JP2000054131A - 真空室内の基板をコ―ティングするための装置 - Google Patents
真空室内の基板をコ―ティングするための装置Info
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- JP2000054131A JP2000054131A JP11219225A JP21922599A JP2000054131A JP 2000054131 A JP2000054131 A JP 2000054131A JP 11219225 A JP11219225 A JP 11219225A JP 21922599 A JP21922599 A JP 21922599A JP 2000054131 A JP2000054131 A JP 2000054131A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に、たとえばめがねレンズのような球面状
に成形された基板に層を連続的なプロセスで種々異なっ
た形式のコーティング源を用いて層の厚さの均一性の特
に高い状態でコーティングできるようにする。 【解決手段】 ２つの真空室３，４が互いに直接隣接し
て設けられており、両真空室３，４内にはそれぞれ、回
転可能な基板支持体または搬送アーム１５，１６が支承
されており、両搬送アーム１５，１６の回転軸Ａ，Ｂが
互いに平行に延びており、両搬送アーム１５，１６の搬
送平面が互いに同列を成しており、両真空室３，４の分
離領域には両搬送アーム１５，１６と協動する引き渡し
装置５を備えたスルースゲートが設けられており、１つ
の真空室３が供給・および取り出しステーション８，９
を有しているようにした。
に成形された基板に層を連続的なプロセスで種々異なっ
た形式のコーティング源を用いて層の厚さの均一性の特
に高い状態でコーティングできるようにする。 【解決手段】 ２つの真空室３，４が互いに直接隣接し
て設けられており、両真空室３，４内にはそれぞれ、回
転可能な基板支持体または搬送アーム１５，１６が支承
されており、両搬送アーム１５，１６の回転軸Ａ，Ｂが
互いに平行に延びており、両搬送アーム１５，１６の搬
送平面が互いに同列を成しており、両真空室３，４の分
離領域には両搬送アーム１５，１６と協動する引き渡し
装置５を備えたスルースゲートが設けられており、１つ
の真空室３が供給・および取り出しステーション８，９
を有しているようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空室内の基板を
コーティングするための装置であって、回転可能な基板
支持体と、少なくとも１つのコーティングステーション
と、供給・および取り出しステーションとが設けられて
いる形式のものに関する。
コーティングするための装置であって、回転可能な基板
支持体と、少なくとも１つのコーティングステーション
と、供給・および取り出しステーションとが設けられて
いる形式のものに関する。
【０００２】
【従来の技術】真空室内の基板をコーティングするため
の陰極スパッタ装置は公知（ドイツ連邦共和国特許出願
公開第３９１２２９５号明細書）であり、この真空室内
には回転する基板支持体が収容されていて、少なくとも
１つの陰極ステーション、供給ステーションおよび取り
出しステーションが設けられている。この場合に基板支
持体は少なくとも１つの搬送こてから成っており、この
搬送こては基板収容体（収容体）を有しており、この基
板収容体は、有利には陰極ステーションもしくは供給ス
テーションもしくは取り出しステーションの軸方向で運
動可能である。この場合に搬送こては、有利には円盤状
に形成された基板収容体とアームとから形成されてお
り、このアームは、スパッタ陰極の部分、供給ステーシ
ョンの部分、取り出しステーションの部分のような該装
置の、収容体と協動する部分に関して、この収容体が運
動中にこれらの部分に対して常に平行に方向付けられて
いるように、構成され、かつ配置されている。
の陰極スパッタ装置は公知（ドイツ連邦共和国特許出願
公開第３９１２２９５号明細書）であり、この真空室内
には回転する基板支持体が収容されていて、少なくとも
１つの陰極ステーション、供給ステーションおよび取り
出しステーションが設けられている。この場合に基板支
持体は少なくとも１つの搬送こてから成っており、この
搬送こては基板収容体（収容体）を有しており、この基
板収容体は、有利には陰極ステーションもしくは供給ス
テーションもしくは取り出しステーションの軸方向で運
動可能である。この場合に搬送こては、有利には円盤状
に形成された基板収容体とアームとから形成されてお
り、このアームは、スパッタ陰極の部分、供給ステーシ
ョンの部分、取り出しステーションの部分のような該装
置の、収容体と協動する部分に関して、この収容体が運
動中にこれらの部分に対して常に平行に方向付けられて
いるように、構成され、かつ配置されている。
【０００３】１つのまたは複数の搬送こてのために、陰
極スパッタ装置の中央には駆動装置が配置されていて、
この駆動装置は搬送こてを規定の角度だけステップ状に
陰極スパッタ装置の真空室内へさらに搬送させる。この
場合に陰極スパッタ装置の真空室は鉛直に配置されてお
り、搬送こては水平に配置された軸を中心にして回転す
る。
極スパッタ装置の中央には駆動装置が配置されていて、
この駆動装置は搬送こてを規定の角度だけステップ状に
陰極スパッタ装置の真空室内へさらに搬送させる。この
場合に陰極スパッタ装置の真空室は鉛直に配置されてお
り、搬送こては水平に配置された軸を中心にして回転す
る。
【０００４】特にこの公知の陰極スパッタ装置は、円盤
状の扁平なデータ記憶媒体をコーティングするのに適し
ており、これらのデータ記憶媒体は、真空室内で薄い多
数の層にコーティングされ、この場合にすべての層はス
パッタ法を用いてコーティングされている。
状の扁平なデータ記憶媒体をコーティングするのに適し
ており、これらのデータ記憶媒体は、真空室内で薄い多
数の層にコーティングされ、この場合にすべての層はス
パッタ法を用いてコーティングされている。
【０００５】さらに、主として扁平な加工物を、真空に
されたコーティング室へ導入および導出するための装置
と、加工物の表面を処理するために、この加工物をコー
ティング源の領域へ送りおよび戻すための装置とは公知
（ドイツ連邦共和国特許出願公開第３７１６４９８号明
細書）である。この場合にコーティング室の領域に配置
されたコーティング装置はキャップ状の、１つのまたは
複数の加工物支持体を有しており、この加工物支持体を
用いて加工物は、コーティング室の開放部に隣接する位
置へ運動可能であり、この位置から開放部は、一方では
加工物支持体によって閉鎖可能であり、他方では行程皿
によって閉鎖可能であり、この工程皿はコーティング室
の内部で回転可能に支承された回転皿上に保持され、か
つ案内されている。この場合に加工物支持体は、コーテ
ィング装置に支持されている行程シリンダによってコー
ティング室のカバー内の開放部へ圧着可能であり、行程
皿は底部プレートに固定された行程装置によって圧着可
能である。
されたコーティング室へ導入および導出するための装置
と、加工物の表面を処理するために、この加工物をコー
ティング源の領域へ送りおよび戻すための装置とは公知
（ドイツ連邦共和国特許出願公開第３７１６４９８号明
細書）である。この場合にコーティング室の領域に配置
されたコーティング装置はキャップ状の、１つのまたは
複数の加工物支持体を有しており、この加工物支持体を
用いて加工物は、コーティング室の開放部に隣接する位
置へ運動可能であり、この位置から開放部は、一方では
加工物支持体によって閉鎖可能であり、他方では行程皿
によって閉鎖可能であり、この工程皿はコーティング室
の内部で回転可能に支承された回転皿上に保持され、か
つ案内されている。この場合に加工物支持体は、コーテ
ィング装置に支持されている行程シリンダによってコー
ティング室のカバー内の開放部へ圧着可能であり、行程
皿は底部プレートに固定された行程装置によって圧着可
能である。
【０００６】この公知の装置は、スパッタ陰極を用いて
コーティングするためにだけ設けられていることもあ
る。
コーティングするためにだけ設けられていることもあ
る。
【０００７】さらに、搬送容器を１つの処理ステーショ
ンから次の処理ステーションへ搬送するフィード装置を
備えたクリーン室は公知（ドイツ連邦共和国特許出願公
開第３６０３５３８号明細書）であり、以下の特徴を有
している： −クリーン室が完全に封入可能であり、 −少なくとも１つの供給・および取り出し装置が、キャ
リアをスルースゲートを介してフィード装置の作業領域
へ搬送し、次いでキャリアをスルースゲートを介して取
り出し、 −フィード装置が軸を中心にして回転可能なキャリア支
持アームを有しており、 −処理ステーションが支持アームの旋回領域に配置され
ており、この場合に供給・および取り出し装置が、搬送
容器の間を遮蔽するための、少なくとも１つの回転ディ
スクを有している。
ンから次の処理ステーションへ搬送するフィード装置を
備えたクリーン室は公知（ドイツ連邦共和国特許出願公
開第３６０３５３８号明細書）であり、以下の特徴を有
している： −クリーン室が完全に封入可能であり、 −少なくとも１つの供給・および取り出し装置が、キャ
リアをスルースゲートを介してフィード装置の作業領域
へ搬送し、次いでキャリアをスルースゲートを介して取
り出し、 −フィード装置が軸を中心にして回転可能なキャリア支
持アームを有しており、 −処理ステーションが支持アームの旋回領域に配置され
ており、この場合に供給・および取り出し装置が、搬送
容器の間を遮蔽するための、少なくとも１つの回転ディ
スクを有している。
【０００８】最後に、光学レンズが、無色透明なプラス
チックと、基板上に直接ＳｉＯによってコーティングさ
れた第１層とから成っていることは公知（ドイツ連邦共
和国特許出願公開第４４３０３６３号明細書）であり、
この場合に第２層は、屈折値が１．４７（λ５５ナノメ
ートル）であるホウケイ酸ガラスから形成されており、
３ミクロン、有利には２５５０ナノメートルまでの厚さ
を有しており、第３層から第７層までは反射防止作用の
ためにＴｉＯ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３から形成されて
いる。このために、プラスチック基板上に薄い層を形成
するための装置には、プラスチック基板に対するプラズ
マ源と、少なくとも１つの蒸化器と、基板の上方に少な
くとも１つの環状磁石が設けられている。
チックと、基板上に直接ＳｉＯによってコーティングさ
れた第１層とから成っていることは公知（ドイツ連邦共
和国特許出願公開第４４３０３６３号明細書）であり、
この場合に第２層は、屈折値が１．４７（λ５５ナノメ
ートル）であるホウケイ酸ガラスから形成されており、
３ミクロン、有利には２５５０ナノメートルまでの厚さ
を有しており、第３層から第７層までは反射防止作用の
ためにＴｉＯ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３から形成されて
いる。このために、プラスチック基板上に薄い層を形成
するための装置には、プラスチック基板に対するプラズ
マ源と、少なくとも１つの蒸化器と、基板の上方に少な
くとも１つの環状磁石が設けられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、冒頭で述べた形式の真空室内の基板をコーティン
グするための装置を改良して、特に、たとえばめがねレ
ンズのような球面状に成形された基板に層を連続的なプ
ロセスで種々異なった形式のコーティング源を用いて層
の厚さの均一性の特に高い状態でコーティングできるよ
うにすることである。
題は、冒頭で述べた形式の真空室内の基板をコーティン
グするための装置を改良して、特に、たとえばめがねレ
ンズのような球面状に成形された基板に層を連続的なプ
ロセスで種々異なった形式のコーティング源を用いて層
の厚さの均一性の特に高い状態でコーティングできるよ
うにすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、２つの真空室が互いに直接隣接し
て設けられており、両真空室内にはそれぞれ、回転可能
な基板支持体または搬送アームが支承されており、両搬
送アームの回転軸が互いに平行に延びており、両搬送ア
ームの搬送平面が互いに同列を成しており、両真空室の
分離領域には両搬送アームと協動する引き渡し装置を備
えたスルースゲートが設けられており、１つの真空室が
供給・および取り出しステーションを有しているように
した。
に本発明の構成では、２つの真空室が互いに直接隣接し
て設けられており、両真空室内にはそれぞれ、回転可能
な基板支持体または搬送アームが支承されており、両搬
送アームの回転軸が互いに平行に延びており、両搬送ア
ームの搬送平面が互いに同列を成しており、両真空室の
分離領域には両搬送アームと協動する引き渡し装置を備
えたスルースゲートが設けられており、１つの真空室が
供給・および取り出しステーションを有しているように
した。
【００１１】本発明のさらなる詳細と特徴とは請求項２
以下に示されている。
以下に示されている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面につき詳しく説明する。
面につき詳しく説明する。
【００１３】真空室内の基板をコーティングするための
装置は、主として、互いに分離されているが、しかしな
がら直接隣接する２つの真空室３，４と、両真空室３，
４の分離領域に配置され、回転可能な搬送皿２０を有す
る基板引き渡し装置５と、第１の真空室３内に設けられ
た２つのＰＥＣＶＤ（プラズマＣＶＤ：ＰｌａｓｍａＥ
ｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）・源６，７、入口ロックテーショ
ン８および出口ロックテーション９と、第２の真空室４
内に配置された全部で５つのスパッタ源（スプレー源）
１０〜１４と、両真空室３，４内に支承され、それぞれ
鉛直な軸Ａ，Ｂを中心にして回転可能な搬送アーム１
５，１６とから成っており、これらの搬送アーム１５，
１６の自由端部には、基板１９，１９´を保持するため
のグリッパ１７，１８がそれぞれ取り付けられている。
装置は、主として、互いに分離されているが、しかしな
がら直接隣接する２つの真空室３，４と、両真空室３，
４の分離領域に配置され、回転可能な搬送皿２０を有す
る基板引き渡し装置５と、第１の真空室３内に設けられ
た２つのＰＥＣＶＤ（プラズマＣＶＤ：ＰｌａｓｍａＥ
ｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）・源６，７、入口ロックテーショ
ン８および出口ロックテーション９と、第２の真空室４
内に配置された全部で５つのスパッタ源（スプレー源）
１０〜１４と、両真空室３，４内に支承され、それぞれ
鉛直な軸Ａ，Ｂを中心にして回転可能な搬送アーム１
５，１６とから成っており、これらの搬送アーム１５，
１６の自由端部には、基板１９，１９´を保持するため
のグリッパ１７，１８がそれぞれ取り付けられている。
【００１４】図１に図示されているプロセス段階では、
基板１９が真空室３内へ導入されていて、搬送アーム１
５もしくはこの搬送アーム１５のグリッパ１７によって
受け取られ、同時にすでに第１段階のコーティングが施
された第２の基板１９´が、引き渡し装置５の領域に位
置していて、この領域において第２の基板１９´は、搬
送アーム１６もしくはこの搬送アーム１６のグリッパ１
８によって受け取られている。引き続くコーティングの
ために、まだ未処理の基板１９は今や、搬送アーム１５
によってステップ状にＰＥＣＶＤ・源６の領域へ搬送さ
れ、この基板１９は、あらかじめ規定された時間の間こ
の領域にとどまっているのに対して、同時に、前記同じ
時間内で基板１９´は、引き渡しステーション５の搬送
皿２０上の位置から搬送アーム１６の一様な搬送運動で
矢印ｂの方向にスパッタ源１０，１１を通過してスパッ
タ源１２の領域にまで運動させられる（図２）。コーテ
ィングプロセスの次の段階では基板１９は、ステップ状
に搬送皿２０上の図３に示す位置に運動させられ、そこ
でこの基板１９は、基板１９´がスパッタ源１２から搬
送皿２０へ運動するまでの規定された時間の間とどまっ
ている。コーティングプロセスの次の段階では、搬送皿
２０は矢印ｃの方向へ１８０゜だけ回転させられ、その
結果、両基板１９，１９´は回転皿２０上で互いの位置
を交換し、次いで基板１９´はさらに１つの搬送ステッ
プでＰＥＣＶＤ・源７上に位置決めされているのに対し
て、基板１９は、矢印ｂの方向でスパッタ源１２上にま
で一様に旋回させられる。コーティングプロセスの、図
５に図示されている次の段階では、完全にコーティング
された基板１９´は出口ロックテーション９に到達し、
これに対して６回のコーティングが施された基板１９は
回転皿２０上の所定の位置に到達する。明らかなよう
に、前に述べたプロセス経過は、７つの層で完全にコー
ティングされた基板１９，１９´が導出されるのと同時
に、まだコーティングされていない他の１つの基板１９
´´，１９´´´がステーション８を介して真空室３内
に導入されるように規定されており、したがって連続的
に働くプロセス経過が得られる。
基板１９が真空室３内へ導入されていて、搬送アーム１
５もしくはこの搬送アーム１５のグリッパ１７によって
受け取られ、同時にすでに第１段階のコーティングが施
された第２の基板１９´が、引き渡し装置５の領域に位
置していて、この領域において第２の基板１９´は、搬
送アーム１６もしくはこの搬送アーム１６のグリッパ１
８によって受け取られている。引き続くコーティングの
ために、まだ未処理の基板１９は今や、搬送アーム１５
によってステップ状にＰＥＣＶＤ・源６の領域へ搬送さ
れ、この基板１９は、あらかじめ規定された時間の間こ
の領域にとどまっているのに対して、同時に、前記同じ
時間内で基板１９´は、引き渡しステーション５の搬送
皿２０上の位置から搬送アーム１６の一様な搬送運動で
矢印ｂの方向にスパッタ源１０，１１を通過してスパッ
タ源１２の領域にまで運動させられる（図２）。コーテ
ィングプロセスの次の段階では基板１９は、ステップ状
に搬送皿２０上の図３に示す位置に運動させられ、そこ
でこの基板１９は、基板１９´がスパッタ源１２から搬
送皿２０へ運動するまでの規定された時間の間とどまっ
ている。コーティングプロセスの次の段階では、搬送皿
２０は矢印ｃの方向へ１８０゜だけ回転させられ、その
結果、両基板１９，１９´は回転皿２０上で互いの位置
を交換し、次いで基板１９´はさらに１つの搬送ステッ
プでＰＥＣＶＤ・源７上に位置決めされているのに対し
て、基板１９は、矢印ｂの方向でスパッタ源１２上にま
で一様に旋回させられる。コーティングプロセスの、図
５に図示されている次の段階では、完全にコーティング
された基板１９´は出口ロックテーション９に到達し、
これに対して６回のコーティングが施された基板１９は
回転皿２０上の所定の位置に到達する。明らかなよう
に、前に述べたプロセス経過は、７つの層で完全にコー
ティングされた基板１９，１９´が導出されるのと同時
に、まだコーティングされていない他の１つの基板１９
´´，１９´´´がステーション８を介して真空室３内
に導入されるように規定されており、したがって連続的
に働くプロセス経過が得られる。
【００１５】真空室３内に送り込まれるプロセスガス
は、たとえばＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）
および酸素／窒素であってよく、この場合にＰＥＣＶＤ
・源６で形成される層は掻き傷保護層であり、 ＰＥＣ
ＶＤ・源７で形成される層は撥水層であり、このために
両ＰＥＣＶＤ・源６，７はそれぞれＲ．Ｆ．電流供給部
に接続されている。
は、たとえばＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）
および酸素／窒素であってよく、この場合にＰＥＣＶＤ
・源６で形成される層は掻き傷保護層であり、 ＰＥＣ
ＶＤ・源７で形成される層は撥水層であり、このために
両ＰＥＣＶＤ・源６，７はそれぞれＲ．Ｆ．電流供給部
に接続されている。
【００１６】真空室４内に配置されたスパッタ源１０〜
１４は、反応性の層（たとえば二酸化チタン、二酸化珪
素）をコーティングするための、金属性のターゲットを
備えた陰極であり、このためにプロセスガスは、たとえ
ば酸素およびアルゴンであってよい。
１４は、反応性の層（たとえば二酸化チタン、二酸化珪
素）をコーティングするための、金属性のターゲットを
備えた陰極であり、このためにプロセスガスは、たとえ
ば酸素およびアルゴンであってよい。
【００１７】図１〜図５から分かるように、両搬送アー
ム１５，１６および搬送皿２０を駆動するモータは、基
板１９，１９´がそれぞれ、スパッタ源１０〜１４の各
１つの領域よりも長い時間、両ＰＥＣＶＤ・源６，７の
領域にとどまるように調和して作動するようになってお
り、このために搬送アーム１５は急激にまたはステップ
状に運動し、これによって静的なコーティングを可能に
するのに対して、搬送アーム１６は連続的に回転し、こ
れによって動的なコーティングを可能にする。
ム１５，１６および搬送皿２０を駆動するモータは、基
板１９，１９´がそれぞれ、スパッタ源１０〜１４の各
１つの領域よりも長い時間、両ＰＥＣＶＤ・源６，７の
領域にとどまるように調和して作動するようになってお
り、このために搬送アーム１５は急激にまたはステップ
状に運動し、これによって静的なコーティングを可能に
するのに対して、搬送アーム１６は連続的に回転し、こ
れによって動的なコーティングを可能にする。
【００１８】真空室４内の種々異なった、全部で５つの
コーティング源１０〜１４の代わりに、たとえば（例と
して高屈折層および低屈折層を形成するために）コーテ
ィング源は２つだけでもよく、このために回転する部
分、つまり両搬送アーム１５，１６もしくは搬送皿２０
が相応に同調されていることは、明らかである。
コーティング源１０〜１４の代わりに、たとえば（例と
して高屈折層および低屈折層を形成するために）コーテ
ィング源は２つだけでもよく、このために回転する部
分、つまり両搬送アーム１５，１６もしくは搬送皿２０
が相応に同調されていることは、明らかである。
【００１９】真空室３の両ＰＥＣＶＤ・源６，７の運転
にとって、種々異なった圧力および／またはプロセスガ
スを必要とする場合に、基板グリッパ１７を備えた搬送
アーム１５を通過させるための、間隙スルースゲートが
設けられた薄い薄板片の形状をした隔壁２３をこの真空
室３内に組み込むことができる。隔壁２３は図１に破線
で示されている。
にとって、種々異なった圧力および／またはプロセスガ
スを必要とする場合に、基板グリッパ１７を備えた搬送
アーム１５を通過させるための、間隙スルースゲートが
設けられた薄い薄板片の形状をした隔壁２３をこの真空
室３内に組み込むことができる。隔壁２３は図１に破線
で示されている。
【図１】コーティングプロセスの第１段階を示す平面図
である。
である。
【図２】コーティングプロセスの第２段階を示す平面図
である。
である。
【図３】コーティングプロセスの第３段階を示す平面図
である。
である。
【図４】コーティングプロセスの第４段階を示す平面図
である。
である。
【図５】コーティングプロセスの第５段階を示す平面図
である。
である。
３，４ 真空室、 ５ 基板引き渡し装置、 ６，７
ＰＥＣＶＤ・源、 ８入口ロックステーション、 ９
出口ロックステーション、 １０〜１４ スパッタ源、
１５，１６ 搬送アーム、 １７，１８ 基板グリッ
パ、 １９，１９´ 基板、 ２０ 搬送皿、 ２１，
２２ 基板ホルダ、 ２３ 隔壁
ＰＥＣＶＤ・源、 ８入口ロックステーション、 ９
出口ロックステーション、 １０〜１４ スパッタ源、
１５，１６ 搬送アーム、 １７，１８ 基板グリッ
パ、 １９，１９´ 基板、 ２０ 搬送皿、 ２１，
２２ 基板ホルダ、 ２３ 隔壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス−ゲオルク ロッツ ドイツ連邦共和国 グリューンダウ ヒュ ーナーベルク ９アー (72)発明者 ヨッヘン シュナイダー ドイツ連邦共和国 メッセル アム ヴィ ルトパルク ６ (72)発明者 アルフォンス ツェラー ドイツ連邦共和国 バート ゾーデン−ザ ールミュンスター ケッテラー シュトラ ーセ 24 (72)発明者 ハルロ ハーゲドルン ドイツ連邦共和国 フランクフルト アン デア ヴォルフスヴァイデ 24 (72)発明者 ミヒャエル ケーニッヒ ドイツ連邦共和国 フランクフルト ザー ルブリュッカー シュトラーセ ５ (72)発明者 ユルゲン マイネル ドイツ連邦共和国 ランゲン テーオドー ル−ホイス−シュトラーセ 72 (72)発明者 ゲッツ テシュナー ドイツ連邦共和国 ドレスデン フローリ アン−ガイヤー−シュトラーセ 18
Claims (4)
- 【請求項１】 真空室内の基板をコーティングするため
の装置であって、回転可能な基板支持体（１５，１６，
２０）と、少なくとも１つのコーティングステーション
（６，７，１０〜１４）と、供給・および取り出しステ
ーション（８，９）とが設けられている形式のものにお
いて、 ２つの真空室（３，４）が互いに直接隣接して設けられ
ており、両真空室（３，４）内にはそれぞれ、回転可能
な基板支持体または搬送アーム（１５，１６）が支承さ
れており、両搬送アーム（１５，１６）の回転軸（Ａ，
Ｂ）が互いに平行に延びており、両搬送アーム（１５，
１６）の搬送平面が互いに同列を成しており、両真空室
（３，４）の分離領域には両搬送アーム（１５，１６）
と協動する引き渡し装置（５）を備えたスルースゲート
が設けられており、１つの真空室（３）が供給・および
取り出しステーション（８，９）を有していることを特
徴とする、真空室内の基板をコーティングするための装
置。 - 【請求項２】 引き渡し装置（５）が、少なくとも２つ
の基板支持箇所または基板ホルダ（２１，２２）を備え
た、モータで駆動される回転皿（２０）を有しており、
これらの基板支持箇所または基板ホルダ（２１，２２）
が、１つの平面内で搬送アーム（１５，１６）のグリッ
パ（１７，１８）と一緒に回転可能であり、搬送皿（２
０）が、両真空室（３，４）内へそれぞれほぼ半分突入
しており、隣接する室壁に対して間隙スルースゲートを
用いてシールされている、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 １つのまたは両方の真空室（３，４）
が、ガスを分離するために隔壁（２３）を有しており、
この隔壁（２３）がプロセス室（３，４）を分割してい
て、それぞれ、搬送アーム（１５，１６）を通過させる
ためにこの搬送アーム（１５，１６）の回転平面内に間
隙スルースゲートを有している、請求項１または２記載
の装置。 - 【請求項４】 搬送アーム（１５，１６）と搬送皿（２
０）とがモータ伝動装置ユニットによって駆動されてお
り、一方の搬送アーム（１５）のための軸（Ａ）と搬送
皿（２０）の軸（Ｃ）とがステップ状に回転し、他方の
搬送アーム（１６）の軸（Ｂ）が連続的に回転する、請
求項１または２記載の装置。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005111263A1 (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Shibaura Mechatronics Corporation | 真空処理装置 |
| JP2012507634A (ja) * | 2008-11-06 | 2012-03-29 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | テストガラス変動システム |
| CN108179397A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-19 | 温州职业技术学院 | 并行周向连续式等离子体镀膜装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6336999B1 (en) | 2000-10-11 | 2002-01-08 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Apparatus for sputter-coating glass and corresponding method |
| JP2003113466A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-04-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着装置 |
| US20030185973A1 (en) * | 2002-03-30 | 2003-10-02 | Crawley Richard L. | Water vapor plasma method of increasing the surface energy of a surface |
| DE10215040B4 (de) * | 2002-04-05 | 2019-02-21 | Leybold Optics Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Be- und Entladen einer Vakuumkammer |
| DE10323295B4 (de) * | 2003-05-21 | 2009-04-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Substraten |
| US20050205210A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-09-22 | Devine Daniel J | Advanced multi-pressure workpiece processing |
| JP4653418B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2011-03-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 真空処理装置および光ディスクの製造方法 |
| US7462011B2 (en) * | 2004-08-12 | 2008-12-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, sealed container storing apparatus, program for implementing the substrate processing method, and storage medium storing the program |
| DE102004044357B4 (de) * | 2004-09-14 | 2007-09-20 | Eisenlohr, Jörg | Vorrichtung zur Durchführung der Oberflächenbehandlung von Bauteilen in der Plasmatechnik |
| US20060251499A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Lunday Andrew P | Linear substrate delivery system with intermediate carousel |
| KR20080027391A (ko) * | 2005-07-14 | 2008-03-26 | 나노넥서스, 인코포레이티드 | 스퍼터된 막들에서 제어된 응력 및 응력 구배를 생성하는방법 및 장치 |
| US8215473B2 (en) * | 2008-05-21 | 2012-07-10 | Applied Materials, Inc. | Next generation screen printing system |
| US8870513B2 (en) * | 2009-03-18 | 2014-10-28 | Oerlikon Advanced Technologies Ag | Vacuum treatment apparatus |
| PL2251453T3 (pl) * | 2009-05-13 | 2014-05-30 | Sio2 Medical Products Inc | Uchwyt na pojemnik |
| EP2641665A1 (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-25 | Deceuninck NV | Multi-step process for fully coloured construction elements |
| CN115407432B (zh) * | 2022-08-29 | 2023-12-22 | 歌尔光学科技有限公司 | 一种真空镀膜系统 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169966A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-10 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| DE3827343A1 (de) * | 1988-08-12 | 1990-02-15 | Leybold Ag | Vorrichtung nach dem karussel-prinzip zum beschichten von substraten |
| DE3735284A1 (de) * | 1987-10-17 | 1989-04-27 | Leybold Ag | Vorrichtung nach dem karussell-prinzip zum beschichten von substraten |
| US5310410A (en) * | 1990-04-06 | 1994-05-10 | Sputtered Films, Inc. | Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus |
| US5482607A (en) * | 1992-09-21 | 1996-01-09 | Nissin Electric Co., Ltd. | Film forming apparatus |
| DE4232959C2 (de) * | 1992-10-01 | 2001-05-10 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen scheibenförmiger Substrate |
| DE4340522A1 (de) * | 1993-11-29 | 1995-06-01 | Leybold Ag | Vorrichtung und Verfahren zum schrittweisen und automatischen Be- und Entladen einer Beschichtungsanlage |
| JP2665202B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1997-10-22 | 九州日本電気株式会社 | 半導体ウェハ処理装置 |
| US5830272A (en) * | 1995-11-07 | 1998-11-03 | Sputtered Films, Inc. | System for and method of providing a controlled deposition on wafers |
-
1998
- 1998-08-04 DE DE19835154A patent/DE19835154A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-05-28 DE DE59901173T patent/DE59901173D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-28 EP EP99110375A patent/EP0984076B1/de not_active Expired - Lifetime
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- 1999-08-04 US US09/366,971 patent/US6241824B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005111263A1 (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Shibaura Mechatronics Corporation | 真空処理装置 |
| KR100832212B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2008-05-23 | 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 | 진공 처리 장치 |
| US8506774B2 (en) | 2004-05-17 | 2013-08-13 | Shibaura Mechatronics Corporation | Vacuum processing device |
| JP2012507634A (ja) * | 2008-11-06 | 2012-03-29 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | テストガラス変動システム |
| CN108179397A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-19 | 温州职业技术学院 | 并行周向连续式等离子体镀膜装置 |
| CN108179397B (zh) * | 2018-01-09 | 2020-02-14 | 温州职业技术学院 | 并行周向连续式等离子体镀膜装置 |
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