CN112899635A - 卧式光学连续磁控溅射镀膜设备 - Google Patents

卧式光学连续磁控溅射镀膜设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112899635A
CN112899635A CN202110045992.XA CN202110045992A CN112899635A CN 112899635 A CN112899635 A CN 112899635A CN 202110045992 A CN202110045992 A CN 202110045992A CN 112899635 A CN112899635 A CN 112899635A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
vacuum
coating
wafer
magnetron sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110045992.XA
Other languages
English (en)
Inventor
肖山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Yilimi Film Technology Co ltd
Original Assignee
Dongguan Yilimi Film Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Yilimi Film Technology Co ltd filed Critical Dongguan Yilimi Film Technology Co ltd
Priority to CN202110045992.XA priority Critical patent/CN112899635A/zh
Publication of CN112899635A publication Critical patent/CN112899635A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，包括进片室、进片锁定室、若干真空镀膜室、出片锁定室以及出片室；相邻两真空镀膜室之间设有第一真空过渡室，且第一真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的两真空镀膜室内的真空度之间。由于第一真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的两真空镀膜室内的真空度之间，因此待加工件从一个真空镀膜室移动至另一个真空镀膜室的时候，由于第一真空过渡室的缓冲作用，不会使待加工件直接由一个低真空度的环境中跳跃到高真空度的环境中，也不会使待加工件直接由一个高真空度的环境中跳跃到低真空度的环境中，而是逐渐减小或逐渐增加，使本发明的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备镀膜更加稳定，所镀的膜也更均匀。

Description

卧式光学连续磁控溅射镀膜设备
技术领域
本发明涉及镀膜的技术领域，尤其涉及一种卧式光学连续磁控溅射镀膜设备。
背景技术
真空镀膜是在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面形成镀膜层的一种技术。真空镀膜技术应用在众多领域，如平板显示器领域内的透明电极镀膜、家电制造领域内的塑料装饰镀膜以及建筑材料领域内的玻璃陶瓷装饰镀膜等。
相关技术中的一些镀膜设备具有多个真空镀膜室，待加工件依次通过相邻真空镀膜室时，由于各个真空镀膜室内的真空度相差较大，因此，待加工件从一个真空度环境移动至另一真空度相差较大的环境中时，会导致镀膜设备镀膜不稳定，所镀的膜均匀性太差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种镀膜均匀、稳定的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备。
根据本发明的一方面，提供一种卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备包括依照作业顺序由前至后排布的进片室、进片锁定室、若干真空镀膜室、出片锁定室以及出片室；所述进片室用于接收来自外界的待加工件，所述进片锁定室用于存储待加工件，若干所述真空镀膜室分别用于为待加工件进行镀膜且相邻两所述真空镀膜室的真空度不同，所述出片锁定室用于接收并存储经所述真空镀膜室镀膜后的镀膜工件，所述出片室用于将所述出片锁定室内的镀膜工件送出外界；
所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括第一真空过渡室，相邻两所述真空镀膜室之间设有所述第一真空过渡室，且所述第一真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的两所述真空镀膜室内的真空度之间。
作为本发明的一个实施例，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括第二真空过渡室，所述进片锁定室和所述真空过渡室之间设有所述第二真空过渡室，且所述第二真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的所述真空镀膜室内的真空度和所述进片锁定室内的真空度之间。
作为本发明的一个实施例，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括第三真空过渡室，所述出片锁定室和所述真空过渡室之间设有所述第三真空过渡室，且所述第三真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的所述真空镀膜室内的真空度和所述出片锁定室内的真空度之间。
作为本发明的一个实施例，所述进片锁定室具有两个，且分别为第一进片锁定室和第二进片锁定室，所述第一进片锁定室和所述第二进片锁定室均可抽气以降低其室内气压。
作为本发明的一个实施例，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括大气预抽室，所述大气预抽室设置在所述进片室的上一工位，与所述进片室密封连接，所述大气预抽室能够将其室内的气压抽至预设值，所述预设值低于所述进片室内的气压值。
作为本发明的一个实施例，所述真空镀膜室具有三个。
作为本发明的一个实施例，三个所述真空镀膜室依次为具有中频溅射源的第一镀膜室、具有直流溅射源的第二镀膜室和具有散焦阳极层离子源的第三镀膜室。
作为本发明的一个实施例，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括机架和用于传输用于固定工件的夹具的夹具回传组件，所述进片室、所述进片锁定室、若干所述真空镀膜室、所述第一真空过渡室、所述出片锁定室以及所述出片室设置在所述机架上，所述夹具回传组件设置在所述机架上且位于所述真空镀膜室的下方。
作为本发明的一个实施例，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括电磁加热组件，所述电磁加热组件用于加热在所述真空镀膜室内镀膜后的工件。
作为本发明的一个实施例，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括具有工艺气体布气管道的供气系统、用于控制镀膜室镀膜时的电压的电压控制系统以及电控系统，所述电控系统与所述进片室、所述进片锁定室、若干所述真空镀膜室、所述第一真空过渡室、所述出片锁定室、所述出片室、所述供气系统和所述电压控制系统分别电性连接。
实施本发明实施例，将具有如下有益效果：
本实施例中的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，由于相邻两真空镀膜室之间设有第一真空过渡室，且第一真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的两真空镀膜室内的真空度之间，因此，待加工件从一个真空镀膜室移动至另一个真空镀膜室的时候，由于第一真空过渡室的缓冲作用，不会使待加工件直接由一个低真空度的环境中跳跃到高真空度的环境中，也不会使待加工件直接由一个高真空度的环境中跳跃到低真空度的环境中，而是逐渐减小或逐渐增加，进而使本实施例中的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备镀膜更加稳定，所镀的膜也更加的均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例所述的一种卧式光学连续磁控溅射镀膜设备的俯视图；
其中：100、进片室；200、进片锁定室；210、第一进片锁定室；220、第二进片锁定室；300、真空镀膜室；310、第一镀膜室；320、第二镀膜室；330、第三镀膜室；400、出片锁定室；500、出片室；610、第一真空过渡室；620、第二真空过渡室；630、第三真空过渡室；700、大气预抽室；800、机架。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以容许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参考图1，本发明一实施例提供了一种卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，本实施例中的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备包括依照作业顺序由前至后排布的进片室100、进片锁定室200、若干真空镀膜室300、出片锁定室400以及出片室500；进片室100用于接收来自外界的待加工件，进片锁定室200用于存储待加工件，若干真空镀膜室300分别用于为待加工件进行镀膜且相邻两真空镀膜室300的真空度不同，出片锁定室400用于接收并存储经真空镀膜室300镀膜后的镀膜工件，出片室500用于将出片锁定室400内的镀膜工件送出外界。
具体地，真空镀膜室300具有多个，优选为三个，三个真空镀膜室300分别为第一镀膜室310、第二镀膜室320和第三镀膜室330，其中，第一镀膜室310具有中频溅射源，第二镀膜室320具有直流溅射源，第三镀膜室330具有散焦阳极层离子源，三个真空镀膜室300内的真空度是不同的，另外，三个真空镀膜室300可以同时为多件工件进行镀膜，也可以是共同为同一件工件进行镀膜，具体为同一待加工件按照前后顺序依次经过第一镀膜室310、第二镀膜室320和第三镀膜室330，由于具有三个真空镀膜室300，进而可以根据需要调节在待加工件上所镀的膜的厚度，解决了单面镀膜时不同膜层沉积率大小不可调的问题。
当然，真空镀膜室300还可以是4个或5个，还可以是其它数量。
在一实施例中，卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括第一真空过渡室610，相邻两真空镀膜室300之间设有第一真空过渡室610，且第一真空过渡室610的真空度大小位于与其相邻的两真空镀膜室300内的真空度之间。因此，待加工件从一个真空镀膜室300移动至另一个真空镀膜室300的时候，由于第一真空过渡室610的缓冲作用，不会使待加工件直接由一个低真空度的环境中跳跃到高真空度的环境中，也不会使待加工件直接由一个高真空度的环境中跳跃到低真空度的环境中，而是逐渐减小或逐渐增加，进而使本实施例中的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备镀膜更加稳定，所镀的膜也更加的均匀。
需要说明的是，当相邻两真空镀膜室300的真空度之差并不大时，则也可以不在该相邻两真空镀膜室300之间设置上述第一真空过渡室610。
优选地，本实施例中的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括第二真空过渡室620和第三真空过渡室630。
具体地，进片锁定室200和真空过渡室之间设有第二真空过渡室620，且第二真空过渡室620的真空度大小位于与其相邻的真空镀膜室300内的真空度和进片锁定室200内的真空度之间。同样，通过第二真空过渡室620能够使待加工件由进片锁定室200进入真空镀膜室300时，由于第二真空过渡室620的缓冲作用，不会使待加工件直接由一个低真空度的环境中跳跃到高真空度的环境中，也不会使待加工件直接由一个高真空度的环境中跳跃到低真空度的环境中，而是逐渐减小或逐渐增加，进而使本实施例中的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备镀膜更加稳定，所镀的膜也更加的均匀。
具体地，出片锁定室400和真空过渡室之间设有第三真空过渡室630，且第三真空过渡室630的真空度大小位于与其相邻的真空镀膜室300内的真空度和出片锁定室400内的真空度之间。同样，通过第三真空过渡室630能够使镀膜工件由真空镀膜室300进入出片锁定室400时，由于第三真空过渡室630的缓冲作用，不会使待加工件直接由一个低真空度的环境中跳跃到高真空度的环境中，也不会使待加工件直接由一个高真空度的环境中跳跃到低真空度的环境中，而是逐渐减小或逐渐增加，进而使本实施例中的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备镀膜更加稳定，所镀的膜也更加的均匀。
需要说明的是，第一真空过渡室610、第二真空过渡室620和第三真空过渡室630内均设有抽气组件(图中未示出)，通过抽气组件能够调节第一真空过渡室610、第二真空过渡室620和第三真空过渡室630内的压强，进而调节其真空度，以适应不同的需求。
在一实施例中，进片锁定室200具有两个，且分别为第一进片锁定室210和第二进片锁定室220，第一进片锁定室210和第二进片锁定室220均可抽气以降低其室内气压。具体地，第一进片锁定室210和第二进片锁定室220内均设有抽气装置(图中未示出)，进而以调节第一进片锁定室210和第二进片锁定室220内的压强，通常第一进片锁定室210和第二进片锁定室220内均为负压。
另外，第一进片锁定室210和第二进片锁定室220内均设有离子风组件(图中未示出)，用于产生离子风，通过离子风用于驱除第一进片锁定室210和第二进片锁定室220内的particle，进而可以避免镀膜时出现镀膜不均匀、膜滑落的现象。
本实施例中，由于具有两个进片锁定室200，其中一个进片锁定室200可作为暂存室，以防止待加工件进片速度较快时无法及时将待加工件送入进片锁定室200的情况发生。
在一实施例中，卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括大气预抽室700，大气预抽室700设置在进片室100的上一工位，与进片室100密封连接，大气预抽室700能够将其室内的气压抽至预设值，优选为预设值低于进片室100内的气压值。通过大气预抽室700将本实施例中的镀膜设备抽大气的速率提升，从而加快整个镀膜设备的抽气能力，让镀膜设备的抽气系统更稳定均衡。
需要说明的是，进片锁定室200与真空镀膜室300之间设有机械手(图中未示出)，通过机械手可将待加工件自进片锁定室200转移至真空镀膜室300，当然，也可以是通过传输带或传送滚轮对待加工件进行传动。另外，出片锁定室400与真空镀膜室300之间也设有机械手(图中未示出)，通过机械手可将待加工件自真空镀膜室300转移至出片锁定室400，当然，也可以是通过传输带或传送滚轮对待加工件进行传动。
在一实施例中，卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括机架800和用于传输用于固定工件的夹具的夹具回传组件(图中未示出)，进片室100、进片锁定室200、若干真空镀膜室300、第一真空过渡室610、第二真空过渡室620、第三真空过渡室630、出片锁定室400以及出片室500设置在机架800上，夹具回传组件设置在机架800上且位于真空镀膜室300的下方。有效节约了本实施例中的镀膜设备所需占地空间，且提高了镀膜设备夹具系统使用的安全性。
另外，在一实施例中，卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括电磁加热组件(图中未示出)，电磁加热组件用于加热在真空镀膜室300内镀膜后的工件。通过加热组件能够快速使在待加工件上镀的膜成型，防止膜滑动造成膜的不均匀，也可以加快生产速率。而且，由于电磁加热的方式能耗较低，有效解决传统大型连续式真空镀膜生产线的能源消耗过大的问题。
在一实施例中，卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括具有工艺气体布气管道的供气系统(图中未示出)、用于控制镀膜室镀膜时的电压的电压控制系统(图中未示出)以及电控系统(图中未示出)，电控系统与进片室100、进片锁定室200、若干真空镀膜室300、第一真空过渡室610、第二真空过渡室620、第三真空过渡室630、出片锁定室400、出片室500、供气系统和电压控制系统分别电性连接。通过电控系统能够对本实施例中的镀膜设备的上述各组成部件进行统一控制支配，增加了本实施例中的镀膜设备的智能化，
具体地，电控系统包括工控电脑人机界面、PLC程控模块以及电器系统。
另外，本实施例中还包括大量的检测仪器，比如真空计、流量计、温控器、转架驱动控制以及水电气仪表，以对待加工件加工过程的实时监控、报警以及数据记载等，以提高本实施例中的镀膜设备的智能化程度。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备包括依照作业顺序由前至后排布的进片室、进片锁定室、若干真空镀膜室、出片锁定室以及出片室；所述进片室用于接收来自外界的待加工件，所述进片锁定室用于存储待加工件，若干所述真空镀膜室分别用于为待加工件进行镀膜且相邻两所述真空镀膜室的真空度不同，所述出片锁定室用于接收并存储经所述真空镀膜室镀膜后的镀膜工件，所述出片室用于将所述出片锁定室内的镀膜工件送出外界；
所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括第一真空过渡室，相邻两所述真空镀膜室之间设有所述第一真空过渡室，且所述第一真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的两所述真空镀膜室内的真空度之间。
2.根据权利要求1所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括第二真空过渡室，所述进片锁定室和所述真空过渡室之间设有所述第二真空过渡室，且所述第二真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的所述真空镀膜室内的真空度和所述进片锁定室内的真空度之间。
3.根据权利要求2所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括第三真空过渡室，所述出片锁定室和所述真空过渡室之间设有所述第三真空过渡室，且所述第三真空过渡室的真空度大小位于与其相邻的所述真空镀膜室内的真空度和所述出片锁定室内的真空度之间。
4.根据权利要求1所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述进片锁定室具有两个，且分别为第一进片锁定室和第二进片锁定室，所述第一进片锁定室和所述第二进片锁定室均可抽气以降低其室内气压。
5.根据权利要求1所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括大气预抽室，所述大气预抽室设置在所述进片室的上一工位，与所述进片室密封连接，所述大气预抽室能够将其室内的气压抽至预设值，所述预设值低于所述进片室内的气压值。
6.根据权利要求1所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜室具有三个。
7.根据权利要求6所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，三个所述真空镀膜室依次为具有中频溅射源的第一镀膜室、具有直流溅射源的第二镀膜室和具有散焦阳极层离子源的第三镀膜室。
8.根据权利要求1所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括机架和用于传输用于固定工件的夹具的夹具回传组件，所述进片室、所述进片锁定室、若干所述真空镀膜室、所述第一真空过渡室、所述出片锁定室以及所述出片室设置在所述机架上，所述夹具回传组件设置在所述机架上且位于所述真空镀膜室的下方。
9.根据权利要求1所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括电磁加热组件，所述电磁加热组件用于加热在所述真空镀膜室内镀膜后的工件。
10.根据权利要求1所述的卧式光学连续磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述卧式光学连续磁控溅射镀膜设备还包括具有工艺气体布气管道的供气系统、用于控制镀膜室镀膜时的电压的电压控制系统以及电控系统，所述电控系统与所述进片室、所述进片锁定室、若干所述真空镀膜室、所述第一真空过渡室、所述出片锁定室、所述出片室、所述供气系统和所述电压控制系统分别电性连接。
CN202110045992.XA 2021-01-14 2021-01-14 卧式光学连续磁控溅射镀膜设备 Pending CN112899635A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110045992.XA CN112899635A (zh) 2021-01-14 2021-01-14 卧式光学连续磁控溅射镀膜设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110045992.XA CN112899635A (zh) 2021-01-14 2021-01-14 卧式光学连续磁控溅射镀膜设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112899635A true CN112899635A (zh) 2021-06-04

Family

ID=76113030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110045992.XA Pending CN112899635A (zh) 2021-01-14 2021-01-14 卧式光学连续磁控溅射镀膜设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112899635A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114672783A (zh) * 2022-03-16 2022-06-28 国家电投集团氢能科技发展有限公司 连续真空镀膜系统及其功能单元和运行方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103849845A (zh) * 2014-03-07 2014-06-11 东莞鑫泰玻璃科技有限公司 磁控溅射镀膜生产线
CN106544637A (zh) * 2016-10-20 2017-03-29 江西沃格光电股份有限公司 磁控溅射镀膜设备
CN208898988U (zh) * 2018-09-30 2019-05-24 佛山市钜仕泰粉末冶金有限公司 一种磁控溅射镀膜生产线

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103849845A (zh) * 2014-03-07 2014-06-11 东莞鑫泰玻璃科技有限公司 磁控溅射镀膜生产线
CN106544637A (zh) * 2016-10-20 2017-03-29 江西沃格光电股份有限公司 磁控溅射镀膜设备
CN208898988U (zh) * 2018-09-30 2019-05-24 佛山市钜仕泰粉末冶金有限公司 一种磁控溅射镀膜生产线

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114672783A (zh) * 2022-03-16 2022-06-28 国家电投集团氢能科技发展有限公司 连续真空镀膜系统及其功能单元和运行方法
CN114672783B (zh) * 2022-03-16 2024-03-22 国家电投集团氢能科技发展有限公司 连续真空镀膜系统及其功能单元和运行方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7117332B2 (ja) フレキシブル基板をコーティングするための堆積装置、及びフレキシブル基板をコーティングする方法
US20180258519A1 (en) Apparatus for vacuum deposition on a substrate and method for masking the substrate during vacuum deposition
TWI592510B (zh) 用於反應性沉積製程之閉迴路控制組件及其控制方法與沉積裝置
WO2012138498A1 (en) Improved method of controlling lithium uniformity
CN112899635A (zh) 卧式光学连续磁控溅射镀膜设备
CN104975275A (zh) 一种大面积类金刚石化学气相沉积镀膜生产线
US4828668A (en) Sputtering system for deposition on parallel substrates
CN109055911A (zh) 一种立式的pecvd复合pvd的真空镀膜系统
CN117187772A (zh) 抽真空方法及溅射镀膜方法
WO2018095514A1 (en) Apparatus and method for layer deposition on a substrate
EP1044458A1 (en) Dual face shower head electrode for a magnetron plasma generating apparatus
CN113337795A (zh) 一种折射率可调的AlN薄膜的制备设备及方法
KR20220121854A (ko) 마그네트론 스퍼터링 장치 및 이 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 성막 방법
KR102457606B1 (ko) 디스플레이 제조를 위한 층 스택을 제조하는 방법 및 그 장치
CN209412302U (zh) 一种立式的pecvd复合pvd的真空镀膜系统
CN112921286A (zh) 渐变色u型镀膜生产方法
US20100224481A1 (en) Gas flow set-up for multiple, interacting reactive sputter sources
CN105671508A (zh) 一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置
TWI714836B (zh) 成膜裝置及成膜方法
CN215517601U (zh) 一种折射率可调的AlN薄膜的制备设备
CN212247199U (zh) 折返式补锂设备
CN102443785B (zh) 功能性薄膜的制造方法
CN214271025U (zh) 一种物理气相沉积设备
JP2018048401A (ja) 閉ループ制御
CN100372052C (zh) 可调节输入气体温度的制作设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210604