JPH0578836A - 反応性スパツタリング工程の調整法および調整装置 - Google Patents
反応性スパツタリング工程の調整法および調整装置Info
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- JPH0578836A JPH0578836A JP4044613A JP4461392A JPH0578836A JP H0578836 A JPH0578836 A JP H0578836A JP 4044613 A JP4044613 A JP 4044613A JP 4461392 A JP4461392 A JP 4461392A JP H0578836 A JPH0578836 A JP H0578836A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/34—Sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/0042—Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】反応性スパッタリング工程の所要電力を定める
両方の要因である動作電圧または動作電流の一方の値に
より定められる、物理的な特性曲線上の動作点を、即ち
陰極電圧ないし動作電流の強さとスパッタリング装置の
反応気体流との関係を示す特性曲線の動作点を、処理室
１の中へ導びかれる反応気体の調量により設定調整して
一定に保持する。さらに調整装置５と反応気体の調量用
の調整弁８とを含むスパッタリング装置を設け、さらに
陰極電圧を該調整装置５の入力側６へ導びく信号線路１
５が設けられており、さらに該調整装置５の出力側７が
線路１５を介して調整弁８と持続されており、この線路
１５は調整装置５において処理された操作量を調整弁８
へ導びくようにする。 【効果】スパッタリング作動が、安定した動作点におい
てまたはその近傍において保証され、またアーク放電を
伴なわず、又工程中、高いレートが維持される。
両方の要因である動作電圧または動作電流の一方の値に
より定められる、物理的な特性曲線上の動作点を、即ち
陰極電圧ないし動作電流の強さとスパッタリング装置の
反応気体流との関係を示す特性曲線の動作点を、処理室
１の中へ導びかれる反応気体の調量により設定調整して
一定に保持する。さらに調整装置５と反応気体の調量用
の調整弁８とを含むスパッタリング装置を設け、さらに
陰極電圧を該調整装置５の入力側６へ導びく信号線路１
５が設けられており、さらに該調整装置５の出力側７が
線路１５を介して調整弁８と持続されており、この線路
１５は調整装置５において処理された操作量を調整弁８
へ導びくようにする。 【効果】スパッタリング作動が、安定した動作点におい
てまたはその近傍において保証され、またアーク放電を
伴なわず、又工程中、高いレートが維持される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば陰極スパッタリ
ングによるコーティング技術において用いられる、反応
性スパッタリング工程の調整法に関する。
ングによるコーティング技術において用いられる、反応
性スパッタリング工程の調整法に関する。
【０００２】
【従来技術】反応性気体として例えばＯ2，Ｎ2，Ｃ
Ｈ4，Ｈ2Ｓ等が用いられる。コーティング工程の場合、
相応の化合物が生ずる：基板上に層として沈着される酸
化物、ちっ化物、炭化物または硫化物が生ずる。このス
パッタリング工程は製造技術において最適であることが
示されている。スパッタリング工程は化合物の製造を再
生産可能にする。例えば、この種の反応性スパッタリン
グ工程により透明な伝導層が液晶表示（ＬＣＤ＝Ｌｉｑ
ｖｉｄ Ｃｖｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のために製
造されることだけを付言する。
Ｈ4，Ｈ2Ｓ等が用いられる。コーティング工程の場合、
相応の化合物が生ずる：基板上に層として沈着される酸
化物、ちっ化物、炭化物または硫化物が生ずる。このス
パッタリング工程は製造技術において最適であることが
示されている。スパッタリング工程は化合物の製造を再
生産可能にする。例えば、この種の反応性スパッタリン
グ工程により透明な伝導層が液晶表示（ＬＣＤ＝Ｌｉｑ
ｖｉｄ Ｃｖｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のために製
造されることだけを付言する。
【０００３】直流電圧スパッタリングおよび高周波スパ
ッタリングならびに併用形式が知られている。さらにバ
イアスによるスパッタが知られている。この場合、基板
が絶縁化された基板支持体上へ設けられ、この支持体
は、陰極よりも小さい負のバイアス電圧を有する。
ッタリングならびに併用形式が知られている。さらにバ
イアスによるスパッタが知られている。この場合、基板
が絶縁化された基板支持体上へ設けられ、この支持体
は、陰極よりも小さい負のバイアス電圧を有する。
【０００４】直流電圧スパッタリングは、陰極（ターゲ
ット）として導電材料だけに制限される、何故ならば非
電導性の陰極の場合は電流が絶縁物により遮断されるか
らである。
ット）として導電材料だけに制限される、何故ならば非
電導性の陰極の場合は電流が絶縁物により遮断されるか
らである。
【０００５】前述の高周波スパッタリングは、絶縁物を
スパッタリングする目的でも用いられる。この場合、ス
パッタリング装置の電極は高周波源により給電される。
スパッタリングする目的でも用いられる。この場合、ス
パッタリング装置の電極は高周波源により給電される。
【０００６】スパッタリング工程の場合、実際に特にこ
の種の高電力スパッタリング装置が用いられる。この装
置においては、陰極前方の磁界により粒子の衝突したが
ってイオン化の確率が増加される。
の種の高電力スパッタリング装置が用いられる。この装
置においては、陰極前方の磁界により粒子の衝突したが
ってイオン化の確率が増加される。
【０００７】この種の高電力スパッタリング装置は例え
ばドイツ連邦特許公報第２４１７２８８号に示されてい
る。
ばドイツ連邦特許公報第２４１７２８８号に示されてい
る。
【０００８】この公報に示されている高いスパッタリン
グレートを有する陰極スパッタリング装置は陰極−これ
はその表面上にスパッタリングされるべき材料を有しさ
らに基板上に堆着されるべき材料を有する−を備えてい
る。さらに次のように設けられる磁石装置を備えてい
る、即ちスパッタリング表面から送出されてこのスパッ
タリング表面へ戻る磁力線が閉ループの形式の放電領域
を形成するように、設けられている。さらにスパッタリ
ングされスパッタリング面から基板へ移動する材料の走
行路の外側に設けられた陽極を備えている。
グレートを有する陰極スパッタリング装置は陰極−これ
はその表面上にスパッタリングされるべき材料を有しさ
らに基板上に堆着されるべき材料を有する−を備えてい
る。さらに次のように設けられる磁石装置を備えてい
る、即ちスパッタリング表面から送出されてこのスパッ
タリング表面へ戻る磁力線が閉ループの形式の放電領域
を形成するように、設けられている。さらにスパッタリ
ングされスパッタリング面から基板へ移動する材料の走
行路の外側に設けられた陽極を備えている。
【０００９】前記の特許公報において提案されているこ
とは、スパッタリングされるべき、被着されるべき基板
と同じ側の陰極面が平らであること、この基板が放電領
域の近傍でこの平らなスパッタリング面に対して平行の
方向へこの面にわたり移動されること、および磁界を発
生する磁石装置が、陰極の前記の平らなスパッタリング
面と反対側に設けられていることである。
とは、スパッタリングされるべき、被着されるべき基板
と同じ側の陰極面が平らであること、この基板が放電領
域の近傍でこの平らなスパッタリング面に対して平行の
方向へこの面にわたり移動されること、および磁界を発
生する磁石装置が、陰極の前記の平らなスパッタリング
面と反対側に設けられていることである。
【００１０】本発明の基本原理の実現は上述の形式の陰
極スパッタリングだけに制限されるものではない。本発
明の対象は、反応スパッタリングの調整に関連する対象
に汎用に適用できる。
極スパッタリングだけに制限されるものではない。本発
明の対象は、反応スパッタリングの調整に関連する対象
に汎用に適用できる。
【００１１】
【発明の解決すべき課題点】本発明は次の課題にもとづ
く：反応スパッタリング工程の調整を根本的に改善すべ
きである。例えば安定したスパッタリング作動を保証す
べきである。即ちこの作動を、物理的な特性曲線上の１
つの動作点においてまたはその近傍において安定状態に
おくべきである。
く：反応スパッタリング工程の調整を根本的に改善すべ
きである。例えば安定したスパッタリング作動を保証す
べきである。即ちこの作動を、物理的な特性曲線上の１
つの動作点においてまたはその近傍において安定状態に
おくべきである。
【００１２】スパッタリング作動はアーク作用（アーク
放電）の発生がないようにすべきである。スパッタリン
グ工程の間中は、高いスパータレートが維持されるべき
である。
放電）の発生がないようにすべきである。スパッタリン
グ工程の間中は、高いスパータレートが維持されるべき
である。
【００１３】最後に本発明の対象は汎用に適用されるべ
きである。即ち前述の直流電圧スパッタリング法（ＤＣ
スパッタリング）にも、高周波スパッタリング法（ＨＦ
スパッタリング法）にも、ＤＣ／ＨＦ組み合わせの場合
も、中波（ｋＨｚ範囲）によるスパッタの場合も、なら
びにバイアス（バイアス電圧）を用いたまたは用いない
スパッタの場合も、適用可能にすべきである。
きである。即ち前述の直流電圧スパッタリング法（ＤＣ
スパッタリング）にも、高周波スパッタリング法（ＨＦ
スパッタリング法）にも、ＤＣ／ＨＦ組み合わせの場合
も、中波（ｋＨｚ範囲）によるスパッタの場合も、なら
びにバイアス（バイアス電圧）を用いたまたは用いない
スパッタの場合も、適用可能にすべきである。
【００１４】
【課題を解決すべき手段】設定された課題は、次のよう
にして解決されている。即ち反応性スパッタリング工程
の調整法において、反応性スパッタリング工程の所要電
力を定める両方の要因である動作電圧または動作電流の
一方の値により定められる物理的な特性曲線上の動作点
を、即ち陰極電圧ないし動作電流の強さとスパッタリン
グ装置の反応気体流との関係を示す特性曲線の動作点
を、処理室の中へ導びかれる反応気体の調量により設定
調整して一定に保持するように構成したのである。この
場合、全部のスパッタリング電力、Ｐ＝Ｉ×Ｕは、電力
供給装置により一定に維持される。
にして解決されている。即ち反応性スパッタリング工程
の調整法において、反応性スパッタリング工程の所要電
力を定める両方の要因である動作電圧または動作電流の
一方の値により定められる物理的な特性曲線上の動作点
を、即ち陰極電圧ないし動作電流の強さとスパッタリン
グ装置の反応気体流との関係を示す特性曲線の動作点
を、処理室の中へ導びかれる反応気体の調量により設定
調整して一定に保持するように構成したのである。この
場合、全部のスパッタリング電力、Ｐ＝Ｉ×Ｕは、電力
供給装置により一定に維持される。
【００１５】詳細に提案されている構成は、例えば動作
電圧（放電電圧）の値により定められる、スパッタリン
グ装置の動作点を、処理室の中へ導びかれる反応気体た
とえばＯ2により設定調整して一定にまたは近似的に一
定に維持することである。
電圧（放電電圧）の値により定められる、スパッタリン
グ装置の動作点を、処理室の中へ導びかれる反応気体た
とえばＯ2により設定調整して一定にまたは近似的に一
定に維持することである。
【００１６】代替的に設けられている構成は、例えば動
作電流の値により定められる、スパッタリング装置の動
作点を、処理室の中へ導びかれる反応気体たとえばＯ2
により設定調整して一定にまたは近似的に一定に維持す
ることである。
作電流の値により定められる、スパッタリング装置の動
作点を、処理室の中へ導びかれる反応気体たとえばＯ2
により設定調整して一定にまたは近似的に一定に維持す
ることである。
【００１７】補完的に設けられている構成は、スパッタ
リングされる層が、化合物の金属元素たとえばＡｌ，Ｓ
ｉの２次電子放射量よりも高い２次電子放射量を有する
化合物たとえばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2を含む反応性スパッ
タリング工程の場合、低下する放電電圧−反応気体流−
調整特性曲線により特徴づけられる調整特性が反応気体
調量の際に用いられるようにし、即ち該調整特性曲線と
して、反応気体流の増加と共に低下する放電電圧が前も
って与えられていることである。
リングされる層が、化合物の金属元素たとえばＡｌ，Ｓ
ｉの２次電子放射量よりも高い２次電子放射量を有する
化合物たとえばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2を含む反応性スパッ
タリング工程の場合、低下する放電電圧−反応気体流−
調整特性曲線により特徴づけられる調整特性が反応気体
調量の際に用いられるようにし、即ち該調整特性曲線と
して、反応気体流の増加と共に低下する放電電圧が前も
って与えられていることである。
【００１８】前記の構成に対して代替的に設けられてい
る構成は、スパッタリングされる層が、化合物の金属元
素たとえばＡｌ，Ｓｉの２次電子放射量よりも高い２次
電子放射量を有する化合物たとえばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2
を含む反応性スパッタリング工程の場合、低下する放電
電流−反応気体流−調整特性曲線により特徴づけられる
調整特性が反応気体調量の際に用いられるようにし、即
ち該調整特性曲線として、反応気体流の増加と共に低下
する放電電流が前もって与えられてることである。
る構成は、スパッタリングされる層が、化合物の金属元
素たとえばＡｌ，Ｓｉの２次電子放射量よりも高い２次
電子放射量を有する化合物たとえばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2
を含む反応性スパッタリング工程の場合、低下する放電
電流−反応気体流−調整特性曲線により特徴づけられる
調整特性が反応気体調量の際に用いられるようにし、即
ち該調整特性曲線として、反応気体流の増加と共に低下
する放電電流が前もって与えられてることである。
【００１９】本発明の構成に次の構成が所属する、即ち
スパッタリングされる層が、化合物の金属元素たとえば
Ｃｒの２次電子放射量よりも高い２次電子放射量を有す
る化合物たとえばＣｒＯを含む反応性スパッタリング工
程の場合、上昇する放電電圧−反応気体流−調整特性曲
線により特徴づけられる調整特性が反応気体調量の際に
用いられるようにし、即ち該調整特性曲線として、反応
気体流の増加と共に上昇する放電電圧が前もって与えら
れていることである。
スパッタリングされる層が、化合物の金属元素たとえば
Ｃｒの２次電子放射量よりも高い２次電子放射量を有す
る化合物たとえばＣｒＯを含む反応性スパッタリング工
程の場合、上昇する放電電圧−反応気体流−調整特性曲
線により特徴づけられる調整特性が反応気体調量の際に
用いられるようにし、即ち該調整特性曲線として、反応
気体流の増加と共に上昇する放電電圧が前もって与えら
れていることである。
【００２０】この構成に代替的に提案されていること
は、スパッタリングされる層が、化合物の金属元素たと
えばＣｒの２次電子放射量よりも高い２次電子放射量を
有する化合物たとえばＣｒＯを含む反応性スパッタリン
グ工程の場合、低下する放電電流−反応気体流−調整特
性曲線により特徴づけられる調整特性が反応気体調量の
際に用いられるようにし、即ち該調整特性曲線として、
反応気体流の増加と共に低下する放電電圧が前もって与
えられていることである。
は、スパッタリングされる層が、化合物の金属元素たと
えばＣｒの２次電子放射量よりも高い２次電子放射量を
有する化合物たとえばＣｒＯを含む反応性スパッタリン
グ工程の場合、低下する放電電流−反応気体流−調整特
性曲線により特徴づけられる調整特性が反応気体調量の
際に用いられるようにし、即ち該調整特性曲線として、
反応気体流の増加と共に低下する放電電圧が前もって与
えられていることである。
【００２１】詳細に設けられていることは、陰極電圧が
実際値ないし入力信号として、調整装置へ導びかれるよ
うにし、さらに該調整装置が該入力信号を、反応気体流
のための調整弁の形式の、反応気体流を調量する操作素
子へ操作値として導びかれるようにしたのである。
実際値ないし入力信号として、調整装置へ導びかれるよ
うにし、さらに該調整装置が該入力信号を、反応気体流
のための調整弁の形式の、反応気体流を調量する操作素
子へ操作値として導びかれるようにしたのである。
【００２２】代替的に提案されている構成は、電流の強
さが実際値ないし入力信号として、調整装置へ導びかれ
るようにし、さらに該調整装置が該入力信号を、反応気
体流のための調整弁の形式の、反応気体流を調量する操
作素子へ操作値として導びかれるようにしたのである。
さが実際値ないし入力信号として、調整装置へ導びかれ
るようにし、さらに該調整装置が該入力信号を、反応気
体流のための調整弁の形式の、反応気体流を調量する操
作素子へ操作値として導びかれるようにしたのである。
【００２３】本発明に対してさらに前述の方法を実施す
るための装置が所属する。
るための装置が所属する。
【００２４】この装置に対して提案されている構成は、
調整装置（反応気体調整器）と反応気体の調量用の調整
弁とを含むスパッタリング装置が設けられており、さら
に陰極電圧を該調整装置の入力側へ導びく信号線路が設
けられており、さらに該調整装置の出力側が線路を介し
て調整弁と接続されており、この場合この線路は、調整
装置において処理された操作量を調整弁へ導びくように
されていることである。
調整装置（反応気体調整器）と反応気体の調量用の調整
弁とを含むスパッタリング装置が設けられており、さら
に陰極電圧を該調整装置の入力側へ導びく信号線路が設
けられており、さらに該調整装置の出力側が線路を介し
て調整弁と接続されており、この場合この線路は、調整
装置において処理された操作量を調整弁へ導びくように
されていることである。
【００２５】代替的に、調整法の範囲において、陰極電
圧によるのではなく、別の実施例においては陰極電流に
より動作させることができる。
圧によるのではなく、別の実施例においては陰極電流に
より動作させることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明により次の利点が得られる：スパ
ッタリング作動が、安定した動作点においてまたはその
近傍において保証される。スパッタリング作動にはアー
ク放電が伴なわない。スパッタリング工程の間中、高い
スパッタリングレートが維持される。
ッタリング作動が、安定した動作点においてまたはその
近傍において保証される。スパッタリング作動にはアー
ク放電が伴なわない。スパッタリング工程の間中、高い
スパッタリングレートが維持される。
【００２７】本発明、課題設定および効果の詳細は、本
発明の方法を実施する装置に対する以下の説明に示され
ている。
発明の方法を実施する装置に対する以下の説明に示され
ている。
【００２８】反応性スパッタリング工程の実施例ならび
に物理的な特性曲線ならびに使用される方法は図面に示
されている。
に物理的な特性曲線ならびに使用される方法は図面に示
されている。
【００２９】この装置により、図示されていない基板上
へ反応性スパッタリングにより層が形成される。これら
の層はこの実施例の場合、化合物から例えばＡｌ2Ｏ3ま
たはＳｉＯ2から形成されている。ＡｌないしＳｉから
成る金属ターケットによりスパッタリングされる。スパ
ッタ雰囲気はアルゴンおよび、反応気体としてＯ2を有
する混合気体から成る。
へ反応性スパッタリングにより層が形成される。これら
の層はこの実施例の場合、化合物から例えばＡｌ2Ｏ3ま
たはＳｉＯ2から形成されている。ＡｌないしＳｉから
成る金属ターケットによりスパッタリングされる。スパ
ッタ雰囲気はアルゴンおよび、反応気体としてＯ2を有
する混合気体から成る。
【００３０】この装置は、所定の調整特性が記憶されて
いる調整装置を有する。この調整装置は調整特性を用い
て陰極電圧を、この調整装置の出力側における操作値と
なるように、処理する。この操作量は、反応気体Ｏ2の
ための調整弁として構成されている操作素子へ導びかれ
る。
いる調整装置を有する。この調整装置は調整特性を用い
て陰極電圧を、この調整装置の出力側における操作値と
なるように、処理する。この操作量は、反応気体Ｏ2の
ための調整弁として構成されている操作素子へ導びかれ
る。
【００３１】記憶されている調整特性にもとづいて、処
理室へのＯ2入力流は、所定の放電電圧（動作電圧）が
一定に維持されるように、調整される。
理室へのＯ2入力流は、所定の放電電圧（動作電圧）が
一定に維持されるように、調整される。
【００３２】金属元素たとえばＡｌ，Ｓｉの２次電子放
出量よりも大きい２次電子放出量を有する化合物たとえ
ばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2が基板上へスパッタリングされる
スパッタリング工程の場合、下降性の放電電圧−反応気
体流−調整特性により特徴づけられている調整特性が、
即ち調整特性曲線として、反応気体流が増加すると減少
する放電電圧が前もって与えられる調整特性が反応気体
調量の際に用いられる。
出量よりも大きい２次電子放出量を有する化合物たとえ
ばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2が基板上へスパッタリングされる
スパッタリング工程の場合、下降性の放電電圧−反応気
体流−調整特性により特徴づけられている調整特性が、
即ち調整特性曲線として、反応気体流が増加すると減少
する放電電圧が前もって与えられる調整特性が反応気体
調量の際に用いられる。
【００３３】本発明の開示は次のような調整原理を提案
した点にある。即ち物理的特性曲線“陰極電圧−Ｏ
2流”（図２）ないし“電流の強さ−Ｏ2流”（図３）の
指示とは反対に、本発明の基本原理が実施され、それに
もかかわらず実際に機能する点にある。他方、調整は、
スパッタリング工程の“低下”への物理的特性にもとづ
いて実施される。
した点にある。即ち物理的特性曲線“陰極電圧−Ｏ
2流”（図２）ないし“電流の強さ−Ｏ2流”（図３）の
指示とは反対に、本発明の基本原理が実施され、それに
もかかわらず実際に機能する点にある。他方、調整は、
スパッタリング工程の“低下”への物理的特性にもとづ
いて実施される。
【００３４】本発明の要旨は、スパッタリング工程の所
期の安定動作点が、反応気体調量により調整される点に
ある。
期の安定動作点が、反応気体調量により調整される点に
ある。
【００３５】
【実施例】図１において１で処理室が示されている。２
は陰極を示す参照数字である。３でターゲットを示す。
４はエネルギ供給ユニットを示す。ＤＣ電流供給装置ま
たはＨＦ発生器（高周波発生器）を用いることもでき
る。ＤＣ電流供給装置とＨＦ発生器から成るエネルギ源
を用いることもできる。さらにＭＦ発生器（中波発生
器）を設けることができる。
は陰極を示す参照数字である。３でターゲットを示す。
４はエネルギ供給ユニットを示す。ＤＣ電流供給装置ま
たはＨＦ発生器（高周波発生器）を用いることもでき
る。ＤＣ電流供給装置とＨＦ発生器から成るエネルギ源
を用いることもできる。さらにＭＦ発生器（中波発生
器）を設けることができる。
【００３６】５で調整装置が示されており、この中に調
整特性が制御量として記憶されている。６で調整装置の
入力側を示す。７は出力側を表わす。
整特性が制御量として記憶されている。６で調整装置の
入力側を示す。７は出力側を表わす。
【００３７】８は、反応気体のための調整弁の形式の、
調整回路の操作部材である。９でアルゴンのため流量計
が示されている。１０は気体混合器を示す参照番号であ
る。処理室１の内部に、Ｏ2とＡｒから成る混合気体の
ための出口開口が設けられている。これらの出口開口
は、要求に応じて、気体シャワ管−または気体ランサの
中にまたは他の適切な装置の中に、設けられている。こ
の実施例の場合は気体ランサである装置は、図１におい
て参照数字１１を有する。気体ランサの開口の端部は１
２で示されている。真空の管１４を介して処理室は、必
要とされる低い作動圧力レベルへ移される。
調整回路の操作部材である。９でアルゴンのため流量計
が示されている。１０は気体混合器を示す参照番号であ
る。処理室１の内部に、Ｏ2とＡｒから成る混合気体の
ための出口開口が設けられている。これらの出口開口
は、要求に応じて、気体シャワ管−または気体ランサの
中にまたは他の適切な装置の中に、設けられている。こ
の実施例の場合は気体ランサである装置は、図１におい
て参照数字１１を有する。気体ランサの開口の端部は１
２で示されている。真空の管１４を介して処理室は、必
要とされる低い作動圧力レベルへ移される。
【００３８】３６で反応気体Ｏ2のための管を示す。こ
の管は、調整により調量されるＯ2流を気体混合器１０
へ導びく。
の管は、調整により調量されるＯ2流を気体混合器１０
へ導びく。
【００３９】３８によりアルゴンのための管を示す。３
９は、流量計９と気体混合器１０との間の接続管であ
る。４０で気体混合器と気体シヤワ管−ないし気体ラン
サ体１１との間の接続管を示す。
９は、流量計９と気体混合器１０との間の接続管であ
る。４０で気体混合器と気体シヤワ管−ないし気体ラン
サ体１１との間の接続管を示す。
【００４０】基板およびこの基板上に成長する層はたと
えばＡ2Ｏ3から形成できる層は、一般的に知られている
ため、簡単化の目的で示されていない。
えばＡ2Ｏ3から形成できる層は、一般的に知られている
ため、簡単化の目的で示されていない。
【００４１】スパッタリング処理の間中は処理室の中に
Ａｒ／Ｏ2雰囲気が即ち反応性雰囲気が占めている。
Ａｒ／Ｏ2雰囲気が即ち反応性雰囲気が占めている。
【００４２】スパッタリング処理のために必要とされる
電力を電圧Ｕと電流の強さＩとの積が表わす。この電力
は給電ユニット４から例えば線１３を介して陰極２へ導
びかせる。場合により必要とされる別の電力線は、簡単
化のためかつ図面を見やすくするために省略されてい
る。スパッタリング処理の間中は、処理室の中にはプラ
ズマが存在する。このことについては多数の公知の刊行
物を参照のこと。
電力を電圧Ｕと電流の強さＩとの積が表わす。この電力
は給電ユニット４から例えば線１３を介して陰極２へ導
びかせる。場合により必要とされる別の電力線は、簡単
化のためかつ図面を見やすくするために省略されてい
る。スパッタリング処理の間中は、処理室の中にはプラ
ズマが存在する。このことについては多数の公知の刊行
物を参照のこと。
【００４３】線１５を介して陰極電圧が調整装置５（反
応気体調整器）の入力側６へ導びかれる。調整装置の中
に記憶されている制御量（調整特性）にもとづいて、入
力側６へ加えられる信号は調整装置において、操作量と
なるように処理される。この操作量は調整装置の出力側
に送出される。線１６を介してこの操作量が、Ｏ2流の
ための操作部材（調整弁）へ導びかれる。そのためＯ2
流は、記憶されている調整特性に応じて調量される。
応気体調整器）の入力側６へ導びかれる。調整装置の中
に記憶されている制御量（調整特性）にもとづいて、入
力側６へ加えられる信号は調整装置において、操作量と
なるように処理される。この操作量は調整装置の出力側
に送出される。線１６を介してこの操作量が、Ｏ2流の
ための操作部材（調整弁）へ導びかれる。そのためＯ2
流は、記憶されている調整特性に応じて調量される。
【００４４】後述の工程およびスパッタリング工程の理
解のために、概略的に次の説明が必要とされる。
解のために、概略的に次の説明が必要とされる。
【００４５】スパッタリング工程の間中、酸化物が例え
ばＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2が形成される。Ａｌ2Ｏ3また
はＳｉＯ2ではなく、他の酸化物または化合物が生ずる
こともある。酸化物は一方では、基板上に成長する層を
形成し、他方ではこの酸化物はスパッタリング工程中に
ターゲット表面をある程度の領域においておおう。外被
ないし被覆はターゲット表面の、侵蝕されていない領域
上で形成しはじめて、さらに工程パラメータに応じて、
ターゲット表面の侵蝕された領域の中へ多かれ少なかれ
成長する。次に前提とされることは、化合物が成長した
Ａｌ2Ｏ3層でありかつ反応気体としてＯ2が用いられる
ことである。
ばＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2が形成される。Ａｌ2Ｏ3また
はＳｉＯ2ではなく、他の酸化物または化合物が生ずる
こともある。酸化物は一方では、基板上に成長する層を
形成し、他方ではこの酸化物はスパッタリング工程中に
ターゲット表面をある程度の領域においておおう。外被
ないし被覆はターゲット表面の、侵蝕されていない領域
上で形成しはじめて、さらに工程パラメータに応じて、
ターゲット表面の侵蝕された領域の中へ多かれ少なかれ
成長する。次に前提とされることは、化合物が成長した
Ａｌ2Ｏ3層でありかつ反応気体としてＯ2が用いられる
ことである。
【００４６】ターゲット表面が酸化物で被われているか
に応じて、２次電子放射量が多くまたは少なく設定され
る。反応気体Ｏ2が多く導びかれるほど、Ａｌ2Ｏ3によ
るターゲットの一層大きい被覆が形成される。ターゲッ
トの被覆がより大きいほど、２次電子放射量が一層大き
くなる。この一層大きい２次電子放射量は、一層大きい
放電電流Ｉを意味する。電力消費Ｐが一定に維持される
場合、このことは低下してゆく放電電圧Ｕと同じ意味で
ある、何故ならばＰ（一定）＝Ｕ×Ｉだからである。
に応じて、２次電子放射量が多くまたは少なく設定され
る。反応気体Ｏ2が多く導びかれるほど、Ａｌ2Ｏ3によ
るターゲットの一層大きい被覆が形成される。ターゲッ
トの被覆がより大きいほど、２次電子放射量が一層大き
くなる。この一層大きい２次電子放射量は、一層大きい
放電電流Ｉを意味する。電力消費Ｐが一定に維持される
場合、このことは低下してゆく放電電圧Ｕと同じ意味で
ある、何故ならばＰ（一定）＝Ｕ×Ｉだからである。
【００４７】ここに説明された工程の物理的および化学
的な基礎のための詳細は、専門書に示されている。
的な基礎のための詳細は、専門書に示されている。
【００４８】次に図２および図３を用いて調整のパラド
クスを即ち物理的な特性曲線と記憶されている調整特性
曲線との間の相反性を説明する。上述のように物理的な
特性曲線の指示に反するこの調整特性の定義の中に、本
発明による成果が存在する。
クスを即ち物理的な特性曲線と記憶されている調整特性
曲線との間の相反性を説明する。上述のように物理的な
特性曲線の指示に反するこの調整特性の定義の中に、本
発明による成果が存在する。
【００４９】図２に座標系が示されている。縦座標１７
に陰極電圧Ｕが記入されている。横座標１８はＯ2流を
示す値を有する。曲線１９は物理的特性曲線“陰極電圧
−Ｏ2流”である。２０で動作点、調整の目標点が曲線
上に示されている。２１はこれに所属する電圧、目標電
圧であり、２２はこれに所属のＯ2流である。２３で目
標点を下回わる実際点が示されている。２４は目標点を
上回わる第２の実際点である。これらの両方の点に両方
の電圧、ＵISt-1，ＵISt-2，２５，２６が配属されてい
る。図２における物理的放電電圧−反応気体流−特性曲
線により、反応スパッタを対象とする、平行に走行する
点状の添付曲線により特徴づけられた、特性領域４２
と、平行に走行する破線の添付曲線により特徴づけられ
た特性領域４３により、２つの全く異なる特性曲線走行
経過が設けられているにもかかわらず、両方の領域にお
ける工程の監視の目的に次のような１つの調整特性しか
用いられない。即ち低下性の特性曲線の調整特性が、即
ち対象とする動作点の存在する特性領域において、物理
的な特性曲線に反して、低下性の特性曲線に相応する調
整特性により調整する必要がある（調整パラドクに見え
る）。
に陰極電圧Ｕが記入されている。横座標１８はＯ2流を
示す値を有する。曲線１９は物理的特性曲線“陰極電圧
−Ｏ2流”である。２０で動作点、調整の目標点が曲線
上に示されている。２１はこれに所属する電圧、目標電
圧であり、２２はこれに所属のＯ2流である。２３で目
標点を下回わる実際点が示されている。２４は目標点を
上回わる第２の実際点である。これらの両方の点に両方
の電圧、ＵISt-1，ＵISt-2，２５，２６が配属されてい
る。図２における物理的放電電圧−反応気体流−特性曲
線により、反応スパッタを対象とする、平行に走行する
点状の添付曲線により特徴づけられた、特性領域４２
と、平行に走行する破線の添付曲線により特徴づけられ
た特性領域４３により、２つの全く異なる特性曲線走行
経過が設けられているにもかかわらず、両方の領域にお
ける工程の監視の目的に次のような１つの調整特性しか
用いられない。即ち低下性の特性曲線の調整特性が、即
ち対象とする動作点の存在する特性領域において、物理
的な特性曲線に反して、低下性の特性曲線に相応する調
整特性により調整する必要がある（調整パラドクに見え
る）。
【００５０】次にＵIStがＵSO11よりも低い場合の調整
特性を説明する。
特性を説明する。
【００５１】１． 調整装置はＵIStをＵSO11と比較し
てＵISt-1、参照番号２５、がＵSO11よりも低いことを
検出する。
てＵISt-1、参照番号２５、がＵSO11よりも低いことを
検出する。
【００５２】２． 物理的な特性曲線に反して、調整器
はＯ2流を減少する。これにより下記が作動される； ａ）ターゲット表面上の酸化物層が減少される。
はＯ2流を減少する。これにより下記が作動される； ａ）ターゲット表面上の酸化物層が減少される。
【００５３】ｂ）そのため２次電子放射が低下する、即
ち電流の強さＩが低減される。
ち電流の強さＩが低減される。
【００５４】ｃ）Ｐ（一定）＝Ｕ×Ｉであるため、前記
の結果、放電電圧が値ＵISt-2、参照番号２６まで上昇
する。
の結果、放電電圧が値ＵISt-2、参照番号２６まで上昇
する。
【００５５】３． 調整器はＵISt-2をＵSO11と比較し
てＵISt-2がＵSO11よりも高いことを検出する。
てＵISt-2がＵSO11よりも高いことを検出する。
【００５６】４． 調整器はＯ2流を増加する。
【００５７】５． ターゲット表面上の酸化物被膜は一
層増加する。
層増加する。
【００５８】６． ２次電子放射が増加しそのため電流
の強さが上昇する。
の強さが上昇する。
【００５９】７． Ｐ（一定）＝Ｕ×Ｉであるため、電
圧が低下して値ＵSO11へ接近する、あるいは達する。
圧が低下して値ＵSO11へ接近する、あるいは達する。
【００６０】結果：Ｏ2流の調整により動作点２０が即
ちＵSO11が設定される。
ちＵSO11が設定される。
【００６１】図３に物理特性曲線“電流の強さＩ−Ｏ2
流”が曲線２７として示されている。
流”が曲線２７として示されている。
【００６２】縦座標２８に電流の強さの値が、および横
座標２９にＯ2流の値が記入されている。３０は動作点
である。３１と３２は曲線上の実際点である。動作点３
０に動作電流３３とＯ2流の値４１が配属されている。
実際点３１に実際電流３４が、および実際点３２に実際
電流３５が配属されている。図３の物理的放電電流−反
応気体流−特性曲線により、反応性スパッタリングを対
象とする特性領域４４−平行に走行する点状の添付特性
曲線により特徴づけられている−および４５−平行に走
行する破線状の添付特性により特徴づれられている−の
中へ２つの全く異なる特性経過が設けられているにもか
かわらず、両方の領域におけるスパッタリング工程の監
視の目的で唯１の調整特性が、即ち増加性の特性曲線の
領域が用いられる。特性領域４５−ここには対象とする
動作点が存在している−において、物理特性曲線反して
上昇性の特性曲線に相応する調整特性により調整しなけ
ればならない（調整パラドクスに見える）。
座標２９にＯ2流の値が記入されている。３０は動作点
である。３１と３２は曲線上の実際点である。動作点３
０に動作電流３３とＯ2流の値４１が配属されている。
実際点３１に実際電流３４が、および実際点３２に実際
電流３５が配属されている。図３の物理的放電電流−反
応気体流−特性曲線により、反応性スパッタリングを対
象とする特性領域４４−平行に走行する点状の添付特性
曲線により特徴づけられている−および４５−平行に走
行する破線状の添付特性により特徴づれられている−の
中へ２つの全く異なる特性経過が設けられているにもか
かわらず、両方の領域におけるスパッタリング工程の監
視の目的で唯１の調整特性が、即ち増加性の特性曲線の
領域が用いられる。特性領域４５−ここには対象とする
動作点が存在している−において、物理特性曲線反して
上昇性の特性曲線に相応する調整特性により調整しなけ
ればならない（調整パラドクスに見える）。
【００６３】次にＩIStがＩSO11よりも小さい場合の調
整特性を説明する； １． 調整器はＩIStとＩSO11を比較して、ＩISt-1、参
照数字３４がＩSO11よりも小さいことを検出する。
整特性を説明する； １． 調整器はＩIStとＩSO11を比較して、ＩISt-1、参
照数字３４がＩSO11よりも小さいことを検出する。
【００６４】２． 物理的な特性曲線に反して調整器は
Ｏ2流を増加する。これにより下記が作動される： ａ）ターゲット表面上の酸化物層がさらに成長する。
Ｏ2流を増加する。これにより下記が作動される： ａ）ターゲット表面上の酸化物層がさらに成長する。
【００６５】ｂ）そのため２次電子放射が即ち電流の強
さＩが増加する。
さＩが増加する。
【００６６】ｃ）Ｐ（一定）＝Ｕ×Ｉであるため、上記
の結果、放電電流がＩSO11を越えて値ＩISt-2、参照数
字３５まで達する。
の結果、放電電流がＩSO11を越えて値ＩISt-2、参照数
字３５まで達する。
【００６７】３． 調整器はＩISt-2をＩSO11と比較し
て、ＩISt-2がＩSO11よりも大きいことを検出する。
て、ＩISt-2がＩSO11よりも大きいことを検出する。
【００６８】４． 調整器はＯ2流を低減する。
【００６９】５． ターゲット表面上の酸化物被膜が減
少される。
少される。
【００７０】６． ２次電子放射が低減され、そのため
電流の強さが低減される。
電流の強さが低減される。
【００７１】７． 実際−電流の強さが目標−電流の強
さに接近し、最後に目標−電流強さになる。
さに接近し、最後に目標−電流強さになる。
【００７２】結果：Ｏ2流の調整により、動作点３０が
即ちＩSO11が設定される。
即ちＩSO11が設定される。
【００７３】化合物たとえばＣｒＯから成る層の２次電
子放射は、相応の金属元素たとえばＣｒの２次電子放射
よりも小さい。このような層のスパッタリングの場合、
本発明により次の構成の陰極電圧−／反応気体流調整特
性ないし陰極電流−／反応気体流調整特性が提案され
る。即ちこの調整特性は、逆の方向に経過する２次電子
放射のため、図２と図３に関連づけて説明された調整特
性ないし調整法に関連づけて相応に逆の方向に形成され
ている。この調整法のための詳細は、前述の請求項７お
よび請求項８においておよび明細書導入部に示されてい
る。
子放射は、相応の金属元素たとえばＣｒの２次電子放射
よりも小さい。このような層のスパッタリングの場合、
本発明により次の構成の陰極電圧−／反応気体流調整特
性ないし陰極電流−／反応気体流調整特性が提案され
る。即ちこの調整特性は、逆の方向に経過する２次電子
放射のため、図２と図３に関連づけて説明された調整特
性ないし調整法に関連づけて相応に逆の方向に形成され
ている。この調整法のための詳細は、前述の請求項７お
よび請求項８においておよび明細書導入部に示されてい
る。
【図１】装置のブロック図である。
【図２】Ｏ2流に依存する放電電圧の曲線図である。
【図３】Ｏ2に依存する放電電流の曲線図である。
１ 処理室 ２ 陰極 ３ ターゲット ４ エネルギ供給ユニット ５ 調整装置 ６ 入力側 ７ 出力側 ８ 調整弁 ９ 流量計 １０ 気体混合器 １１ ランサ １２ 開口 １３ 線 １４ 真空の管 １５，１６ 線 １７ 縦座標 １８ 横座標 １９ 曲線 ２０ 動作点 ２１ 電圧 ２２ Ｏ2流 ２３ 実際点 ２４ 実際点 ２５ 実際電圧，ＵISt-1 ２６ 実際電圧，ＵISt-2 ２７ 曲線 ２８ 縦座標 ２９ 横座標 ３０ 動作点 ３１ 実際点 ３２ 実際点 ３３ 動作電流 ３４ 実際電流，ＩISt-1 ３５ 実際電流，ＩISt-2 ３６，３７，３８，３９，４０ 線 ４１ Ｏ2流，値 ４２，４３，４４，４５ 特性領域
Claims (20)
- 【請求項１】 反応性スパッタリング工程の調整法にお
いて、反応性スパッタリング工程の電力消費を定める両
方の要因である動作電圧または動作電流のうちの一方の
要因により定められる、物理的な特性曲線上の動作点
を、即ち陰極電圧ないし動作電流の強さとスパッタリン
グ装置の反応気体流との関係を示す特性曲線上の動作点
を、処理室の中へ導びかれる反応気体の調量により設定
調整して一定に保持することを特徴とする反応スパッタ
過程の調整法。 - 【請求項２】 例えば動作電圧（放電電圧）の値により
定められる、スパッタリング装置の動作点を、処理室の
中へ導びかれる反応気体たとえばＯ2により設定調整し
て一定にまたは近似的に一定に維持するようにした請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 例えば動作電流の値により定められる、
スパッタリング装置の動作点を、処理室の中へ導びかれ
る反応気体たとえばＯ2により設定調整して一定にまた
は近似的に一定に維持するようにした請求項１又は２記
載の方法。 - 【請求項４】 スパッタリングされる層が、化合物の金
属元素たとえばＡｌ，Ｓｉの２次電子放射量よりも高い
２次電子放射量を有する化合物たとえばＡｌ2Ｏ3，Ｓｉ
Ｏ2を含む反応性スパッタリング工程の場合、低下する
放電電圧−反応気体流−調整特性曲線により特徴づけら
れる調整特性が反応気体調量の際に用いられるように
し、即ち該調整特性曲線として、反応気体流の増加と共
に低下する放電電圧が前もって与えられるようにした請
求項１から３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 スパッタリングされる層が、化合物の金
属元素たとえばＡｌ，Ｓｉの２次電子放射量よりも高い
２次電子放射量を有する化合物たとえばＡｌ2Ｏ3，Ｓｉ
Ｏ2を含む反応性スパッタリング工程の場合、低下する
放電電流−反応気体流−調整特性曲線により特徴づけら
れる調整特性が反応気体調量の際に用いられるように
し、即ち該調整特性曲線として、反応気体流の増加と共
に低下する放電電流が前もって与えられるようにした請
求項１から４までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項６】 スパッタリングされる層が、化合物の金
属元素たとえばＣｒの２次電子放射量よりも高い２次電
子放射量を有する化合物たとえばＣｒＯを含む反応性ス
パッタリング工程の場合、上昇する放電電圧−反応気体
流−調整特性曲線により特徴づけられる調整特性が反応
気体調量の際に用いられるようにし、即ち該調整特性曲
線として、反応気体流の増加と共に上昇する放電電圧が
前もって与えられている請求項１から５までのいずれか
１項記載の方法。 - 【請求項７】 スパッタリングされる層が、化合物の金
属元素たとえばＣｒの２次電子放射量よりも高い２次電
子放射量を有する化合物たとえばＣｒＯを含む反応性ス
パッタリング工程の場合、低下する放電電流−反応気体
流−調整特性曲線により特徴づけられる調整特性が反応
気体調量の際に用いられるようにし、即ち該調整特性曲
線として、反応気体流の増加と共に低下する放電電圧が
前もって与えられている請求項１から６までのいずれか
１項記載の方法。 - 【請求項８】 陰極電圧が実際値ないし入力信号とし
て、調整装置（５）へ導びかれるようにし、さらに該調
整装置が該入力信号を、反応気体流のための調整弁
（８）の形式の、反応気体流を調量する操作素子へ操作
値として導びかれるようにした請求項１から７までのい
ずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】 電流の強さが実際値ないし入力信号とし
て、調整装置へ導びかれるようにし、さらに該調整装置
が該入力信号を、反応気体流のための調整弁の形式の、
反応気体流を調量する操作素子へ操作値として導びかれ
るようにした請求項１から８までのいずれか１項記載の
方法。 - 【請求項１０】 反応性スパッタリング工程の調整法に
おいて、反応性スパッタリング工程の所要電力を定める
両方の要因である動作電圧または動作電流の一方の値に
より定められる物理的な特性曲線上の動作点を、即ち陰
極電圧ないし動作電流の強さとスパッタリング装置の反
応気体流との関係を示す特性曲線の動作点を、処理室の
中へ導びかれる反応気体の調量により設定調整して近似
的に一定に保持することを特徴とする反応スパッタ過程
の調整法。 - 【請求項１１】 例えば動作電圧（放電電圧）の値によ
り定められる、スパッタリング装置の動作点を、処理室
の中へ導びかれる反応気体たとえばＯ2により設定調整
して一定にまたは近似的に一定に維持するようにした請
求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 例えば動作電流の値により定められ
る、スパッタリング装置の動作点を、処理室の中へ導び
かれる反応気体たとえばＯ2により設定調整して一定に
または近似的に一定に維持するようにした請求項１０又
は１１記載の方法。 - 【請求項１３】 スパッタリングされる層が、化合物の
金属元素たとえばＡｌ，Ｓｉの２次電子放射量よりも高
い２次電子放射量を有する化合物たとえばＡｌ2Ｏ3，Ｓ
ｉＯ2を含む反応性スパッタリング工程の場合、低下す
る放電電圧−反応気体流−調整特性曲線により特徴づけ
られる調整特性が反応気体調量の際に用いられるように
し、即ち該調整特性曲線として、反応気体流の増加と共
に低下する放電電圧が前もって与えられるようにした請
求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１４】 スパッタリングされる層が、化合物の
金属元素たとえばＡｌ，Ｓｉの２次電子放射量よりも高
い２次電子放射量を有する化合物たとえばＡｌ2Ｏ3，Ｓ
ｉＯ2を含む反応性スパッタリング工程の場合、低下す
る放電電流−反応気体流−調整特性曲線により特徴づけ
られる調整特性が反応気体調量の際に用いられるように
し、即ち該調整特性曲線として、反応気体流の増加と共
に低下する放電電流が前もって与えられるようにした請
求項１０から１３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１５】 スパッタリングされる層が、化合物の
金属元素たとえばＣｒの２次電子放射量よりも高い２次
電子放射量を有する化合物たとえばＣｒＯを含む反応性
スパッタリング工程の場合、上昇する放電電圧−反応気
体流−調整特性曲線により特徴づけられる調整特性が反
応気体調量の際に用いられるようにし、即ち該調整特性
曲線として、反応気体流の増加と共に上昇する放電電圧
が前もって与えられている請求項１０から１４までのい
ずれか１項記載の方法。 - 【請求項１６】 スパッタリングされる層が、化合物の
金属元素たとえばＣｒの２次電子放射量よりも高い２次
電子放射量を有する化合物たとえばＣｒＯを含む反応性
スパッタリング工程の場合、低下する放電電流−反応気
体流−調整特性曲線により特徴づけられる調整特性が反
応気体調量の際に用いられるようにし、即ち該調整特性
曲線として、反応気体流の増加と共に低下する放電電圧
が前もって与えられている請求項１０から１５までのい
ずれか１項記載の方法。 - 【請求項１７】 陰極電圧が実際値ないし入力信号とし
て、調整装置（５）へ導びかれるようにし、さらに該調
整装置が該入力信号を、反応気体流のための調整弁
（８）の形式の、反応気体流を調量する操作素子へ操作
値として導びかれるようにした請求項１０から１６まで
のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１８】 電流の強さが実際値ないし入力信号と
して、調整装置へ導びかれるようにし、さらに該調整装
置が該入力信号を、反応気体流のための調整弁の形式
の、反応気体流を調量する操作素子へ操作値として導び
かれるようにした請求項１０から１７までのいずれか１
項記載の方法。 - 【請求項１９】 請求項１から１８までの方法を実施す
るための調整装置（反応気体調整器）（５）と反応気体
の調量用の調整弁（８）とを含むスパッタリング装置が
設けられており、さらに陰極電圧を該調整装置の入力側
へ導びく信号線路（１５）が設けられており、さらに該
調整装置の出力側が線路を介して調整弁（８）と接続さ
れており、この場合この線路は、調整装置において処理
された操作量を調整弁へ導びくようにされていることを
特徴とする調整装置。 - 【請求項２０】 調整装置（反応気体調整器）と反応気
体の調量用の調整弁とを含むスパッタリング装置が設け
られており、さらに電流の強さを該調整装置の入力側へ
導びく信号線路が設けられており、さらに該調整装置の
出力側が線路を介して調整弁と接続されており、この場
合この線路は、調整装置において処理された操作量を調
整弁へ導びくようにされている請求項１９記載の方法を
実施する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4106513.1 | 1991-03-01 | ||
| DE4106513A DE4106513C2 (de) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578836A true JPH0578836A (ja) | 1993-03-30 |
| JP3363918B2 JP3363918B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=6426217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04461392A Expired - Lifetime JP3363918B2 (ja) | 1991-03-01 | 1992-03-02 | 反応性スパッタリング工程の調整法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5556520A (ja) |
| EP (1) | EP0501016A1 (ja) |
| JP (1) | JP3363918B2 (ja) |
| KR (1) | KR100249571B1 (ja) |
| DE (1) | DE4106513C2 (ja) |
| FI (1) | FI920396A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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