対称な空間磁界分布を励振することがで
きる。すなわち、高周波エネルギーの利用効率が向上
し、電磁波の不要な輻射および排出熱量が低減される。 (c)ソレノイド型コイルにおいて、コイル6がプラズ
マ領域を囲むような構成でなくても、磁路構造体7を設
けることによりプラズマ領域全域に誘導磁界を励振する
ことができる。すなわち、磁路構造体7が誘導磁界強度
分布(すなわち、プラズマ活性度分布)に対して支配的
となり、プラズマ活性度分布の均一性を容易に制御でき
る。
体的な実施例を示す図であり、プラズマ生成装置の各部
の寸法を示したものである。各部の寸法は以下のように
なっている。 (1)プラズマ室ボディ3の内径=220(mm) (2)励起コイル径=200(mm) (3)コア部7Aの外径=180(mm) (4)アパーチャ4のグリッド開口部の径=210(mm) (5)アパーチャ4とファラデーカップ10との間の距離
=300(mm)
料の比透磁率は100、励起コイル6の総合的な自己イ
ンダクタンスは2.0(μH)、高周波電源11の周波
数は13.56(MHz)、入力高周波電力は500
(W)、電源5の加速電圧はVacc=1.0(kV)、アル
ゴンガスの流量は50(sccm)とした。
10を径方向(図示左右方向)に走査して、プラズマ室
2から引き出されるイオンビーム電流密度の分布プロフ
ァイルを計測した。図5は、計測により得られた分布プ
ロファイルL3を示す図である。図5において、縦軸は
イオンビーム電流密度を表しており、単位は任意単位
(A.U.)である。また、横軸は、励起コイル6の中
心(プラズマ室2の中央)を原点とした、径方向位置を
示している。
を100%としたときに、相対強度90%以上の範囲の
直径は170(mm)であった。また、相対強度が50%と
なる半値幅で直径=190(mm)が得られた。すなわち、
コア部7Aの径をほぼ同じ径を有する均一なイオンビー
ムを得ることができた。例えば、このプラズマ生成装置
をイオンビームエッチング装置に用いれば、基板上の直
径がほぼ170(mm)の領域全体に同時にかつ均一にイオ
ンビームを照射することができ、エッチング処理速度を
格段に向上させることができる。
の要素との対応において、プラズマ室ボディ3はプラズ
マ生成室を、コア部7Aは第1の軟磁性体部材を、側面
リターン部7Bは第2の軟磁性体部材を、背面リターン
部7Cは第3の軟磁性体部材をそれぞれ構成する。
磁路構造体を設けたことにより、磁束線をプラズマ生成
室内の広い領域に均一に分布させることができ、より大
きな領域にプラズマを形成することができる。また、プ
ラズマ生成室以外の不必要な空間に磁束線を分布させる
ことなくプラズマ生成室内に集中的に磁束線を分布させ
ることができるので、プラズマ生成室内に誘導される磁
界強度を高めることが可能となり、プラズマに対する高
周波エネルギーの誘導結合効率が向上する。
の一実施の形態を示す図である。
は第1の例を、(b)は第2の例を示している。
の様子を従来の装置と比較して示した図であり、(a)
は本実施の形態の高周波磁界を、(b)は従来の平面型
コイルの高周波磁界を、(c)はプラズマ密度分布を示
す図である。
ビームの分布プロファイルを示す図である。
(a)はソレノイド型コイルを用いる装置、(b)は平
面型コイルを用いる装置である。
Claims (2)
- 【請求項1】 プラズマが形成される筒状のプラズマ生
成室と、 高周波磁界を形成する励起コイルと、 前記プラズマ生成室の端面から側面へと前記高周波磁界
の磁束線を導き、前記側面から前記端面へと帰還する磁
束線の磁路が形成される磁路構造体とを備えたことを特
徴とする高周波誘導結合プラズマ生成装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の高周波誘導結合プラズ
マ生成装置において、 前記磁路構造体は、(a)前記励起コイルの内側に配設
されて前記高周波磁界の磁束線を前記端面を通って前記
プラズマ生成室内へと導く第1の軟磁性体部材と、
(b)前記筒状プラズマ生成室の外側部に配設されて前
記プラズマ生成室内へと導かれた前記磁束線を前記側面
へと導く第2の軟磁性体部材と、(c)前記第1の軟磁
性体部材を挟んで前記端面と反対側に配設されて前記側
面へと導かれた磁束線を前記第2の軟磁性体部材を通っ
て前記第1の軟磁性体部材へと帰還させる第3の軟磁性
体部材とを有することを特徴とする高周波誘導結合プラ
ズマ生成装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002129714A JP4175021B2 (ja) | 2002-05-01 | 2002-05-01 | 高周波誘導結合プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
US10/788,306 US20040163767A1 (en) | 2002-05-01 | 2004-03-01 | Plasma producing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002129714A JP4175021B2 (ja) | 2002-05-01 | 2002-05-01 | 高周波誘導結合プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003323998A true JP2003323998A (ja) | 2003-11-14 |
JP4175021B2 JP4175021B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=29543042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002129714A Expired - Fee Related JP4175021B2 (ja) | 2002-05-01 | 2002-05-01 | 高周波誘導結合プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040163767A1 (ja) |
JP (1) | JP4175021B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008181747A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 大気圧プラズマ発生方法及び装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4904202B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2012-03-28 | ジーイーエヌ カンパニー リミッテッド | プラズマ反応器 |
US8075734B2 (en) * | 2007-07-06 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Remote inductively coupled plasma source for CVD chamber cleaning |
US20120067281A1 (en) * | 2009-05-15 | 2012-03-22 | Shimadzu Corporation | Surface wave plasma cvd apparatus and film forming method |
US8642974B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-02-04 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation |
US8736177B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-05-27 | Fei Company | Compact RF antenna for an inductively coupled plasma ion source |
US20130034666A1 (en) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma sources for wafer processing and chamber cleaning |
CN103002649B (zh) * | 2011-09-13 | 2016-09-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理方法 |
US20220108874A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-07 | Applied Materials, Inc. | Low current high ion energy plasma control system |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5216330A (en) * | 1992-01-14 | 1993-06-01 | Honeywell Inc. | Ion beam gun |
TW321821B (ja) * | 1994-05-17 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JP3426382B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2003-07-14 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5824607A (en) * | 1997-02-06 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma confinement for an inductively coupled plasma reactor |
EP0908923B1 (en) * | 1997-10-10 | 2003-04-02 | European Community | Apparatus to produce large inductive plasma for plasma processing |
US6761796B2 (en) * | 2001-04-06 | 2004-07-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for micro-jet enabled, low-energy ion generation transport in plasma processing |
US7255774B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-08-14 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improving plasma production of an inductively coupled plasma |
-
2002
- 2002-05-01 JP JP2002129714A patent/JP4175021B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-01 US US10/788,306 patent/US20040163767A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008181747A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 大気圧プラズマ発生方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040163767A1 (en) | 2004-08-26 |
JP4175021B2 (ja) | 2008-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2929275B2 (ja) | 透磁コアを有する誘導結合型−平面状プラズマの発生装置 | |
JP5165821B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ発生システム用の複数コイル・アンテナ | |
TW312815B (ja) | ||
JP3905502B2 (ja) | 誘導結合プラズマ発生装置 | |
US5795429A (en) | Plasma processing apparatus | |
US7190119B2 (en) | Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system | |
JP3224529B2 (ja) | プラズマ処理システム | |
JP2004501277A (ja) | マグネトロンスパッタリングを向上させる誘導プラズマループ | |
JP2004193565A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置の電極板 | |
JPH04287318A (ja) | プラズマ処理の方法および装置 | |
JPH08330096A (ja) | 変動する磁極を用いた平坦プラズマ発生装置 | |
TW201012310A (en) | High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation | |
JPH06283470A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20010096474A (ko) | 플라즈마 에칭 장치 | |
JP4175021B2 (ja) | 高周波誘導結合プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 | |
CN108271309B (zh) | 一种电感耦合等离子处理装置 | |
KR20040053502A (ko) | 전자기 유도 가속기 | |
JP3790291B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3804574B2 (ja) | 高周波誘導結合プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 | |
JP4069299B2 (ja) | 高周波プラズマの発生方法 | |
JP2002124399A (ja) | プラズマ生成装置 | |
JP3973855B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
KR20190050527A (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리장치 | |
JP3471385B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100737750B1 (ko) | 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080729 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080811 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4175021 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |