JP2018048401A - 閉ループ制御 - Google Patents
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- 反応性堆積プロセスを制御する方法であって、
電源によってカソードに電力を供給することと、
前記電源に電圧設定点を与えることと、
前記カソードに供給された前記電力に相関する電力値を受信することと、
閉ループ制御を与えるため前記電力値に基づいてプロセスガスの流れを制御することと
を含む方法。 - 前記カソードに供給される前記電力は、特に1kHzから200kHzの発振周波数を有するMF電力である、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧設定点は前記電源のための上限値である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記電圧設定点は、前記カソードを移行モードにおいて動作させるように構成される、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電力値は、特にMF電力として、前記カソードに供給される実際の電力である、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記受信された電力値は、前記プロセスガスの流れを制御することによって安定する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プロセスガスは酸素を含み、特に酸素流が制御される、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電源によって供給される前記電圧の実際の電圧値を受信し、前記実際の値に基づいて堆積モードを監視することを更に含む、請求項1ないし7のいずれか一項に記載の方法。
- 中にチャンバ及びカソードを有する堆積装置内で反応性堆積プロセスのために構成される閉ループ制御アセンブリであって、
前記カソードに電力を供給するため前記カソードに接続される電源と、
前記チャンバ内にプロセスガスを供給するように構成されるガス供給源と、
前記電源に電圧設定点を与え、かつ前記電源から電力値を受信するため、前記電源に接続されるコントローラであって、前記コントローラは、前記電力値に基づいて前記プロセスガスのガス流を制御するために前記ガス供給源に更に接続される、コントローラと
を備える閉ループ制御アセンブリ。 - 前記電力値は前記カソードに供給される前記電力である、請求項9に記載のアセンブリ。
- 前記電源は、特にDC発生器及び発振器を有する、MF電源である、請求項9または10に記載のアセンブリ。
- 前記電源は、1kHzから200kHzの発振周波数を有する前記電力を供給するように構成される、請求項9ないし11のいずれか一項に記載のアセンブリ。
- 前記コントローラは、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の方法の少なくとも1つを実行するようにアセンブリを適応させるプログラムコードを含む、請求項9ないし12のいずれか一項に記載のアセンブリ。
- 前記電圧設定点は電圧上限値である、請求項9ないし13のいずれか一項に記載のアセンブリ。
- 基板上への層の反応性堆積のための堆積装置であって、
その中で前記基板上に前記層を堆積するためのチャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを生成するためのカソードと、
請求項9ないし14のいずれか一項に記載の閉ループ制御アセンブリと
を備える堆積装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115074682A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-20 | 芜湖长信科技股份有限公司 | 提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0578836A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-03-30 | Leybold Ag | 反応性スパツタリング工程の調整法および調整装置 |
JP2003342725A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Kobe Steel Ltd | 反応性スパッタリング方法及び装置 |
JP2010229523A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Bridgestone Corp | 導電性透明化合物薄膜の成膜方法および導電性透明化合物薄膜 |
-
2017
- 2017-10-10 JP JP2017196735A patent/JP6596474B2/ja active Active
Patent Citations (3)
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JP6596474B2 (ja) | 2019-10-23 |
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