CN108070841A - 连续镀膜系统及其方法 - Google Patents

Abstract

一种连续镀膜系统及其方法，其中，所述连续镀膜系统包括：多个镀膜腔体单元，每个镀膜腔体单元包括第一缓冲腔、镀膜工艺腔和第二缓冲腔，镀膜工艺腔能够采用多种镀膜工艺；传输装置，用于传输多个携带基板的基板架，使多个基板架依次通过镀膜腔体单元；控制装置，用于按照生产节拍控制镀膜工艺腔对基板进行镀膜、以及控制传输装置传输多个基板架；生产节拍包括第一时间段和第二时间段，在第一时间段，对镀膜工艺腔内的基板镀膜，在第二时间段内，在静态或扫描镀膜工艺流程下镀膜工艺腔停止镀膜，且以第一传输速度将基板架传输预设距离，或者在第二时间段内，在动态镀膜工艺流程下控制镀膜工艺腔连续镀膜，及将基板架匀速地传输预设距离。

Description

连续镀膜系统及其方法

技术领域

本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及一种连续镀膜系统及其方法。

背景技术

真空镀膜一般采用三种方式：动态镀膜、静态镀膜和扫描镀膜。

动态镀膜是一种在线连续镀膜的方式，即玻璃基板以一个固定的速度匀速地通过镀膜生产线，在经过镀膜工艺腔室时，玻璃基板匀速地通过镀膜源，镀膜源材料会通过以下方法但不限于等离子体溅射、物理气相沉积、化学气相沉积、热蒸发等沉积在匀速运动的基板上。

群组连续镀膜通常采用静态镀膜的方式，即镀膜工艺腔室围绕机械手排布，基板通过机械手依次送入不同真空工艺腔体，基板一般保持水平状态，进入镀膜腔室后玻璃基板保持静止状态，镀膜源材材料会通过以下方法但不限于等离子体溅射、物理气相沉积、化学气相沉积、热蒸发等沉积在静止的基板上，完成镀膜步骤后，机械手把基板传递到下一个工艺腔体进行不同材料的镀膜。

扫描镀膜是指基板在镀膜工艺腔体小范围距离内以一定速度往返扫描，镀膜源材料会通过以下方法但不限于等离子体溅射、物理气相沉积、化学气相沉积、热蒸发等沉积在往返扫描的基板上。

上述镀膜工艺中具体采用哪种方式，通常需要根据所需镀的膜层器件物理特性决定，而形成器件过程中需要完成多层镀膜，不同的膜层需要采用不同种镀膜工艺，然而现有技术中，镀膜生产线通常只采用单一的静态镀膜或者单一的动态镀膜工艺，无法在一条生产线上同时实现多种不同的镀膜工艺流程，因此需要一种将多种镀膜工艺集成于一条生产线、又不影响生产节拍的在线连续镀膜的方法。

发明内容

由背景技术可知，动态镀膜、静态镀膜和扫描镀膜在镀膜工艺中具有广泛的应用，经发明人研究发现，这三种镀膜工艺各有优缺点。

在线式动态镀膜的优点在于：镀膜均匀度好，可以连续镀不同的材料。动态镀膜的缺点在于：玻璃基板通过磁控溅射工艺腔体时，由于基板架可能与磁导轨发生碰撞运动，在真空中会造成粉尘下落，从而造成等离子体的不稳定性及靶材打弧问题，镀膜的膜层均匀度及膜层表面洁净度由于打弧问题而大幅度下降；同时，为了满足一定的镀膜膜层厚度，对于动态镀膜速率相对比较小的材料，一个镀膜工艺室不能满足膜厚的要求，需要多个镀膜工艺室，镀膜生产线的长度因此而增加，设备前期投资额提高，厂房的面积也相应增大，运行成本大幅度提高。

群组式静态镀膜的优点在于能够减小镀膜期间的灰尘及静电损伤问题，缺点在于：真空机械手价格昂贵，尤其是对大尺寸玻璃基板的传送，成本较高；此外，传统的群组式静态镀膜系统一般是水平式的，玻璃基板在传送时保持水平方式，灰尘会掉落在玻璃基板表面，造成产品良率低等问题，为了避免玻璃基板表面落尘，需要采用垂直式的静态镀膜系统。

为了克服上述静态镀膜和动态镀膜各自所具备的优缺点，本发明人意识到，一种合理的选择是对于需要镀不同膜层的器件，设计一条能够同时实现多种镀膜工艺流程的生产线，生产线中的每个镀膜工艺腔配备有能够采用多种镀膜工艺镀膜的镀膜源装置，所述生产线根据具体产品的需要，变更每个镀膜工艺腔的工艺方法，以完成相应膜层的最佳镀膜。例如，镀电子器件的膜层时，为了防止静电损伤，镀膜工艺腔可以采用静态镀膜工艺；而镀光学膜层时，为了提高均匀度，镀膜工艺腔可以采用动态镀膜工艺。

本发明解决的技术问题是提供一种连续镀膜系统，同时实现多种镀膜工艺。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种连续镀膜系统，包括：多个镀膜腔体单元，每个镀膜腔体单元包括镀膜工艺腔，所述镀膜工艺腔能够采用多种镀膜工艺流程进行镀膜，所述多种镀膜工艺流程包括动态镀膜、静态镀膜或扫描镀膜；传输装置，用于传输多个基板依次通过所述多个镀膜腔体单元；控制装置，用于按照生产节拍控制所述多个镀膜工艺腔对所述多个基板进行镀膜、以及控制所述传输装置传输所述多个基板。

可选地，所述每个镀膜腔体单元还包括第一缓冲腔和第二缓冲腔，所述第一缓冲腔、镀膜工艺腔和第二缓冲腔顺序连接。

可选地，所述生产节拍是所述基板在相邻两个真空腔体之间的时间间隔，所述生产节拍包括第一时间段和第二时间段，所述控制装置还用于：在所述第一时间段内，控制每个镀膜工艺腔对位于其中的基板进行镀膜；在所述第二时间段内，在所述静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，控制所述镀膜工艺腔停止镀膜，并且控制所述传输装置能够以第一传输速度将所述多个基板同时传输预设距离，或者在所述第二时间段内，在所述动态镀膜工艺流程下，控制所述镀膜工艺腔连续镀膜，同时控制所述传输装置将所述多个基板匀速地传输预设距离。

可选地，所述真空腔体包括镀膜工艺腔、缓冲腔或隔离腔。

可选地，所述多个镀膜腔体单元采用相同的镀膜工艺流程或者不同的镀膜工艺流程。

可选地，还包括位于相邻的两个镀膜腔体单元第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元之间的隔离腔，所述隔离腔的一端与所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔相连接，所述隔离腔的另一端与所述第二镀膜腔体单元的第一缓冲腔相连接。

可选地，所述隔离腔的两端设置有真空隔离阀，分别用于将所述隔离腔与所述第一镀膜腔体单元、以及将所述隔离腔与所述第二镀膜腔体单元进行真空隔离。

可选地，所述隔离腔外部设置有与所述隔离腔相连通的抽真空装置和工艺气体充气装置。

可选地，所述第一镀膜腔体单元采用第一镀膜工艺气体，所述第二镀膜腔体单元采用第二镀膜工艺气体，所述工艺气体充气装置用于向所述隔离腔内充入惰性气体、所述第一镀膜工艺气体或者所述第二镀膜工艺气体。

可选地，所述镀膜腔体单元采用动态镀膜工艺流程，所述控制装置还用于：在所述第一时间段内，控制所述传输装置以第二传输速度传输所述基板，使所述基板匀速地通过所述镀膜工艺腔，与此同时，控制所述镀膜工艺腔对位于其内的基板连续地镀膜；在所述第二时间段内，控制所述传输装置以所述第二传输速度传输所述多个基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，所述第一缓冲腔内的基板以所述第二传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔。

可选地，所述镀膜腔体单元采用静态镀膜工艺流程，所述控制装置还用于：在所述第一时间段内，控制所述传输装置使所述镀膜工艺腔内的基板保持静止，与此同时控制所述镀膜工艺腔对位于其内的基板镀膜；在所述第二时间段内，控制所述传输装置以所述第一传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，所述第一缓冲腔内的基板以所述第一传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔。

可选地，所述镀膜腔体单元采用扫描镀膜工艺流程，所述控制装置用于：在所述第一时间段内，控制所述传输装置使所述镀膜工艺腔内的基板在所述镀膜工艺腔内以第三传输速度往返扫描移动，与此同时控制所述镀膜工艺腔对位于其内的基板镀膜；在所述第二时间段内，控制所述传输装置以所述第一传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，所述第一缓冲腔内的基板以所述第一传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔。

可选地，所述第一传输速度为0.1m/min～15m/min，所述第二传输速度为0.1m/min～15m/min，所述第三传输速度为0.1m/min～15m/min。

可选地，所述控制装置还用于：在一个生产节拍的第一时间段，控制所述传输装置将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以第四传输速度加速传输至所述隔离腔，所述基板加速传输的时间为第三时间段，所述基板进入所述隔离腔后，所述隔离腔关闭所述真空隔离阀，所述隔离腔内的气体由所述第一镀膜工艺气体更换为所述第二镀膜工艺气体，所述基板在所述隔离腔内保持静止至当前生产节拍的第二时间段结束；在下一个生产节拍的第一时间段，在所述动态镀膜或静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，控制所述传输装置将所述隔离腔内的基板以所述第四传输速度加速传输至所述第二镀膜腔体单元的第一缓冲腔，所述基板加速传输的时间为所述第三时间段。

可选地，所述第三时间段占所述第一时间段的1％至50％。

可选地，所述第四传输速度为1m/min～25m/min。

可选地，所述每个镀膜腔体单元的第一缓冲腔和镀膜工艺腔之间、所述每个镀膜腔体单元的镀膜工艺腔和第二缓冲腔之间、以及相邻两个镀膜腔体单元之间均通过真空通道相连通。

可选地，所述镀膜工艺腔内设置有对所述基板表面沉积镀膜的镀膜源。

可选地，所述基板架可以沿竖直方向或者沿与水平面成一定夹角方向设置，所述镀膜源与所述基板架平行。

可选地，还包括进料腔和出料腔，所述进料腔、所述多个镀膜腔体单元、和所述出料腔顺序连接。

可选地，所述进料腔包括顺序连接的低真空腔体和高真空腔体，所述出料腔包括顺序连接的高真空腔体和低真空腔体，所述低真空腔体设置有用于基板进出的进口或出口。

可选地，所述生产节拍是所述基板在所述连续镀膜系统中所有相邻的两个真空腔体之间的时间间隔的最大值。

可选地，所述多个基板位于多个基板架上，所述传输装置通过传输所述多个基板架携带所述多个基板移动。

相应地，本发明实施例还提供一种连续镀膜的方法，包括：提供多个镀膜腔体单元，每个镀膜腔体单元包括镀膜工艺腔，所述镀膜工艺腔能够采用多种镀膜工艺流程进行镀膜，所述多种镀膜工艺流程包括动态镀膜、静态镀膜和扫描镀膜；按照生产节拍控制传输装置传输多个基板依次通过所述多个镀膜腔体单元；按照生产节拍控制所述多个镀膜工艺腔对所述多个基板进行镀膜。

可选地，所述生产节拍是所述基板在相邻两个真空腔体之间的时间间隔，包括第一时间段和第二时间段，所述方法还包括：在所述第一时间段内，对位于每个镀膜工艺腔中的基板进行镀膜；在所述第二时间段内，在所述静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，停止对所述镀膜工艺腔中的基板镀膜，并且以第一传输速度将所述多个基板同时传输预设距离，或者在所述第二时间段内，在所述动态镀膜工艺流程下，对位于所述镀膜工艺腔内的基板连续镀膜，同时将所述多个基板匀速地传输预设距离。

可选地，还包括采用以下三种镀膜工艺流程中的任何一种进行镀膜：在动态镀膜工艺流程下，在所述第一时间段内，以第二传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地通过所述镀膜工艺腔，与此同时，对位于所述镀膜工艺腔内的基板连续地镀膜，在所述第二时间段内，以所述第二传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，使所述第一缓冲腔内的基板以所述第二传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔；在静态镀膜工艺流程下，在所述第一时间段内，使所述镀膜工艺腔内的基板保持静止，与此同时，对所述镀膜工艺腔内的基板镀膜，在所述第二时间段内，以所述第一传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，使所述第一缓冲腔内的基板以所述第一传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔；在扫描镀膜工艺流程下，在所述第一时间段内，使所述镀膜工艺腔内的基板以第三传输速度往返扫描移动，与此同时，对所述镀膜工艺腔内的基板镀膜，在所述第二时间段内，以所述第一传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，使所述第一缓冲腔内的基板以所述第一传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔。

可选地，所述每个镀膜腔体单元还包括顺序连接的第一缓冲腔、镀膜工艺腔和第二缓冲腔，相邻的两个镀膜腔体单元第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元之间设置有隔离腔，所述方法还包括：在一个生产节拍的第一时间段，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以第四传输速度加速传输至所述隔离腔，所述基板加速传输的时间为第三时间段，所述基板进入所述隔离腔后，所述基板在所述隔离腔内保持静止至当前生产节拍的第二时间段结束；在下一个生产节拍的第一时间段，在所述动态镀膜或静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，将所述隔离腔内的基板以所述第四传输速度加速传输至所述第二镀膜腔体单元的第一缓冲腔，所述基板加速传输的时间为所述第三时间段。

可选地，所述第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元分别采用第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体，在所述第一时间段内，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板传输至所述隔离腔的方法包括：对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入第一镀膜工艺气体；打开所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与隔离腔之间的真空隔离阀，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以第四传输速度加速传输至所述隔离腔；关闭所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与隔离腔之间的真空隔离阀，对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入第二镀膜工艺气体。

可选地，所述第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元分别采用第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体，在所述第一时间段内，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板传输至所述隔离腔的方法包括：对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入惰性气体；打开第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与所述隔离腔之间的真空隔离阀，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以所述第四传输速度加速传输至所述隔离腔；关闭所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与所述隔离腔之间的真空隔离阀，对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入第二镀膜工艺气体。

可选地，所述第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元分别采用第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体，在所述第一时间段内，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板传输至所述隔离腔的方法包括：对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入惰性气体；打开所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与所述隔离腔之间的真空隔离阀，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以所述第四传输速度加速传输到所述隔离腔；关闭所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与所述隔离腔之间的真空隔离阀。

可选地，所述第一时间段为1分钟～10分钟，所述第二时间段为5秒～10分钟。

可选地，所述第三时间段为1秒～5分钟。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明实施例的连续镀膜系统及其方法，通过顺序连接的第一缓冲腔、镀膜工艺腔和第二缓冲腔组成的多个镀膜腔体单元，其中每个镀膜腔体单元可以根据产品器件的电学、光学的不同要求采用多种镀膜工艺流程中的任何一种，所述传输装置传输多个基板架依次通过多个镀膜腔体单元，控制装置按照生产节拍控制所述连续镀膜系统对所述多个基板架上的基板镀膜，能够在一条生产线上以相同的生产节拍同时实现多种镀膜工艺；由于相邻两个镀膜腔体单元的镀膜工艺腔之间通过一个第二缓冲腔和一个第一缓冲腔相连接，一方面保证生产节拍不受影响，另一方面降低了相邻的镀膜工艺腔之间工艺气氛的交换，减小相邻镀膜腔体单元之间的不同工艺气体间的相互干扰。

本发明实施例的连续镀膜系统及其方法，能够以不同的镀膜工艺在线连续地生产不同的膜层，对于关键膜层，尤其是对粉尘和静电敏感的膜层，采用静态镀膜方式，避免粉尘问题及等离子体非稳定性问题，提高膜层的镀膜质量；而对于均匀度敏感的膜层，可以采用往返扫描镀膜方式，解决了不同靶材位置的膜层均匀度不佳的问题，提高产品良率。

进一步地，所述连续镀膜系统还包括位于相邻两个镀膜腔体单元之间的隔离腔，所述镀膜工艺腔内的基板在镀膜的同时，前一个镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板加速进入所述隔离腔，保证生产节拍不会降低；并且确保每次隔离阀打开时，所述隔离腔都更换为与其连通的镀膜工艺腔内相同的工艺气体或者惰性气体，从而避免了基板在相邻两个镀膜腔体单元之间传输的过程中，相邻镀膜腔体单元之间发生工艺气体的交换，加强了镀膜腔体单元之间的气氛隔离效果。

进一步地，所述镀膜工艺腔的基板架和镀膜源可以保持垂直或略微倾斜一定角度的平行排列的方式，避免了粉尘直接掉落在基板表面，提高了基板表面的洁净度和膜层的均匀度。

附图说明

图1是本发明一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图；

图2是本发明一个实施例的连续镀膜系统的生产节拍的时间波形图；

图3是本发明另一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图；

图4是本发明另一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图；

图5是本发明另一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图；

图6是本发明另一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供一种连续镀膜系统，下面结合附图对本发明的实施例加以详细的说明。

图1是本发明一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图。

参考图1，所述连续镀膜系统包括依次连接的进料腔10、第一镀膜腔体单元11、第二镀膜腔体单元12、和出料腔20，以及传输装置(未示出)和控制装置(未示出)。其中所述第一镀膜腔体单元11包括顺序连接的第一缓冲腔11a、镀膜工艺腔11c和第二缓冲腔11b，所述第二镀膜腔体单元12包括顺序连接的第一缓冲腔12a、镀膜工艺腔12c和第二缓冲腔12b。

在一些实施例中，所述进料腔10包括顺序连接的低真空腔体10a和高真空腔体10b，所述出料腔20包括顺序连接的高真空腔体20b和低真空腔体20a，所述低真空腔体10a和所述低真空腔体20a均设置有用于基板进出的进口和出口(未示出)。所述低真空腔体10a、所述高真空腔体10b、以及所述第一镀膜腔体单元11具有逐级递增的真空度，在所述低真空腔体10a与所述高真空腔体10b之间的连接处、以及所述高真空腔体10b与所述第一镀膜腔体单元11之间的连接处均设置有真空隔离阀41，对具有不同真空度的腔体进行真空隔离。当所述真空隔离阀41打开时，基板通过所述真空隔离阀41传输，当所述基板由所述真空隔离阀41的一侧传输进入另一侧后，立刻关闭所述真空隔离阀41，避免影响真空度较高一侧的腔体。类似地，所述第二镀膜腔体单元12与所述高真空腔体20b之间的连接处、以及所述高真空腔体20b与所述低真空腔体20a之间的连接处也均设置有真空隔离阀41。具体地，所述真空隔离阀41可以为各类真空插板阀或翻板阀。

在一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元11的第一缓冲腔11a、镀膜工艺腔11c、和第二缓冲腔11b、所述第二镀膜腔体单元12的第一缓冲腔12a、镀膜工艺腔12c和第二缓冲腔12b外部均连接有冷泵或分子泵等抽真空装置，以满足镀膜工艺的真空度的要求。其中，所述第一镀膜腔体单元11的第一缓冲腔11a和镀膜工艺腔11c之间、所述第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c和第二缓冲腔11b之间、所述第一镀膜腔体单元11和所述第二镀膜腔体单元12之间、所述第二镀膜腔体单元12的第一缓冲腔12a和镀膜工艺腔12c之间、以及所述第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c和第二缓冲腔12b之间均通过真空通道51相连通，因此所述第一缓冲腔11a、所述镀膜工艺腔11c、所述第二缓冲腔11b、所述第一缓冲腔12a、所述镀膜工艺腔12c、所述第二缓冲腔12b具有相同或相近的真空度。

在一些实施例中，所述镀膜工艺腔11c和12c内部设置有对基板表面沉积镀膜的镀膜源(未示出)。具体地，所述镀膜源为磁控溅射镀膜源：包括平面阴极磁控溅射源或旋转阴极磁控溅射源，镀膜源还可包括化学气相沉积、物理热蒸发源等。

在一些实施例中，所述基板架沿竖直方向设置，所述基板架用于承载基板的表面与所述镀膜源平行排列。在另一些实施例中，所述基板架沿与水平面成一定夹角方向设置，所述基板架用于承载基板的表面与所述镀膜源平行排列，例如所述夹角可以为3°至5°，基板架倾斜可以使基板在传输过程中更稳定，减小破片率。无论基板架是沿竖直或是倾斜的排列方式，所述基板和镀膜源始终保持平行。这种基板架与镀膜源之间排列的方式，相比于现有技术中基板架与镀膜源之间沿水平方向平行排列的方式，避免了粉尘直接掉落在基板表面，提高了基板表面的洁净度和膜层的镀膜质量，从而提高了产品的良率。

所述传输装置用于传输多个基板，使所述多个基板依次通过所述进料腔10、多个镀膜腔体单元、和出料腔20。在一些实施例中，所述传输装置为真空摩擦轮；在另一些实施例中，所述传输装置为不锈钢辊。在一些实施例中，所述多个基板位于多个基板架上，所述传输装置通过传输所述多个基板架携带所述多个基板移动。

所述控制装置用于按照生产节拍控制所述镀膜工艺腔11c和12c对所述多个基板进行镀膜，所述生产节拍是所述基板在相邻两个真空腔体之间的时间间隔。需要说明的是，在实际的生产线中，基板在不同的真空腔体之间移动切换的时间并不相同，生产节拍通常由生产线上节奏最慢的真空腔体决定，如果其它真空腔体已经完成任务，只能等待最慢的真空腔体完成后方可进行下一步任务。所述真空腔体指镀膜生产线上的所有真空腔体，在一个实施例中，所述真空腔体包括镀膜工艺腔、缓冲腔或隔离腔。

所述生产节拍包括第一时间段和第二时间段。在所述第一时间段内，所述控制装置用于控制每个镀膜工艺腔对位于其中的基板进行镀膜；在所述第二时间段内，所述控制装置用于在所述静态或扫描镀膜工艺流程下控制每个镀膜工艺腔停止镀膜，并且控制所述传输装置能够以第一传输速度v1将所述多个基板架同时传输预设距离，或者在所述第二时间段内，所述控制装置用于在所述动态镀膜工艺流程下控制每个镀膜工艺腔匀速地连续镀膜，同时控制所述传输装置将所述多个基板架匀速地传输预设距离。

在一些实施例中，所述控制装置可以通过可编程控制器(Programmable LogicController,PLC)硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

需要说明的是，这里按照功能一般性地描述了所述控制装置，这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件，专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

结合参考图2，是本发明实施例的连续镀膜系统的生产节拍的时间波形图。所述生产节拍呈周期性分布，每个生产节拍的持续时间为T，包括第一时间段t1和第二时间段t2。

具体地，在所述第一时间段t1内，所述生产线上的多个基板61、62、63、64、65、66和67分别位于所述出料腔20的高真空腔体20b、第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c、第二镀膜腔体单元12的第一缓冲腔12a、第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b、第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c、第一镀膜腔体单元11的第一缓冲腔11a、以及进料腔10的高真空腔体10b。

在一个实施例中，所述第一镀膜腔体单元11采用静态镀膜工艺流程，所述第二镀膜腔体单元12采用动态镀膜工艺流程。在所述第一时间段t1内，所述控制装置开启所述镀膜工艺腔11c的磁控溅射源的电源，对所述基板65进行镀膜，镀膜过程中所述基板65保持静止，与此同时，所述控制装置还用于控制所述传输装置以所述第二传输速度v2传输基板架，使所述基板62匀速地通过所述镀膜工艺腔12c，并控制所述镀膜工艺腔12c对所述基板62连续地镀膜。

在所述第二时间段t2内，所述控制装置关闭所述镀膜工艺腔11c的磁控溅射源的电源，使镀膜停止，并且控制所述传输装置以第一传输速度v1将所述基板64、65、66和67同时沿生产线方向传输一个工位的距离；所述控制装置还用于在所述第二时间段t2内，控制所述传输装置以所述第二传输速度v2传输所述多个基板架，使所述镀膜工艺腔12c内的基板62匀速地进入所述第二缓冲腔12b，与此同时，所述第一缓冲腔12a内的基板63以所述第二传输速度v2匀速地进入所述镀膜工艺腔12c；所述控制装置还用于在所述第二时间段t2内，控制所述传输装置传输基板架使所述高真空腔体20b内的基板61以所述第一传输速度v1进入所述低真空腔体20a，与此同时，所述传输装置向所述进料腔10的低真空腔体10a中传入新的基板68，在相邻的下一个生产节拍的第一时间段t1内，所述基板68能够加速进入所述高真空腔体10b。

具体地，所述第一传输速度v1为0.1m/min～15m/min，所述基板68加速进入所述高真空腔体10b的速度为0.1m/min～15m/min。在本实施例中，采用静态镀膜工艺流程的所述第一镀膜腔体单元11的所述第一时间段t1为2分钟，所述第二时间段t2为10秒，第一镀膜腔体单元11的生产节拍为2分10秒；采用动态镀膜工艺流程的第二镀膜腔体单元12的所述第一时间段t1为1分钟5秒，所述第二时间段t2为1分钟5秒，基板架在所述第一时间段t1和第二时间段t2保持相同速度的匀速运动，第二镀膜腔体单元12的生产节拍同样为2分10秒。

在另一个实施例中，所述第一镀膜腔体单元11采用扫描镀膜工艺流程，在所述第一时间段t1内，所述控制装置用于控制所述传输装置使所述镀膜工艺腔11c内的基板架在所述镀膜工艺腔内以第三传输速度v3进行往返扫描移动，与此同时控制所述镀膜工艺腔对位于其内的基板65进行镀膜；在所述第二时间段内，控制所述传输装置以所述第一传输速度v1传输所述基板架，使所述镀膜工艺腔11c内的基板65匀速地进入所述第二缓冲腔11b，与此同时，所述第一缓冲腔内11a的基板66以所述第一传输速度v1匀速地进入所述镀膜工艺腔11b。具体地，所述第一时间段t1为2分钟，所述第二时间段t2为10秒，所述第一镀膜腔体单元11的生产节拍为2分10秒，所述第三传输速度为0.1m/min～15m/min。

所述第二镀膜腔体单元12采用动态镀膜工艺流程，所述第一时间段t1为1分钟5秒，所述第二时间段t2为1分钟5秒，基板架在第一时间段t1和第二时间段t2保持速度相同的匀速运动，所述第二镀膜腔体单元12的生产节拍同样为2分10秒。

在一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c和第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c内分别设置有能够采用三种镀膜工艺进行镀膜的装置，所述三种镀膜工艺包括静态镀膜、动态镀膜、和扫描镀膜。根据生产不同的器件，所述连续镀膜系统可以变更每个镀膜工艺腔的工艺模式。

具体地，所述镀膜工艺腔11c和镀膜工艺腔12c分别设置有磁控溅射源、磁控溅射源包括平面靶材及直流电源，磁控溅射源可以是平面阴极磁控溅射源，也可以是旋转阴极磁控溅射源，以支持其能够采用三种镀膜工艺进行镀膜。

当所述第一镀膜腔体单元11或第二镀膜腔体单元12采用静态镀膜工艺时，所述第一镀膜腔体单元11或第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔内的基板在静止状态下镀膜；当所述第一镀膜腔体单元11或第二镀膜腔体单元12采用动态镀膜工艺时，所述第一镀膜腔体单元11或第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔内的基板在匀速传输中镀膜；当所述第一镀膜腔体单元11或第二镀膜腔体单元12采用扫描镀膜工艺时，所述第一镀膜腔体单元11或第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔内的基板在预设距离范围内往返扫描镀膜。

在一些实施例中，在所述第一时间段内，所述第一镀膜腔体单元11与所述第二镀膜腔体单元12采用的镀膜工艺不相同。

具体地，所述连续镀膜系统需要对所述基板依次镀氧化硅膜层和透明导电氧化物膜层，其中所述氧化硅膜层是对粉尘敏感的膜层，所述第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c采用静态镀膜工艺；所述透明导电氧化物膜层是对均匀度敏感的膜层，所述第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c采用动态镀膜工艺。

又如，所述连续镀膜系统需要对所述基板依次镀透明导电氧化物膜层和氧化硅膜层，所述第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c采用扫描镀膜工艺，通过往返扫描运动进行积分，解决了不同靶材位置的膜层厚度不同的问题；所述第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c采用静态镀膜工艺，可以解决粉尘问题，防止靶材表面打弧造成膜层静电损伤及镀膜均匀度问题。

当所述连续镀膜系统用于生产不同的产品时，由所述控制装置控制所述第一镀膜腔体单元11与所述第二镀膜腔体单元12变更各自的镀膜工艺，可以更换不同的靶材材料，改变相应产品的膜层结构及镀膜工艺，满足产品的性能要求

在另一些实施例中，在所述第一时间段t1内，所述第一镀膜腔体单元11与所述第二镀膜腔体单元12采用的镀膜工艺相同，如所述第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c和所述第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c均采用静态镀膜工艺、或者动态镀膜工艺、或者扫描镀膜工艺，具体采用其中哪种镀膜工艺由实际需要镀膜的产品决定。

在一些实施例中，所述第一时间段为1分钟～10分钟，所述第二时间段为5秒～10分钟。

需要说明的是，本发明实施例对所述第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c和所述第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c依次采用的镀膜工艺种类、以及镀膜工艺顺序不作限制。无论所述第一镀膜腔体单元11和所述第二镀膜腔体单元12采用相同或者不同的镀膜工艺，本发明实施例的连续镀膜系统都能够保证所述第一镀膜腔体单元11和所述第二镀膜腔体单元12的生产节拍一致，互不影响。

由上述实施例可知，对于粉尘敏感的膜层如电子器件，采用静态镀膜工艺能够避免由于基板架运动碰撞造成的粉尘问题及等离子体非稳定性问题，避免动态镀膜存在的静电损伤，提高了膜层的镀膜质量；而对于均匀度敏感的膜层如光学器件，采用动态镀膜工艺或者扫描镀膜工艺，避免了由于静态镀膜过程中相邻靶材之间存在的均匀度分布问题，提高薄膜的均匀度。因此，相比于具有单一静态镀膜工艺或者单一动态镀膜工艺的生产线，本发明实施例的连续镀膜系统在一条生产线上同时实现静态镀膜、动态镀膜以及扫描镀膜工艺中的一种或多种，能够有效利用多种镀膜工艺的优点，而规避其各自的缺点，提高了镀膜质量，保证产品的良率。

参考图3，是本发明另一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图。本发明实施例与前一实施例的不同之处在于，所述连续镀膜系统还包括位于所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b和所述第二镀膜腔体单元12的第一缓冲腔12a之间的隔离腔30。所述隔离腔30位于相邻两个镀膜腔体单元之间，用于加强所述第一镀膜腔体单元11和第二镀膜腔体单元12之间的气氛隔离效果。

在一些实施例中，所述隔离腔30两端分别设置有真空隔离阀46和47，所述真空隔离阀46和47能够独立地开启或者关闭。所述隔离腔30外部还设置有与所述隔离腔30相连通的抽真空装置(未示出)和工艺气体充气装置(未示出)。

具体地，所述第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元采用两种不同的工艺气体，分别为第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体，当所述真空隔离阀46和47均处于关闭状态时，由所述抽真空装置用于对所述隔离腔30抽真空、然后所述工艺气体充气装置向所述隔离腔内充入惰性气体、第一镀膜工艺气体、或者第二镀膜工艺气体，以确保当所述真空隔离阀46或真空隔离阀47打开时，所述隔离腔30已经更换为惰性气体、或者与所述隔离腔30连通的镀膜腔体单元相同的镀膜工艺气体。因此，所述隔离腔30能够避免所述第一镀膜腔体单元11和第二镀膜腔体单元12之间发生气体交换，加强了气氛隔离效果。

由于本实施例中，所述连续镀膜系统中增加了隔离腔30，因此所述控制装置控制所述传输装置传输多个基板的方式需要进行相应地改变，以保证整个镀膜系统的生产节拍不受影响。

具体地，所述第一镀膜腔体单元11和所述第一镀膜腔体单元12均采用静态镀膜工艺流程，结合参考图2，在一个生产节拍的第一时间段t1内，所述控制装置控制真空摩擦轮将所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b内的基板以第四传输速度加速传输至所述隔离腔30，所述基板加速传输的时间为第三时间段t3(未示出)，所述基板64进入所述隔离腔后，所述隔离腔关闭所述真空隔离阀，所述隔离腔内的气体由所述第一镀膜工艺气体更换为所述第二镀膜工艺气体，所述基板在所述隔离腔内保持静止至当前生产节拍的第二时间段t2结束。

在下一个生产节拍的第一时间段t1，在所述动态镀膜或静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，所述控制装置控制所述传输装置将所述隔离腔30内的基板以所述第四传输速度v4加速传输至所述第二镀膜腔体单元的第一缓冲腔，所述基板加速传输的时间为所述第三时间段t3。

在一个实施例中，所述第四传输速度为1m/min～25m/min，所述第三时间段t3占所述第一时间段t1的1％～50％。具体地，所述第三时间段可以为1秒～5分钟。

当所述第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c采用第一镀膜工艺气体，所述第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c采用第二镀膜工艺气体，且所述第一镀膜工艺气体不同于所述第二镀膜工艺气体时，在所述第一时间段t1内，将所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b内的基板传输至所述隔离腔30的方法具体为：对所述隔离腔30抽真空，然后向所述隔离腔30内充入第一镀膜工艺气体；打开所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b与隔离腔30之间的真空隔离阀46，将所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔内11b的基板以第四传输速度v4加速传输至所述隔离腔30；关闭所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b与隔离腔30之间的真空隔离阀46，对所述隔离腔30抽真空，然后向所述隔离腔30内充入第二镀膜工艺气体。这样能够确保在第二时间段t2内，所述隔离阀47打开，所述基板由所述隔离腔30进入所述第二镀膜腔体单元12的第一缓冲腔12a时，所述隔离腔30内的气氛已经更换为所述第二镀膜工艺气体，从而避免了所述第一镀膜腔体单元11与第二镀膜腔体单元12镀膜工艺气体在所述基板传输的过程中发生交换。

在另一个实施例中，在所述第一时间段t1内，将所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b内的基板传输至所述隔离腔30的方法为：对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入惰性气体；打开第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b与所述隔离腔30之间的真空隔离阀46，将所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b内的基板以所述第四传输速度v4加速传输至所述隔离腔30；关闭所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b与所述隔离腔30之间的真空隔离阀46，对所述隔离腔30抽真空，然后向所述隔离腔30内充入第二镀膜工艺气体，能够避免两个镀膜腔体单元的镀膜工艺气体发生交换。

在另一个实施例中，在所述第一时间段t1内，将所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b内的基板传输至所述隔离腔30的方法为：对所述隔离腔30抽真空，然后向所述隔离腔30内充入惰性气体；打开所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b与所述隔离腔30之间的真空隔离阀46，将所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b内的基板以所述第四传输速度v4加速传输到所述隔离腔30；关闭所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b与所述隔离腔30之间的真空隔离阀46。此后不需要再对所述隔离腔30更换气体，因为在所述隔离腔30中充入惰性气体也能够避免基板在第一镀膜腔体单元11和第二镀膜腔体单元12之间传输时，两个镀膜腔体单元的镀膜工艺气体发生交换。

在一个实施例中，所述第一镀膜腔体单元11采用静态镀膜工艺，用于镀氧化钛，所述第二镀膜腔体单元12采用动态镀膜工艺，用于镀铟锡氧化物。所述第一镀膜工艺气体和所述第二镀膜工艺气体为第一氩氧混合气和第二氩氧混合气，所述第一氩氧混合气与所述第二氩氧混合气中氩气与氧气的比例不相同，则在所述第一时间段t1内，先关闭所述真空隔离阀46和真空隔离阀47，通过分子泵对所述隔离腔30抽真空，然后通过高压气瓶向所述隔离腔30内充入第一氩氧混合气；接着，打开所述真空隔离阀46，将所述第一镀膜腔体单元11的第二缓冲腔11b内的基板以10m/min的传输速度传输到所述隔离腔30；接着，关闭所述真空隔离阀46，通过分子泵对所述隔离腔30抽真空，然后通过工艺气体充气装置，具体为工艺气瓶向所述隔离腔30内充入第二氩氧混合气。

本实施例中，所述进料腔10、第一镀膜腔体单元11、第二镀膜腔体单元12、出料腔20、传输装置以及控制装置的结构与前一实施例类似，在此不再赘述。所述第一镀膜腔体单元11和第二镀膜腔体单元12内也分别设置有能够采用三种镀膜工艺进行镀膜的装置，所述三种镀膜工艺包括静态镀膜、动态镀膜、或扫描镀膜。根据不同的产品，可以变更每个镀膜腔体单元的工艺模式。

在一些实施例中，在所述第一时间段内，所述第一镀膜腔体单元11与所述第二镀膜腔体单元12采用不同的镀膜工艺；在另一些实施例中，在所述第一时间段内，所述第一镀膜腔体单元11与所述第二镀膜腔体单元12采用相同的镀膜工艺。本发明实施例对所述第一镀膜腔体单元11的镀膜工艺腔11c和所述第二镀膜腔体单元12的镀膜工艺腔12c所采用的镀膜工艺不作限制。

本实施例的连续镀膜系统，通过在相邻两个镀膜腔体单元之间连接隔离腔，并且在生产节拍的第一时间段内，依次完成所述隔离腔更换为第一镀膜工艺气体、基板进入隔离腔、以及所述隔离腔更换为第二镀膜工艺气体，一方面在不影响生产节拍的前提下，实现多种镀膜工艺在线连续地镀膜；另一方面避免了采用不同的镀膜工艺气体的相邻两个镀膜腔体单元之间发生气体交换，提高了工艺可靠性。

参考图4，是本发明另一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图。本发明实施例与前一实施例的不同之处在于，所述连续镀膜系统包括三个镀膜腔体单元，并且每相邻两个镀膜腔体单元之间均通过隔离腔相连接。

具体地，所述连续镀膜系统包括依次连接的进料腔100、第一镀膜腔体单元101、第一隔离腔111、第二镀膜腔体单元102、第二隔离腔112、第三镀膜腔体单元103、和出料腔120，以及传输装置(未示出)和控制装置(未示出)。其中所述第一镀膜腔体单元101包括顺序连接的第一缓冲腔101a、镀膜工艺腔101c和第二缓冲腔101b，所述第二镀膜腔体单元102包括顺序连接的第一缓冲腔102a、镀膜工艺腔102c和第二缓冲腔102b，所述第三镀膜腔体单元103包括顺序连接的第一缓冲腔103a、镀膜工艺腔103c和第二缓冲腔103b。

其中，所述第一隔离腔111位于所述第一镀膜腔体单元101的第二缓冲腔101b与所述第二镀膜腔体单元102的第一缓冲腔102a之间，用于加强所述第一镀膜腔体单元101与所述第二镀膜腔体单元102之间的气氛隔离效果，当所述第一镀膜腔体单元101与所述第二镀膜腔体单元102分别采用不同的工艺气体时，能够避免所述第一镀膜腔体单元101与所述第二镀膜腔体单元102发生气体交换，影响工艺可靠性。同样地，所述第二隔离腔112位于所述第二镀膜腔体单元102的第二缓冲腔102b与所述第三镀膜腔体单元103的第一缓冲腔103a之间，用于加强所述第二镀膜腔体单元102与所述第三镀膜腔体单元103之间的气氛隔离效果。

在一个实施例中，所述第一镀膜腔体单元101的镀膜工艺腔101c在基板表面镀金属氧化物二氧化钛，所述第一镀膜工艺气体为第一氩氧混合气，所述第二镀膜腔体单元102的镀膜工艺腔102c在基板表面镀金属铝，所述第二镀膜工艺气体为惰性气体氩气，所述第三镀膜腔体单元103的镀膜工艺腔103c在基板表面镀氧化硅膜层，所述第三镀膜工艺气体为第二氩氧混合气，由于其中每相邻两个镀膜腔体单元之间均设置隔离腔，从而避免了基板通过所述隔离腔在相邻的镀膜腔体单元之间传输时，发生工艺气体的交换，影响到镀膜质量。

本实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、以及所述第三镀膜腔体单元103均设置有能够采用三种镀膜工艺进行镀膜的装置，所述三种镀膜工艺包括：静态镀膜、动态镀膜和扫描镀膜。根据不同的产品，可以变更每个镀膜腔体单元的工艺模式。

在一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、以及所述第三镀膜腔体单元103分别采用不同的镀膜工艺；另一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、以及所述第三镀膜腔体单元103采用相同的镀膜工艺。本发明实施例对所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、以及所述第三镀膜腔体单元103分别采用的镀膜工艺不作限制。

本实施例中，所述进料腔100、第一镀膜腔体单元101、第一隔离腔111、第二镀膜腔体单元102、第二隔离腔112、第三镀膜腔体单元103、出料腔120的结构，所述传输装置传输所述多个基板的方式、以及所述控制结构按照生产节拍控制所述连续镀膜系统对所述多个基板镀膜的方式均可参照前一实施例，在此不再赘述。

需要说明的是，以上实施例以包含两个镀膜腔体单元、和三个镀膜腔体单元的生产线为例，对本发明实施例中需要设置隔离腔的连续镀膜系统进行说明，但是所述连续镀膜系统不限于包括两个镀膜腔体单元、或者三个镀膜腔体单元，也可以包括依次连接的四个镀膜腔体单元、五个镀膜腔体单元、或六个镀膜腔体单元等，且其中每相邻两个镀膜腔体单元之间都设置有隔离腔，本发明实施例对所述连续镀膜系统中包含的多个镀膜腔体单元的数量不作限制。

参考图5，是本发明另一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图。本发明实施例与前一实施例的不同之处在于，所述连续镀膜系统包括四个镀膜腔体单元，并且其中只有部分相邻的镀膜腔体单元之间通过隔离腔相连接。

具体地，所述连续镀膜系统包括依次连接的进料腔100、第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第二隔离腔112、第三镀膜腔体单元103、第三隔离腔113、第四镀膜腔体单元104、和出料腔120，以及传输装置(未示出)和控制装置(未示出)。即所述第一镀膜腔体单元101和所述第二镀膜腔体单元102之间没有设置隔离腔，仅所述第二镀膜腔体单元102和所述第三镀膜腔体单元103之间、以及所述第三镀膜腔体单元103和所述第四镀膜腔体单元104之间设置有隔离腔。

本实施例的连续镀膜系统的结构，适用于所述第一镀膜腔体单元101和所述第二镀膜腔体单元102采用相同或者互不干扰的镀膜工艺气体，而所述第二镀膜腔体单元102与所述第三镀膜腔体单元103之间、以及所述第三镀膜腔体单元103与所述第四镀膜腔体单元104之间采用不同或者相互干扰的镀膜工艺气体的情况。

在一个实施例中，所述第一镀膜腔体单元101用于镀第一金属氧化物膜层，所述第一工艺气体为第一氩氧混合气，所述第二镀膜腔体单元102用于镀第二金属氧化物膜层，所述第二工艺气体也为第一氩氧混合气，则所述第一镀膜腔体单元101与所述第二镀膜腔体单元102之间不需要设置隔离腔，而所述第三镀膜腔体单元103用于镀金属膜层，所述第三工艺气体为氩气，所述第四镀膜腔体单元104用于第三金属氧化物膜层，所述第四工艺气体也为第二氩氧混合气，因此，所述第二镀膜腔体单元102与所述第三镀膜腔体单元103之间需要设置第二隔离腔112，所述第三镀膜腔体单元103与所述第四镀膜腔体单元104之间需要设置第三隔离腔113，避免发生气体交换，影响镀膜质量。

本实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104内均设置有能够采用三种镀膜工艺进行镀膜的装置，所述三种镀膜工艺包括静态镀膜、动态镀膜、或扫描镀膜工艺。根据不同的产品，可以变更每个镀膜腔体单元的工艺模式。

在一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104分别采用不同的镀膜工艺；在另一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104均采用相同的镀膜工艺。本发明实施例对所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104分别采用的镀膜工艺不作限制。

本实施例中，所述控制装置控制所述传输装置在所述第一镀膜腔体单元101和所述第二镀膜腔体单元102之间传输基板的方式可参考图1所示实施例，即相邻镀膜腔体单元之间没有设置隔离腔的情况；所述控制装置控制所述传输装置在所述第二镀膜腔体单元102与所述第三镀膜腔体单元103之间、以及所述第三镀膜腔体单元103与所述第四镀膜腔体单元104之间传输基板的方式可参考图3或图4所示实施例，即相邻镀膜腔体单元之间设置有隔离腔的情况，在此不再赘述。

本实施例的连续镀膜系统，也能够按照生产节拍实现多种镀膜工艺在线连续地镀膜，并且能够根据实际工艺的需要，选择性地在部分相邻的镀膜腔体单元之间设置隔离腔，加强气氛隔离效果。

需要说明的是，以上实施例以依次连接的四个镀膜腔体单元为例，对本发明需要部分设置隔离腔的连续镀膜系统进行说明，但是所述连续镀膜系统不限于仅包括两个镀膜腔体单元、或者三个镀膜腔体单元，也可以包括依次连接的四个镀膜腔体单元、五个镀膜腔体单元、或六个镀膜腔体单元等，且其中仅有部分相邻的两个镀膜腔体单元之间设置有隔离腔。本发明实施例对所述多个镀膜腔体单元的具体数量不作限制，对所述多个镀膜腔体单元中每个镀膜腔体单元采用的镀膜工艺也不作限制。

参考图6，是本发明另一个实施例的连续镀膜系统的结构示意图。本发明实施例与前一实施例的不同之处在于，所述连续镀膜系统包括四个镀膜腔体单元，且所有相邻的镀膜腔体单元之间都没有隔离腔存在。

具体地，所述生产线包括依次连接的进料腔100、第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、第四镀膜腔体单元104、和出料腔120，以及传输装置(未示出)。

本实施例的连续镀膜系统上的所有镀膜腔体单元的镀膜工艺腔之间都仅通过一个第二缓冲腔和一个第一缓冲腔相隔离，而没有设置隔离腔，适用于所有相邻的镀膜腔体单元采用相同的镀膜工艺气体、或者相邻镀膜腔体单元的镀膜工艺气体之间不会产生明显影响的情况。

在一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104分别采用不同的镀膜工艺；在另一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104均采用相同的镀膜工艺。本发明实施例对所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104分别采用的镀膜工艺不作限制。

在一个实施例中，所述连续镀膜系统需要对所述基板依次镀第一金属氧化物膜层、第二金属氧化物膜层、第三金属氧化物膜层、和第四金属氧化物膜层，则所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、第四镀膜腔体单元104的镀膜工艺气体均为氩氧混合气体，由于以上所述四个镀膜腔体单元的镀膜工艺气体均相同，因此任何相邻的两个镀膜腔体单元之间都不需要设置隔离腔。

本实施例中，所述进料腔100、第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、第四镀膜腔体单元104、出料腔120、传输装置和控制装置的结构均可参考前一实施例，在此不再赘述。所述传输装置传输多个基板的方式、以及所述控制装置按照生产节拍控制所述连续镀膜系统对多个基板进行镀膜的方式可参考图1所示实施例，在此不再赘述。

需要说明的是，以上实施例以依次连接的两个镀膜腔体单元、和四个镀膜腔体单元为例，对本发明实施例中不需要设置隔离腔的连续镀膜系统的结构进行说明，但本发明实施例的连续镀膜系统不限于此。对于不需要设置隔离腔的情况，所述连续镀膜系统中还可以包括依次连接的三个镀膜腔体单元、五个镀膜腔体单元、或六个镀膜腔体单元等，本发明实施例对所述多个镀膜腔体单元的具体数量不作限制，对所述多个镀膜腔体单元中每个镀膜腔体单元采用的镀膜工艺也不作限制。

相应地，本实施例还提供了一种采用本发明实施例的连续镀膜系统进行连续镀膜的生产方法。

结合参考图6和图2，对采用本发明一个实施例的连续镀膜系统进行连续镀膜的方法加以说明。所述方法具体为：

传输多个基板1001～1015，使所述多个基板1001～1015依次通过所述进料腔100、第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、第四镀膜腔体单元104和出料腔120，在所述多个基板1001～1015传输的过程中，按照生产节拍对所述多个基板1001～1015进行镀膜。

所述生产节拍包括多个时间周期T，每个时间周期T包括第一时间段t1和第二时间段t2。在某个时间周期T的第一时间段t1内，所述多个基板1001～1015的位置如图6所示，在所述第一时间段t1内，对所述第一镀膜腔体单元101的镀膜工艺腔101c内的基板1012、所述第二镀膜腔体单元102的镀膜工艺腔102c内的基板1009、所述第三镀膜腔体单元103的镀膜工艺腔103c内的基板1006、以及所述第四镀膜腔体单元104的镀膜工艺腔104c内的基板1003进行镀膜；在所述第二时间段t2内，停止对每个镀膜工艺腔内的基板镀膜，将所述多个基板1001～1015同时以所述第一传输速度v1沿生产线传输一个工位的距离。

在一些实施例中，所述第一时间段t1为2分钟，所述第二时间段t2为10秒，所述第一传输速度v1为1m/min。

在另一些实施例中，所述第一时间段t1为1分钟，所述第二时间段t2为1分钟，所述第一传输速度v1为1m/min。

在一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104分别采用不同的镀膜工艺；在另一些实施例中，所述第一镀膜腔体单元101、第二镀膜腔体单元102、第三镀膜腔体单元103、以及第四镀膜腔体单元104均采用相同的镀膜工艺。所述连续镀膜的方法中每个镀膜腔体单元的镀膜工艺腔所采用的镀膜工艺由具体镀的膜层决定，本发明实施例对每个镀膜腔体单元所采用的镀膜工艺不作限制。

在一个实施例中，需要采用所述连续镀膜系统对所述基板依次镀第一金属氧化物膜层、第二金属氧化物膜层、第三金属氧化物膜层、和第四金属氧化物膜层，则所述第一镀膜腔体单元101的镀膜工艺腔101c采用静态镀膜工艺，所述第二镀膜腔体单元102的镀膜工艺腔102c采用动态镀膜工艺，所述第三镀膜腔体单元103的镀膜工艺腔103c采用扫描镀膜工艺，所述第四镀膜腔体单元104的镀膜工艺腔104c采用动态镀膜工艺。

结合参考图4和图2，对本发明另一个实施例的连续镀膜的方法加以说明。

在所述生产节拍的某个时间周期T的第一时间段t1内，所述多个基板1001～1012的位置如图4所示，则采用图4所示的连续镀膜系统进行连续镀膜的方法具体为：

在所述第一时间段t1内，对所述第一镀膜腔体单元101的镀膜工艺腔101c内的基板1009、所述第二镀膜腔体单元102的镀膜工艺腔102c内的基板1006、以及所述第三镀膜腔体单元103的镀膜工艺腔103c内的基板1004进行镀膜，与此同时，将所述第一镀膜腔体单元101的第二缓冲腔101b内的基板以第二传输速度v2传输至所述第一隔离腔111；在所述第二时间段t2内，停止对每个镀膜工艺腔内的基板镀膜，将所述多个基板1001～1012同时以所述第一传输速度v1传输一个工位的距离，其中所述基板1008以所述第一传输速度v1由所述第一隔离腔111传输至所述第二镀膜腔体单元102的第一缓冲腔102a。

在一些实施例中，所述第一传输速度v1为0.1m/min～15m/min，所述第二传输速度v2为0.1m/min～15m/min。

在另一些实施例中，所述第一传输速度v1为0.1m/min～5m/min，所述第二传输速度v2为5m/min～15m/min。

当所述第一镀膜腔体单元101的镀膜工艺腔101c和第二镀膜腔体单元102的镀膜工艺腔102c分别采用第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体时，在所述第一时间段t1内，将所述第一镀膜腔体单元101的第二缓冲腔101b内的基板以第二传输速度v2传输到所述第一隔离腔111的方法具体为：对所述第一隔离腔111抽真空，然后向所述第一隔离腔111内充入第一镀膜工艺气体；接着，将所述第一镀膜腔体单元101的第二缓冲腔101b内的基板以第二传输速度v2传输到所述第一隔离腔111；接着，对所述第一隔离腔111抽真空，然后向所述第一隔离腔111内充入第二镀膜工艺气体。这样可以避免在所述第一时间段t1内，基板由所述第一镀膜腔体单元101的第二缓冲腔101b向所述第一隔离腔111传输时，所述第一镀膜腔体单元101和第二镀膜腔体单元102发生气体交换；以及在所述第二时间段t2内，基板由所述第一隔离腔111向所述第二镀膜腔体单元102的第一缓冲腔102a传输时，所述第一镀膜腔体单元101和第二镀膜腔体单元102发生气体交换。

在另一个实施例中，在所述第一时间段t1内，将所述第一镀膜腔体单元101的第二缓冲腔101b内的基板以第二传输速度v2传输到所述第一隔离腔111之前还包括：对所述第一隔离腔111抽真空，然后向所述第一隔离腔111内充入惰性气体。向所述第一隔离腔111中充入惰性气体也能够避免基板在所述第一镀膜腔体单元101和第二镀膜腔体单元102之间传输时，两个镀膜腔体单元的镀膜工艺气体发生交换。

在一个实施例中，当所述第一镀膜腔体单元101的镀膜工艺腔101c和第二镀膜腔体单元102的镀膜工艺腔102c分别用于镀金属膜层和金属氧化物膜层，所述第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体分别为惰性气体和氧气，则在所述第一时间段t1内，先对所述第一隔离腔111抽真空，然后向所述第一隔离腔111内充入惰性气体；接着，将所述第一镀膜腔体单元101的第二缓冲腔101b内的基板1m/min～15m/min的传输速度传输到所述第一隔离腔111；接着，对所述第一隔离腔111抽真空，然后向所述第一隔离腔111内充入氧气。

在另一个实施例中，当所述第一镀膜腔体单元101的镀膜工艺腔101c和第二镀膜腔体单元102的镀膜工艺腔102c分别用于镀金属膜层和金属氧化物膜层，所述第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体分别为惰性气体和氧气，则在所述第一时间段t1内，先对所述第一隔离腔111抽真空，然后向所述第一隔离腔111内充入惰性气体；接着，将所述第一镀膜腔体单元101的第二缓冲腔101b内的基板以1m/min～15m/min的传输速度传输到所述第一隔离腔111。这样所述第一隔离腔111内充入惰性气体，在所述第二时间段t2内，基板可直接由所述第一隔离腔111进入所述第二镀膜腔体单元102的第一缓冲腔102a，而避免对第二镀膜腔体单元102的镀膜工艺产生不良影响。

本发明实施例的连续镀膜方法，对所述多个镀膜腔体单元中的每个镀膜腔体单元所采用的镀膜工艺不作限制。所述多个镀膜腔体单元可以采用相同的镀膜工艺或者不同的镀膜工艺。

综上所述，本发明实施例的连续镀膜系统及其方法，通过顺序连接的第一缓冲腔、镀膜工艺腔和第二缓冲腔组成的多个镀膜腔体单元，其中每个镀膜腔体单元可以采用多种镀膜工艺，所述传输装置传输多个基板依次通过多个镀膜腔体单元，控制装置按照生产节拍控制所述连续镀膜系统对所述多个基板镀膜，能够在一条生产线上同时实现多种镀膜工艺；由于相邻两个镀膜腔体单元的镀膜工艺腔之间通过一个第二缓冲腔和一个第一缓冲腔相连接，一方面保证生产节拍不受影响，另一方面降低了相邻的镀膜工艺腔之间气氛交换的几率，减小相邻镀膜腔体单元之间的工艺干扰。

本发明实施例的连续镀膜系统及其方法，能够以不同的镀膜工艺在线连续地生产不同的膜层，对于关键膜层，尤其是对粉尘敏感的膜层，采用静态镀膜方式，避免粉尘问题及等离子体非稳定性问题，提高膜层的镀膜质量；而对于均匀度敏感的膜层，可以采用往返扫描镀膜方式，解决了不同靶材位置的膜层均匀度不佳的问题，提高产品良率。

进一步地，所述连续镀膜系统还包括位于相邻两个镀膜腔体单元之间的隔离腔，所述镀膜工艺腔内的基板在镀膜的同时，前一个镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板加速进入所述隔离腔，保证生产节拍不会降低；并且确保每次隔离阀打开时，所述隔离腔都更换为与其连通的镀膜工艺腔内相同的工艺气体或者惰性气体，从而避免了基板在相邻两个镀膜腔体单元之间传输的过程中，相邻镀膜腔体单元之间发生气体交换，加强了镀膜腔体单元之间的气氛隔离效果。

进一步地，所述镀膜工艺腔的基板架和镀膜件可以保持垂直或略微倾斜一定角度的平行排列的方式，避免了粉尘直接掉落在基板表面，提高了基板表面的洁净度和膜层的均匀度。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (32)

1.一种连续镀膜系统，其特征在于，包括：

多个镀膜腔体单元，每个镀膜腔体单元包括镀膜工艺腔，所述镀膜工艺腔能够采用多种镀膜工艺流程进行镀膜，所述多种镀膜工艺流程包括动态镀膜、静态镀膜或扫描镀膜；

传输装置，用于传输多个基板依次通过所述多个镀膜腔体单元；以及

控制装置，用于按照生产节拍控制所述多个镀膜工艺腔对所述多个基板进行镀膜、以及控制所述传输装置传输所述多个基板。

2.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述每个镀膜腔体单元还包括第一缓冲腔和第二缓冲腔，所述第一缓冲腔、镀膜工艺腔和第二缓冲腔顺序连接。

3.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述生产节拍是所述基板在相邻两个真空腔体之间的时间间隔，所述生产节拍包括第一时间段和第二时间段，所述控制装置还用于：

在所述第一时间段内，控制每个镀膜工艺腔对位于其中的基板进行镀膜；以及

在所述第二时间段内，在所述静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，控制所述镀膜工艺腔停止镀膜，并且控制所述传输装置能够以第一传输速度将所述多个基板同时传输预设距离，或者在所述第二时间段内，在所述动态镀膜工艺流程下，控制所述镀膜工艺腔连续镀膜，同时控制所述传输装置将所述多个基板匀速地传输预设距离。

4.如权利要求3所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述真空腔体包括镀膜工艺腔、缓冲腔或隔离腔。

5.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述多个镀膜腔体单元采用相同的镀膜工艺流程或者不同的镀膜工艺流程。

6.如权利要求2所述的连续镀膜系统，其特征在于，还包括位于相邻的两个镀膜腔体单元第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元之间的隔离腔，所述隔离腔的一端与所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔相连接，所述隔离腔的另一端与所述第二镀膜腔体单元的第一缓冲腔相连接。

7.如权利要求6所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述隔离腔的两端设置有真空隔离阀，分别用于将所述隔离腔与所述第一镀膜腔体单元、以及将所述隔离腔与所述第二镀膜腔体单元进行真空隔离。

8.如权利要求6或7所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述隔离腔外部设置有与所述隔离腔相连通的抽真空装置和工艺气体充气装置。

9.如权利要求8所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述第一镀膜腔体单元采用第一镀膜工艺气体，所述第二镀膜腔体单元采用第二镀膜工艺气体，所述工艺气体充气装置用于向所述隔离腔内充入惰性气体、所述第一镀膜工艺气体或者所述第二镀膜工艺气体。

10.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述镀膜腔体单元采用动态镀膜工艺流程，所述控制装置还用于：

在所述第一时间段内，控制所述传输装置以第二传输速度传输所述基板，使所述基板匀速地通过所述镀膜工艺腔，与此同时，控制所述镀膜工艺腔对位于其内的基板连续地镀膜；以及

在所述第二时间段内，控制所述传输装置以所述第二传输速度传输所述多个基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，所述第一缓冲腔内的基板以所述第二传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔。

11.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述镀膜腔体单元采用静态镀膜工艺流程，所述控制装置还用于：

在所述第一时间段内，控制所述传输装置使所述镀膜工艺腔内的基板保持静止，与此同时控制所述镀膜工艺腔对位于其内的基板镀膜；以及

在所述第二时间段内，控制所述传输装置以所述第一传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，所述第一缓冲腔内的基板以所述第一传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔。

12.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述镀膜腔体单元采用扫描镀膜工艺流程，所述控制装置用于：

在所述第一时间段内，控制所述传输装置使所述镀膜工艺腔内的基板在所述镀膜工艺腔内以第三传输速度往返扫描移动，与此同时控制所述镀膜工艺腔对位于其内的基板镀膜；以及

在所述第二时间段内，控制所述传输装置以所述第一传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，所述第一缓冲腔内的基板以所述第一传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔。

13.如权利要求10或11或12所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述第一传输速度为0.1m/min～15m/min，所述第二传输速度为0.1m/min～15m/min，所述第三传输速度为0.1m/min～15m/min。

14.如权利要求9所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述控制装置还用于：

在一个生产节拍的第一时间段，控制所述传输装置将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以第四传输速度加速传输至所述隔离腔，所述基板加速传输的时间为第三时间段，所述基板进入所述隔离腔后，所述隔离腔关闭所述真空隔离阀，所述隔离腔内的气体由所述第一镀膜工艺气体更换为所述第二镀膜工艺气体，所述基板在所述隔离腔内保持静止至当前生产节拍的第二时间段结束；以及

在下一个生产节拍的第一时间段，在所述动态镀膜或静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，控制所述传输装置将所述隔离腔内的基板以所述第四传输速度加速传输至所述第二镀膜腔体单元的第一缓冲腔，所述基板加速传输的时间为所述第三时间段。

15.如权利要求14所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述第三时间段占所述第一时间段的1％至50％。

16.如权利要求14所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述第四传输速度为1m/min～25m/min。

17.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述每个镀膜腔体单元的第一缓冲腔和镀膜工艺腔之间、所述每个镀膜腔体单元的镀膜工艺腔和第二缓冲腔之间、以及相邻两个镀膜腔体单元之间均通过真空通道相连通。

18.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述镀膜工艺腔内设置有对所述基板表面沉积镀膜的镀膜源。

19.如权利要求18所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述基板架可以沿竖直方向或者沿与水平面成一定夹角方向设置，所述镀膜源与所述基板架平行。

20.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，还包括进料腔和出料腔，所述进料腔、所述多个镀膜腔体单元、和所述出料腔顺序连接。

21.如权利要求20所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述进料腔包括顺序连接的低真空腔体和高真空腔体，所述出料腔包括顺序连接的高真空腔体和低真空腔体，所述低真空腔体设置有用于基板进出的进口或出口。

22.如权利要求1所述的连续镀膜系统，其特征在于，所述生产节拍是所述基板在所述连续镀膜系统中所有相邻的两个真空腔体之间的时间间隔的最大值。

23.如权利要求1所述的连续镀膜的方法，其特征在于，所述多个基板位于多个基板架上，所述传输装置通过传输所述多个基板架携带所述多个基板移动。

24.一种连续镀膜的方法，其特征在于，包括：

提供多个镀膜腔体单元，每个镀膜腔体单元包括镀膜工艺腔，所述镀膜工艺腔能够采用多种镀膜工艺流程进行镀膜，所述多种镀膜工艺流程包括动态镀膜、静态镀膜和扫描镀膜；

按照生产节拍控制传输装置传输多个基板依次通过所述多个镀膜腔体单元；以及

按照生产节拍控制所述多个镀膜工艺腔对所述多个基板进行镀膜。

25.如权利要求24所述的连续镀膜的方法，其特征在于，所述生产节拍是所述基板在相邻两个真空腔体之间的时间间隔，包括第一时间段和第二时间段，所述方法还包括：

在所述第一时间段内，对位于每个镀膜工艺腔中的基板进行镀膜；

在所述第二时间段内，在所述静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，停止对所述镀膜工艺腔中的基板镀膜，并且以第一传输速度将所述多个基板同时传输预设距离，或者在所述第二时间段内，在所述动态镀膜工艺流程下，对位于所述镀膜工艺腔内的基板连续镀膜，同时将所述多个基板匀速地传输预设距离。

26.如权利要求25所述的连续镀膜的方法，其特征在于，还包括采用以下三种镀膜工艺流程中的任何一种进行镀膜：

在动态镀膜工艺流程下，在所述第一时间段内，以第二传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地通过所述镀膜工艺腔，与此同时，对位于所述镀膜工艺腔内的基板连续地镀膜，在所述第二时间段内，以所述第二传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，使所述第一缓冲腔内的基板以所述第二传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔；以及

在静态镀膜工艺流程下，在所述第一时间段内，使所述镀膜工艺腔内的基板保持静止，与此同时，对所述镀膜工艺腔内的基板镀膜，在所述第二时间段内，以所述第一传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，使所述第一缓冲腔内的基板以所述第一传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔；

在扫描镀膜工艺流程下，在所述第一时间段内，使所述镀膜工艺腔内的基板以第三传输速度往返扫描移动，与此同时，对所述镀膜工艺腔内的基板镀膜，在所述第二时间段内，以所述第一传输速度传输所述基板，使所述镀膜工艺腔内的基板匀速地进入所述第二缓冲腔，与此同时，使所述第一缓冲腔内的基板以所述第一传输速度匀速地进入所述镀膜工艺腔。

27.如权利要求25所述的连续镀膜的方法，其特征在于，所述每个镀膜腔体单元还包括顺序连接的第一缓冲腔、镀膜工艺腔和第二缓冲腔，相邻的两个镀膜腔体单元第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元之间设置有隔离腔，所述方法还包括：

在一个生产节拍的第一时间段，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以第四传输速度加速传输至所述隔离腔，所述基板加速传输的时间为第三时间段，所述基板进入所述隔离腔后，所述基板在所述隔离腔内保持静止至当前生产节拍的第二时间段结束；以及

在下一个生产节拍的第一时间段，在所述动态镀膜或静态镀膜或扫描镀膜工艺流程下，将所述隔离腔内的基板以所述第四传输速度加速传输至所述第二镀膜腔体单元的第一缓冲腔，所述基板加速传输的时间为所述第三时间段。

28.如权利要求27所述的连续镀膜的方法，其特征在于，所述第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元分别采用第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体，在所述第一时间段内，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板传输至所述隔离腔的方法包括：

对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入第一镀膜工艺气体；

打开所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与隔离腔之间的真空隔离阀，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以第四传输速度加速传输至所述隔离腔；以及

关闭所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与隔离腔之间的真空隔离阀，对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入第二镀膜工艺气体。

29.如权利要求27所述的连续镀膜的方法，其特征在于，所述第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元分别采用第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体，在所述第一时间段内，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板传输至所述隔离腔的方法包括：

对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入惰性气体；

打开第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与所述隔离腔之间的真空隔离阀，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以所述第四传输速度加速传输至所述隔离腔；以及

关闭所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与所述隔离腔之间的真空隔离阀，对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入第二镀膜工艺气体。

30.如权利要求27所述的连续镀膜的方法，其特征在于，所述第一镀膜腔体单元和第二镀膜腔体单元分别采用第一镀膜工艺气体和第二镀膜工艺气体，在所述第一时间段内，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板传输至所述隔离腔的方法包括：

对所述隔离腔抽真空，然后向所述隔离腔内充入惰性气体；

打开所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与所述隔离腔之间的真空隔离阀，将所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔内的基板以所述第四传输速度加速传输到所述隔离腔；以及

关闭所述第一镀膜腔体单元的第二缓冲腔与所述隔离腔之间的真空隔离阀。

31.如权利要求25所述的连续镀膜的方法，其特征在于，所述第一时间段为1分钟～10分钟，所述第二时间段为5秒～10分钟。

32.如权利要求27所述的连续镀膜的方法，其特征在于，所述第三时间段为1秒～5分钟。