JPS5970766A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS5970766A JPS5970766A JP57181383A JP18138382A JPS5970766A JP S5970766 A JPS5970766 A JP S5970766A JP 57181383 A JP57181383 A JP 57181383A JP 18138382 A JP18138382 A JP 18138382A JP S5970766 A JPS5970766 A JP S5970766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- plasma
- cylindrical
- plasma generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ発生装置に関スル。
出願人は先に電子写真用ドラムとして使用されるＡ１ド
ラム等の円筒状金属サブストレートノ表面にアモルファ
スシリコンの薄膜ヲ形ｔ２． スる手段として第１図示
のようなプラズマ０ＶＤ（Ｏｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置を提案した。この装
置は円筒状金属サブストレー）ａをＳｉＨ４その他のガ
スを導入した真空処理室す内に回転自在に収容し、該ガ
スをプラズマ発生装置Ｃにより励起および電離して反応
を起さしめ・その生成物を該サブストレートａの周面に
耐着サセて薄膜を形成するが、この場合該プラズマ発生
装置Ｃはサブストレー）ａの円面に均一な薄膜を形成す
べくこれを囲繞した電極ｄで構成されるので該プラズマ
発生装置ｏにザブストレー ） ａを出し入れし難く、
連続的にサブストレー ） ａを処理出来ない不都合が
ある。
ラム等の円筒状金属サブストレートノ表面にアモルファ
スシリコンの薄膜ヲ形ｔ２． スる手段として第１図示
のようなプラズマ０ＶＤ（Ｏｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置を提案した。この装
置は円筒状金属サブストレー）ａをＳｉＨ４その他のガ
スを導入した真空処理室す内に回転自在に収容し、該ガ
スをプラズマ発生装置Ｃにより励起および電離して反応
を起さしめ・その生成物を該サブストレートａの周面に
耐着サセて薄膜を形成するが、この場合該プラズマ発生
装置Ｃはサブストレー）ａの円面に均一な薄膜を形成す
べくこれを囲繞した電極ｄで構成されるので該プラズマ
発生装置ｏにザブストレー ） ａを出し入れし難く、
連続的にサブストレー ） ａを処理出来ない不都合が
ある。
本発明はこうした不都合を解消することをその目的とし
たもので、Ａ１ドラムその他の円筒状金属サブストレー
トをＳｉＨ４その他のガスを導入した真空処理室内に回
転自在に収容し、該ガスを円筒形のプラズマ発生装置に
より励起および電離して反応を起さしめ、その生成物を
該サブストレートの円面に耐着させて薄膜を形成する式
のものに於て、該プラズマ発生装置を左右に分割され且
つ油圧シリンダその他の駆動手段で互に離反する１対の
略半円筒形部材にて構成し、該サブストレートをこれに
回転を与える回転装置を備え且つ前記半円筒形部材の離
反により生ずる間隙を介して該プラズマ発生装置の内外
に移動させる移動台に取付して成る。
たもので、Ａ１ドラムその他の円筒状金属サブストレー
トをＳｉＨ４その他のガスを導入した真空処理室内に回
転自在に収容し、該ガスを円筒形のプラズマ発生装置に
より励起および電離して反応を起さしめ、その生成物を
該サブストレートの円面に耐着させて薄膜を形成する式
のものに於て、該プラズマ発生装置を左右に分割され且
つ油圧シリンダその他の駆動手段で互に離反する１対の
略半円筒形部材にて構成し、該サブストレートをこれに
回転を与える回転装置を備え且つ前記半円筒形部材の離
反により生ずる間隙を介して該プラズマ発生装置の内外
に移動させる移動台に取付して成る。
本発明の実施例を別紙図面につき説明するに、第２図及
び第５図に於て（１）はＡ１ドラム等の円筒状金属サブ
ストレー） 、（２）は排気管（３）を介して真空圧と
大気圧とに制御される真空処理室、（４）は該真空処理
室（２）内に設けた円筒形のプラズマ発生装置を示し、
図示のものでは５個のプラズマ発生装置（４）を直線的
に配設するようにした。
び第５図に於て（１）はＡ１ドラム等の円筒状金属サブ
ストレー） 、（２）は排気管（３）を介して真空圧と
大気圧とに制御される真空処理室、（４）は該真空処理
室（２）内に設けた円筒形のプラズマ発生装置を示し、
図示のものでは５個のプラズマ発生装置（４）を直線的
に配設するようにした。
各プラズマ発生装置（４）は第４図に於て明示するよう
に左右の略半円筒形の電極（５１（５１からなる略半円
筒形部材（４ａ）（４ａ）にて構成され、各部材（４ａ
）（４ａ）の夫々はこれを処理室（２）内に支承する支
軸（６）を該処理室（２）外の油圧シリンダ等の駆動手
段（力により出没葛せることにより第２図の鎖線示のよ
うに互に間隙（８）を存して離反した状態と仝図に実線
示のような互に接近した状態とに移動するようにした。
に左右の略半円筒形の電極（５１（５１からなる略半円
筒形部材（４ａ）（４ａ）にて構成され、各部材（４ａ
）（４ａ）の夫々はこれを処理室（２）内に支承する支
軸（６）を該処理室（２）外の油圧シリンダ等の駆動手
段（力により出没葛せることにより第２図の鎖線示のよ
うに互に間隙（８）を存して離反した状態と仝図に実線
示のような互に接近した状態とに移動するようにした。
各電極（５）（５）はその内部に中空部（９）を備え、
これに支軸（６）内を介してＳｉＨ，ガス等を注入すべ
くガス注入管００）を接続し、さらに各１４極（５）
（５１の内周面に該ガスが噴出するガス噴出孔αＤを形
成するようにし、各電極（５１（５）に通電されてアー
ス電位のサブストレー） （１）との間にプラズマが発
生すると該ガス噴出孔θυがら噴出する例えばＳｉＨ４
ガスが励起および電離して反応を起こしアモルファスシ
リコンとなって薄膜状にサブストレート（１）の円面に
耐着する。α壜は電極（５）にマツチング装置（１２ａ
）を介して連らなるＲＦ電源、（１２ｂ）はヒータであ
る。また（１３１は複数本のサブストレート（１ｊを回
転自在に取付けた移動台を示し、該移動台０３）は第５
図示の如くその１側に設けたラックαａが処理室（２）
の外部から駆動されるビニオン０ωと係合すると下方の
案内レールθ６）に沿って車輪θ力で移動するように構
成した。
これに支軸（６）内を介してＳｉＨ，ガス等を注入すべ
くガス注入管００）を接続し、さらに各１４極（５）
（５１の内周面に該ガスが噴出するガス噴出孔αＤを形
成するようにし、各電極（５１（５）に通電されてアー
ス電位のサブストレー） （１）との間にプラズマが発
生すると該ガス噴出孔θυがら噴出する例えばＳｉＨ４
ガスが励起および電離して反応を起こしアモルファスシ
リコンとなって薄膜状にサブストレート（１）の円面に
耐着する。α壜は電極（５）にマツチング装置（１２ａ
）を介して連らなるＲＦ電源、（１２ｂ）はヒータであ
る。また（１３１は複数本のサブストレート（１ｊを回
転自在に取付けた移動台を示し、該移動台０３）は第５
図示の如くその１側に設けたラックαａが処理室（２）
の外部から駆動されるビニオン０ωと係合すると下方の
案内レールθ６）に沿って車輪θ力で移動するように構
成した。
該移動台θ３）には筒状の回転ホルダ０樽とその外周に
形成した歯車０！ｌ）に咬合する歯車（２■とで構成さ
れる回転装置（２］）を設け、該歯車（イ）が処理室（
２）の外部から導入した回転軸（２２１で回転する歯車
（２２ａ）と係合すると該回転ホルダａ腸がサブストレ
ート（１，１と共に回転するようにした。該回転ホルダ
０秒の複数個を設けて複数本のサブストレー） （１）
を取付する場合には各ホルダ（ｌ→の歯車α９を互に係
合させ、そのうちの１つの歯車が歯車（２０）に係合さ
れる。（２３１は篩状のサブストレート（１）の内側全
加熱すべく中空の回転ホルダａａｌの内部に直立して設
けたヒータ、（財）Ｑ最はシールド板である。真空処理
室（２）の左右にはゲートバルブ１２６＋ （２力を介
して連通ずる仕込室（２印と取出室（２Ｉとを連設し、
該仕込室（２印に於て移動台α■の回転ホルダ（１８Ｊ
に扉■を開いてザブストレート（１）を取付け、該移動
台０３）の移動で処理室（２）の離反した半円筒形部材
（４ａ） （４ａ）の間隙（８）にサブストレート（１
）を送り込み、そこでの処理が終ると反対側の取出室−
に該移動台０３により運ばれ扉Ｃ３υを開いて処理済の
サブストレー） （１）を取出すようにした。該仕込室
（２Ｑ及び取出室（２）には夫々排気装置に連らなる排
気管（３２１と移動台α印の駆動用のビニオン（至）及
び案内レール０４）が設けられ、更に仕込室ｃ２８１に
はサブストレー） （１）を予熱する予熱ヒータ０９と
回転装置（２Ｉ）の駆動用の回転軸（至）を設けるよう
にした。而して取出室（２９）にも予熱ヒータ０５１及
び回転軸（至）を設けて仕込室（至）と同様の構成とし
、各室（ハ）（ハ）から処理室（２）に交互にサブスト
レート（１）を送り込もようにすることも出来る。また
移動台α四の多数台を用意して各移動台α３）に１個の
サブストレーｌ）を取付け、各ザブストレート（１）は
間歇的に離反を繰返す複数のプラズマ発生装置（４）
（４）の各間を順次移動台（１３）により停止移動され
て次第にサブストレート（１）の処理を完了させること
も出来る。
形成した歯車０！ｌ）に咬合する歯車（２■とで構成さ
れる回転装置（２］）を設け、該歯車（イ）が処理室（
２）の外部から導入した回転軸（２２１で回転する歯車
（２２ａ）と係合すると該回転ホルダａ腸がサブストレ
ート（１，１と共に回転するようにした。該回転ホルダ
０秒の複数個を設けて複数本のサブストレー） （１）
を取付する場合には各ホルダ（ｌ→の歯車α９を互に係
合させ、そのうちの１つの歯車が歯車（２０）に係合さ
れる。（２３１は篩状のサブストレート（１）の内側全
加熱すべく中空の回転ホルダａａｌの内部に直立して設
けたヒータ、（財）Ｑ最はシールド板である。真空処理
室（２）の左右にはゲートバルブ１２６＋ （２力を介
して連通ずる仕込室（２印と取出室（２Ｉとを連設し、
該仕込室（２印に於て移動台α■の回転ホルダ（１８Ｊ
に扉■を開いてザブストレート（１）を取付け、該移動
台０３）の移動で処理室（２）の離反した半円筒形部材
（４ａ） （４ａ）の間隙（８）にサブストレート（１
）を送り込み、そこでの処理が終ると反対側の取出室−
に該移動台０３により運ばれ扉Ｃ３υを開いて処理済の
サブストレー） （１）を取出すようにした。該仕込室
（２Ｑ及び取出室（２）には夫々排気装置に連らなる排
気管（３２１と移動台α印の駆動用のビニオン（至）及
び案内レール０４）が設けられ、更に仕込室ｃ２８１に
はサブストレー） （１）を予熱する予熱ヒータ０９と
回転装置（２Ｉ）の駆動用の回転軸（至）を設けるよう
にした。而して取出室（２９）にも予熱ヒータ０５１及
び回転軸（至）を設けて仕込室（至）と同様の構成とし
、各室（ハ）（ハ）から処理室（２）に交互にサブスト
レート（１）を送り込もようにすることも出来る。また
移動台α四の多数台を用意して各移動台α３）に１個の
サブストレーｌ）を取付け、各ザブストレート（１）は
間歇的に離反を繰返す複数のプラズマ発生装置（４）
（４）の各間を順次移動台（１３）により停止移動され
て次第にサブストレート（１）の処理を完了させること
も出来る。
その作動を説明するに仕込室（ハ）に於て移動台０階の
各回転ホルダＱａｌに夫々サブストレー） （１１を取
付けしたのち該室（ハ）を真空化し、各サブストレート
（１）に回転を与え、これがヒータ（２３１及び予熱ヒ
ータ（３５１で予熱されると真空の処理室（２）内のプ
ラズマ発生装置（４）の互に離反した半円筒形部材（４
ａ） （４ａ）の間隙（８）に移動台０３）により送り
込まれる。そのあと各半円筒形部材（４ａ） （４ａ）
が油圧シリンダ（力により閉じて各サブストレート（１
）を囲繞し、回転装置１ｄ（２１）が作動して該サブス
トレート（１）を回転される。そして各電極（５）にＲ
Ｆｉ［源（１２１からの電力を与えると共にヒータ（１
２ｂ）を作動させ、ＳｉＨ，ガスを電極（５）のガス噴
出孔Ｑｌ）から導入すると各電極（５）と各サブストレ
ート（１）との間に発生するプラズマによりＳ ｉ Ｈ
４ガスが励起および電離して反応を生じ、このとき生成
されるアモルファスシリコンが回転するサブストレー）
（１）の周面に均一に薄膜状に耐着する。この薄膜処
理が終ると予め真空化した取出室（２９）に移動台α■
が移動し、処理の終えたサブストレート（１）が取出さ
れる。この場合、ゲートパルプ（２７）を閉じて処理室
（２）と取出室−との連通を遮断し、取出室−が大気圧
となっても処理室（２）内の真空を維持することが望ま
しい。
各回転ホルダＱａｌに夫々サブストレー） （１１を取
付けしたのち該室（ハ）を真空化し、各サブストレート
（１）に回転を与え、これがヒータ（２３１及び予熱ヒ
ータ（３５１で予熱されると真空の処理室（２）内のプ
ラズマ発生装置（４）の互に離反した半円筒形部材（４
ａ） （４ａ）の間隙（８）に移動台０３）により送り
込まれる。そのあと各半円筒形部材（４ａ） （４ａ）
が油圧シリンダ（力により閉じて各サブストレート（１
）を囲繞し、回転装置１ｄ（２１）が作動して該サブス
トレート（１）を回転される。そして各電極（５）にＲ
Ｆｉ［源（１２１からの電力を与えると共にヒータ（１
２ｂ）を作動させ、ＳｉＨ，ガスを電極（５）のガス噴
出孔Ｑｌ）から導入すると各電極（５）と各サブストレ
ート（１）との間に発生するプラズマによりＳ ｉ Ｈ
４ガスが励起および電離して反応を生じ、このとき生成
されるアモルファスシリコンが回転するサブストレー）
（１）の周面に均一に薄膜状に耐着する。この薄膜処
理が終ると予め真空化した取出室（２９）に移動台α■
が移動し、処理の終えたサブストレート（１）が取出さ
れる。この場合、ゲートパルプ（２７）を閉じて処理室
（２）と取出室−との連通を遮断し、取出室−が大気圧
となっても処理室（２）内の真空を維持することが望ま
しい。
このように本発明によるときＱ゛ま、サブストレートを
移動台の回転装置に取付け、該サブストレートを１対の
略半円筒形６１９拐で構成した互に離反自在のプラズマ
発生装置の内外にその離反時の間隙を介して移動させる
ようにしたので円筒形のプラズマ発生装置にサブストレ
ートを出し入れし易くなり連続的な処理を行なえる等の
効果がある。
移動台の回転装置に取付け、該サブストレートを１対の
略半円筒形６１９拐で構成した互に離反自在のプラズマ
発生装置の内外にその離反時の間隙を介して移動させる
ようにしたので円筒形のプラズマ発生装置にサブストレ
ートを出し入れし易くなり連続的な処理を行なえる等の
効果がある。
第１図は従来例の裁断側面図、第２図は本発明装６２の
実Ｂｍ例の裁断平面図、第５図はその■−ｍ線截線面断
面図４画はその留部の拡大裁断平面図、第５図は第４図
のＶ−Ｖ細裁断面図である。 （１）・・・円筒状金属サブストレート（２）・・・真
空処理室 （４）・・・プラズマ発生装置 （４ａ）
（４ａ）・・・半円筒形部材 （７）・・・駆動手段（
８）・・・間 隙 ＯＪ・・・移動台 ＣＤ・・・
回転装置特許出願人 日本真空技術株式会社
実Ｂｍ例の裁断平面図、第５図はその■−ｍ線截線面断
面図４画はその留部の拡大裁断平面図、第５図は第４図
のＶ−Ｖ細裁断面図である。 （１）・・・円筒状金属サブストレート（２）・・・真
空処理室 （４）・・・プラズマ発生装置 （４ａ）
（４ａ）・・・半円筒形部材 （７）・・・駆動手段（
８）・・・間 隙 ＯＪ・・・移動台 ＣＤ・・・
回転装置特許出願人 日本真空技術株式会社
Claims (1)
- Ａ１ドラムその他の円筒状金属サブストレートをＳｉＨ
４その他のガスを導入した真空処理室内に回転自在に収
容し、該ガスを円筒形のプラズマ発生装置により励起お
よび電離して反応を起さしめ、その生成物を該サブスト
レートの周面に耐着させて薄膜を形成する式のものに於
て、該プラズマ発生装置を左右に分割され且つ油圧シリ
ンダその他の駆動手段で互に離反する１対の略半円筒形
部材にて構成し、該サブストレートをこれに回転を与え
る回転装置を備え且つ前記早目筒形部材の離反により生
ずる間隙を介して該プラズマ発生装置の内外に移動させ
る移動台に取付して成るプラズマＣＩＶＤ装箇。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181383A JPS5970766A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181383A JPS5970766A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970766A true JPS5970766A (ja) | 1984-04-21 |
| JPS6153430B2 JPS6153430B2 (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=16099766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181383A Granted JPS5970766A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970766A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131510A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の成膜方法 |
| EP0188207A2 (en) * | 1985-01-17 | 1986-07-23 | International Business Machines Corporation | System for generating uniform gas flow in a plasma reactor chamber |
| EP0188208A2 (en) * | 1985-01-17 | 1986-07-23 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor chamber |
| US5021138A (en) * | 1985-01-17 | 1991-06-04 | Babu Suryadevara V | Side source center sink plasma reactor |
| WO2006056091A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-06-01 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Vacuum processing chamber for very large area substrates |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP57181383A patent/JPS5970766A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131510A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の成膜方法 |
| JPH034623B2 (ja) * | 1983-01-17 | 1991-01-23 | Zenko Hirose | |
| EP0188207A2 (en) * | 1985-01-17 | 1986-07-23 | International Business Machines Corporation | System for generating uniform gas flow in a plasma reactor chamber |
| EP0188208A2 (en) * | 1985-01-17 | 1986-07-23 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor chamber |
| EP0188208A3 (en) * | 1985-01-17 | 1987-09-30 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor chamber |
| US5021138A (en) * | 1985-01-17 | 1991-06-04 | Babu Suryadevara V | Side source center sink plasma reactor |
| WO2006056091A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-06-01 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Vacuum processing chamber for very large area substrates |
| EP1953794A1 (en) * | 2004-11-24 | 2008-08-06 | OC Oerlikon Balzers AG | Vacuum processing chamber for very large area substrates |
| AU2005309226B2 (en) * | 2004-11-24 | 2010-06-03 | Oerlikon Solar Ag, Truebbach | Vacuum processing chamber for very large area substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153430B2 (ja) | 1986-11-18 |
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